專利名稱：像素陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素陣列，且尤其涉及一種數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片減半(HalfSource Driver, HSD)架構(gòu)的像素陣列。
背景技術(shù)：
—般而言，平面顯示器中主要是由一顯示面板以及多個驅(qū)動芯片(DriverIC)所 構(gòu)成，其中顯示面板具有像素陣列，而像素陣列的像素是通過對應(yīng)的掃描線以及對應(yīng)的數(shù) 據(jù)線所驅(qū)動。為了使得平面顯示器更為普及，業(yè)者都如火如荼地進行降低成本作業(yè)，近年來 一種數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片減半(Half Source Driver, HSD)的架構(gòu)設(shè)計被提出，其主要是利用像素 陣列上的布局來降低數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片的使用量。詳細來說，HSD架構(gòu)的像素陣列中，兩相鄰的 子像素(sub-pixel)是共享同一條數(shù)據(jù)線，因而得以使數(shù)據(jù)線的總數(shù)目減半，但掃描線的 總數(shù)目則增加一倍。由于HSD架構(gòu)可以使得數(shù)據(jù)線的總數(shù)目減半，因此，所需的源極驅(qū)動器 (source drivers)的數(shù)量也減半，但所需的柵極驅(qū)動器(gate drivers)的數(shù)量則增加一 倍。由于柵極驅(qū)動器的造價低于源極驅(qū)動器的造價，因此，整體而言，平面顯示器的制造成 本仍可有效地被降低。在HSD的設(shè)計中，由于掃描線的總數(shù)目會增加一倍，因此，每個像素 的充電時間減半，致使數(shù)據(jù)寫入的時間不足，進而導(dǎo)致平面顯示器的顯示質(zhì)量下降。為了改 善前述的問題，對掃描線進行預(yù)充(pre-charge)是目前現(xiàn)有技術(shù)常會采用的作法，然而， 此作法仍然面臨了諸多問題，茲詳述如下。 圖1A為現(xiàn)有的像素陣列的示意圖，而圖1B為用以驅(qū)動圖IA中的像素陣列的信號 時序圖。請先參考圖1A，現(xiàn)有的像素陣列100包括多個像素列100a、100b以及多條數(shù)據(jù)線 110。每一像素列100a(或像素列100b)包括一第一掃描線120a、一第二掃描線120b、多個 第一子像素130a以及多個第二子像素130b。其中，數(shù)據(jù)線110與第一掃描線120a以及第 二掃描線120b交錯，與同一條數(shù)據(jù)線110電性連接的部分第一子像素130a位于數(shù)據(jù)線110 的右側(cè)，而與同一條數(shù)據(jù)線110電性連接的部分第二子像素130b位于數(shù)據(jù)線110的左側(cè)。 此外，第一子像素130a與第二子像素130b交替排列于第一掃描線120a與第二掃描線120b 之間，且第一子像素130a與第一掃描線120a電性連接，而第二子像素130b與第二掃描線 120b電性連接。 如圖IB所示，Gl為輸入至像素列100a的第一掃描線120a的掃描信號，G2為輸 入至像素列100a的第二掃描線120b的掃描信號，G3為輸入至像素列100b的第一掃描線 120a的掃描信號，而D為輸入至數(shù)據(jù)線110的數(shù)據(jù)信號，P1為輸入至子像素130a的影像信 號，P2為輸入至子像素130b的影像信號。當(dāng)對像素陣列100的第一掃描線120a以及第二 掃描線120b采用預(yù)充(pre-charge)的驅(qū)動方式時，第一子像素130a的電壓會受到第一掃 描線120a以及第二掃描線120b在關(guān)閉時所導(dǎo)致的饋通電壓(feed through voltage)效 應(yīng)的影響，而產(chǎn)生一 (2X AH)的壓降，請參考圖IB中的影像信號P1。