專利名稱：：電子照相感光體及使用該感光體的成像裝置和處理盒的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及用于例如通過電子照相法成像的復印機的電子照相感光體，和使用所述電子照相感光體的處理盒和成像裝置。
背景技術：
：近年來，電子照相法在例如復印機和打印機等中已經(jīng)得到廣泛應用。利用電子照相法的成像裝置中所使用的電子照相感光體(下文有時稱為"感光體")與各種材料接觸，并暴露在裝置中的各種應力之下，因而逐漸劣化。另一方面，成像裝置的數(shù)字化和彩色化也需要感光體具有高可靠性。具體而言，例如，關于使感光體帶電的方法，有以下問題值得注意。例如，在非接觸式充電中，放電產(chǎn)物沉積在感光體上，這會導致圖像模糊等問題。為除去沉積在感光體上的放電產(chǎn)物，例如，采用了向顯影劑中加入具有研磨功能的顆粒并在清理單元中除去所述顯影劑的系統(tǒng)。然而，在這樣的系統(tǒng)中，感光體表面會因磨損而逐漸劣化。近年來，接觸式充電得到了廣泛的使用。然而，接觸式充電可能也會加速感光體的磨損0由于這些問題，一直都需要延長電子照相感光體的壽命。為延長電子照相感光體的壽命，需要改善耐磨性，這就需要提高感光體表面的硬度。例如，已經(jīng)提出了下述方法通過催化CVD法在有機感光層上形成無定形碳化硅表面保護層的方法(例如，參見日本特開2003-316053號公報)；向無定形碳中加入痕量鎵原子以改善耐濕性和印刷耐用性的方法(例如，參見日本特開平2-110470號公報)；使用具有金剛石鍵的無定形碳氮化物的方法(例如，參見日本特開2003-27238號公報)；和使用非單晶的氫化氮化物半導體的方法(例如，參見日本特開平11-186571號公報)。
發(fā)明內(nèi)容然而，諸如氫化無定形碳膜(a-C:H)或其氟化膜(a-C:H，F(xiàn))等碳類膜的膜硬度的改善傾向于導致所述膜呈現(xiàn)顏色。隨著使用過程中碳類膜的表面層磨損的增加，表面層的光透射量將隨時間而增大，設置在表面層內(nèi)側(cè)的感光層的感光度也將因此而明顯增加。另外，當表面層的磨損在表面中不均一時，感光層表現(xiàn)出的感光度也不均一，由此很容易產(chǎn)生圖像不均勻，在形成半色調(diào)圖像時尤其如此。作為有機感光層的表面層，已經(jīng)提出了含有第III族元素氮化物或第III族元素氧化物的無色表面層。上述表面層是無色的，并且具有優(yōu)異的透明性、高硬度、優(yōu)異的化學穩(wěn)定性和優(yōu)異的耐磨性。然而所述表面層卻在以下方面令人擔憂，即，由于表面層與感光層之間折射率不同，會發(fā)生依表面層的膜厚而定的光干涉。此外，雖然上述表面層具有優(yōu)異的印刷耐用性，但在打印機中運行時由于加入到顯影劑中所包含的電荷調(diào)節(jié)劑或流動性調(diào)節(jié)劑中的顆粒所致，可能發(fā)生幾納米到幾十納米的磨損。特別是，當在許多張紙上打印具有圖案內(nèi)部濃度差異的相同圖案時(例如當在許多張紙上打印同一表格時)，將會產(chǎn)生與輸出原稿的圖像濃度差異相應的磨損差異。當表面層中產(chǎn)生磨損差異時，感光層上的入射光的量將因表面層中的光干涉的不同而存在差異。得到的表現(xiàn)出的感光度的差異將導致電勢的不同，而電勢不同在某些情況下會導致印刷的圖像中濃度不均勻。本發(fā)明致力于解決上述問題。因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種電子照相感光體，利用所述感光體可以抑制光——已經(jīng)照射到感光體并由所述感光體反射的光(下文簡稱為"來自感光體的反射光")——由于表面層的厚度不均所致的干涉和強度改變所引起的不均勻的圖像濃度的產(chǎn)生。本發(fā)明的另一個目的是提供使用上述電子照相感光體的處理盒和成像裝置。本發(fā)明的以下方面致力于實現(xiàn)上述目的。本發(fā)明的第一方面提供一種電子照相感光體，所述感光體包含導電性基體和依次設置于所述導電性基體上的感光層、中間層和表面層，所述中間層的厚度為2nm70nm，并且所述感光層的折射率nl、所述中間層的折射率n2、所述表面層的折射率n3滿足下述不等式(l)。不等式(l):n2>n3>nl本發(fā)明的第二方面提供如第一方面所述的電子照相感光體，其中，所述中間層包含第一材料，所述第一材料含有氧或氮中的至少一種和第13族元素，所述表面層包含第二材料，所述第二材料含有氧或氮中的至少一種和第13族元素，并且所述第一材料和所述第二材料具有不同的組成式。本發(fā)明的第三方面提供如第二方面所述的電子照相感光體，其中所述第一材料中的第13族元素和所述第二材料中的第13族元素均為Ga。本發(fā)明的第四方面提供如第二方面所述的電子照相感光體，其中所述電子感光體在所述導電性基體和所述感光層之間進一步包含底涂層，并且所述感光層包含電荷生成層和電荷輸送層，所述電荷生成層含有酞菁化合物，所述電荷輸送層含有由下式(l)表示的化合物和其重復單元由下式(2)表示的聚合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>本發(fā)明的第五方面提供如第一方面所述的電子照相感光體，其中，所述感光層的折射率nl與所述中間層的折射率n2之差為0.11.0。本發(fā)明的第六方面提供如第一方面所述的電子照相感光體，其中，所述感光層的折射率nl與所述中間層的折射率n2之差為0.30.7。本發(fā)明的第七方面提供如第一方面所述的電子照相感光體，其中，所述中間層的折射率n2與所述表面層的折射率n3之差為0.010.7。本發(fā)明的第八方面提供如第一方面所述的電子照相感光體，其中，所述中間層的折射率n2與所述表面層的折射率n3之差為0.030.5。本發(fā)明的第九方面提供如第一方面所述的電子照相感光體，其中所述中間層的厚度為5nm60nm。本發(fā)明的第十方面提供一種處理盒，所述處理盒以一體化方式包含:電子照相感光體；和選自由以下單元組成的組中的至少一個單元使所述電子照相感光體帶電的充電單元、使用含有調(diào)色劑的顯影劑將帶電的所述電子照相感光體上形成的靜電潛像顯影的顯影單元和除去附著于所述電子照相感光體表面上的物質(zhì)的清理單元，所述電子照相感光體包含導電性基體和依次設置于所述導電性基體上的感光層、中間層和表面層，所述中間層的厚度為2nm70nm，并且所述感光層的折射率nl、所述中間層的折射率n2和所述表面層的折射率n3滿足下述不等式(2):不等式(2):n2>n3>nl。本發(fā)明的第十一方面提供如第十方面所述的處理盒，其中，所述中間層包含第一材料，所述第一材料含有氧或氮中的至少一種和第13族元素，所述表面層包含第二材料，所述第二材料含有氧或氮中的至少一種和第13族元素，并且所述第一材料和所述第二材料具有不同的組成式。本發(fā)明的第十二方面提供如第十一方面所述的處理盒，其中，所述第一材料中的第13族元素和所述第二材料中的第13族元素均為Ga。本發(fā)明的第十三方面提供如第十二方面所述的處理盒，所述處理盒在所述導電性基體和所述感光層之間進一步包含底涂層，并且所述感光層包含電荷生成層和電荷輸送層，所述電荷生成層含有酞菁化合物，所本發(fā)明的第十四方面提供如第十方面所述的處理盒，其中，所述感光層的折射率nl與所述中間層的折射率n2之差為0.11.0。本發(fā)明的第十五方面提供如第十方面所述的處理盒，其中，所述中間層的折射率n2與所述表面層的折射率n3之差為0.010.7。本發(fā)明的第十六方面提供如第十方面所述的處理盒，其中，所述中間層的厚度為5nm60nm。本發(fā)明的第十七方面提供一種成像裝置，所述成像裝置包含電子照相感光體；充電單元，所述充電單元使所述電子照相感光體帶電；靜電潛像形成單元，所述靜電潛像形成單元在帶電的所述電子照相感光體上形成靜電潛像；顯影單元，所述顯影單元使用含有調(diào)色劑的顯影劑將所述靜電潛像顯影而形成調(diào)色劑圖像；和轉(zhuǎn)印單元，所述轉(zhuǎn)印單元將所述調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)上，述電荷輸送層含有由下式(l)表示的化合物和其重復單元由下式(2)表示的聚合物MeMe式(2).N所述電子照相感光體包含導電性基體和依次設置于所述導電性基體上的感光層、中間層和表面層，所述中間層的厚度為2nm70nm，并且所述感光層的折射率nl、所述中間層的折射率n2和所述表面層的折射率n3滿足下述不等式(3):不等式(3):n2>n3>nl。本發(fā)明的第十八方面提供如第十七方面所述的成像裝置，其中，所述中間層包含第一材料，所述第一材料含有氧或氮中的至少一種和第13族元素，所述表面層包含第二材料，所述第二材料含有氧或氮中的至少一種和第13族元素，并且所述第一材料和所述第二材料具有不同的組成式。本發(fā)明的第十九方面提供如第十八方面所述的成像裝置，其中，所述第一材料中的第13族元素和所述第二材料中的第13族元素均為Ga。本發(fā)明的第二十方面提供如第十九方面所述的成像裝置，所述成像裝置在所述導電性基體和所述感光層之間進一步包含底涂層，并且所述感光層包含電荷生成層和電荷輸送層，所述電荷生成層含有酞菁化合物，所述電荷輸送層含有由下式(1)表示的化合物和其重復單元由下式(2)表示的聚合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>本發(fā)明的第二十一方面提供如第十七方面所述的成像裝置，其中，所述感光層的折射率nl與所述中間層的折射率n2之差為0.11.0。本發(fā)明的第二十二方面提供如第十七方面所述的成像裝置，其中，所述中間層的折射率n2與所述表面層的折射率n3之差為0.010.7。本發(fā)明的第二十三方面提供如第十七方面所述的成像裝置，其中，所述中間層的厚度為5nm60nm。