專利名稱：薄膜晶體管陣列基板及其制造方法、和液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法、和液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
采用了薄膜晶體管(TFT)的有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示裝置，使矩陣狀形成了 多個(gè)TFT或像素電極的TFT陣列基板與覆蓋了對(duì)置電極的濾色器基板相對(duì)置，成為在這兩 個(gè)基板之間夾持液晶的構(gòu)造。例如，專利文獻(xiàn)1所記載的現(xiàn)有的液晶顯示裝置是如下所述 的一種垂直取向型的液晶顯示裝置，其具有TFT基板102、與TFT基板102對(duì)置配置的對(duì)置 基板102a、密封在TFT基板102與對(duì)置基板102a之間的垂直取向型液晶126，該TFT基板 102具備玻璃基板110、在玻璃基板110上形成的TFT105、與TFT105連接的像素電極124 (參 照?qǐng)D24)。 此外，在專利文獻(xiàn)1所記載的液晶顯示裝置中，在形成了 TFT基板102的像素電極 124的像素區(qū)域內(nèi)，像素電極124的一部分設(shè)置有凹下的凹部123，并且，在凹部123的下面 形成有蝕刻阻止圖案113a、113b、113c。若在像素電極124和公共電極136之間施加電壓， 則垂直取向型液晶126的液晶分子在電場(chǎng)中在垂直的方向上進(jìn)行取向，所以通過形成凹部 123，液晶分子的取向方向成為從凹部123放射狀的相互不同，達(dá)成多域(multi-domain)。 并且，通過形成蝕刻阻止圖案113a、113b、113c，在蝕刻形成凹部123時(shí)通過蝕刻阻止圖案 113a、113b、113c而蝕刻不能前進(jìn)，從而防止玻璃基板110的強(qiáng)度降低。 [OO(H][先行技術(shù)文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)1]特開2006-243494號(hào)公報(bào) 但是，在專利文獻(xiàn)1所記載的液晶顯示裝置中，在像素區(qū)域內(nèi)形成的蝕刻阻止圖 案113a、113b、113c由金屬(例如，鋁和鈦的層疊膜)構(gòu)成，不能透過光。因此，開口率(將 像素分為透過部和遮光部時(shí)的透過部的面積比例)變小。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要課題是提供一種沒有開口率變小的情況的垂直取向型的薄膜晶體 管陣列基板及其制造方法以及液晶顯示裝置。 在本發(fā)明的第1視點(diǎn)中，在薄膜晶體管陣列基板中，特征在于，具備在絕緣層上形 成的蝕刻停止層、在包括所述蝕刻停止層的所述絕緣層上形成的鈍化層、形成在所述鈍化 層中并且通到所述蝕刻停止層的凹部、形成在包括所述凹部的所述鈍化層上并且與所述凹 部相對(duì)應(yīng)而凹下的像素電極，所述蝕刻停止層由透明半導(dǎo)體構(gòu)成。 在本發(fā)明的第2視點(diǎn)中，在薄膜晶體管陣列基板中，特征在于，具備在絕緣層上形 成的像素凸部、形成在包括所述像素凸部的所述絕緣層上并且具有與所述像素凸部相對(duì)應(yīng) 的突出部分的鈍化層、形成在包括所述突出部分的所述鈍化層上并且具有與所述突出部分 相對(duì)應(yīng)的突出部分的像素電極，所述像素凸部由透明半導(dǎo)體構(gòu)成。
在本發(fā)明的第3視點(diǎn)中，在液晶顯示裝置中，特征在于，具備所述薄膜晶體管陣列
基板、濾色器基板、介于所述薄膜晶體管陣列基板與所述濾色器基板之間的液晶層。 在本發(fā)明的第4視點(diǎn)中，在薄膜晶體管陣列的制造方法中，特征在于，包括在透
明絕緣基板上形成柵極電極和掃描線的工序；在包括所述柵極電極和所述掃描線的所述透
明絕緣基板上形成絕緣層的工序；在所述絕緣層上，在成為所述柵極電極的溝道的區(qū)域形
成透明半導(dǎo)體層，同時(shí)形成與所述透明半導(dǎo)體層為同一材料的蝕刻停止層的工序；至少在
所述絕緣層上形成漏極電極、源極電極和信號(hào)線的工序；在包括所述透明半導(dǎo)體層、所述蝕
刻停止層、所述信號(hào)線、所述漏極電極和所述源極電極的所述絕緣層上形成鈍化層的工序；
在所述鈍化層中，形成通到所述蝕刻停止層的凹部，同時(shí)形成通到所述源極電極的接觸孔
的工序；在包括所述凹部和所述接觸孔的區(qū)域的所述鈍化層上形成像素電極的工序。 在本發(fā)明的第5視點(diǎn)中，在薄膜晶體管陣列的制造方法中，特征在于，包括在透
明絕緣基板上形成柵極電極和掃描線的工序；在包括所述柵極電極和所述掃描線的所述透
明絕緣基板上形成絕緣層的工序；在所述絕緣層上，在成為所述柵極電極的溝道的區(qū)域形
成透明半導(dǎo)體層，同時(shí)形成與所述透明半導(dǎo)體層為同一材料的像素凸部的工序；至少在所
述絕緣層上形成漏極電極、源極電極和信號(hào)線的工序；在包括所述透明半導(dǎo)體層、所述像素
凸部、所述信號(hào)線、所述漏極電極和所述源極電極的所述絕緣層上形成鈍化層的工序；在所
述鈍化層中，形成通到所述源極電極的接觸孔的工序；在包括所述像素凸部和所述接觸孔
的區(qū)域的所述鈍化層上形成像素電極的工序。[發(fā)明效果] 根據(jù)本發(fā)明(視點(diǎn)1、視點(diǎn)3)，因?yàn)橄袼貐^(qū)域中的蝕刻停止層是透明的，所以能夠 提高開口率(將像素分為透過部和遮光部時(shí)的透過部的面積比例)，能夠獲得表現(xiàn)非常良 好的顯示特性的液晶顯示裝置。 根據(jù)本發(fā)明(視點(diǎn)2、視點(diǎn)3)，因?yàn)橄袼貐^(qū)域中的像素凸部是透明的，所以能夠提 高開口率(將像素分為透過部和遮光部時(shí)的透過部的面積比例)，能夠獲得表現(xiàn)非常良好 的顯示特性的液晶顯示裝置。 根據(jù)本發(fā)明(視點(diǎn)4)，能夠在形成薄膜晶體管的透明半導(dǎo)體層的同時(shí)形成蝕刻停 止層，所以沒有增加形成光刻膠的工序，不會(huì)使裝置的制造成本增加。 根據(jù)本發(fā)明(視點(diǎn)5)，能夠在形成薄膜晶體管的透明半導(dǎo)體層的同時(shí)形成像素凸 部，所以沒有增加形成光刻膠的工序，不會(huì)使裝置的制造成本增加。


圖1是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例1的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié)構(gòu) 的部分俯視圖。 圖2是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例1的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié)構(gòu) 的圖1的A-A'間的剖面圖。 圖3是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例1的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié)構(gòu) 的圖1的B-B'間的剖面圖。 圖4是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例1的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié)構(gòu) 的圖1的c-c'間的剖面圖。