第二子像素130b的 電壓卻只會受到第二掃描線120b在關(guān)閉時所導(dǎo)致的饋通電壓效應(yīng)的影響，而產(chǎn)生一 AH的 壓降，請參考圖1B中的影像信號P2。其中，(2X AH)的壓降明顯不等于AH的壓降。如此一來，第一子像素130a與第二子像素130b在顯示時則會出現(xiàn)亮暗線交替的顯示缺陷，進而 影響平面顯示器的顯示質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種像素陣列，以大幅改善顯示畫面中亮暗 線的顯示缺陷。 本發(fā)明提出一種像素陣列，其包括多個像素列與多條數(shù)據(jù)線。每一像素列包括一 第一掃描線、一第二掃描線、多個第一子像素以及多個第二子像素。第一子像素與第二子像 素交替排列于第一掃描線與第二掃描線之間。第一子像素與第一掃描線電性連接，而第二 子像素與第二掃描線電性連接。數(shù)據(jù)線與第一掃描線以及第二掃描線交錯，其中與同一條 數(shù)據(jù)線電性連接的部分第一子像素以及部分第二子像素分別位于該條數(shù)據(jù)線的兩對側(cè)。在 第n像素列中，每一第一子像素與第一掃描線的耦合電容為CI 。每一第一子像素與第二掃 描線的耦合電容為C2。每一第二子像素與第二掃描線的耦合電容為C2'。每一第二子像素 與第(n+1)像素列中的第一掃描線的耦合電容為Cl'，且(Cl+C2)實質(zhì)上等于(C1'+C2')。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的像素列中的第一掃描線以及第二掃描線交替地排 列。 在本發(fā)明的一實施例中，上述的每一第一子像素包括一第一主動元件以及一與第 一主動元件電性連接的第一像素電極。每一第二子像素包括一第二主動元件以及一與第二 主動元件電性連接的第二像素電極。 在本發(fā)明的一實施例中，上述在第n像素列中，耦合電容Cl由每一第一像素電極 與第一掃描線所形成。耦合電容C2由每一第一像素電極與第二掃描線所形成。耦合電容 C2'由每一第二像素電極與第二掃描線所形成。耦合電容C1'由每一第二像素電極與第 (n+l)像素列中的第一掃描線所形成。 在本發(fā)明的一實施例中，上述在第n像素列中，每一第一像素電極與第一掃描線 的耦合面積為A1。每一第一像素電極與第二掃描線的耦合面積為A2。每一第二像素電極 與第二掃描線的耦合面積為A2'。每一第二像素電極與第(n+l)像素列中的第一掃描線的 耦合面積為A1'，且(Al+A2)實質(zhì)上等于(Al' +A2')。 在本發(fā)明的一實施例中，上述在第n像素列中，其中Al'為O，而(Al+A2)實質(zhì)上等 于A2，。 在本發(fā)明的一實施例中，上述的每一第一子像素包括一第一主動元件、一與第一 主動元件電性連接的第一像素電極以及一與第一像素電極電性連接的第一耦合電極。每一 第二子像素包括一第二主動元件、一與第二主動元件電性連接的第二像素電極以及一與第 二像素電極電性連接的第二耦合電極。 在本發(fā)明的一實施例中，上述在第n像素列中，耦合電容Cl由每一第一耦合電極 與第一掃描線所形成。耦合電容C2由每一第一像素電極與第二掃描線所形成。耦合電容 C2'由每一第二耦合電極與第二掃描線所形成。耦合電容C1'由每一第二耦合電極與第 (n+l)像素列中的第一掃描線所形成。 在本發(fā)明的一實施例中，上述在第n像素列中，每一第一耦合電極與第一掃描線 的耦合面積為A1。每一第一像素電極與第二掃描線的耦合面積為A2。每一第二耦合電極與第二掃描線的耦合面積為A2'。每一第二耦合電極與第(n+1)像素列中的第一掃描線的耦合面積為A1'，且(Al+A2)實質(zhì)上等于(Al' +A2')。 在本發(fā)明的一實施例中，上述在第n像素列中，耦合電容Cl由每一第一耦合電極與第一掃描線所形成。耦合電容C2由每一第一耦合電極與第二掃描線所形成。耦合電容C2'由每一第二耦合電極與第二掃描線所形成。耦合電容為C1'由每一第二耦合電極與第(n+l)像素列中的第一掃描線所形成。 在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一耦合電極延伸于第一像素電極的下方。 在本發(fā)明的一實施例中，上述與同一條數(shù)據(jù)線電性連接的第一子像素在行方向上