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，可以抑制因表面層厚度不均勻所引起的來自感光體的反射光的干涉和強度變化導致的圖像濃度不均勻的發(fā)生。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，電子照相感光體具有優(yōu)異的表面機械耐用性和表面抗氧化性并可以利用簡單的構(gòu)成實現(xiàn)對折射率的控制。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，電子照相感光體具有改善的表面機械耐用性和表面抗氧化性并可以利用簡單的構(gòu)成實現(xiàn)對折射率的控制。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，可以抑制因表面層厚度不均勻所引起的來自感光體的反射光的干涉和強度變化導致的圖像濃度不均勻的發(fā)生，電子照相感光體具有更加改善的表面機械耐用性和表面抗氧化性并可以利用簡單的構(gòu)成實現(xiàn)對折射率的控制。根據(jù)本發(fā)明的第五和第六方面，可以更加有效地抑制反射光的干涉所導致的圖像濃度不均勻的發(fā)生。根據(jù)本發(fā)明的第七和第八方面，可以更加有效地抑制反射光的干涉所導致的圖像濃度不均勻的發(fā)生。根據(jù)本發(fā)明的第九方面，可以更加有效地抑制因表面層厚度不均勻所引起的來自感光體的反射光的干涉和強度變化導致的圖像濃度不均勻的發(fā)生。根據(jù)本發(fā)明的第十方面，可以抑制圖像濃度不均勻的發(fā)生。根據(jù)本發(fā)明的第十一方面，處理盒包含具有優(yōu)異的表面機械耐用性和表面抗氧化性的電子照相感光體，并且可以利用簡單的構(gòu)成實現(xiàn)對折射率的控制。根據(jù)本發(fā)明的第十二方面，處理盒包含具有更加改善的表面機械耐用性和表面抗氧化性的電子照相感光體并可以利用簡單的構(gòu)成實現(xiàn)對折射率的控制。根據(jù)本發(fā)明的第十三方面，可以抑制因表面層厚度不均勻所引起的來自感光體的反射光的干涉和強度變化導致的圖像濃度不均勻的發(fā)生，電子照相感光體具有更加改善的表面機械耐用性和表面抗氧化性，并可以利用簡單的構(gòu)成實現(xiàn)對折射率的控制。根據(jù)本發(fā)明的第十四方面，可以更加有效地抑制反射光的干涉所導致的圖像濃度不均勻的發(fā)生。根據(jù)本發(fā)明的第十五方面，可以更加有效地抑制反射光的干涉所導致的圖像濃度不均勻的發(fā)生。根據(jù)本發(fā)明的第十六方面，可以更加有效地抑制因表面層厚度不均勻所引起的來自感光體的反射光的干涉和強度變化導致的圖像濃度不均勻的發(fā)生。根據(jù)本發(fā)明的第十七方面，可以抑制圖像濃度不均勻的發(fā)生。根據(jù)本發(fā)明的第十八方面，成像裝置包含具有優(yōu)異的表面機械耐用性和表面抗氧化性的電子照相感光體，并可以利用簡單的構(gòu)成實現(xiàn)對折射率的控制。根據(jù)本發(fā)明的第十九方面，成像裝置包含具有更加改善的表面機械耐用性和表面抗氧化性的電子照相感光體，并可以利用簡單的構(gòu)成實現(xiàn)對折射率的控制。根據(jù)本發(fā)明的第二十方面，可以抑制因表面層厚度不均勻所引起的來自感光體的反射光的干涉和強度變化導致的圖像濃度不均勻的發(fā)生，電子照相感光體具有更加改善的表面機械耐用性和表面抗氧化性，并可以利用簡單的構(gòu)成實現(xiàn)對折射率的控制。根據(jù)本發(fā)明的第二十一方面，可以更加有效地抑制反射光的干涉所導致的圖像濃度不均勻的發(fā)生。根據(jù)本發(fā)明的第二十二方面，可以更加有效地抑制反射光的干涉所導致的圖像濃度不均勻的發(fā)生。根據(jù)本發(fā)明的第二十三方面，可以更加有效地抑制因表面層厚度不均勻所引起的來自感光體的反射光的干涉和強度變化導致的圖像濃度不均勻的發(fā)生。將基于以下附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施方式，其中圖1是顯示本發(fā)明的示例性實施方式的感光體的層結(jié)構(gòu)的一個實例的截面示意圖2是顯示本發(fā)明的示例性實施方式的感光體的層結(jié)構(gòu)的另一個實例的截面示意圖3A和圖3B是顯示用于形成本發(fā)明的示例性實施方式的感光體的中間層和表面層的成膜裝置的一個實例的結(jié)構(gòu)示意圖4是顯示可用在本發(fā)明的示例性實施方式中的等離子體發(fā)生設備的一個實例的結(jié)構(gòu)示意圖5是顯示本發(fā)明的示例性實施方式的處理盒的一個實例的結(jié)構(gòu)示意圖6是顯示本發(fā)明的示例性實施方式的成像裝置的一個實例的結(jié)構(gòu)示意圖7A和圖7B是顯示實施例的測量結(jié)果的圖；圖7C是顯示比較例的測量結(jié)果的圖；圖7D是顯示實施例的測量結(jié)果的圖8是顯示在實施例的印刷試驗中所使用的圖像圖案的平面圖。具體實施例方式下面將詳細描述本發(fā)明的示例性實施方式。電子照相感光體本示例性實施方式的電子照相感光體(下文也稱為"感光體")包含導電性基體和依次設置于所述導電性基體上的感光層、中間層和表面層。中間層的層厚為2nm70nm，并且感光層的折射率nl、中間層的折射率n2和表面層的折射率n3滿足下述不等式(l)。不等式(l):n2>n3〉nl15通常，具有某一折射率的感光層在被折射率比所述感光層的折射率高的表面層覆蓋時，已經(jīng)照射到所述感光體并由所述電子照相感光體的表面層反射的光(下文簡稱為"來自表面層的反射光")的強度比己經(jīng)照射到所述感光體并由位于表面層的下層側(cè)的感光層反射的光(下文簡稱為"來自感光層的反射光")的強度高。當表面層的厚度因磨損等原因而變得不均勻時，將會發(fā)生取決于層厚的光干涉，由成像裝置形成的圖像的圖像濃度因此可能會變得不均勻。在本發(fā)明的示例性實施方式的電子照相感光體中，在感光層和表面層之間設置中間層，所述中間層的層厚薄至處于2nm70nm的范圍內(nèi)，并且感光層、表面層和中間層的折射率滿足上述不等式(l)，由此抑制了圖像濃度的不均勻。具體而言，當感光體具有下述結(jié)構(gòu)(即其中折射率比感光層的折射率高的表面層形成于感光層上且二者之間不存在中間層)時，來自感光層的反射光和來自表面層的反射光之間的干涉將會加強并且變大。因此，因原封未動的表面層的厚度不均勻和/或磨損所引起的層厚不均勻?qū)е碌膩碜愿泄怏w的反射光的強度變化會增大，結(jié)果容易出現(xiàn)圖像不均勻。另一方面，當在感光層和表面層之間設置折射率比感光層和表面層的折射率高的極薄的中間層時，表面的反射強度將與僅設置感光層時所觀察到的反射強度基本上相似。當設置于中間層上的表面層的折射率比中間層的折射率低時，己經(jīng)穿過表面層的光在表面層與中間層的界面處的反射非常少。結(jié)果，在此情況下來自表面層的反射光和已經(jīng)照射到感光體并由中間層反射的光(下文簡稱為"來自中間層的反射光")的總量的變化變得比在感光體具有表面層直接形成于感光層上的結(jié)構(gòu)的情況下的反射光的總量的變化小。另外，在本發(fā)明的示例性實施方式的感光體中，由于中間層具有2nm70nm這樣極薄的厚度，由于來自感光體的反射光的干涉所引起的強度變化比當中間層的厚度大于上述范圍時所觀察到的強度變化小。這樣，在本發(fā)明的示例性實施方式中，因為感光體具有下述結(jié)構(gòu)，即其中具有在上述范圍內(nèi)的厚度的中間層和表面層依次設置于感光層上，并且折射率滿足不等式(l)，所以來自感光體的反射光的總量的變化基本等于來自不具有中間層和表面層的感光體的反射光的量的變化。因此，可以抑制因表面層厚度不均勻?qū)е碌囊呀?jīng)照射到感光體并入射到感光層中的光的量的變化，由此可以抑制圖像濃度不均勻的發(fā)生。感光層的折射率nl、中間層的折射率n2和表面層的折射率n3滿足不等式(l)。感光層的折射率nl與中間層的折射率n2之差優(yōu)選為0.11.0，更優(yōu)選為0.30.7。中間層的折射率n2與表面層的折射率n3之差優(yōu)選為0.010.7，更優(yōu)選為0.030.5。感光層的折射率nl、中間層的折射率n2和表面層的折射率n3的具體值取決于照射到感光體上的光的波長。例如，當照射到感光體上的光(例如在形成靜電潛像時照射的光)的波長為400nm800nm時，中間層的折射率n2可以是1.82.3，表面層的折射率n3可以是1.62.0。折射率通過下述方法測量。使用橢偏光譜儀(商品名M-2000，J.A.WoollamCo.，Inc.制造)，在1，500nm200nm的波長范圍內(nèi)在三個入射角測量參數(shù)△和cp。表示光的偏振狀態(tài)的參數(shù)△和(p在橢偏儀中測量，并且分別與s偏光分量和p偏光分量的相位和振幅相關。通過使用分析軟件WVAS32分析獲得復數(shù)折射率中的實部n和虛部k，并進一步確定層厚d。通過在與制備感光體所采用的條件相同的條件下在Si基板上只形成要測試的層從而獲得用作試樣的樣品。中間層和表面層均包含氧或氮中的至少一種和第13族元素，各層的折射率可以通過控制中間層和表面層各自所包含的元素的(i)類型(組合)或(ii)組成比例中的至少一個來調(diào)整以滿足不等式(l)(下文將詳細描述)。因此，中間層和表面層可以制備成使中間層和表面層在其中含有的元素的(i)類型或(ii)組成比例中的至少一個方面彼此不同。例如，感光體可以具有以下結(jié)構(gòu)，其中(i)中間層包含第一材料，所述第一材料含有氧或氮中的至少一種和第13族元素，(ii)表面層包含第二材料，所述第二材料含有氧或氮中的至少一種和第13族元素，并且(iii)第一材料和第二材料具有不同的組成式。