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圖5是示意性地示出采用了本發(fā)明的實(shí)施例1的薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示 裝置的一像素部的結(jié)構(gòu)的相當(dāng)于圖1的A-A'間的剖面圖。 圖6是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例1的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié)構(gòu) 的變形例的部分俯視圖。 圖7是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例1的薄膜晶體管陣列基板的制造方法的第1 工序剖面圖。 圖8是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例1的薄膜晶體管陣列基板的制造方法的第2 工序剖面圖。 圖9是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例2的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié)構(gòu) 的部分俯視圖。 圖10是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例2的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié) 構(gòu)的圖9的A-A'間的剖面圖。 圖11是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例2的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié) 構(gòu)的圖9的B-B'間的剖面圖。 圖12是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例2的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié) 構(gòu)的圖9的C-C'間的剖面圖。 圖13是示意性地示出采用了本發(fā)明的實(shí)施例2的薄膜晶體管陣列基板的液晶顯 示裝置的一像素部的結(jié)構(gòu)的相當(dāng)于圖1的A-A'間的剖面圖。 圖14是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例2的薄膜晶體管陣列基板的制造方法的第 l工序剖面圖。 圖15是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例2的薄膜晶體管陣列基板的制造方法的第 2工序剖面圖。 圖16是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例3的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié) 構(gòu)的部分俯視圖。 圖17是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例4的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié) 構(gòu)的部分俯視圖。 圖18是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例5的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié) 構(gòu)的部分俯視圖。 圖19是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例5的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié) 構(gòu)的圖18的D-D'間的剖面圖。 圖20是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例5-1的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的 結(jié)構(gòu)的部分俯視圖。 圖21是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例5-1的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的 結(jié)構(gòu)的圖20的E-E'間的剖面圖。 圖22是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例5-2的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的 結(jié)構(gòu)的部分俯視圖。 圖23是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例5-3的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的 結(jié)構(gòu)的部分俯視圖。 圖24是示意性地示出現(xiàn)有例的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
[符號(hào)說明]l玻璃基板(透明絕緣基板)2柵極電極3掃描線4絕緣層5透明半導(dǎo)體層6蝕刻停止層7漏極電極8源極電極9信號(hào)線10鈍化層11、11'凹部12像素電極12a、12b、12c子像素電極12d、12f、12g連結(jié)部12e縫隙部13薄膜晶體管陣列基板14液晶取向?qū)?5對(duì)置共通電極16濾色器基板17液晶取向?qū)?8液晶層19像素凸部20接觸孔21像素電極22薄膜晶體管陣列基板23液晶層25、26液晶顯示裝置30陣列側(cè)偏振板31濾色器側(cè)偏振板32玻璃基板33色層34遮光層35保護(hù)層36接觸孔37反射電極38第2鈍化層液101液晶顯示裝置102TFT基板
102a對(duì)置基板105TFT110、 130玻璃基板112a柵極母線(bus line)112b積蓄電容母線113a、113b、113c蝕刻阻止圖案114絕緣層116半導(dǎo)體層圖案118溝道保護(hù)層120a源極電極120b漏極電極120c積蓄電容電極122保護(hù)層122x、122y接觸孔122z開口部123凹部124像素電極126垂直取向型液晶132黑矩陣134濾色器層136公共電極Cs積蓄電容
具體實(shí)施例方式
在本發(fā)明的實(shí)施方式1的薄膜晶體管陣列基板中，具備絕緣層(圖1 圖4的4) 上形成的蝕刻停止層(圖1 圖4的6)、包括所述蝕刻停止層的所述絕緣層上所形成的鈍 化("'7 *《一 * 3 > )層(圖！ 圖4的10)、形成在所述鈍化層中并且通到所述蝕刻停
止層的凹部(圖1 圖4的11)、形成在包括所述凹部的所述鈍化層上并且與所述凹部相對(duì) 應(yīng)而凹下的像素電極(圖1 圖4的12)，所述蝕刻停止層由透明半導(dǎo)體形成(方式1)。
并且，也可以是以下的方式。 優(yōu)選具備透明絕緣基板、在所述透明絕緣基板上形成的掃描線、在所述透明絕緣 基板上形成并且從所述掃描線分支的柵極電極、包括所述柵極電極和所述掃描線的所述透 明絕緣基板上形成的絕緣層、在成為所述絕緣層上的所述柵極電極的溝道的區(qū)域形成的透 明半導(dǎo)體層、在所述絕緣層上形成并且與所述掃描線交叉的信號(hào)線、形成在所述絕緣層上 并且從所述信號(hào)線分支且與所述透明半導(dǎo)體層的一端連接的漏極電極、在與所述漏極電極 同一層的所述絕緣層上形成并且與所述透明半導(dǎo)體層的另一端連接的源極電極、在所述鈍 化層中形成并且通到所述源極電極的接觸孔(contacthole);所述蝕刻停止層與所述透明 半導(dǎo)體層是同一層且同一材料，所述鈍化層形成在所述絕緣層上，所述絕緣層上包括所述 透明半導(dǎo)體層、所述蝕刻停止層、所述信號(hào)線、所述漏極電極以及所述源極電極，所述凹部形成在被所述掃描線和所述信號(hào)線包圍的區(qū)域的所述鈍化層中，所述像素電極至少形成在 被所述掃描線和所述信號(hào)線包圍的區(qū)域的所述鈍化層上，并且通過所述接觸孔與所述源極 電極電連接(方式1-1)。 優(yōu)選所述凹部形成為從中心放射狀地具有多個(gè)突出部的形狀(方式1-2)。
優(yōu)選所述凹部形成在被所述掃描線和所述信號(hào)線包圍的區(qū)域的中央(方式1-3)。
優(yōu)選所述蝕刻停止層配設(shè)在與所述像素電極的區(qū)域大致相同的區(qū)域(方式1-4)。