彼此對齊，而與同一條數(shù)據(jù)線電性連接的第二子像素在行方向上彼此對齊。 在本發(fā)明的一實施例中，上述的像素陣列還包括多條共通線。每一共通線分別配
置于每一像素列中的第一掃描線以及第二掃描線之間。 本發(fā)明還提出一種像素陣列，其包括多個像素列以及多個數(shù)據(jù)線。每一像素列包括一第一掃描線、一第二掃描線、多個第一子像素以及多個第二子像素。第一子像素與第二子像素交替排列于第一掃描線與第二掃描線之間。第一子像素與第一掃描線電性連接，而第二子像素與第二掃描線電性連接。數(shù)據(jù)線與第一掃描線以及第二掃描線交錯，其中與同一條數(shù)據(jù)線電性連接的部分第一子像素以部分第二子像素分別位于條數(shù)據(jù)線的兩對側(cè)。在第n像素列中，每一第一子像素與第一掃描線以及第二掃描線重迭(overl即ped)，每一第二子像素與第二掃描線重迭。 在本發(fā)明的一實施例中，上述第n像素列中的每一第二子像素更與第(n+l)像素列中的第一掃描線重迭。 基于上述，本發(fā)明的像素陣列的設(shè)計在于使第n像素列中，第一子像素與第一掃描線以及第二掃描線的耦合電容實質(zhì)上等于第二子像素與第二掃描線以及第(n+l)像素列中的第一掃描線的耦合電容。如此，當(dāng)對掃描線采用預(yù)充的驅(qū)動方式時，第一子像素的電壓與第二子像素的電壓在受到的饋通電壓效應(yīng)的影響下所產(chǎn)生的壓降實質(zhì)上是相同的，因此可有效改善現(xiàn)有的亮暗線的顯示缺陷。因此，當(dāng)本發(fā)明的像素陣列應(yīng)用于顯示器時，有助于提高顯示器的顯示質(zhì)量。 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。


圖1A為現(xiàn)有的像素陣列的示意圖； 圖1B為用以驅(qū)動圖1A中的像素陣列的信號時序圖； 圖2A為本發(fā)明的第一實施例的一種像素陣列的示意圖； 圖2B為用以驅(qū)動圖2A中的像素陣列的信號時序圖； 圖3A為本發(fā)明的第二實施例的一種像素陣列的示意圖； 圖3B為用以驅(qū)動圖3A中的像素陣列的信號時序圖； 圖4為本發(fā)明的第三實施例的一種像素陣列的示意圖； 圖5為本發(fā)明的第四實施例的一種像素陣列的示意圖。 其中，附圖標(biāo)記
6
100 :像素陣列 100a、100b :像素列 IIO:數(shù)據(jù)線 120a、120b :掃描線 130a、130b :子像素 200a 200d :像素陣列 300a、300b :第一像素列 310 :第一掃描線 320 :第二掃描線 330a 300d :第一子像素 332 :第一主動元件 334a 334d :第一像素電極 336c、336d :第一耦合電極 340a 340d :第二子像素 342 :第二主動元件 344a 344d :第二像素電極 346c、346d :第二耦合電極 400 :數(shù)據(jù)線 500 :共通線 C1、C1，、C2、C2，耦合電容 A1、A1，、A2、A2，耦合面積 G1、G1，、G2、G2，、G3、G3，掃描信號 D、D':數(shù)據(jù)信號 P1、P1，、P1"、P2、P2，、P2":影像信號
具體實施例方式
圖2A為本發(fā)明的第一實施例的一種像素陣列的示意圖。請先參考圖2A，像素陣列200a包括多個像素列300a、300b與多條數(shù)據(jù)線400。詳細來說，像素列300a(或像素列300b)包括一第一掃描線310、一第二掃描線320、多個第一子像素330a以及多個第二子像素340a。其中，像素列330a中的第一掃描線310以及第二掃描線320與像素列330b中的第一掃描線310以及第二掃描線320呈現(xiàn)交替地排列。第一子像素330a與第二子像素340a交替排列于第一掃描線310與第二掃描線320之間，其中第一子像素330a與第一掃描線310電性連接，而第二子像素340a與第二掃描線320電性連接。 數(shù)據(jù)線400與第一掃描線310以及第二掃描線320交錯，其中與同一條數(shù)據(jù)線400電性連接的部分第一子像素330a以及部分第二子像素340a分別位于該條數(shù)據(jù)線400的兩對側(cè)。