中間層可以具有不同于表面層的原17子組成。因為表面層和中間層均包含第13族元素的氧化物或氮化物，所以感光體表面本身難以在含有例如由成像裝置中的充電器產(chǎn)生的臭氧或氮氧化物的氧化氣氛中氧化。因此，可以防止感光體因氧化而劣化。此外，由于感光體具有優(yōu)異的機械耐用性和抗氧化性，因此感光體所需的性質(zhì)容易在很長的時期內(nèi)保持在較高水平。受到清理刮刀等摩擦的感光體表面具有優(yōu)異的耐磨性，不容易損壞。因此，可以容易地獲得足夠的感光度。此外，由于表面層和中間層的折射率可以通過控制各層中所含的元素的(i)類型或(ii)組成比例中的至少一個條件而調(diào)整，因此折射率的調(diào)整也很容易實現(xiàn)。如上所述，中間層的厚度為2nm70nm。相對于用于曝光的激光的波長X，中間層的厚度可以小于或等于X/10。當中間層的厚度小于或等于X/10時，來自折射率比中間層的折射率低的感光層的反射光的量很小。結(jié)果，來自表面層的反射光和來自中間層的反射光的總量比當不設置中間層時所觀察到的來自表面層的反射光的量小。因此可以認為，這抑制了因表面層厚度不均勻引起的感光層上的入射光的量的變化。中間層的厚度更優(yōu)選為5nm60nm，特別優(yōu)選為10nm50nm。下面將參照附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施方式的電子照相感光體的結(jié)構(gòu)的實例。圖1是顯示本發(fā)明的示例性實施方式的感光體的層結(jié)構(gòu)的一個實例的截面示意圖，其中，附圖標記1代表導電性基體，附圖標記2代表感光層，附圖標記2A代表電荷生成層，附圖標記2B代表電荷輸送層，附圖標記3代表表面層，附圖標記4代表底涂層，附圖標記5代表中間層。圖1所示的感光體具有以下層結(jié)構(gòu)，其中在導電性基體1上依次設置有底涂層4、電荷生成層2A、電荷輸送層2B、中間層5和表面層3。感光層2具有雙層結(jié)構(gòu)，即具有電荷生成層2A和電荷輸送層2B。圖2是顯示本發(fā)明的示例性實施方式的感光體的層結(jié)構(gòu)的另一個實例的截面示意圖。在圖2中，附圖標記6代表感光層，其它附圖標記代表與圖1中相同的層。圖2所示的感光體具有以下層結(jié)構(gòu)，其中在導電性基體1上依次設置有底涂層4、感光層6、中間層5和表面層3。感光層6是同時具有如圖1所示的電荷生成層2A和電荷輸送層2B的一體化功能的層。感光層2和6可以由至少一種有機聚合物或至少一種無機材料，或者至少一種有機聚合物與至少一種無機材料的組合形成。下面雖然參照圖1詳細描述了本發(fā)明的示例性實施方式，但是應當注意到感光層2可以由如圖2中所示的感光層6代替。中間層在本發(fā)明的示例性實施方式中，中間層5設置于感光層2和表面層3之間。中間層的層厚為2nm70nm，并且中間層的折射率滿足不等式(1)。本發(fā)明的示例性實施方式中的中間層可以包含氧或氮中的至少一種和第13族元素。當中間層包含氧或氮中的至少一種和第13族元素時，由表面層3和感光層2之間的硬度和熱膨脹系數(shù)的差異導致的機械應力將被降低，可以防止由成膜時使用等離子體電子、離子或紫外線照射導致的電荷輸送層等的疲勞。另外，電學性質(zhì)和機械與化學穩(wěn)定性被功能分離，殘余電勢降低、循環(huán)特性和耐環(huán)境波動性得到改善。另外，當感光體在成像裝置中使用時，感光層2更少受到電暈放電或來自諸如紫外線等各種光源的短波長光的影響。如果沒有中間層，由于在表面層3被加厚的情況下電荷輸送層從成膜后就固有的應力，或者由于在印刷時清理單元、紙或轉(zhuǎn)印單元所累積施加的機械刺激，在感光層表面可能產(chǎn)生微小的裂紋或缺陷，這將使電荷輸送性劣化，或者可能因電荷輸送不均勻而導致圖像濃度不均勻。本發(fā)明的示例性實施方式的中間層防止了這些問題。作為結(jié)果，提供了具有優(yōu)異的表面機械耐用性、抗氧化性和高感光度的電子照相有機感光體，利用所述感光體，因放電產(chǎn)物沉積而導致的圖像缺陷得到了抑制，并且品質(zhì)(例如優(yōu)異的輸出圖像的一致性)也可以隨時間流逝而容易地保持在高水平。中間層5可以是含有氮或氧中的至少一種和第13族元素的層，并可以由第13族元素與氮的化合物和第13族元素與氧的化合物形成。中間層5的具體實例包括以由Ga與氮的化合物形成的層和由Al與氧的化合物形成的層構(gòu)成的多層、以由Ga與氮的化合物形成的層和由Ga與氧的化合物形成的層構(gòu)成的多層，和以由Ga與氧的化合物形成的層和由Ga與氮的化合物形成的層構(gòu)成的多層。在任何情況下，本發(fā)明的示例性實施方式的中間層5可以具有高水平的硬度和充分的透明性。中間層5可以具有介于表面層3和感光層2之間的熱膨脹系數(shù)，并且可以具有充分的對于感光層2的粘著性。例如，中間層5中包含的第13族元素可以是選自B、Al、Ga和In中的至少一種元素。中間層5的折射率可以通過控制中間層5中包含的元素一例如至少一種第13族元素和氧或氮中的至少一種——的(i)類型或(ii)組成比例中的至少一個條件來自由調(diào)整，以滿足不等式(l)。這些原子在中間層中的含量的組合不受特別限制。在上述四種元素中，In在可見光波長范圍內(nèi)具有吸收，而其它元素在可見光波長范圍內(nèi)不具有吸收。因此，可以通過適當選擇要使用的第13族元素來調(diào)整中間層5對光有響應的波長范圍。例如，可以選擇中間層5中的組成元素，使中間層5在配備有感光體的電子照相裝置中所使用的曝光波長和/或除電波長處具有盡可能少的吸收。在本發(fā)明的示例性實施方式中，雖然表面層3和中間層5均含有氮或氧中的至少一種和第13族元素，但是表面層3和中間層5在各層中所包含的元素的種類或組成比例中的至少一個方面彼此不同。從獲得上述優(yōu)選的特性方面考慮，具體而言，對于表面層3中包含的元素的種類采用下述組合當表面層3由氧化物形成時中間層5可以由氮化物形成；和當表面層3由氮化物形成時，中間層5可以由與表面層3中包含的氮化物不同的第13族元素的氮化物形成。關于中間層5中包含的元素的組成比例，當表面層3由氧化物形成時，中間層5可以具有比表面層3低的氧濃度。本發(fā)明的示例性實施方式還包括下述結(jié)構(gòu)，其中表面層3和中間層5由于氧濃度的略微差異(例如相差幾％)而在可見光吸收光譜或?qū)щ娦缘确矫嬗兴煌?。更具體而言，當表面層3包含Ga與氮的化合物時，中間層5可以包含A1與氮的化合物；而當表面層3包含Ga與氧的化合物時，中間層5可以包含Ga與氮的化合物或者Al與氮的化合物(其中可以另外包含氧)。當表面層3包含Ga、氧和氮的化合物時，中間層5可以包含這些元素的化合物(然而在此情況下，這兩層的組成比例彼此不同)。當中間層5包含氮、氧和第13族元素時，可以調(diào)整這些原子的數(shù)量的比例，以使中間層5的折射率滿足上述不等式(l);氮原子和氧原子總數(shù)相對于第13族元素原子數(shù)量的比例可以在0.5/13/1的范圍內(nèi)。當該比例位于上述范圍內(nèi)時，四面體鍵合區(qū)域和三維鍵合區(qū)域?qū)⒃黾?，因而可以獲得充分的化學穩(wěn)定性和硬度。當中間層5包含氧和第13族元素時，氧原子數(shù)相對于第13族元素的原子數(shù)的比例可以在0.1/13/1的范圍內(nèi)。當該比例位于上述范圍內(nèi)時，可以獲得足以保持潛像的電阻，并獲得充分的化學穩(wěn)定性和硬度。第13族元素與氮或氧中的至少一種的組成比例可以在中間層5的厚度方向上是一致的。作為選擇，氮濃度可以在中間層5朝向基體側(cè)的厚度方向上升高。氧濃度可以朝向基體側(cè)降低。當?shù)脱醵及谥虚g層5中時，其分布可以如下，即，氮濃度朝向基體側(cè)降低，而氧濃度朝向基體側(cè)升高。中間層5可以是只包含第13族元素及氮和/或氧的層，或者必要時也可以包含諸如氫等至少一種其他元素。作為其他元素，可以包含氫。當包含氫時，由Ga、氮和氧之間的鍵合所產(chǎn)生的懸掛鍵(danglingbond)和結(jié)構(gòu)缺陷可以由氫補償，由此可以使電學、化學和機械穩(wěn)定性得以提高，并且可以獲得具有高硬度和透明性的中間層，所述中間層表面具有高防水性和低摩擦系數(shù)。當中間層包含氫時，中間層中的氫含量優(yōu)選為0.1原子％40原子％，更優(yōu)選為0.5原子％30原子％。當中間層中的氫含量在上述范圍內(nèi)時，可以獲得電學穩(wěn)定性、優(yōu)異的機械性能、硬度和化學穩(wěn)定性(特別是耐水性)。21相對于構(gòu)成中間層5的主要的兩種元素("第13族元素和氧"或者"第13族元素和氮")的總量，包含在中間層5中的氫的量優(yōu)選為0.1原子％50原子％，更優(yōu)選為1原子％40原子％。當中間層5既包含氮又包含氧時，上述比例基于主要的三種元素("第13族元素、氮和氧")的總量。在本發(fā)明的示例性實施方式中，中間層中的氫含量的值由氫前向散射(hydrogenforwardscattering,HFS)確定。測量方法將在后面描述。中間層還可以包含碳。碳含量可以是小于或等于15原子o^。當碳含量小于或等于15原子％時，可以獲得中間層在空氣中的充分的化學穩(wěn)定性。在本發(fā)明的示例性實施方式中，中間層中元素的含量，例如第13族元素、氮、氧和碳的含量，其值由盧瑟福反向散射(RBS)確定。層厚方向上的含量分布也由盧瑟福反向散射(RBS)確定。測量方法將在后面描述。對于中間層5是結(jié)晶的還是非結(jié)晶的沒有特別限制。中間層可以是微晶的、多晶的或無定形的?？紤]到穩(wěn)定性或需要的硬度，中間層5可以由包含微晶的無定形材料或者包含無定形材料的微晶/多晶材料制成，但是考慮到中間層表面的平滑度或摩擦，優(yōu)選由無定形材料制成。