優(yōu)選所述像素電極成為多個(gè)子像素電極相互連結(jié)的結(jié)構(gòu)，所述凹部按每個(gè)所述子 像素電極來設(shè)置(方式1-6)。 優(yōu)選所述源極電極還形成在所述蝕刻停止層上，所述接觸孔形成在所述源極電極 與所述蝕刻停止層重疊的區(qū)域(方式1-5)。 在本發(fā)明的實(shí)施方式2的薄膜晶體管陣列基板中，具備絕緣層(圖9 圖12的4) 上形成的像素凸部(圖9 圖12的19)、形成在包括所述像素凸部的所述絕緣層上并且具 有與所述像素凸部相對(duì)應(yīng)的突出部分的鈍化層(圖9 圖12的10)、形成在包括所述突出 部分的所述鈍化層上并且具有與所述鈍化層的所述突出部分相對(duì)應(yīng)的突出部分的像素電 極(圖9 圖12的21)，所述像素凸部由透明半導(dǎo)體形成(方式2)。
并且，也可以是以下的方式。 優(yōu)選具備透明絕緣基板、在所述透明絕緣基板上形成的掃描線、形成在所述透明 絕緣基板上并且從所述掃描線分支的柵極電極、在包括所述柵極電極和所述掃描線的所述 透明絕緣基板上形成的絕緣層、在成為所述絕緣層上的所述柵極電極的溝道的區(qū)域形成的 透明半導(dǎo)體層、形成在所述絕緣層上并且與所述掃描線交叉的信號(hào)線、形成在所述絕緣層 上并且從所述信號(hào)線分支且與所述透明半導(dǎo)體層的一端連接的漏極電極、形成在與所述漏 極電極同一層的所述絕緣層上并且與所述透明半導(dǎo)體層的另一端連接的源極電極、形成在 所述鈍化層中并且通到所述源極電極的接觸孔；所述像素凸部與所述透明半導(dǎo)體層是同一 層且同一材料，所述鈍化層形成在包括所述透明半導(dǎo)體層、所述像素凸部、所述信號(hào)線、所 述漏極電極以及所述源極電極的所述絕緣層上，所述像素電極至少形成在被所述掃描線和 所述信號(hào)線包圍的區(qū)域的所述鈍化層上，并且通過所述接觸孔與所述源極電極電連接(方 式2-l)。 優(yōu)選所述像素凸部形成為從中心放射狀地具有多個(gè)突出部的形狀(方式2-2)。
優(yōu)選所述像素凸部形成在被所述掃描線和所述信號(hào)線包圍的區(qū)域的中央(方式 2-3)。 優(yōu)選所述像素電極成為多個(gè)子像素電極相互連結(jié)的結(jié)構(gòu)，所述像素凸部按每個(gè)所 述子像素電極而配設(shè)(方式2-4)。 此外，對(duì)于實(shí)施方式1、2，也可以是以下的方式。 優(yōu)選所述像素電極的一部分也配設(shè)在與所述掃描線重疊的區(qū)域(方式1、2_1)。
優(yōu)選所述像素電極在邊緣部形成有多個(gè)縫隙(slit)部(方式1、2_2)。
優(yōu)選對(duì)于所述像素電極，所述多個(gè)子像素電極中的任意一個(gè)子像素電極是反射 型的像素電極，所述一個(gè)子像素電極以外的其他子像素電極是透過型像素電極(方式1、 2-3)。 優(yōu)選所述反射型像素電極和所述透過型像素電極形成在同一層(方式1、2_4)。
優(yōu)選所述像素電極是透過型像素電極(方式1 、 2-5)。 在本發(fā)明的實(shí)施方式3的液晶顯示裝置中，具備所述薄膜晶體管陣列基板(圖5 的13、圖13的22)、濾色器基板(圖5、圖13的16)、介于所述薄膜晶體管陣列基板與所述 濾色器基板之間的液晶層(圖5、圖13的18)(方式3)。
而且，也可以是以下的方式。 優(yōu)選所述液晶層是由垂直取向型的液晶分子構(gòu)成的層(方式3-1)。
在本發(fā)明的實(shí)施方式4的薄膜晶體管陣列的制造方法中，包括在透明絕緣基板 上形成柵極電極和掃描線的工序(圖7(a));在包括所述柵極電極和所述掃描線的所述透 明絕緣基板上形成絕緣層的工序(圖7(b));在所述絕緣層上，在成為所述柵極電極的溝道 的區(qū)域形成透明半導(dǎo)體層，同時(shí)形成與所述透明半導(dǎo)體層是同一材料的蝕刻停止層的工序 (圖7(c));至少在所述絕緣層上形成漏極電極、源極電極以及信號(hào)線的工序(圖8(a));在 包括所述透明半導(dǎo)體層、所述蝕刻停止層、所述信號(hào)線、所述漏極電極以及所述源極電極的 所述絕緣層上形成鈍化層的工序(圖8(b));在所述鈍化層中，形成通到所述蝕刻停止層的 凹部，同時(shí)形成通到所述源極電極的接觸孔的工序(圖8(b));在包括所述凹部以及所述接 觸孔的區(qū)域的所述鈍化層上形成像素電極的工序(8(c))(方式4)。 在本發(fā)明的實(shí)施方式5的薄膜晶體管陣列的制造方法中，包括在透明絕緣基板 上形成柵極電極和掃描線的工序(圖14(a));在包括所述柵極電極和所述掃描線的所述透 明絕緣基板上形成絕緣層的工序(圖14(b));在所述絕緣層上，在成為所述柵極電極的溝 道的區(qū)域形成透明半導(dǎo)體層，同時(shí)形成與所述透明半導(dǎo)體層是同一材料的像素凸部的工序 (圖14(c));至少在所述絕緣層上形成漏極電極、源極電極以及信號(hào)線的工序(圖15(a));
在包括所述透明半導(dǎo)體層、所述像素凸部、所述信號(hào)線、所述漏極電極以及所述源極電極的
所述絕緣層上形成鈍化層的工序(圖15(b));在所述鈍化層中形成通到所述源極電極的接 觸孔的工序(圖15(b));在包括所述像素凸部以及所述接觸孔的區(qū)域的所述鈍化層上形成 像素電極的工序(圖巧(c))(方式5)。
[實(shí)施例l] 下面，采用附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施例1的薄膜晶體管陣列基板。圖1是示意性地 示出本發(fā)明的實(shí)施例1的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié)構(gòu)的部分俯視圖。圖2是示 意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例1的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié)構(gòu)的圖1的A-A'間 的剖面圖。圖3是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例1的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié) 構(gòu)的圖1的B-B'間的剖面圖。圖4是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例1的薄膜晶體管陣列 基板的一像素部的結(jié)構(gòu)的圖1的C-C'間的剖面圖。圖5示意性地示出采用了本發(fā)明的實(shí) 施例1的薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示裝置的一像素部的結(jié)構(gòu)的相當(dāng)于圖1的A-A'間 的剖面圖。圖6是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例1的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié) 構(gòu)的變形例的部分俯視圖。另外，在圖1、圖6中，省略了透明絕緣基板1、絕緣層4以及鈍 化層10。 參照?qǐng)D1 圖4，薄膜晶體管陣列基板13是矩陣狀地形成了多個(gè)薄膜晶體管的基 板，是配置在液晶顯示裝置(圖5的25)中的液晶層(圖5的18)的濾色器基板(圖5的 16)側(cè)的相反側(cè)的基板。薄膜晶體管陣列基板13應(yīng)用于液晶電視、機(jī)械控制裝置或便攜式 電話等所使用的液晶顯示裝置。在薄膜晶體管陣列基板13中，形成有掃描線3、與掃描線3立體交叉的信號(hào)線9。掃描線3和信號(hào)線9分別形成有多條，通過這些掃描線3和信號(hào)線9 所區(qū)劃的矩形的區(qū)域分別成為像素部。 在薄膜晶體管陣列基板13的像素部中，在薄膜晶體管的區(qū)域，在透明絕緣基板1 上形成與掃描線3連結(jié)的柵極電極2，在柵極電極2上形成有成為柵極絕緣膜的絕緣層4， 在絕緣層4上形成有成為溝道的透明半導(dǎo)體層5，在透明半導(dǎo)體層5的兩側(cè)形成有與信號(hào)線 9連結(jié)的漏極電極7、源極電極8，在包括透明半導(dǎo)體層5、漏極電極7以及源極電極8的絕 緣層4上，形成有鈍化層10。源極電極8的一部分在像素電極12的區(qū)域內(nèi)延伸，形成在蝕 刻停止層6上，通過在鈍化層10中形成的接觸孔20而與像素電極12電連接。