特別是，與數(shù)據(jù)線400電性連接的第一子像素330a在行方向上彼此對齊，而與此條數(shù)據(jù)線400電性連接的第二子像素340a在行方向上彼此對齊。從圖2A可知，與同一條數(shù)據(jù)線400電性連接的部分第一子像素330a位于數(shù)據(jù)線400的右側(cè)，而與同一條數(shù)據(jù)線400電性連接的部分第二子像素340a則位于數(shù)據(jù)線400的左側(cè)。此外，本實施例的像素陣列200a還包括多條共通線500，其中共通線500分別配置于像素列300a(或像素列300b)中的第一掃描線310以及第二掃描線320之間，舉例而言，多條共通線500大體與第一掃描線310或第二掃描線320平行。 如圖2A所示，在第n像素列中，每一第一子像素330a與第一掃描線310以及第二掃描線320重迭，而每一第二子像素340a與第二掃描線320以及第(n+l)像素列中的第一掃描線310重迭。詳細來說，在第n像素列中，每一第一子像素330a與第一掃描線310的耦合電容為Cl，每一第一子像素330a與第二掃描線320的耦合電容為C2，每一第二子像素340a與第二掃描線320的耦合電容為C2'，而每一第二子像素340a與第(n+l)像素列中之
第一掃描線3io的耦合電容為cr，較佳地，則(ci+c2)實質(zhì)上等于(cr +C2')。 具體來說，第一子像素330a包括一第一主動元件332以及一與第一主動元件332電性連接的第一像素電極334a。第二子像素340a包括一第二主動元件342以及一與第二主動元件342電性連接的第二像素電極344a。在第n像素列中，例如是像素列300a中，第一像素電極334a與第一掃描線310的耦合面積為Al ，第一像素電極334a與第二掃描線320的耦合面積為A2，第二像素電極344a與第二掃描線320的耦合面積為A2'，而第二像素電極344a與像素列300b中的第一掃描線310的耦合面積為Al'。當(dāng)?shù)谝幌袼仉姌O334a與第一掃描線310之間的介電層厚度(未繪示)、第一像素電極334a與第二掃描線320之間的介電層厚度(未繪示)、第二像素電極344a與第二掃描線320之間的介電層厚度(未繪示)以及第二像素電極344a與像素列300b中的第一掃描線310之間的介電層厚度(未繪示)維持一定值時，較佳地，則(Al+A2)實質(zhì)上等于(Al' +A2')。 另一方面，在像素列300a中，耦合電容C1是由第一像素電極334a與第一掃描線310所形成。耦合電容C2是由第一像素電極334a與第二掃描線320所形成。耦合電容C2'是由第二像素電極344a與第二掃描線320所形成。耦合電容Cl'是由第二像素電極320與像素列300b中之第一掃描線310所形成。由于(Cl+C2)實質(zhì)上等于(Cl'+C2')，意即第一子像素330a與第二子像素340a柵極-漏極寄生電容實質(zhì)上相同，因此，有助于改善現(xiàn)有顯示畫面中所產(chǎn)生的亮暗線的顯示缺陷，使應(yīng)用像素陣列200a的平面顯示器具有較佳的顯示質(zhì)量。 更進一步而言，圖2B為用以驅(qū)動圖2A的像素陣列的信號時序圖，請同時參考圖2A與圖2B。在本實施例中，Gl'為輸入至像素列300a中的第一掃描線310的掃描信號，G2'為輸入至像素列300a中的第二掃描線320的掃描信號，G3'為輸入至像素列300b中的第一掃描線310的掃描信號，D'為輸入至數(shù)據(jù)線400的數(shù)據(jù)信號，Pl'為輸入至像素列300a中的第一子像素330a的影像信號，而P2'為輸入至像素列300a中的第二子像素340a的影像信號。當(dāng)對像素陣列200a的第一掃描線310與第二掃描線320采用預(yù)充(pre-charge)的驅(qū)動方式時，請參考圖2B中的影像信號Pl'與影像信號P2'，第一子像素330a的電壓會受到像素列300a中的第一掃描線310以及第二掃描線320在關(guān)閉時所導(dǎo)致的饋通電壓(feedthrough voltage)效應(yīng)的影響，而產(chǎn)生一 (2X AH)的壓降。第二子像素340a的電壓會受到像素列300a中的第二掃描線320以及像素列300b中的第一掃描線310在關(guān)閉時所導(dǎo)致的饋通電壓效應(yīng)的影響，而產(chǎn)生一 (2X AH)的壓降，其中第一子像素330a與第二子像素340a所受到的壓降實質(zhì)上相同。也就是說，第一子像素330a的電壓與第二子像素340a的電壓都受到等量值的饋通電壓效應(yīng)的影響，因而于同一共享電壓下，第一子像素330a與第