結(jié)晶性和無定形性可以根據(jù)通過RHEED(反射高能電子衍射)測量獲得的衍射圖像中點和線的有無來判斷。無定形性可以根據(jù)X射線衍射譜測量中在衍射角處不存在固有的銳峰來判斷。為了控制中間層5的導電類型和導電性，可以向其中加入各種摻雜劑。例如，可以使用選自Si、Ge或Sn中的一種或多種元素為中間層5賦予n型導電性，而可以使用選自Be、Mg、Ca、Zn或Sr中的一種或多種元素為中間層5賦予p型導電性。在許多情況下，未摻雜的中間層5是n型的，為提高暗電阻可以使用用于賦予p型導電性的元素。在其中本發(fā)明的示例性實施方式的中間層5是微晶的、多晶的或無定形的任何情況下，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)都傾向于包含許多鍵合缺陷、位錯缺陷、晶粒邊界缺陷，等等。為了鈍化這些缺陷，可以在中間層(例如半導體層)中包含氫和/或鹵族元素。由于中間層中的氫和/或鹵族元素會進入到鍵合缺陷等中，從而消除反應性位點并提供電補償，因此可以抑制與中間層中的載流子的擴散和移動相關的阱。下面將詳細說明形成中間層5的方法。本發(fā)明的示例性實施方式的中間層5例如通過含有鎵的化合物與含有氮或氧中的至少一種的化合物的反應而獲得。可以在基板溫度為室溫10(TC時利用等離子體進行所述反應。含有上述元素的化合物可以同時加入到等離子體中，或者可以在含有氮或氧中的至少一種的反應性非成膜等離子體的下游引入含有鎵的化合物，從而使含有鎵的化合物降解并在基板上與氮或氧中的至少一種反應。優(yōu)選采用下述形成表面層的方法，因為通過該方法可以進行連續(xù)成膜。當形成的中間層5是絕緣層時，中間層的厚度可以根據(jù)殘余電勢確定。當中間層5是半導體層時，從不抑制潛像形成方面考慮，其體積電阻率可以是10+8Qcm10+13Qcm。表面層本發(fā)明的示例性實施方式的表面層3形成在中間層5上，并且其折射率滿足不等式(l)。此外，本發(fā)明的示例性實施方式的表面層3可以包含氧或氮中的至少一種和第13族元素。當表面層3包含這些元素時，表面層具有高硬度和優(yōu)異的透明性。如同在中間層5的情況中那樣，表面層3中包含氧，提供了在暴露于空氣中的氧或氧化氛圍時的優(yōu)異的抗氧化性，并導致物理性質(zhì)隨時間變化較小。與中間層5相似，本發(fā)明的示例性實施方式的表面層3可以包含氮或氧中的至少一種和第13族元素。因此，表面層3的基本性質(zhì)基本上如上述中間層的性質(zhì)中所述，不同之處在于改變了諸如成膜條件和層厚等因素。表面層3中包含的化合物的實例包括含有第13族元素和氧的化合物、包含第13族元素和氮的化合物和含有第13族元素、氧和氮的化合物。當表面層3包含第13族元素和氧時，氧含量可以大于15原子％。當氧含量不大于15原子Q/^時，表面層在含氧氛圍中可能不穩(wěn)定，可能通過氧化產(chǎn)生羥基，從而可能使諸如電學和機械性能等物性隨時間變化。此外，表面層的電阻可能降低，從而可能使感光體無法保持靜電潛像。從確保充分的抗氧化性方面考慮，表面層可以具有較高的氧含量；但是，較高的氧含量可能導致表面層中所包含的元素之間的許多分子鍵具有二維排列，因此可能使膜缺乏足夠的硬度并變?nèi)?。當表面?只由第13族元素和氧形成時，小于或等于15原子％的氧含量可能會導致較低的電阻，從而可能使感光體無法保持靜電潛像。表面層中的氧含量更優(yōu)選大于或等于28原子％，進而更優(yōu)選大于或等于37原子％。表面層可以包含其量大于或等于1原子％的氮。從實用的角度來看，氧含量可以小于或等于65原子％，即使在此情況下，表面層中的氮含量也可以大于或等于1原子％。在表面層的最表面處的第13族元素或氧等的含量可以通過XPS(X射線光電子光譜法)確定。例如，含量測量可以使用XPS分析儀(商品名JPS9010MX，JOELLTD.制造)通過以10kV和20mA的X射線(MgKot線作為X射線源)照射來進行。在此情況下，光電測量以leV的間隔進行，Ga、N和0的元素含量通過分別測量3d5/2(對于Ga)峰、ls(對于N)峰和ls(對于0)峰并由獲得的峰面積和各自的感光度系數(shù)進行計算而確定。測量前，在500V下進行大約10秒的Ar離子蝕刻。當表面層3包含第13族元素和氮時，表面層3的厚度可以是大于或等于O.Olpm但小于5并且表面層3形成后表面的中心線平均粗糙度(Ra)可以小于或等于O.lpm。當表面的中心線平均粗糙度(Ra)處于上述范圍內(nèi)時，可以抑制例如在電子照相裝置(成像裝置)中由清理步驟中的刮刀或刷子所造成的清理缺陷，還可以抑制對下面的中間層的損壞。另外，還可以抑制剝落和裂紋，從而可以獲得充分的機械強度。表面層3的表面的中心線粗糙度(Ra)優(yōu)選小于或等于0.07,，更優(yōu)選小于或等于0.05pm。表面層3的厚度優(yōu)選為0.03pm3pm，更優(yōu)選為0.05pm2pm。當表面層厚度在上述范圍內(nèi)時，表面層幾乎不會受到感光層的影響，并可獲得充分的機械強度。另外，還可以抑制因反復充電和曝光所引起的殘余電勢升高，抑制對于感光層的內(nèi)部機械應力的增加，并抑制剝落和裂紋。表面的中心線粗糙度(Ra)被確定為通過使用表面粗糙度和輪廓測量儀(商品名SURFCOM550A,東京精密社制造)，在截止值(cutoffvalue)為75%，測量距離為1.0mm和掃描速度為0.12mm/秒的條件下在軸向上自由選定的IO個點處測量感光體獲得的平均值。表面層的厚度通過使用針式水平差分析儀(stylusleveldifferenceanalyzer)(表面粗糙度測量儀，東京精密社制造)的測量和由掃描電子顯微鏡(商品名S-400,日立社制造)拍攝的表面層(例如半導體層)的橫截面照片的組合確定。表面層3中包含的第13族元素具體可以是選自B、Al、Ga或In中的至少一種元素。可以通過控制這些元素和諸如氧或氮等其它所含元素的(i)類型或者(ii)組成比例而調(diào)整表面層3的折射率，以滿足不等式(1)。這些原子在表面層中的含量的組合不受特別限制。在所述四種元素中，In在可見光波長范圍內(nèi)具有吸收性，而其它元素在可見光波長范圍內(nèi)不具有吸收性。因此，可以通過適當選擇要使用的第13族元素來自由調(diào)整表面層對光有響應的波長范圍。例如，當使用半導體膜作為感光體的表面層時，可以選擇元素以使表面層對于配備有感光體的電子照相裝置中所使用的曝光波長和/或除電波長具有盡可能低的吸收性。表面層3中的氮原子和氧原子的總數(shù)與第13族元素的原子數(shù)之比可以在0.5/13/1的范圍內(nèi)。當該比例位于上述范圍內(nèi)時，四面體鍵合區(qū)域會增加，因而可以獲得充分的化學穩(wěn)定性或硬度。在表面層3的厚度方向上，表面層3的組成可以是一致的。作為選擇，當表面層3包含第13族元素和氧時，所述組成可以具有沿表面層3厚度方向的梯度，并且所述表面層可以具有多層結(jié)構(gòu)。表面層3可以具有沿表面層3厚度方向不一致的氮濃度分布。所述分布可以使氮濃度朝向基體側(cè)升高，而氧濃度朝向基體側(cè)降低，或者使氮濃度朝向基體側(cè)降低，而氧濃度朝向基體側(cè)升高。表面層3可以是只包含第13族元素及氧和/或氮的層。當表面層只包含氧和第13族元素并且中間層只包含氧和第13族元素時，表面層和中間層之間的界面可以是不連續(xù)的，并且中間層中的氧濃度可以低于表面層中的氧濃度。表面層3可以包含至少一種諸如氫等除第13族元素、氮和氧以外的其他元素。作為其他元素，可以包含氫。當包含氫時，由Ga、氮和氧之間的鍵合而產(chǎn)生的懸掛鍵和結(jié)構(gòu)缺陷可以由氫補償，由此可以使電學、化學和機械穩(wěn)定性得到提高，并且可以獲得具有高硬度和透明性的表面層，所述表面層表面具有高防水性和低摩擦系數(shù)。當表面層3包含氧時，氧含量優(yōu)選大于或等于15原子。Z，更優(yōu)選大于或等于28原子％，進一步更優(yōu)選大于或等于37原子％。當氧含量處于上述范圍內(nèi)時，表面層即使在含氧氛圍中也是穩(wěn)定的，由此可以抑制諸如電學性質(zhì)和機械性能等物性隨時間的變化。從確保充分的抗氧化性方面考慮，表面層可以具有較高的氧含量；但是，較高的氧含量可能導致許多表面層中所包含的元素之間的分子鍵具有二維排列，因此可能使膜缺乏充分的硬度并且不夠結(jié)實。所以從實用的角度來看，氧含量可以小于或等于65原子％。當表面層包含氫時，表面層中的氫含量優(yōu)選為0.1原子％30原子％，更優(yōu)選為0.5原子。％20原子％。當氫含量處于上述范圍內(nèi)時，可以獲得電學穩(wěn)定性、優(yōu)異的機械性能、硬度和化學穩(wěn)定性(特別是耐水性)。相對于構(gòu)成表面層的主要的兩種元素("第13族元素和氧"或者"第13族元素和氮")的總量，包含在表面層中的氫的量優(yōu)選為O.l原子％50原子％，更優(yōu)選為1原子％40原子％。當表面層同時包含氮和氧時，上述比例基于主要的三種元素("第13族元素、氮和氧")的總量。以下述方式通過氫前向散射(下文有時稱作"HFS")確定氫含量(中間層中的氫含量也通過下述方式測量)。26對于HFS，使用加速器(商品名3SDHPELLETRON，NEC制造)、終端站(商品名RBS-400，CE&ACo.,Ltd.制造)和系統(tǒng)(商品名3S-R10)。數(shù)據(jù)分析使用HYPRA程序(商品名，CE&ACo.,Ltd.提供)。HFS測量條件如下-He—離子束能量2.275eV-檢測角與入射束呈30。在HFS測量中，檢測器被置于與？^++離子束呈30°角處，樣品被放置在與法線呈75。角處，以便對前向散射的氫信號計數(shù)?？梢允褂帽′X箔覆蓋檢測器，以除去與氫原子一起散射的He原子。