在薄膜晶體管陣列基板13的像素部中，在像素電極12的區(qū)域(去除薄膜晶體管 的區(qū)域)中，在透明絕緣基板1上形成絕緣層4，在絕緣層4上形成蝕刻停止層6，在蝕刻停 止層6上形成鈍化層IO，在鈍化層10上形成像素電極12，像素電極12通過在鈍化層10中 形成的凹部11與蝕刻停止層6連接，像素電極12通過在鈍化層10中形成的接觸孔20與 源極電極8電連接。 透明絕緣基板1是由玻璃等形成的透明且板狀的絕緣基板。 柵極電極2和掃描線3由導(dǎo)電體構(gòu)成(例如，鉻、鉬、鋁合金等金屬)，為同一材料， 在透明絕緣基板1上形成在同一層。柵極電極2成為從掃描線3分支的形狀，按每個(gè)像素 部配置1條。掃描線3與柵極驅(qū)動(dòng)器IC(未圖示)電連接。
在絕緣層4中，例如，能夠采用氮化硅、氧化硅等透明的絕緣體。
透明半導(dǎo)體層5和蝕刻停止層6由透明半導(dǎo)體(例如，氧化鋅、氧化鋅銦鎵、硫化 鋅等)構(gòu)成，為同一材料，形成在同一層。透明半導(dǎo)體層5成為薄膜晶體管的溝道。透明半 導(dǎo)體層5形成為在像素部中的薄膜晶體管區(qū)域的絕緣層4上跨柵極電極2的方式。在透明 半導(dǎo)體層5的兩端，漏極電極7和源極電極8形成為斜面路的方式。蝕刻停止層6與透明 半導(dǎo)體層5分離，形成在像素部中的像素電極12的區(qū)域(除了薄膜晶體管的區(qū)域的區(qū)域)。 在蝕刻停止層6上，源極電極8的一部分形成為斜面路的方式，與源極電極8相連接。蝕刻 停止層6通過在鈍化層10中形成的凹部11與像素電極12連接。蝕刻停止層6配置為不 與掃描線3和信號(hào)線9重疊的方式。對(duì)于蝕刻停止層6的平面形狀，為了抑制由蝕刻停止 層6端部的階差引起的旋轉(zhuǎn)位移(disclination)(旋錯(cuò))，如圖l所示，優(yōu)選形成為與像素 電極12中的像素部的區(qū)域內(nèi)的部分的形狀大致相同的形狀。 漏極電極7、源極電極8以及信號(hào)線9由導(dǎo)電體(例如，鉻、鉬、鋁合金、下層過渡金 屬-中間層鋁合金-上層過渡金屬等金屬)構(gòu)成，為同一材料，形成在同一層。漏極電極7 成為從信號(hào)線9分支的形狀，按每個(gè)像素部配置1條，形成為一部分在透明半導(dǎo)體層5上成 斜面路的方式。源極電極8形成為在透明半導(dǎo)體層5和蝕刻停止層6之間， 一部分在透明 半導(dǎo)體層5和蝕刻停止層6上成斜面路的方式。信號(hào)線9與信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器IC(未圖示)電 連接。 在鈍化層10中，例如，能夠采用氮化硅、氧化硅等透明的絕緣體。鈍化層IO在各 像素部的中央附近形成有通到蝕刻停止層6的凹部11。凹部11在像素電極12的表面形成 凹部，用于控制液晶分子的傾倒方向。凹部11用于連接像素電極12和蝕刻停止層6。凹部 11的平面形狀在圖1中為矩形，但是也可以是圖6的凹部11那樣的X字形狀，或是從中心 放射狀地具有多個(gè)突出部的星標(biāo)志狀或多邊形的形狀。鈍化層10在源極電極8與像素電
12。接觸孔20用于使源極電極8和像素 電極12電連接。凹部11和接觸孔20的側(cè)壁面成為底面?zhèn)日腻F形形狀。
像素電極12由透明的導(dǎo)電體(氧化銦錫(IT0)等)構(gòu)成。像素電極12形成在除 了薄膜晶體管的區(qū)域的鈍化層10上。像素電極12的一部分在圖1中形成為與掃描線3重 疊，但是如圖6所示，也可以形成為不與掃描線3重疊。像素電極12通過鈍化層10中形成 的凹部11與蝕刻停止層6連接，并通過鈍化層10中形成的接觸孔20與源極電極8電連接。 像素電極12的表面按照凹部11和接觸孔20的形狀而凹陷。通過像素電極12的表面所形 成的凹部，控制液晶分子的傾倒方向。 圖1 圖4那樣的薄膜晶體管陣列基板13如圖5那樣應(yīng)用于液晶顯示裝置25。 薄膜晶體管陣列基板13在透明絕緣基板1的表面粘貼有陣列側(cè)偏振板30。成為在陣列側(cè) 偏振板30的表面?zhèn)仍O(shè)置背光單元(未圖示)的情況。 薄膜晶體管陣列基板13在包括像素電極12的鈍化層10上形成有液晶取向?qū)?14(例如，聚酰亞胺等)。在液晶取向?qū)?4上配置液晶層18。在液晶層18的薄膜晶體管陣 列基板13側(cè)的相反側(cè)配置有濾色器基板16。薄膜晶體管陣列基板13通過密封件(未圖 示；粘接劑)與濾色器基板16隔著規(guī)定間隔而粘接。 濾色器基板16在玻璃基板32上(液晶層18側(cè)的面上)形成有成為黑矩陣的遮 光層34，在與遮光層34同一層的空處形成有成為濾色器的色層33，在遮光層34和色層33 的液晶層18側(cè)的面上形成有保護(hù)層35，在保護(hù)層35的液晶層18側(cè)的面上形成有對(duì)置共 通電極15。遮光層34由鉻等遮光材料構(gòu)成，設(shè)置在與多個(gè)像素部間的區(qū)域、形成了薄膜晶 體管的區(qū)域、以及形成了積蓄電容(未圖示)的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分。色層33由紅色濾色器 層、綠色濾色器層以及藍(lán)色濾色器層構(gòu)成，配置為與各色的像素部相對(duì)應(yīng)的方式。保護(hù)層35 是由透明的絕緣體構(gòu)成的層。對(duì)置共通電極15由透明導(dǎo)電體(ITO等)構(gòu)成，針對(duì)全部像 素部共通地形成。濾色器基板16在對(duì)置共通電極15上形成有液晶取向?qū)?7(例如，聚酰 亞胺等)。濾色器基板16在玻璃基板32的表面粘貼有濾色器側(cè)偏振板31。
液晶層18是由垂直取向型液晶分子構(gòu)成的層。液晶層18被密封在薄膜晶體管陣 列基板13與濾色器基板16之間。
液晶顯示裝置25的動(dòng)作如下所示。 在像素電極12和對(duì)置共通電極15之間不施加電壓的狀態(tài)下，液晶層18中的垂直
取向型液晶分子相對(duì)于液晶取向?qū)?4、17而垂直地取向。因此，在薄膜晶體管陣列基板13
的域限制用的凹部11的內(nèi)側(cè)，液晶分子在相互不同的方向上進(jìn)行取向。 另一方面，若在像素電極12與對(duì)置共通電極15之間施加電壓，則液晶層18中的
垂直取向型液晶分子在電場(chǎng)中取向?yàn)榇怪钡姆较?，所以液晶分子的取向方向成為從凹?1
放射狀地相互不同，表現(xiàn)出比TN(TwistedNematic :扭曲向列)模式的情況更寬的視角特性。 下面，利用附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施例1的薄膜晶體管陣列基板的制造方法。圖 7、圖8是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例1的薄膜晶體管陣列基板的制造方法工序剖面圖。
首先，在透明絕緣基板1上成膜柵極電極2以及掃描線3用的導(dǎo)電體膜(未圖示)， 然后，在該導(dǎo)電體膜上的作為柵極電極2和掃描線3而保留的部分形成光刻膠(未圖示)， 然后，通過將該光刻膠作為掩模而進(jìn)行蝕刻去除，形成柵極電極2和掃描線3，然后，去除該光刻膠(步驟A1 ;參照?qǐng)D7(a))。這里，對(duì)于導(dǎo)電體膜，例如，可以通過濺射法將鉻、鉬、鋁合 金等金屬進(jìn)行成膜。此外，導(dǎo)電體膜的膜厚可以是100 300nm左右。