8二子像素340a具有相同的偏壓。如此一來，第一子像素330a與第二子像素340a于畫面顯示時便不會呈現(xiàn)亮暗線的顯示缺陷。換言之，本實施例的像素陣列200a的設(shè)計，可以有效改善現(xiàn)有的亮暗線的顯示缺陷。因此，當(dāng)本實施例的像素陣列200a應(yīng)用于顯示器(未繪示)時，有助于提高顯示器的顯示質(zhì)量。 以下將以多個不同實施例來說明像素陣列200b 200d的設(shè)計。在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標(biāo)號與部分內(nèi)容，其中采用相同的標(biāo)號來表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說明。關(guān)于省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重復(fù)贅述。 圖3A為本發(fā)明的第二實施例的一種像素陣列的示意圖，圖3B為用以驅(qū)動圖3A中的像素陣列的信號時序圖。請先同時參考圖2A與圖3A，本實施例的像素陣列200b與圖2A的像素陣列200a相似，故部分沿用圖2A與圖2B的標(biāo)號，但二者主要差異之處在于在第n像素列中，第二子像素340b與第(n+l)像素列中的第一掃描線310并未重迭，意即A1'為O，因此，(Al+A2)實質(zhì)上等于A2'。 如圖3A與圖3B所示，在本實施例中，Gl'為輸入至像素列300a中的第一掃描線310的掃描信號，G2'為輸入至像素列300a中的第二掃描線320的掃描信號，G3'為輸入至像素列300b中的第一掃描線310的掃描信號，D'為輸入至數(shù)據(jù)線400的數(shù)據(jù)信號，Pl"為輸入至像素列300a中的第一子像素330b的影像信號，而P2"輸入至為像素列300a中的第二子像素340b的影像信號。當(dāng)對像素陣列200b的第一掃描線310與第二掃描線320采用預(yù)充的驅(qū)動方式時，請參考圖3B中的影像信號Pl"與影像信號P2"，第一子像素330b的電壓會受到像素列300a中的第一掃描線310以及第二掃描線320在關(guān)閉時所導(dǎo)致的饋通電壓效應(yīng)的影響，而產(chǎn)生一 (2X AH)的壓降。第二子像素340b的電壓會受到像素列300a中的第二掃描線320在關(guān)閉時所導(dǎo)致的饋通電壓效應(yīng)的影B向，而產(chǎn)生一 AH'的壓降，其中(2X AH)的壓降實質(zhì)上明顯等于AH'的壓降。也就是說，第一子像素330b的電壓與第二子像素340b電壓雖受到不同饋通電壓效應(yīng)的影響，但實質(zhì)上所產(chǎn)生的壓降是相等的，因而于同一共享電壓下，第一子像素330b與第二子像素340b仍具有相同的偏壓。如此一來，第一子像素330b與第二子像素340b于顯示時便不會呈現(xiàn)亮暗線的顯示缺陷。換言之，本實施例的像素陣列200b的設(shè)計，也可以有效改善現(xiàn)有的亮暗線的顯示缺陷，且應(yīng)用于顯示器(未繪示)時，有助于提高顯示器的顯示質(zhì)量。 圖4為本發(fā)明的第三實施例的一種像素陣列的示意圖。請先同時參考圖2A與圖4，本實施例的像素陣列200c與圖2A的像素陣列200a相似，故部分沿用圖2A的標(biāo)號，兩者的差異在于第一子像素330c還包括一第一耦合電極336c，而第二子像素340c還包括一第二耦合電極346c。詳細而言，在本實施例的像素陣列200c中，第一子像素330c包括第一主動元件332、與第一主動元件332電性連接的第一像素電極334c以及與第一像素電極334c電性連接的第一耦合電極336c。第二子像素340c包括第二主動元件342、與第二主動元件342電性連接的第二像素電極344c以及與第二像素電極344c電性連接的第二耦合電極346c。 如圖4所示，在像素列300a中，耦合電容Cl是由第一耦合電極336c與第一掃描線310所形成，耦合電容C2是由第一像素電極334c與第二掃描線320所形成，耦合電容C2'是由第二耦合電極346c與第二掃描線320所形成，而耦合電容Cl'是由第二耦合電極346c