使用各自的阻止能來分別將對于試樣獲得的氫原子的計數(shù)和對于參比樣品獲得的氫原子的計數(shù)規(guī)格化，并比較獲得的值，以便獲得試樣中的氫量。作為參比樣品，使用的是通過將H離子化注入Si中獲得的樣品和白云母。已經(jīng)知道，白云母所具有的氫濃度約為6.5原子％。來自最表面上所吸附的H原子的影響可以通過減去吸附在潔凈的Si表面上的H原子的量而消除。氫在層中的量也可以通過基于第13族元素與氫之間的鍵和/或N與H之間的鍵的信號強度的紅外吸收光譜測量來估計。當使用紅外吸收光譜測量氫的量時，所述層可以在與制備感光體相同的條件下形成在紅外透過基板上，或者可以將所述層從感光體上分離下來，以便形成測量用KBr壓片。當感光層由有機感光材料制成時，可以使用有機溶劑溶解感光層，并將殘余物用于測量。當感光層由無定形硅制成時，可以刮削感光體表面以用于測量，或者剝下整個感光體以用于測量。紅外吸收光譜測量使用S/N為30,000:1并且分辨率為4cm"的傅立葉變換紅外吸收分析儀系統(tǒng)B(商品名SPECTRUMONE,PerkinElmer制造)來進行。將以層的形式設置于尺寸為10mmxl0mm的硅片上的樣品放置在安裝有光束聚焦裝置的試樣臺上，然后測量。使用不具有樣品層的硅片作為參比。例如，GaN吸收的半值寬度定義如下將連接1,100cm"和800cm"處的吸收谷的直線向低波數(shù)側(cè)延長，并將獲得的直線用作基線；從GaN吸收峰向下引出一條垂線至基線，將該垂線的長度視為總吸收強度；并將總強度一半處水平方向上的吸收峰的寬度視為GaN吸收的半值寬度。表面層可以包含碳，并且表面層中的碳含量可以小于或等于15原子％。當碳含量小于或等于15原子％時，可以獲得表面層在空氣中的充分的化學穩(wěn)定性。表面層中諸如第13族元素、氮、氧和碳等元素的含量和它們沿膜厚方向的分布按照以下方式通過盧瑟福反向散射(RBS)確定(以同樣的方式進行中間層中的諸如第13族元素等元素的測量)。對于RBS，使用加速器(商品名3SDHPELLETRON，NECcorporation制造)、終端站(商品名RBS-400,CE&ACo.,Ltd.制造)和系統(tǒng)(商品名3S-R10)。數(shù)據(jù)使用HYPRA程序(商品名，CE&ACo.，Ltd.提供)分析。RBS的測量條件為1^++離子束能量為2.275eV，檢測角為160°，相對于入射束的掠射角約為109°。具體而言，以下述方式進行RBS測量。首先，發(fā)射1^++離子束，使入射的HeW離子束與樣品表面形成直角；將檢測器放置在與離子束呈160。角的位置；并測量反向散射的He原子的信號。層的組成比例和厚度由檢測的He原子的能量和信號強度確定?？梢詮膬蓚€檢測角測量該譜，以便提高獲得的組成比例和層厚的準確度。可以通過在深度方向上的分辨率和/或反向散射動力學彼此不同的兩個檢測角進行測量并交叉檢驗測量結(jié)果來提高準確度。由耙原子反向散射的He原子數(shù)僅取決于三個因素1)靶原子的原子數(shù)，2)散射前He原子的能量，3)散射角。密度由測量的組成計算，層厚由計算出的密度計算。密度的誤差小于或等于20%。即使如本發(fā)明的示例性方案那樣在感光層上連續(xù)形成中間層和表面層，表面層和中間層各自的元素組成也可以通過使用上述方法在不損壞表面層區(qū)域的情況下確定。整個表面層中每種元素的含量通過二次電子質(zhì)譜或XPS(X射線光電子光譜法)確定。表面層3既可以是結(jié)晶的也可以是非結(jié)晶的。表面層3可以是微晶的、多晶的或無定形的?？紤]到穩(wěn)定性和硬度，表面層可以為包含微晶的無定形材料或者包含無定形材料的微晶/多晶，但是考慮到表面層表面的平滑度或摩擦，優(yōu)選由無定形材料制成。結(jié)晶性和無定形性可以根據(jù)通過RHEED(反射高能電子衍射)測量獲得的衍射圖像中點和線的有無來判斷。無定形性可以根據(jù)X射線衍射譜測量中在衍射角處不存在固有的銳峰來判斷。為了控制表面層3的導電類型和導電性，可以向其中加入各種摻雜劑。例如，可以使用選自Si、Ge或Sn中的一種或多種元素為表面層賦予n型導電性，而可以使用選自Be、Mg、Ca、Zn或Sr中的一種或多種元素為表面層賦予p型導電性。在許多情況下，未摻雜的表面層3是n型的，為提高暗電阻可以使用用于賦予p型導電性的元素。在其中本發(fā)明的示例性實施方式的表面層3是微晶的、多晶的或無定形的任何情況下，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)都傾向于包含許多鍵合缺陷、位錯缺陷、晶粒邊界缺陷等等。為了鈍化這些缺陷，可以在表面層中包含氫和/或鹵族元素。由于表面層中的氫和/或鹵族元素會進入到鍵合缺陷等中，從而消除反應性位點并提供電補償，因此可以抑制與表面層中的載流子的擴散和移動相關的阱。下面將簡要描述表面層3的除上述組成以外的良好性質(zhì)。如上所述，表面層3可以是無定形的或者結(jié)晶的。從改善感光體表面對于感光層(或者中間層)的粘著性和滑動性的方面考慮，表面層3可以是無定形的。表面層3可以具有為微晶的表面層3的下層和為無定形的上層，其中"下"是指位于感光層側(cè)，"上"是指位于感光體表面?zhèn)?。表面?可以具有可在充電時使電荷注入到表面層3中的構(gòu)造。在此情況下，電荷可以被捕集在表面層3和感光層2之間。作為選擇，表面層3可以具有可使電荷被捕集在表面層3的表面的構(gòu)造。當感光層2是如圖1所示的功能分離型的并且負電荷是通過電子注入到表面層3而提供到表面層3時，電荷輸送層的表面層側(cè)表面可以起到捕獲電荷的作用，或者中間層5可以起到阻擋電荷注入并捕獲電荷的作用。當感光體帶正電時，類似構(gòu)造也可以適用。表面層3還可以起到電荷注入阻擋層或者電荷注入層的作用。在這種情況下，通過如上所述的為表面層賦予n型或p型導電性，表面層3可以起到電荷注入阻擋層或者電荷注入層的作用。當表面層3起電荷注入層的作用時，電荷被捕集在中間層5的表面(在靠近表面層側(cè))或者感光層2的表面(在靠近表面層側(cè))。當提供負電荷時，n型表面層3起到電荷注入層的作用，而p型表面層起到電荷注入阻擋層的作用。當提供正電荷時，n型表面層3起到電荷注入阻擋層的作用，而p型表面層起到電荷注入層的作用。為了保持靜電潛像，表面層可以是高電阻的i型層。表面層和中間層的形成下面將介紹本發(fā)明的示例性實施方式中形成表面層和中間層的方法。表面層和中間層可以通過諸如等離子體CVD(化學氣相沉積)法、有機金屬氣相生長法、分子束外延生長法、氣相沉積法或者濺射法等己知的氣相成膜法形成。在這些方法中，優(yōu)選有機金屬氣相生長法。本發(fā)明的示例性實施方式的表面層和中間層可以通過在活化單元中將含氮物質(zhì)和/或含氧物質(zhì)活化到反應所必需的能態(tài)或激發(fā)態(tài)以形成活性物種，并使活性物種與未被活化的含有第13族元素的有機金屬化合物反應而形成在感光層上。通過使用上述方法，即使在感光層包含有機材料時，也可以形成均具有上述性質(zhì)的表面層和中間層，而不會導致對感光層的熱損壞。在形成表面層和中間層時，可以預先使用等離子體清理感光層的表面。表面層和中間層通常通過向其中已經(jīng)放置有基材(其上形成有感光層的導電性基體)的反應室(成膜室)中供給含有第13族元素的有機金屬化合物的氣體和選自含氮物質(zhì)的氣體或含氧物質(zhì)的氣體中的至少一種或者它們的蒸汽，同時從反應室中排出反應的氣體而形成。含有第13族元素的有機金屬化合物可以在活化含氮物質(zhì)和/或含氧物質(zhì)的活化單元的下游側(cè)導入；在此情況下，在導入含有第13族元素的有機金屬化合物的位置的上游側(cè)活化的含氮物質(zhì)和/或含氧物質(zhì)會在位于活化單元下游側(cè)的位置與含有第13族元素的有機金屬化合物結(jié)合，從而使未被活化的含有第13族元素的有機金屬化合物與能與其反應的活化的含氮物質(zhì)和/或含氧物質(zhì)反應。對于本發(fā)明的示例性實施方式的表面層和中間層的形成，在感光體的感光層包含諸如有機電荷生成物質(zhì)或粘合劑樹脂等有機材料的情況下，當在感光層上形成中間層時的基材表面的最高溫度優(yōu)選低于或等于IO(TC，更優(yōu)選低于或等于5(TC，進一步更優(yōu)選盡可能接近室溫。當最高溫度低于或等于IO(TC時，可以抑制基材的變形或感光層中所包含的有機材料的分解引起的物性的劣化。下面將以形成感光體的表面層和中間層的情況作為實例，更加詳細地描述上述本發(fā)明的示例性實施方式中的形成表面層和中間層的方法。圖3A和圖3B是顯示用于形成本發(fā)明的示例性實施方式的感光體的中間層和表面層的成膜裝置的一個實例的示意圖；圖3A是顯示該成膜裝置的側(cè)視圖的截面示意圖；圖3B是圖3A所示成膜裝置沿線Al-A2的截面示意圖。在圖3A和圖3B中，附圖標記10代表成膜室，附圖標記ll代表排氣口，附圖標記12代表基體旋轉(zhuǎn)單元，附圖標記13代表基體固定器，附圖標記14代表基材，附圖標記15代表氣體入口管，附圖標記16代表具有開口的噴頭，通過氣體入口管15引入的氣體通過所述開口噴射，附圖標記17代表等離子體擴散部，附圖標記18代表高頻電源單元，附圖標記19代表平板電極，附圖標記20代表供氣管，附圖標記21代表高頻放電管單元。在圖3A和圖3B所示的成膜裝置中，排氣口ll設置在成膜室10的一端，并與圖中未示出的真空排氣設備相連。在成膜室10的與設置有排氣口11的一側(cè)相反的一側(cè)，設置有包括高頻電源單元18、平板電極19和高頻放電管單元21的等離子體發(fā)生設備。等離子體發(fā)生設備具有高頻放電管單元21、位于高頻放電管單元21中并在排氣口11側(cè)具有放電面的平板電極19和位于高頻放電管單元21外部并與平板電極19的與放電面?zhèn)认喾吹囊粋?cè)的面相連的高頻電源單元18。