接著，在包括柵極電極2和掃描線3的透明絕緣基板1上使絕緣層4成膜(步驟 A2 ;參照?qǐng)D7(b))。這里，對(duì)于絕緣層4，例如，可以通過濺射法或等離子體CVD法使氮化硅 或氧化硅成膜。此外，絕緣層4的膜厚可以是300 500nm左右。 緊接著絕緣層4的成膜，在絕緣層4上形成透明半導(dǎo)體層5和蝕刻停止層6用的 透明半導(dǎo)體膜(未圖示)，然后，在該透明半導(dǎo)體膜上的作為透明半導(dǎo)體層5和蝕刻停止 層6而保留的部分形成光刻膠(未圖示)，然后，通過將該光刻膠作為掩模進(jìn)行蝕刻去除， 同時(shí)形成透明半導(dǎo)體層5和蝕刻停止層6，然后，去除該光刻膠(步驟A3;參照?qǐng)D7(c))。 這里，對(duì)于透明半導(dǎo)體膜，例如，可以通過濺射法、CVD法、真空蒸鍍法、溶凝膠法(sol-gel process)等使氧化鋅、氧化鋅銦鎵、硫化鋅等透明半導(dǎo)體成膜。此外，透明半導(dǎo)體膜的膜厚 可以是20 200nm左右。此外，絕緣層4和透明半導(dǎo)體膜可以在同一裝置， 一直保持著真 空，來連續(xù)形成。 接著，在包括透明半導(dǎo)體層5和蝕刻停止層6的絕緣層4上形成漏極電極7、源極 電極8和信號(hào)線9用的導(dǎo)電體膜(未圖示)，然后，在該導(dǎo)電體膜上的作為漏極電極7、源極 電極8和信號(hào)線9而保留的部分形成光刻膠(未圖示)，然后，通過將該光刻膠作為掩模進(jìn) 行蝕刻去除，形成漏極電極7、源極電極8和信號(hào)線9，然后，去除該光刻膠(步驟A4 ;參照?qǐng)D 8(a))。這里，對(duì)于導(dǎo)電體膜，例如，可以通過濺射法使鉻、鉬、鋁合金、下層過渡金屬-中間 層鋁合金_上層過渡金屬等金屬成膜。將導(dǎo)電體膜作為下層過渡金屬_中間層鋁合金_上 層過渡金屬的三層是為了降低漏極電極7、源極電極8與透明半導(dǎo)體層5的接觸電阻以及源 極電極8與像素電極12的接觸電阻。此外，導(dǎo)電體膜的膜厚可以是100 300nm左右。
接著，在包括透明半導(dǎo)體層5、蝕刻停止層6、漏極電極7、源極電極8和信號(hào)線9的 絕緣層4上使鈍化層IO成膜，然后，在鈍化層IO上的除了形成凹部11和接觸孔20的區(qū)域 的部分形成光刻膠(未圖示)，然后，通過將該光刻膠作為掩模進(jìn)行蝕刻去除，形成凹部11 和接觸孔20，然后，去除該光刻膠(步驟A5;參照?qǐng)D8(b))。這里，對(duì)于鈍化層IO，例如，可 以通過濺射法或等離子體CVD法使氮化硅或氧化硅成膜。此外，鈍化層10的膜厚可以是 100 500nm左右。此夕卜，凹部11和接觸孔20利用包括氟基的氣體的干蝕刻，通過蝕刻鈍 化層10來形成，但是在這種干蝕刻中，蝕刻停止層6和源極電極8基本不被蝕刻。因此，在 蝕刻停止層6和源極電極8，鈍化層10的蝕刻阻止。 另外，雖然沒有進(jìn)行圖示，但是在顯示部的周邊所配置的掃描線3用的端子部和 信號(hào)線9用端子部的接觸孔也在步驟A5同時(shí)被形成。此外，對(duì)于掃描線3用的端子部的接 觸孔，不僅對(duì)鈍化層10進(jìn)行蝕刻加工還對(duì)絕緣層4進(jìn)行蝕刻加工從而形成。
接著，在包括凹部11和接觸孔20的鈍化層10上使像素電極12用的透明導(dǎo)電體 成膜，然后，在該透明導(dǎo)電體膜上的作為像素電極12而保留的部分形成光刻膠(未圖示)， 然后，通過將該光刻膠作為掩模進(jìn)行蝕刻去除，形成像素電極12，然后，去除該光刻膠(步 驟A6 ;參照?qǐng)D8(c))。由此，像素電極12通過接觸孔20與源極電極8電連接，通過凹部ll， 表面成為凹下的形狀。這里，對(duì)于透明導(dǎo)電體膜，例如，可以通過濺射法使氧化銦錫(ITO) 成膜。另外，可以根據(jù)需要，通過利用摻雜等在透明半導(dǎo)體膜中導(dǎo)入雜質(zhì)等的方法來調(diào)整電 阻。此外，透明導(dǎo)電體膜的膜厚可以是20 100nm左右。此外，為了抑制由蝕刻停止層6端部的階差引起的旋轉(zhuǎn)位移(旋錯(cuò))，優(yōu)選像素電極12為與蝕刻停止層6大致相同的形狀。 之后，可以進(jìn)行100 20(TC左右的退火(anneal)。 另外，在步驟A6中，在顯示部的周邊配置的掃描線3用的端子部和信號(hào)線9用的 端子部通過接觸孔與透明導(dǎo)電體膜電連接，形成規(guī)定的布線圖案。 通過以上那樣，與圖1 圖4相同的薄膜晶體管陣列基板13完成。采用了該薄膜 晶體管陣列基板13的液晶顯示裝置(圖5的25)的制造方法如以下所述。
首先，在薄膜晶體管陣列基板13的像素電極12側(cè)的面的顯示部，形成液晶取向?qū)?14。并且，在濾色器基板16的對(duì)置共通電極15側(cè)的面的顯示部，形成液晶取向?qū)?7。
接著，按照像素電極12與對(duì)置共通電極15相對(duì)置的方式配置薄膜晶體管陣列基 板13和濾色器基板16，通過顯示部附近的纖細(xì)的密封件(粘接劑)，在這兩個(gè)基板13、16 之間密封液晶，形成液晶層18。 接著，在薄膜晶體管陣列基板13的透明絕緣基板1的表面粘貼陣列側(cè)偏振板30， 在濾色器基板16的玻璃基板32的表面粘貼濾色器側(cè)偏振板31。據(jù)此，形成與圖5相同的 液晶顯示裝置25。 然后，在液晶顯示裝置25的端子(未圖示)上分別連接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器IC或信號(hào)線
驅(qū)動(dòng)器IC等，成為在薄膜晶體管陣列基板13側(cè)設(shè)置背光單元(未圖示)。 根據(jù)實(shí)施例1，像素區(qū)域中的蝕刻停止層6透明，所以能夠提高開口率(將像素分
為透過部和遮光部時(shí)的透過部的面積比例)。據(jù)此，能夠獲得表現(xiàn)非常良好的顯示特性的液
晶顯示裝置。也就是說，能夠?qū)崿F(xiàn)比以往更明亮的高性能顯示器，或者能夠?qū)崿F(xiàn)與以往相同
的明亮度的情況下耗電比以往小的顯示器。 此外，根據(jù)實(shí)施例1，由于在像素區(qū)域內(nèi)不存在對(duì)液晶層18中的垂直取向型液晶 分子的取向給予影響的凹部ll以外的階差，所以沒有液晶分子的取向的紊亂(旋轉(zhuǎn)位移)， 能夠提高顯示特性。也就是說，此外，由于蝕刻停止層6是透明的，所以無論使蝕刻停止層 6的面積變得有多大，也不會(huì)妨礙透過的光，所以即使使蝕刻停止層6成為與像素區(qū)域內(nèi)的 像素電極12大致相同的大小也能夠確保開口率，并且，能夠在像素電極12的像素區(qū)域內(nèi)消 除由蝕刻停止層6引起的階差，所以沒有由凹部11以外的階差引起的旋轉(zhuǎn)位移，能夠提高 顯示特性。 此外，根據(jù)實(shí)施例l，在能夠形成薄膜晶體管的透明半導(dǎo)體層5的同時(shí)形成蝕刻停 止層6，所以沒有增加形成光刻膠的工序。據(jù)此，不用增大裝置的制造成本，能夠?qū)崿F(xiàn)上述效 果。[實(shí)施例2] 利用

本發(fā)明的實(shí)施例2的薄膜晶體管陣列基板。圖9是示意性地示出本 發(fā)明的實(shí)施例2的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié)構(gòu)的部分俯視圖。圖10是示意性 地示出本發(fā)明的實(shí)施例2的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié)構(gòu)的圖9的A-A'間的剖 面圖。圖11是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例2的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié)構(gòu) 的圖9的B-B'間的剖面圖。圖12是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例2的薄膜晶體管陣列基 板的一像素部的結(jié)構(gòu)的圖9的C-C'間的剖面圖。圖13是示意性地示出采用了本發(fā)明的實(shí) 施例2的薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示裝置的一像素部的結(jié)構(gòu)的相當(dāng)于圖1的A-A'間 的剖面圖。另外，在圖9中，省略了透明絕緣基板1、絕緣層4和鈍化層10。
在實(shí)施例l中，在鈍化層(圖2的10)中，通過底面形成蝕刻停止層(圖2的6;透 明半導(dǎo)體)的凹部(圖2的11)，使像素電極(圖2的12)的表面形狀成為按照凹部(圖2 的11)而凹下的形狀，控制液晶分子的傾倒方向，但在實(shí)施例2中，通過在鈍化層10的下部 形成凸部19 (透明半導(dǎo)體)，使鈍化層10為凸形狀，與此相伴，使像素電極21的表面形狀為 凸形狀，從而控制液晶分子的傾倒方向。其他的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例l相同。