9與像素列300b中的第一掃描線310所形成，較佳地，則(Cl+C2)實質(zhì)上等于(C1'+C2')。由于(Cl+C2)實質(zhì)上等于(Cl'+C2')，意即第一子像素330c與第二子像素340c的柵極-漏極寄生電容相同，因此，可有助于改善現(xiàn)有的亮暗線的顯示缺陷，使像素陣列200c在顯示過程中具有較佳的顯示質(zhì)量。 另一方面，在像素列300a中，第一耦合電極336c與第一掃描線310的耦合面積為Al，第一像素電極334c與第二掃描線320的耦合面積為A2，第二耦合電極346c與第二掃描線320的耦合面積為A2'，而第二耦合電極346c與像素列300b中的第一掃描線310的耦合面積為A1'。當(dāng)?shù)谝获詈想姌O336c與第一掃描線310之間的介電層厚度(未繪示)、第一像素電極334c與第二掃描線320之間的介電層厚度(未繪示)、第二耦合電極346c與第二掃描線320之間的介電層厚度(未繪示)以及第二耦合電極346c與像素列300b中的第一掃描線310之間的介電層厚度(未繪示)維持一定值時，較佳地，則(Al+A2)實質(zhì)上等于(Al， +A2，)。 在本實施例中，第一耦合電極336c與第一像素電極334c可以由不同膜層形成，第一耦合電極336c舉例可以與第一主動元件332的漏極以相同的膜層形成，但由于第一耦合電極336c與第一像素電極334c電性連接，意即第一耦合電極336c與第一像素電極334c等電位，因此可將第一耦合電極336c視為第一像素電極334c的一部份。同理，雖然第二耦合電極346c與第二像素電極344c可以由不同膜層形成，第二耦合電極346c舉例可以與第二主動元件342的漏極以相同的膜層形成，但由于第二耦合電極346c與第二像素電極344c電性連接，意即第二耦合電極346c與第二像素電極344c等電位，因此，可將第二耦合電極346c視為第二像素電極344c的一部份。故，當(dāng)對像素陣列200c的第一掃描線310與第二掃描線320采用預(yù)充的驅(qū)動方式時，第一子像素330c的電壓會受到像素列300a中的第一掃描線310以及第二掃描線320在關(guān)閉時所導(dǎo)致的饋通電壓效應(yīng)的影響，而第二子像素340c的電壓會受到像素列300a中的第二掃描線320以及像素列300b中的第一掃描線310在關(guān)閉時所導(dǎo)致的饋通電壓效應(yīng)的影響。其中，第一子像素330c的電壓與第二子像素340c的電壓都所受到等量值的饋通電壓效應(yīng)的影響，因而于同一共享電壓下，第一子像素330c與第二子像素340c具有相同的偏壓，可以有效改善現(xiàn)有的亮暗線的顯示缺陷。
圖5為本發(fā)明的第四實施一種像素陣列的示意圖。請先同時參考圖4與圖5，本實施例的像素陣列200d與圖4的像素陣列200c相似，故部分沿用圖4的標(biāo)號，兩者的差異在于耦合電容C2是由第一耦合電極336d與像素列300a的第二掃描線320所形成，且第一耦合電極336d延伸于第一像素電極334d的下方，第一耦合電極336d舉例可以與第一主動元件332的漏極以相同的膜層形成。詳細來說，在像素列300a中，第一耦合電極336d與第一掃描線310的耦合面積為Al，第一耦合電極336d與第二掃描線320的耦合面積為A2，第二耦合電極346d與第二掃描線320的耦合面積為A2'，而第二耦合電極346d與像素列300b中的第一掃描線310的耦合面積為Al'，較佳地，則(Al+A2)實質(zhì)上等于(Al' +A2，)。也就是說，第一耦合電極336d與第一掃描線310以及第二掃描線320的耦合面積實質(zhì)上等于第二耦合電極346d與第二掃描線320以及下一列像素列中的第一掃描線310的耦合面積。 