用于向高頻放電管單元21中供給氣體的供氣管20與高頻放電管單元21相連，供氣管20的另一端與圖中未示出的第一供氣源相連。安裝在如圖3A和圖3B所示的成膜裝置中的等離子體發(fā)生設備可以由如圖4所示的等離子體發(fā)生設備取代。圖4是顯示可以用在如圖3A和圖3B所示的成膜裝置中的等離子體發(fā)生設備的另一個實例的示意圖，它是等離子體發(fā)生設備的側(cè)視圖。在圖4中，附圖標記22代表高頻線圈，附圖標記23代表石英管，附圖標記20代表與圖3A和圖3B中附圖標記20所代表的部件相同的部件。等離子體發(fā)生設備具有石英管23和沿石英管23的外周面設置的高頻線圈22，石英管23的另一端與成膜室10(圖4中未示出)相連。石英管23的另一端與用于向石英管23中供給氣體的供氣管20相連。與放電面基本上平行設置的棒狀噴頭16與平板電極19的放電面?zhèn)认噙B。噴頭16的一端與氣體入口管15相連。氣體入口管15與設置于成膜室IO外部的圖中未示出的第二供氣源相連?；w旋轉(zhuǎn)單元12設置于成膜室10中，圓筒形基材14通過基體固定器13附著在基體旋轉(zhuǎn)單元12上，并且噴頭的長度方向基本上平行于基材14的軸向。成膜過程中，基材14通過基體旋轉(zhuǎn)單元12的旋轉(zhuǎn)沿圓周方向旋轉(zhuǎn)?；?4可以是已經(jīng)將層形成進行至感光層形成的感光體，或者是已經(jīng)在感光層上將層形成進行至中間層形成的感光體。例如，可以以下述方式形成表面層和中間層(下面，這些層有時也被統(tǒng)一稱作"上層"，所謂"上層"或者是指表面層，或者是指中間層)。首先，與通過供氣管20向高頻放電管單元21中引入N2氣、H2氣、He氣和02氣一起，由高頻電源單元18向平板電極19施加大約13.56MHz的射頻波。形成等離子體擴散部17，它從平板電極19的放電面?zhèn)认蚺艢饪?1側(cè)放射狀地延伸。從供氣管20引入的四種氣體通過成膜室，從平板電極19側(cè)流向排氣口11側(cè)。平板電極19可以具有其中電極的外周覆有接地屏蔽的結(jié)構(gòu)。接下來，已用作為載氣的氫氣稀釋的三甲基鎵氣體通過位于作為活化單元的平板電極19的下游側(cè)(相對于上述四種氣體流的下游)的氣體入口管15和噴頭16引入到成膜室10中，由此在基材14的表面上形成非單晶的含有鎵、氮和氧的膜。形成上層時的溫度不受特別限制。當形成無定形硅感光體時，形成上層時圓筒形基材14的表面溫度可以為50°C350°C。當形成有機感光體時，形成上層時圓筒形基材14的表面溫度可以為20°C100°C。當形成有機感光體時，上層形成過程中基材14的表面溫度優(yōu)選低于或等于IO(TC，更優(yōu)選低于或等于8(TC，進一步更優(yōu)選低于或等于5(TC。即使在層形成開始時基材14的表面溫度低于或等于IO(TC，如果由于等離子體的影響而將層加熱到高于150°C，感光層也可能被熱損壞。因此，可以考慮這種影響而調(diào)節(jié)基材14的表面溫度?；?4的表面溫度可以由加熱和/或冷卻設備(圖中未示出)控制，或者也可以在放電過程中使基材14的表面溫度自然升高。為加熱基材14，可以在基材14的外表面?zhèn)然蛘咴诨?4的內(nèi)表面?zhèn)仍O置加熱器。為冷卻基材14，可以在基材14的內(nèi)表面?zhèn)妊h(huán)冷卻氣體或液體。為避免基材14的溫度因放電而升高，控制供給到基材14表面上的高能氣體流是有效的。對高能氣體流的控制可以涉及為獲得理想溫度而對諸如氣體流速、放電輸出或者壓力等條件的調(diào)整?？梢允褂煤秀熁蜾X的至少一種的有機金屬化合物或者諸如乙硼垸等氫化物代替三甲基鎵氣體作為含有第13族元素的氣體。也可以使用這些化合物的兩種以上的混合物。例如，可以在形成上層的早期階段中經(jīng)氣體入口管15和噴頭16向成膜室10中引入三甲基銦，由此在基材14上形成含有氮和銦的膜；所述含有氮和銦的膜可以吸收在連續(xù)成膜過程中產(chǎn)生并可導致感光層劣化的紫外線，由此可以抑制成膜時由紫外線導致的感光層損壞。為控制上層的導電類型，可以向其中加入摻雜劑。關于在成膜過程中摻入摻雜劑，可以使用氣態(tài)SiH3或SnH4賦予n型導電性，而可以使用二環(huán)戊二烯基鎂、二甲基鈣、二甲基鍶、二甲基鋅或二乙基鋅等賦予p型導電性?？梢允褂弥T如熱擴散法或離子注入法等已知方法將摻雜劑元素摻雜到上層中。具體而言，可以通過氣體入口管15和噴頭16將至少一種摻雜劑元素引入到成膜室10中，由此獲得具有諸如n型或p型等所需導電類型的上層。當通過使用含氫有機金屬化合物作為供給第13族元素的材料而形成主要含有第13族原子、氮原子和氧的上層時，在成膜室10中可能存在活性氫?；钚詺淇捎捎米鬏d氣的氫氣供給，或者由有機金屬化合物中包含的氫原子供給。例如，在如圖3A和圖3B所示的成膜裝置中，當向成膜裝置中引入氫氣的位置與向成膜裝置中引入氮或氧氣的位置彼此不同時，可以設置多個等離子體發(fā)生設備，以使氫氣的活化態(tài)和氮或氧氣的活化態(tài)能夠被獨立控制。為簡化所述設備，可以使用同時包含氮原子和氫原子的氣體(例如NH3)或氮氣和氫氣的混合物、或者同時包含氧和氫的氣體(例如H20)作為用于供給氫氣和氮或氧氣的材料，并通過使用等離子體來活化所述氣體。另外，當載氣是諸如氦等稀有氣體與氫的組合時，氫和諸如氦等稀有氣體對于正在基材14表面上生長的膜具有蝕刻作用，因此即使在低于或等于IOO"C的低溫下也可以形成第13族元素及氮和/或氧的無定形化合物，所述化合物包含減少量的氫并且與通過在高溫下生長而形成的化合物等同。通過上述方法，活化的氫、氮、氧和稀有氣體的原子和第13族原子被帶到基材14的表面附近，活化的氫或稀有氣體的原子會發(fā)揮作用，使有機金屬化合物的烴基(例如甲基或者乙基)中的氫原子釋放為分子氫。因此，在低溫下就可以在基材14的表面上形成上層，并且形成的上層包含較少的氫，并且是其中第13族元素與氮或氫中的至少一種形成三維鍵的硬膜。這種硬膜是透明的。其原因在于，Ga原子與N或O的至少一種的原子形成了sp3鍵，所述sp3鍵與金剛石中的碳原子形成的鍵相似，而不同于由碳化硅中包含的sp2鍵合碳原子形成的鍵。除了膜的透明性和硬度以外，膜表面還具有防水性和低摩擦性。在如圖3A和圖3B所示的成膜裝置中，使用高頻振蕩器作為等離子體發(fā)生設備?？捎迷诔赡ぱb置中的等離子體發(fā)生設備不限于此，其實例包括微波振蕩器、利用電子回旋共振系統(tǒng)的裝置和利用螺旋波等離子體系統(tǒng)的裝置。高頻振蕩器既可以是感應振蕩器，也可以是電容振蕩器。還可以組合使用兩種以上的這些裝置，或者使用兩臺以上同一類型的裝置。為防止基材14的表面溫度因等離子體照射而升高，可以使用高頻振蕩器。為防止基材14的表面溫度升高，可以設置防止熱輻射的設備。使用兩種以上不同的等離子體發(fā)生裝置(等離子體發(fā)生設備)時，它們可以在相同壓力下同時開始放電。放電區(qū)和成膜區(qū)(放置基體的區(qū)域)的壓力可能會存在差異。兩臺以上等離子體發(fā)生裝置可以相對于成膜裝置中從入氣口到出氣口之間的氣流串聯(lián)排列，也可以排列成使所有裝置都面向基體的成膜面。例如，在如圖3A和圖3B所示的成膜裝置中，當將兩種等離子體發(fā)生設備相對于氣流串聯(lián)排列時，可以將一臺等離子體發(fā)生設備設置為第二等離子體發(fā)生設備，它利用噴頭16作為電極來引起成膜室10中的放電。在此情況下，可以通過氣體入口管15對噴頭16(作為電極)施加高頻電壓，來引起成膜室10中的放電?？梢栽诔赡な?0中的基材14和平板電極19之間的等離子體發(fā)生區(qū)設置圓筒形電極，由其取代使用噴頭16作為電極，所述圓筒形電極可用于引起成膜室10中的放電。當在相同壓力下使用兩種不同的等離子體發(fā)生設備時，例如可以使用微波振蕩器和高頻振蕩器。這種設備的組合在控制膜質(zhì)量方面是有效的，因為通過使用該組合可以較大改變激發(fā)物種的激發(fā)能。可以在大氣壓力附近進行放電。在大氣壓力附近進行放電時，使用的載氣可以是He。當形成上層時，可以使用上述方法以外的其它方法，例如通用有機金屬氣相生長法和分子束外延生長法。在通過這些方法的成膜中，活性氮、活性氫或者活性氧中的至少一種的使用對于降低反應溫度也是有效的。在此情況下，可以使用N2、NH3、NF3、N2H4或甲腙等作為氮源，它們可以是本身的氣體形式，或者由液體蒸發(fā)而得，或者通過用載氣鼓泡而結(jié)合到載氣流中。作為氧源，可以使用氧氣、H20、CO、C02、NO、N20等等。本發(fā)明的示例性實施方式中的中間層和表面層可以通過將基材14(此基材14具有形成在導電性基體上的感光層)放在成膜室10中，并且連續(xù)向成膜室10中引入用于彼此之間組成不同的各層的混合氣而連續(xù)形成。作為選擇，中間層和表面層的形成可以如下進行首先進行直至中間層的成膜，將獲得的材料作為基材14再次放置在成膜室10中，在基材14上進行表面層的形成。關于成膜條件，當通過高頻放電進行放電時，從在低溫下制備品質(zhì)良好的膜的方面考慮，頻率可以是10kHz50MHz。輸出取決于基體尺寸，并相對于基體表面積可以處于O.OlW/cn^0.2W/cm"的范圍內(nèi)?；w的旋轉(zhuǎn)速率可以是0.1rpm500rpm。形成中間層的條件和形成表面層的條件可以彼此相同，也可以彼此不同。例如，從在低溫下生產(chǎn)中間層的方面考慮，用于中間層形成的輸出可以設定為較小的值，用于表面層形成的輸出可以設定為較大的值?？梢钥刂瓢脑氐姆N類和組成比例，以便調(diào)整中間層和表面層各自的折射率，所述控制可以通過調(diào)整例如通過供氣管20引入的氣體的種類和量(比例)和通過氣體入口管15引入的氣體的種類和量而進行。中間層的厚度和表面層的厚度可以通過控制例如通過供氣管20引入的氣體的量和持續(xù)時間、通過氣體入口管15引入的氣體的量和持續(xù)時間和放電輸出來調(diào)整。