另外，在實(shí)施例2中，凸部19(透明半導(dǎo)體)不是使透明絕緣基板1的蝕刻停止 的部件，沒有在鈍化層10中形成實(shí)施例1那樣的凹部(除了接觸孔)。凸部19由透明半 導(dǎo)體(例如，氧化鋅、氧化鋅銦鎵、硫化鋅等)構(gòu)成，與透明半導(dǎo)體層5是同一材料，與透明 半導(dǎo)體層5形成在同一層。凸部19與透明半導(dǎo)體層5分離，配置在像素區(qū)域的中央附近， 沒有成為與像素電極21同樣的大小。在凸部19上，形成了鈍化層IO，但并不與源極電極 8接觸。凸部19沒有與鈍化層10上的像素電極21連接。凸部19的平面形狀在圖9中為 X字形狀，但是考慮到液晶分子的傾倒方向，也可以是從中心放射狀地具有多個(gè)突出部的星 標(biāo)志狀、多邊形、圓形。 參照?qǐng)D13，在像素電極21和對(duì)置共通電極15之間不施加電壓的狀態(tài)下，液晶層 18中的垂直取向型液晶分子相對(duì)液晶取向?qū)?4、17垂直地來取向。因此，在與薄膜晶體管 陣列基板22的域限制用的凸部19相伴的像素電極21的突出的部分的周邊，液晶分子在相 互不同的方向取向。 另一方面，若在像素電極21和對(duì)置共通電極15之間施加電壓，則液晶層18中的 垂直取向型液晶分子在電場(chǎng)中在垂直的方向上取向，所以液晶分子的取向方向成為從與凸 部19相伴的像素電極21的突出的部分放射狀地相互不同，表現(xiàn)出比TN(Twisted Nematic) 模式的情況更寬的視角特性。 下面，利用附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例2的薄膜晶體管陣列基板的制造方法進(jìn)行說 明。圖14、圖15是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例2的薄膜晶體管陣列基板的制造方法的工 序剖面圖。 首先，在透明絕緣基板1上成膜柵極電極2和掃描線3用的導(dǎo)電體膜(未圖示)， 然后，在該導(dǎo)電體膜上的作為柵極電極2和掃描線3而保留的部分形成光刻膠(未圖示)， 然后，通過將該光刻膠作為掩模進(jìn)行蝕刻去除，形成柵極電極2和掃描線3，然后，去除該光 刻膠(步驟B1 ;參照?qǐng)D14(a))。該工序與實(shí)施例1的步驟Al(參照?qǐng)D7(a))相同。
接著，在包括柵極電極2和掃描線3的透明絕緣基板1上使絕緣層4成膜(步驟 B2 ;參照?qǐng)D14(b))。該工序與實(shí)施例1的步驟A2(參照?qǐng)D7(b))相同。
緊接著絕緣層4的成膜，在絕緣層4上成膜透明半導(dǎo)體層5和凸部19用的透明半 導(dǎo)體膜(未圖示)，然后，在該透明半導(dǎo)體膜上的作為透明半導(dǎo)體層5和凸部19而保留的部 分形成光刻膠(未圖示)，然后，通過將該光刻膠作為掩模進(jìn)行蝕刻去除，同時(shí)形成透明半 導(dǎo)體層5和凸部19，然后，去除該光刻膠(步驟B3 ;參照?qǐng)D14(c))。這里，凸部19的平面 形狀可為X字形狀。其他與實(shí)施例1的步驟A3(參照?qǐng)D7(c))相同。 接著，在包括透明半導(dǎo)體層5的凸部19的絕緣層4上形成漏極電極7、源極電極 8和信號(hào)線9用的導(dǎo)電體膜(未圖示)，然后，在該導(dǎo)電體膜上的作為漏極電極7、源極電 極8和信號(hào)線9而保留的部分形成光刻膠(未圖示)，然后，通過將該光刻膠作為掩模進(jìn)行 蝕刻去除，形成漏極電極7、源極電極8和信號(hào)線9，然后，去除該光刻膠(步驟B4 ;參照?qǐng)D15 (a))。該工序與實(shí)施例1的步驟A4 (參照?qǐng)D8 (a))相同。 接著，在包括透明半導(dǎo)體層5、凸部19、漏極電極7、源極電極8和信號(hào)線9的絕緣層4上使鈍化層10成膜，然后，在鈍化層10上的除了形成接觸孔20的區(qū)域的部分形成光刻膠(未圖示)，然后，通過將該光刻膠作為掩模進(jìn)行蝕刻去除，形成接觸孔20，然后，去除該光刻膠(步驟B5;參照?qǐng)D15(b))。在該工序中，未形成凹部(圖8(b)的ll)的點(diǎn)與實(shí)施例1的步驟A5 (參照?qǐng)D8 (b))不同。其他與實(shí)施例1的步驟A5 (參照?qǐng)D8 (b))相同。
接著，在包括接觸孔20的鈍化層10上使像素電極21用的透明導(dǎo)電體成膜，然后，在該透明導(dǎo)電體膜上的作為像素電極21而保留的部分形成光刻膠(未圖示)，然后，通過將該光刻膠作為掩模進(jìn)行蝕刻去除，形成像素電極21，然后，去除該光刻膠(步驟B6 ;參照?qǐng)D15(c))。據(jù)此，像素電極21通過接觸孔20與源極電極8電連接，成為通過凸部19而表面突出的形狀。此外，像素電極21利用凸部19的端部的階差，所以形成在比凸部19大的區(qū)域。其他與實(shí)施例1的步驟A6(參照?qǐng)D8(c))相同。 以上那樣，與圖9 圖12相同的薄膜晶體管陣列基板22完成。采用了該薄膜晶
體管陣列基板22的液晶顯示裝置(圖13的26)的制造方法與實(shí)施例1相同。 根據(jù)實(shí)施例2，由于像素區(qū)域中的凸部19透明，所以能夠提高開口率(將像素分為
透過部和遮光部時(shí)的透過部的面積比例)。據(jù)此，能夠獲得表現(xiàn)非常良好的顯示特性的液晶
顯示裝置。也就是說，能夠?qū)崿F(xiàn)比以往更明亮的高性能顯示器，或者，能夠?qū)崿F(xiàn)與以往相同
明亮度時(shí)耗電比以往小的顯示器。 此外，根據(jù)實(shí)施例2，由于在像素區(qū)域內(nèi)不存在對(duì)液晶層18中的垂直取向型液晶分子的取向給予影響的凸部19以外的階差，所以沒有液晶分子的取向的紊亂(旋轉(zhuǎn)位移)，能夠提高顯示特性。 此外，根據(jù)實(shí)施例2，能夠在形成薄膜晶體管的透明半導(dǎo)體層5的同時(shí)形成凸部19，所以沒有增加形成光刻膠的工序。據(jù)此，不會(huì)使裝置的制造成本增加，能夠?qū)崿F(xiàn)上述效果。[實(shí)施例3] 利用附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例3的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行說明。圖16是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例3的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié)構(gòu)的部分俯視圖。另外，在圖16中，省略了玻璃基板(相當(dāng)于圖2的1)、絕緣層(相當(dāng)于圖2的4)、鈍化層(相當(dāng)于圖2的10)。 在實(shí)施例1中，在一像素區(qū)域中，像素電極(圖1的12)是1個(gè)，但在實(shí)施例3中，在一像素區(qū)域中像素電極12由多個(gè)(在圖16中為3個(gè))子像素電極12a、12b、12c構(gòu)成，各子像素電極12a、12b、12c間成為通過連結(jié)部12d被連結(jié)的結(jié)構(gòu)。此外，按每個(gè)子像素電極12a、12b、12c的區(qū)域，設(shè)置了用于實(shí)現(xiàn)被分割的取向的凹部11。蝕刻停止層6比像素電極12的區(qū)域略大。其他的結(jié)構(gòu)、制造方法與實(shí)施例1相同。 根據(jù)實(shí)施例3，發(fā)揮與實(shí)施例1相同的效果的同時(shí)，因?yàn)楦髯酉袼仉姌O12a、12b、12c的形狀成為以凹部11為中心的接近點(diǎn)對(duì)稱的形狀，所以能夠穩(wěn)定地產(chǎn)生被分割的多個(gè)域。此外，如實(shí)施例3那樣，若一像素區(qū)域的縱橫比不同，則在準(zhǔn)備多個(gè)利用濾色器來進(jìn)行顏色顯示用的顏色顯示像素的情況下，能夠獲得良好的顯示。即，例如，將紅色、藍(lán)色、綠色的三個(gè)顏色顯示像素的集合作為一個(gè)顯示單位時(shí)，能夠適宜地利用圖16那樣地縱橫比為3 : 1的結(jié)構(gòu)。