當(dāng)然，上述所述的多種像素陣列200a 200d僅是作為舉例說明的用，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可參考上述實施例的說明，依據(jù)實際需求選用前述構(gòu)件而自行變化，以達到所需的技術(shù)效果。譬如若上述介電層厚度不均一時，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可依據(jù)本發(fā)明的精神適當(dāng) 的調(diào)整各個元件的相對位置或面積大小等等。只要是在第n像素列中，第一子像素與第一 掃描線以及第二掃描線的耦合電容實質(zhì)上等于第二子像素與第二掃描線以及第(n+1)像 素列中的第一掃描線的耦合電容，都屬于本發(fā)明可采用的技術(shù)方案，不脫離本發(fā)明所欲保 護的范圍。 綜上所述，本發(fā)明的像素陣列的設(shè)計在于當(dāng)對掃描線采用預(yù)充的驅(qū)動方式時，第 一子像素的電壓與第二子像素的電壓在受到的饋通電壓效應(yīng)的影響下所產(chǎn)生的偏壓是相 同，因而在同一共享電壓下，第一子像素與第二子像素的偏壓相同。如此一來，可以有效改 善現(xiàn)有的亮暗線的顯示缺陷。因此，當(dāng)本發(fā)明的像素陣列應(yīng)用于顯示器時，有助于提高顯示 器的顯示質(zhì)量。 當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟 悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變 形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
1權(quán)利要求
一種像素陣列，其特征在于，包括多個像素列，各該像素列包括一第一掃描線；一第二掃描線；多個第一子像素；以及多個第二子像素，該些第一子像素與該些第二子像素交替排列于該第一掃描線與該第二掃描線之間，該些第一子像素與該第一掃描線電性連接，該些第二子像素與該第二掃描線電性連接；以及多條數(shù)據(jù)線，與該些第一掃描線以及該些第二掃描線交錯，其中與同一條數(shù)據(jù)線電性連接的部分該些第一子像素以及部分該些第二子像素分別位于該條數(shù)據(jù)線的兩對側(cè)；其中在第n像素列中，各該第一子像素與該第一掃描線的耦合電容為C1，各該第一子像素與該第二掃描線的耦合電容為C2，各該第二子像素與該第二掃描線的耦合電容為C2’，各該第二子像素與第(n+1)像素列中的該第一掃描線的耦合電容為C1’，且(C1+C2)等于(C1’+C2’)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，該些像素列中的該些第一掃描線以及該些第二掃描線交替地排列。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，各該第一子像素包括一第一主動元 件以及一與該第一主動元件電性連接的第一像素電極，各該第二子像素包括一第二主動元 件以及一與該第二主動元件電性連接的第二像素電極。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素陣列，其特征在于，在該第n像素列中，該耦合電容C1 由各該第一像素電極與該第一掃描線所形成，該耦合電容C2由各該第一像素電極與該第 二掃描線所形成，該耦合電容C2'由各該第二像素電極與該第二掃描線所形成，該耦合電容 Cl'由各該第二像素電極與該第(n+l)像素列中的該第一掃描線所形成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素陣列，其特征在于，在該第n像素列中，各該第一像素電 極與該第一掃描線的耦合面積為A1，各該第一像素電極與該第二掃描線的耦合面積為A2， 各該第二像素電極與該第二掃描線的耦合面積為A2'，各該第二像素電極與該第(n+l)像 素列中的該第一掃描線的耦合面積為A1'，且(Al+A2)等于(Al' +A2')。