這樣形成的中間層和表面層的總厚度優(yōu)選大于或等于0.1pm但小于3pm，更優(yōu)選大于或等于0.2pm但小于2nm。此外，中間層和表面層的總厚度優(yōu)選為下述感光層厚度的0.5%10%，更優(yōu)選為0.7%7%。這是因為，通常當感光體中的感光層比上層厚時，上層會較少受到因應力而產(chǎn)生的變形的影響。當中間層和表面層的總厚度在感光層厚度的0.5%10%的范圍內(nèi)時，作為整體的上層較少受到感光層中的變形的影響，由此可以抑制上層中裂紋的產(chǎn)生；另外，感光體的實際殘余電勢會低于各層殘余電勢之和。因此，考慮到包括耐用性在內(nèi)的因素，優(yōu)選將處于感光層厚度的0.5%10%的范圍內(nèi)的中間層和表面層的總厚度作為上層的厚度。導電性基體和感光層36本發(fā)明的示例性實施方式的感光體不受特別限制，只要所述感光體具有在導電性基體上依次設置有感光層、中間層和表面層的層結(jié)構(gòu)即可。如果需要，可以在導電性基體和感光層之間設置底涂層等。感光層可以具有兩個以上的層，并可以是功能分離型。本發(fā)明的示例性實施方式的感光體可以是其中感光層包含硅原子的所謂的無定形硅感光體。當無定形硅感光體在感光層上具有本發(fā)明的示例性實施方式中所述的上層時，高濕度下的圖像模糊可以得到抑制，并且可以同時獲得耐用性和高圖像品質(zhì)。特別是，感光層可以是包含諸如有機感光材料等有機材料的所謂有機感光體。雖然有機感光體容易磨損，但是通過使用本發(fā)明的示例性實施方式的上層作為表面層可以降低磨損。在下文中，在假定感光體是有機感光體的情況下，將描述本發(fā)明的示例性實施方式的感光體的有利結(jié)構(gòu)。感光層中所包含的有機聚合物化合物可以是熱塑性或熱固性的，并可以通過兩種類型的分子的反應而形成。考慮到硬度、膨脹系數(shù)和彈性的調(diào)整以及粘著性的改善，在感光層和表面層之間設置的中間層可以具有介于表面層性質(zhì)和感光層性質(zhì)(感光層為功能分離型時即電荷輸送層的性能)之間的物性。中間層可以起到捕獲電荷的層的作用。對于有機感光體，感光層可以是如圖1所示的具有電荷生成層和電荷輸送層的功能分離型或者如圖2所示的功能一體型。對于功能分離的感光層，電荷生成層可以位于感光體表面?zhèn)?，或者電荷輸送層可以位于感光體表面?zhèn)?。當通過上述方法在感光層上形成上層時，可以在形成上層之前先在感光層表面上形成吸收諸如紫外線等短波長光的層，以便防止熱以外的短波長電磁波的照射使感光層分解。為保護感光層使其免受短波長的光照射，可以先在形成上層的初始階段形成具有小帶隙的層。當形成于感光層表面上的具有小帶隙的層包含In和Ga作為第13族元素時，所述層的組成可以是GaxIn(,.x)N(0^X^0.99)。如上所述，在相同條件下可以包含氮和氧?？梢栽诟泄鈱颖砻嫔闲纬砂贤饩€吸收劑的層(例如，通過涂布等形成的包含分散于聚合物樹脂中的紫外線吸收劑的層)。在形成上層之前先在感光體表面上形成保護層可以抑制在上層形成過程中紫外線對感光層的影響，或者在將感光體用在成像裝置中時電暈放電或由各種光源發(fā)射的諸如紫外線等短波長光對感光層的影響。下面在假定感光體是無定形硅感光體的情況下描述本發(fā)明的示例性實施方式的感光體的結(jié)構(gòu)的實例。無定形硅感光體可以是用于帶正電或帶負電的感光體。所述感光體可以是在導電性基體上依次形成有用于阻擋電荷注入并改善粘著性的底涂層、光導電層、中間層和表面層的感光體。感光層的最上層(位于表面層側(cè)的層)可以是p型無定形硅或n型無定形硅，在感光層和表面層之間可以設置電荷注入阻擋層，如SixO,.x:H、SixN,.x:H、Sixd.x:H或無定形碳的層。接下來，在假定本發(fā)明的示例性實施方式的電子照相感光體是具有功能分離的感光層的有機感光體的情況下將詳細描述本發(fā)明的示例性實施方式的電子照相感光體中的導電性基體、感光層、可選的底涂層和可選的保護層。導電性基體導電性基體的實例包括金屬鼓，例如由鋁、銅、鐵、不銹鋼、鋅或鎳等制成的鼓；通過在諸如板材、紙、塑料或玻璃等基材上沉積諸如鋁、銅、金、銀、鉑、鈀、鈦、鎳-鉻、不銹鋼或銅-銦等金屬獲得的基體；通過在上述基材上沉積諸如氧化銦或氧化錫等導電性金屬化合物獲得的基體；通過在上述基材上層壓金屬箔獲得的基體；和通過將炭黑、氧化銦、氧化錫-氧化銻粉末、金屬粉末、碘化銅等分散在粘合劑樹脂中并將所述分散體涂布于上述基材上以賦予導電性而獲得的基體。導電性基體的形狀可以是鼓形、板形或盤形中的任何一種。當使用金屬管基體作為導電性基體時，金屬管基體的表面可以是原樣的原料管表面。然而，也可以通過預先進行表面處理使基體表面變粗糙。當使用諸如激光束等相干光源作為曝光光源時，上述表面粗糙化可以防止因干涉光而在感光體內(nèi)可能出現(xiàn)的木紋狀濃度不均勻。可用的表面處理方法包括鏡面切削、蝕刻、陽極氧化、粗切削、無心磨削、噴砂和濕絎磨。特別是，考慮到對于感光層的粘著性的改善和成膜性的改善，可以使用其表面經(jīng)陽極氧化處理的鋁基體作為導電性基體。下面描述制造其表面經(jīng)陽極氧化處理的導電性基體的方法。首先準備作為基體的純鋁或鋁合金(例如，鋁或由JISH4080(2006)(對應于ISO6363-2(1993))規(guī)定的合金號為10001999、30003999或60006999的鋁合金)。然后進行陽極氧化。陽極氧化在例如鉻酸、硫酸、草酸、磷酸、硼酸或氨基磺酸的酸浴中進行。通常使用硫酸浴來進行處理。例如，可以基本上在下述條件下進行陽極氧化硫酸濃度10重量％20重量％;浴溫5°C25°C;電流密度1A/dm24A/dm2;電解電壓5V30V;和處理時間5分鐘60分鐘。陽極氧化不限于上述條件，也可以以其它方式進行陽極氧化。以此方式在鋁基體上形成的陽極氧化膜多孔并高度絕緣，具有非常不穩(wěn)定的表面。因此，成膜后其物理特性值容易隨時間而變化。為防止物理特性值變化，可以對該陽極氧化膜進一步進行密封處理。密封方法的實例包括將陽極氧化膜浸入含有氟化鎳或乙酸鎳的水溶液中的方法、將陽極氧化膜浸入沸水中的方法和使用加壓蒸汽處理的方法。在這些方法中，最經(jīng)常使用的是浸入含有乙酸鎳的水溶液中的方法。在以此方式密封的陽極氧化膜的表面上殘留有因密封處理而附著于其上的過剩的金屬鹽等。當過剩的金屬鹽等殘留在基體的陽極氧化膜上時，不僅在陽極氧化膜上形成的被覆膜的質(zhì)量會受到不良影響，而且通常容易殘留低電阻的成分。因此，如果將上述基體用在感光體中成像，則低電阻的成分可能會導致起臟(scumming)的顯影。因此，為除掉密封處理過程中附著的過剩的金屬鹽等，在密封處理之后需要進行陽極氧化膜的洗滌處理。洗滌處理可以涉及在一個步驟中使用純水洗滌基體，或者在多個步驟中使用純水洗滌基體。采用多步洗滌時，可以在最后一步中采用盡可能最清潔的(去離子的)洗滌液。此外，在多步洗滌的任一步驟中，可以進行使用接觸部件如刷子等的物理摩擦洗滌。如上形成的導電性基體表面上的陽極氧化膜的厚度可以是3pm15|im。在陽極氧化膜上，在多孔的陽極氧化膜的多孔狀上表面上存在阻隔層。本發(fā)明的示例性實施方式中使用的感光體的阻隔層的厚度可以是1nm100nm。通過上述方式即可獲得陽極氧化導電性基體。在以此方式獲得的導電性基體中，通過陽極氧化在基體上形成的陽極氧化膜具有高載流子阻擋性。因此，在將使用該導電性基體的感光體安裝在成像裝置中并使用所述裝置進行反顯影(reversedevelopment,將具有較低的(以絕對值計)電勢的曝光部分顯影的方法)時可以防止點缺陷(黑點和起臟)。此外，還可以抑制接觸帶電時經(jīng)常發(fā)生的接觸帶電設備的漏電現(xiàn)象。此外，通過在陽極氧化膜上進行密封處理，可以防止形成陽極氧化膜后物理特性值隨時間變化，通過在密封處理后洗滌導電性基體，可以除掉密封處理過程中附著在導電性基體表面上的過剩的金屬鹽等。因此，當安裝有利用此導電性基體制造的感光體的成像裝置用于形成圖像時，可以充分防止起臟的顯影。底涂層下面將說明底涂層。形成底涂層的材料的實例包括聚合樹脂化合物，例如縮醛樹脂(例如聚乙烯醇縮丁醛)、聚乙烯醇樹脂、酪蛋白、聚酰胺樹脂、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、硅酮樹脂、硅酮-醇酸樹脂、苯酚-甲醛樹脂或三聚氰胺樹脂；有機金屬化合物，例如含有鋯、鈦、鋁、錳或硅原子等的有機金屬化合物。底涂層可以由這些化合物中的一種或者這些化合物中的兩種以上的混合物或縮聚物形成。其中，優(yōu)選含有鋯的有機金屬化合物或者含有硅的有機金屬化合物，因為這些化合物能夠使殘余電勢較低，使電勢在不40同環(huán)境中的改變較小，使電勢經(jīng)反復使用后的變化較小。有機金屬化合物可以單獨使用，也可以以混合物使用其兩種以上。也可以使用至少一種有機金屬化合物與至少一種樹脂的混合物，所述樹脂可以選自上述樹脂。有機硅化合物(含有硅原子的有機金屬化合物)的實例包括乙烯基三甲氧基硅垸、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅垸、3-甲基丙烯酰氧丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巰丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅垸、N-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅垸、N,N-二(2-羥乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅垸、N-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅垸和3-氯丙基三甲氧基硅垸。