[實(shí)施例4] 利用附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例4的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行說明。圖17是示意性 地示出本發(fā)明的實(shí)施例4的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié)構(gòu)的部分俯視圖。另外， 在圖17中，省略了玻璃基板(相當(dāng)于圖2的1)、絕緣層(相當(dāng)于圖2的4)、鈍化層(相當(dāng) 于圖2的10)。 實(shí)施例4的薄膜晶體管陣列基板與實(shí)施例3基本相同，但是像素電極12的形狀不 同。即，為了使液晶的取向穩(wěn)定，在各子像素電極12a、12b、12c的邊緣部設(shè)置了多個(gè)切口 (縫隙部12e)。其他的結(jié)構(gòu)、制造方法與實(shí)施例3相同。 根據(jù)實(shí)施例4，發(fā)揮與實(shí)施例3相同的效果的同時(shí)，通過在各子像素電極12a、 12b、 12c的周圍設(shè)置縫隙部12e，與實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)相比，能夠使液晶的取向更穩(wěn)定。
[實(shí)施例5] 利用附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例5的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行說明。圖18是示意性地 示出本發(fā)明的實(shí)施例5的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié)構(gòu)的部分俯視圖。圖19是 示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例5的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié)構(gòu)的圖18的D-D' 間的剖面圖。圖20是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例5-1的薄膜晶體管陣列基板的一像素 部的結(jié)構(gòu)的部分俯視圖。圖21是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例5-1的薄膜晶體管陣列基 板的一像素部的結(jié)構(gòu)的圖20的E-E'間的剖面圖。圖22是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例 5-2的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié)構(gòu)的部分俯視圖。圖23是示意性地示出本發(fā)明 的實(shí)施例5-3的薄膜晶體管陣列基板的一像素部的結(jié)構(gòu)的部分俯視圖。另外，在圖18、圖 20、圖22、圖23中，省略了透明絕緣基板1、絕緣層4和鈍化層10。在圖18中，還省略了第 2鈍化層38。 在實(shí)施例3中，作為像素電極，僅采用了透過型像素電極(圖16的12)，但在實(shí) 施例5中，采用了反射型像素電極37和透過型像素電極12 (參照?qǐng)D18、圖19)。反射電極 37(或反射圖案)形成在實(shí)施例3的像素電極(圖16的12)的同一層，通過鈍化層10的接 觸孔20與源極電極8電連接，按照鈍化層10的凹部11而凹下。在包括反射電極37的鈍 化層10上形成有第2鈍化層38。第2鈍化層38按照鈍化層10的凹部11而凹下。在第2 鈍化層38中，形成有通到反射電極37的接觸孔36。在第2鈍化層38上，形成有子像素電 極12b、12c通過連結(jié)部12d連結(jié)了的像素電極12。子像素電極12b具有用于與反射電極 37連接的連結(jié)部12f。連結(jié)部12f通過接觸孔36與反射電極37電連接。像素電極12與 對(duì)應(yīng)于鈍化層10的凹部11的第2鈍化層38的凹下的部分相對(duì)應(yīng)而凹下。其他的結(jié)構(gòu)與 實(shí)施例3相同。 另外，實(shí)施例5的薄膜晶體管陣列基板的制造方法通過實(shí)施例1的步驟Al 步驟 A5的工序，在鈍化層10中形成了凹部11和接觸孔20之后，在包括凹部11和接觸孔20的 鈍化層10上形成反射電極37，然后，在包括反射電極37的鈍化層10上形成第2鈍化層38， 然后，在第2鈍化層38中形成通到反射電極37的接觸孔36，然后，在包括接觸孔36的第2 鈍化層38上形成像素電極12。據(jù)此，與圖18、圖19相同的薄膜晶體管陣列基板完成。
另外，在圖18、圖19中，示出了在鈍化層10與第2鈍化層38之間的層上設(shè)置了 反射電極37的結(jié)構(gòu)，但是也可以廢止圖18、圖19的第2鈍化層38，如圖20、圖21那樣，成
18為在與反射電極37同一層設(shè)置透過型的像素電極12并連接像素電極12上所形成的連結(jié)部12g和反射電極37的結(jié)構(gòu)(實(shí)施例5-l)。在該情況下，不需要圖18、圖19的第2鈍化層38和接觸孔36。 此外，在圖20、圖21的結(jié)構(gòu)中，反射電極37形成在一像素區(qū)域中的3個(gè)子像素電極中通過接觸孔20與源極電極8連接的子像素電極的位置，但是，也可以如圖22那樣，在中間的子像素電極的位置形成反射電極37(實(shí)施例5-2)，也可以如圖23那樣，在離接觸孔20最遠(yuǎn)的子像素電極的位置形成反射電極37(實(shí)施例5-3)。 根據(jù)實(shí)施例5，發(fā)揮與實(shí)施例相同的效果的同時(shí)，因?yàn)樵谝幌袼貐^(qū)域具有反射型像素電極(反射電極37)，所以能夠作為所謂的半透過型液晶顯示裝置來動(dòng)作。因此，能夠在周圍明亮的情況、昏暗的情況的雙方實(shí) 良好的顯示。
權(quán)利要求
一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，具備蝕刻停止層，其形成在絕緣層上；鈍化層，其形成在包括所述蝕刻停止層的所述絕緣層上；凹部，其形成在所述鈍化層中，并且通到所述蝕刻停止層；和像素電極，其形成在包括所述凹部的所述鈍化層上，并且與所述凹部相對(duì)應(yīng)而凹下，所述蝕刻停止層由透明半導(dǎo)體構(gòu)成。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于， 具備透明絕緣基板；掃描線，其形成在所述透明絕緣基板上；柵極電極，其形成在所述透明絕緣基板上，并且從所述掃描線分支； 絕緣層，其形成在包括所述柵極電極和所述掃描線的所述透明絕緣基板上； 透明半導(dǎo)體層，其形成在所述絕緣層上的成為所述柵極電極的溝道的區(qū)域； 信號(hào)線，其形成在所述絕緣層上，并且與所述掃描線交叉；漏極電極，其形成在所述絕緣層上，并且從所述信號(hào)線分支，并且與所述透明半導(dǎo)體層 的一端連接；源極電極，其形成在與所述漏極電極同一層的所述絕緣層上，并且與所述透明半導(dǎo)體 層的另一端連接；禾口接觸孔，其形成在所述鈍化層中，并且通到所述源極電極， 所述蝕刻停止層與所述透明半導(dǎo)體層在同一層且為同一材料，所述鈍化層形成在包括所述透明半導(dǎo)體層、所述蝕刻停止層、所述信號(hào)線、所述漏極電極和所述源極電極的所述絕緣層上，所述凹部形成在被所述掃描線和所述信號(hào)線包圍的區(qū)域的所述鈍化層中， 所述像素電極至少形成在被所述掃描線和所述信號(hào)線包圍的區(qū)域的所述鈍化層上，并且通過所述接觸孔與所述源極電極電連接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于， 所述凹部形成為從中心放射狀地具有多個(gè)突出部的形狀。