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素陣列，其特征在于，在該第n像素列中，其中Al'為0， (Al+A2)等于A2'。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，各該第一子像素包括一第一主動元 件、一與該第一主動元件電性連接的第一像素電極以及一與該第一像素電極電性連接的第 一耦合電極，各該第二子像素包括一第二主動元件、一與該第二主動元件電性連接的第二 像素電極以及一與該第二像素電極電性連接的第二耦合電極。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素陣列，其特征在于，在該第n像素列中，該耦合電容Cl 由各該第一耦合電極與該第一掃描線所形成，該耦合電容C2由各該第一像素電極與該第 二掃描線所形成，該耦合電容C2'由各該第二耦合電極與該第二掃描線所形成，該耦合電容 Cl'由各該第二耦合電極與第(n+l)像素列中的該第一掃描線所形成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素陣列，其特征在于，在該第n像素列中，各該第一耦合電 極與該第一掃描線的耦合面積為A1，各該第一像素電極與該第二掃描線的耦合面積為A2，各該第二耦合電極與該第二掃描線的耦合面積為A2'，各該第二耦合電極與該第(n+1)像 素列中的該第一掃描線的耦合面積為A1'，且(Al+A2)等于(Al' +A2')。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素陣列，其特征在于，在該第n像素列中，該耦合電容Cl 由各該第一耦合電極與該第一掃描線所形成，該耦合電容C2由各該第一耦合電極與該第 二掃描線所形成，該耦合電容C2'由各該第二耦合電極與該第二掃描線所形成，該耦合電容 為C1'由各該第二耦合電極與第(n+l)像素列中的該第一掃描線所形成，其中該第一耦合 電極延伸于該第一像素電極的下方。
11. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的像素陣列，其特征在于，該與同一條數(shù)據(jù)線電性連接的第 一子像素在行方向上彼此對齊，與同一條數(shù)據(jù)線電性連接的第二子像素在行方向上彼此對 齊。
12. —種像素陣列，其特征在于，包括 多個像素列，各該像素列包括 一第一掃描線；一第二掃描線； 多個第一子像素；以及多個第二子像素，該些第一子像素與該些第二子像素交替排列于該第一掃描線與該第 二掃描線之間，該些第一子像素與該第一掃描線電性連接，該些第二子像素與該第二掃描 線電性連接；以及多條數(shù)據(jù)線，與該些第一掃描線以及該些第二掃描線交錯，其中與同一條數(shù)據(jù)線電性 連接的部分該些第一子像素以部分該些第二子像素分別位于該條數(shù)據(jù)線的兩對側(cè)；其中在第n像素列中，各該第一子像素與該第一掃描線以及該第二掃描線重迭，各該第二 子像素與該第二掃描線重迭，其中該第n像素列中的各該第二子像素更與第(n+l)像素列 中的該第一掃描線重迭。
全文摘要
一種像素陣列，包括多個像素列及多條數(shù)據(jù)線。每一像素列包括一第一掃描線、一第二掃描線、多個第一子像素以及多個第二子像素。第一與第二子像素交替排列于第一與第二掃描線之間。數(shù)據(jù)線與第一及第二掃描線交錯，其中與同一條數(shù)據(jù)線電性連接的部分第一子像素以及部分第二子像素分別位于該條數(shù)據(jù)線的兩對側(cè)。在第n像素列中，每一第一子像素與第一掃描線的耦合電容為C1。每一第一子像素與第二掃描線的耦合電容為C2。每一第二子像素與第二掃描線的耦合電容為C2’。每一第二子像素與第(n+1)像素列中的第一掃描線的耦合電容為C1’，且(C1+C2)實質(zhì)上等于(C1’+C2’)。
文檔編號G02F1/13GK101718931SQ20091025293
公開日2010年6月2日 申請日期2009年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月4日
發(fā)明者劉晉煒, 江博仁 申請人:友達光電股份有限公司