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于， 所述凹部形成在被所述掃描線和所述信號(hào)線包圍的區(qū)域的中央。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1 4中任意一項(xiàng)所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于， 所述蝕刻停止層配設(shè)在與所述像素電極的區(qū)域大致相同的區(qū)域。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1 5中任意一項(xiàng)所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于， 所述像素電極成為多個(gè)子像素電極相互連結(jié)的結(jié)構(gòu)， 所述凹部按每個(gè)所述子像素電極來配設(shè)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2 6中任意一項(xiàng)所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于， 所述源極電極還形成在所述蝕刻停止層上，所述接觸孔形成在所述源極電極與所述蝕刻停止層重疊的區(qū)域。
8. —種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，具備 像素凸部，其形成在絕緣層上；鈍化層，其形成在包括所述像素凸部的所述絕緣層上，并且具有與所述像素凸部相對(duì) 應(yīng)的突出部分；禾口像素電極，其形成在包括所述突出部分的所述鈍化層上，并且具有與所述突出部分相 對(duì)應(yīng)的突出部分，所述像素凸部由透明半導(dǎo)體構(gòu)成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于， 具備透明絕緣基板；掃描線，其形成在所述透明絕緣基板上；柵極電極，其形成在所述透明絕緣基板上，并且從所述掃描線分支； 絕緣層，其形成在包括所述柵極電極和所述掃描線的所述透明絕緣基板上； 透明半導(dǎo)體層，其形成在所述絕緣層上的成為所述柵極電極的溝道的區(qū)域； 信號(hào)線，其形成在所述絕緣層上，并且與所述掃描線交叉；漏極電極，其形成在所述絕緣層上，并且從所述信號(hào)線分支，且與所述透明半導(dǎo)體層的 一端連接；源極電極，其形成在與所述漏極電極同一層的所述絕緣層上，并且與所述透明半導(dǎo)體 層的另一端連接；禾口接觸孔，其形成在所述鈍化層中，并且通到所述源極電極， 所述像素凸部與所述透明半導(dǎo)體層在同一層且為同一材料，所述鈍化層形成在包括所述透明半導(dǎo)體層、所述像素凸部、所述信號(hào)線、所述漏極電極 和所述源極電極的所述絕緣層上，所述像素電極至少形成在被所述掃描線和所述信號(hào)線包圍的區(qū)域的所述鈍化層上，并 且通過所述接觸孔與所述源極電極電連接。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于， 所述像素凸部形成為從中心放射狀地具有多個(gè)突出部的形狀。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于， 所述像素凸部形成在被所述掃描線和所述信號(hào)線包圍的區(qū)域的中央。
12. 根據(jù)權(quán)利要求8 11中任意一項(xiàng)所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于， 所述像素電極成為多個(gè)子像素電極相互連結(jié)的結(jié)構(gòu)， 所述像素凸部按每個(gè)所述子像素電極而配設(shè)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求2或9所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于， 所述像素電極的一部分還配設(shè)在與所述掃描線重疊的區(qū)域。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1 13中任意一項(xiàng)所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于， 所述像素電極在邊緣部形成有多個(gè)縫隙部。
15. 根據(jù)權(quán)利要求6或12所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于， 對(duì)于所述像素電極，所述多個(gè)子像素電極中任意一個(gè)子像素電極是反射型像素電極，所述一個(gè)子像素電極以外的其他子像素電極是透過型像素電極。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于， 所述反射型像素電極和所述透過型像素電極形成在同一層。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1 16中任意一項(xiàng)所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于， 所述像素電極是透過型像素電極。
18. —種液晶顯示裝置，其特征在于，具備權(quán)利要求1 17中任意一項(xiàng)所述的薄膜晶體管陣列基板； 濾色器基板；禾口液晶層，其介于所述薄膜晶體管陣列基板與所述濾色器基板之間。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述液晶層是由垂直取向型液晶分子構(gòu)成的層。
20. —種薄膜晶體管陣列的制造方法，其特征在于，包括以下工序 在透明絕緣基板上形成柵極電極和掃描線的工序；在包括所述柵極電極和所述掃描線的所述透明絕緣基板上形成絕緣層的工序； 在所述絕緣層上，在成為所述柵極電極的溝道的區(qū)域形成透明半導(dǎo)體層，同時(shí)形成與 所述透明半導(dǎo)體層為同一材料的蝕刻停止層的工序；至少在所述絕緣層上形成漏極電極、源極電極和信號(hào)線的工序；在包括所述透明半導(dǎo)體層、所述蝕刻停止層、所述信號(hào)線、所述漏極電極和所述源極電 極的所述絕緣層上形成鈍化層的工序；在所述鈍化層中，形成通到所述蝕刻停止層的凹部，同時(shí)形成通到所述源極電極的接 觸孔的工序；禾口在包括所述凹部和所述接觸孔的區(qū)域的所述鈍化層上形成像素電極的工序。
21. —種薄膜晶體管陣列的制造方法，其特征在于，包括以下工序 在透明絕緣基板上形成柵極電極和掃描線的工序；在包括所述柵極電極和所述掃描線的所述透明絕緣基板上形成絕緣層的工序； 在所述絕緣層上，在成為所述柵極電極的溝道的區(qū)域形成透明半導(dǎo)體層，同時(shí)形成與 所述透明半導(dǎo)體層為同一材料的像素凸部的工序；至少在所述絕緣層上形成漏極電極、源極電極和信號(hào)線的工序；在包括所述透明半導(dǎo)體層、所述像素凸部、所述信號(hào)線、所述漏極電極和所述源極電極 的所述絕緣層上形成鈍化層的工序；在所述鈍化層中形成通到所述源極電極的接觸孔的工序；禾口在包括所述像素凸部和所述接觸孔的區(qū)域的所述鈍化層上形成像素電極的工序。
全文摘要
提供一種沒有減小開口率的垂直取向型薄膜晶體管陣列基板。具備絕緣層上形成的蝕刻停止層；在包括所述蝕刻停止層的所述絕緣層上形成的鈍化層；形成在所述鈍化層并且通過所述蝕刻停止層的凹部；形成在包括所述凹部的所述鈍化層上并且與所述凹部相對(duì)應(yīng)而凹下的像素電極；所述蝕刻停止層由透明半導(dǎo)體構(gòu)成。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK101789426SQ20101010398
公開日2010年7月28日 申請(qǐng)日期2010年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月26日
發(fā)明者山口弘高, 高取憲一 申請(qǐng)人:Nec液晶技術(shù)株式會(huì)社