其中，優(yōu)選使用硅烷偶聯(lián)劑，例如乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、2-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-巰丙基三甲氧基硅烷或3-氯丙基三甲氧基硅垸。有機鋯化合物(含有鋯的有機金屬化合物)的實例包括丁氧鋯、乙酰乙酸乙基鋯、三乙醇胺鋯、乙酰丙酮酸丁氧鋯、乙酰乙酸乙酯丁氧鋯、乙酸鋯、草酸鋯、乳酸鋯、膦酸鋯、辛酸鋯、環(huán)垸酸鋯、月桂酸鋯、硬脂酸鋯、異硬脂酸鋯、甲基丙烯酸丁氧鋯、硬脂酸丁氧鋯和異硬脂酸丁氧鋯。有機鈦化合物(含有鈦的有機金屬化合物)的實例包括鈦酸四異丙酯、鈦酸四正丁酯、鈦酸丁酯二聚體、鈦酸四(2-乙基己基)酯、乙酰丙酮鈦、聚乙酰丙酮鈦、辛二醇酸鈦、鈦乳酸銨鹽、乳酸鈦、乳酸乙酯鈦、三乙醇胺鈦和多羥基鈦硬脂酸鹽。有機鋁化合物(含有鋁的有機金屬化合物)的實例包括異丙醇鋁、二異丙醇一丁氧基鋁、丁酸鋁、乙酰乙酸乙酯二異丙醇鋁，和三(乙酰乙酸乙酯)鋁。底涂層形成用涂布液中所使用的溶劑可以是已知的有機溶劑，其實例包括芳香烴溶劑，例如甲苯或氯苯；脂肪醇溶劑，例如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇或正丁醇；酮溶劑，例如丙酮、環(huán)己酮或2-丁酮；鹵代脂肪烴溶劑，例如二氯甲烷、氯仿或氯乙烯；環(huán)狀或直鏈醚溶劑，例如四氫呋喃、二氧六環(huán)、乙二醇、乙醚；和酯溶劑，例如乙酸甲酯、乙酸乙酯或乙酸正丁酯。溶劑可以單獨使用，也可以使用它們的兩種以上的混合物。當混合兩種以上溶劑時，所述溶劑可以是任何溶劑，只要獲得的混合溶劑能夠溶解粘合劑樹脂即可。底涂層通過將底涂層用涂布劑與溶劑分散和混合以形成底涂層形成用涂布液，并將所述涂布液涂布到導電性基體表面而形成。涂布底涂層形成用涂布液所采用的方法可以是常用方法，例如浸涂法、環(huán)涂法、繞線棒涂布法、噴涂法、刮板涂布法、刮刀涂布法或幕涂法。形成底涂層時，形成的層的厚度可以是O.lpm3jim。當?shù)淄繉拥暮穸忍幱谏鲜龇秶鷥?nèi)時，可以防止因反復使用而引起的減感和電勢升高，而無需過度提高電屏蔽。如上所述在導電性基體上形成底涂層使得可以改善在底涂層上通過涂布而形成層時的可濕性，還使得可以使底涂層充分發(fā)揮電阻擋層的作用?？梢詫⒁陨鲜龇绞叫纬傻牡淄繉拥谋砻娲植诙日{(diào)整為大約是要使用的曝光激光波長X的l/(4n)l倍的粗糙度(其中n代表在底涂層的外周上形成的層的折射率)?？梢酝ㄟ^向底涂層形成用涂布液中加入樹脂顆粒來調(diào)整底涂層的表面粗糙度。在將具有其表面粗糙度己經(jīng)得到調(diào)整的底涂層的感光體用于成像裝置中時，可以充分防止因使用激光源而形成干涉條紋。作為樹脂顆粒，可以使用硅酮樹脂顆?；蚪宦?lián)的PMMA(聚(甲基丙烯酸甲酯))樹脂顆粒等。可以拋光底涂層表面，以調(diào)整表面粗糙度。作為拋光方法，可以使用磨光、噴砂、濕珩磨或磨碎處理等。在用于利用帶正電的成像裝置的感光體中，激光入射光束在感光體上表面附近被吸收，并進一步在感光層中散射。因此，并非強烈地需要調(diào)整底涂層的表面粗糙度。為改善電學性質(zhì)、環(huán)境穩(wěn)定性和圖像品質(zhì)，可以向底涂層形成用涂布液中加入各種添加劑。添加劑的實例包括電子輸送性物質(zhì)，所述電子輸送性物質(zhì)包括諸如氯醌、溴醌或蒽醌等醌類化合物、四氰基對苯醌二甲垸化合物、諸如2,4，7-三硝基芴酮或2，4,5，7-四硝基-9-芴酮等芴酮化合物、諸如2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-l，3，4-噁二唑、2,5-二(4-萘基)-l,3，4-噁二唑或2，5-二(4-二乙基氨基苯基)-1，3,4-噁二唑等噁二唑化合物、站噸酮化合物、噻吩化合物和諸如3，3'，5,5'-四叔丁基二苯酚合苯醌等二苯酚合苯醌化合物；電子輸送性顏料，例如稠合多環(huán)電子輸送性顏料或偶氮電子輸送性顏料；和已知的材料，例如鋯螯合物、鈦螯合物、鋁螯合物、鈦醇鹽化合物、有機鈦化合物或硅烷偶聯(lián)劑。硅烷偶聯(lián)劑的具體實例包括但不限于諸如乙烯基三甲氧基硅烷、，甲基丙烯酰氧基丙基-三(P-甲氧基乙氧基)硅烷、(3-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅垸、Y-巰基丙基三甲氧基硅垸、Y-氨丙基三乙氧基硅垸、N-P-(氨乙基)-y-氨丙基三甲氧基硅烷、N-P-(氨乙基h-氨丙基甲基二甲氧基硅垸、N,N-二((3-羥乙基)-y-氨丙基三乙氧基硅烷或Y-氯丙基三甲氧基硅烷等硅垸偶聯(lián)劑。鋯螯合物的具體實例包括丁氧鋯、乙酰乙酸乙酯鋯、三乙醇胺鋯、乙酰丙酮丁氧鋯、乙酰乙酸乙酯丁氧鋯、乙酸鋯、草酸鋯、乳酸鋯、膦酸鋯、辛酸鋯、環(huán)垸酸鋯、月桂酸鋯、硬脂酸鋯、異硬脂酸鋯、甲基丙烯酸丁氧鋯、硬脂酸丁氧鋯和異硬脂酸丁氧鋯。鈦螯合物的具體實例包括鈦酸四異丙酯、鈦酸四正丁酯、鈦酸丁酯二聚體、鈦酸四(2-乙基己基)酯、乙酰丙酮鈦、聚乙酰丙酮鈦、辛二醇酸鈦、鈦乳酸銨鹽、乳酸鈦、乳酸乙酯鈦、三乙醇胺鈦和多羥基鈦硬脂酸,^/j！。鋁螯合物的具體實例包括異丙醇鋁、二異丙醇單丁氧基鋁、丁酸鋁、二異丙醇乙酰乙酸乙酯鋁和三(乙酰乙酸乙酯)鋁。添加劑可以單獨使用，也可以使用它們的兩種以上的混合物或縮聚物。上述底涂層形成用涂布液可以包含至少一種電子接受性材料。電子接受性材料的具體實例包括琥珀酸酐、馬來酸酐、二溴馬來酸酐、鄰苯二甲酸酐、四溴鄰苯二甲酸酐、四氰基乙烯、四氰基對苯醌二甲烷、鄰二硝基苯、間二硝基苯、氯醌、二硝基蒽醌、三硝基芴酮、苦味酸、鄰硝基苯甲酸、對硝基苯甲酸和鄰苯二甲酸。在這些材料中，優(yōu)選芴酮類、醌類和具有諸如C1、CN或N02等吸電子取代基的苯化合物。電子接受性材料的使用能夠改善感光層的感光度，降低殘余電勢，并且抑制感光度隨重復使用而降低。因此，當通過安裝有具有含有電子接受性材料的底涂層的感光體的成像裝置形成調(diào)色劑圖像時，可以充分防止調(diào)色劑圖像濃度不均勻?？梢允褂孟率龅牡淄繉佑梅稚⑿屯坎紕┐媸褂蒙鲜龅淄繉佑猛坎紕?。通過使用分散型涂布劑，底涂層的電阻可以得到適當調(diào)整，由此可以防止殘余電荷的累積；此外，由于底涂層可以制得更厚，因而感光體對抗電荷泄漏的電阻可以得到改善，特別是可以防止接觸帶電時的泄漏。底涂層用分散型涂布劑可以是例如其中導電性材料分散在粘合劑樹脂中的涂布劑，所述導電性材料的實例包括諸如鋁、銅、鎳或銀等金屬的粉末；導電性金屬氧化物，例如氧化銻、氧化銦、氧化錫或氧化鋅;和諸如碳纖維、炭黑或石墨粉末等導電性材料。作為導電性金屬氧化物，可以使用其平均一次粒徑小于或等于0.5pim的金屬氧化物顆粒。當平均一次粒徑過大時，會容易形成局部導電路徑并且容易出現(xiàn)電流泄漏，它們可能會導致霧化或充電器出現(xiàn)大電流泄漏?？梢哉{(diào)整底涂層使其具有適當?shù)碾娮?，以便改善抗漏電性。因此，上述金屬氧化物顆?？梢跃哂写蠹s102Q.cm大約1011Q，cm的粉末電阻率。當金屬氧化物顆粒的電阻率低于上述范圍的下限時，可能無法獲得充分的抗漏電性。當電阻率高于上述范圍的上限時，殘余電勢可能升高。因此，可以使用具有上述范圍內(nèi)的電阻率的金屬氧化物顆粒，例如氧化錫、氧化鈦或氧化鋅的顆粒?？梢允褂脙煞N以上金屬氧化物顆粒的混合物。此外，通過使用偶聯(lián)劑處理金屬氧化物顆粒表面，可以控制金屬氧化物顆粒的粉末電阻率?？捎玫呐悸?lián)劑的實例包括上述的可用于底涂層形成用涂布液中的那些偶聯(lián)劑。可以使用兩種以上偶聯(lián)劑的混合物。可以使用任何已知的方法對金屬氧化物顆粒進行表面處理，例如可以使用干法和濕法。在干法中，首先通過加熱干燥除掉金屬氧化物顆粒表面上吸附的水。通過除去表面吸附的水，偶聯(lián)劑可以均勻地吸附在金屬氧化物顆粒表面上。接下來，在使用具有強剪切力的混合器等攪拌金屬氧化物的同時，可以逐滴加入或通過干燥空氣或氮氣噴霧原樣的偶聯(lián)劑或者偶聯(lián)劑在有機溶劑或水中的溶液，由此均勻地處理顆粒。當逐滴加入或噴霧偶聯(lián)劑時，可以在高于或等于5(TC的溫度下進行處理。在加入或噴霧偶聯(lián)劑后，可以在高于或等于IO(TC的溫度下烘烤顆粒。烘烤導致偶聯(lián)劑硬化，偶聯(lián)劑可以通過化學反應緊密地粘附于金屬氧化物顆粒。可以自由選擇烘烤的溫度和持續(xù)時間，只要能夠獲得理想的電子照相特性即可。在濕法中，與干法的情況相似，首先除掉金屬氧化物顆粒上表面吸附的水。例如可以通過如干法中所采用的加熱干燥、通過加熱下在用于表面處理的溶劑中攪拌所述顆?；蛘咄ㄟ^與溶劑共沸來除掉表面吸附的水。接下來，在溶劑中攪拌金屬氧化物顆粒，并通過使用超聲波、砂磨機、磨碎機、球磨機等進行分散。然后向其中加入偶聯(lián)劑溶液，并進行攪拌或分散。隨后除掉溶劑，由此顆粒表面得到均勻處理。除掉溶劑后，在高于或等于100'C下另行烘烤混合物?？梢宰杂蛇x擇烘烤的溫度和持續(xù)時間，只要能夠獲得理想的電子照相特性即可。相對于金屬氧化物顆粒的量，表面處理劑的量可以是使得能夠獲得理想的電子照相特性的量。電子照相特性受表面處理后附著在金屬氧化物顆粒上的表面處理劑的量的影響。當表面處理劑是硅烷偶聯(lián)劑時，其附著量根據(jù)通過熒光X射線分析所確定的Si強度(由硅烷偶聯(lián)劑給出)和金屬氧化物的主要金屬元素的強度確定。由熒光X射線分析確定的Si強度可以是所用金屬氧化物的主要金屬元素的強度的1.0x10—5倍1.0x10'3倍。當該強度低于上述范圍時，容易出現(xiàn)諸如霧化等圖像缺陷。當該45強度高于上述范圍時，容易出現(xiàn)因殘余電勢升高而導致的圖像濃度降低。底涂層用分散型涂布劑中所包含的粘合劑樹脂的實例包括已知的聚合樹脂化合物，例如縮醛樹脂(例如聚乙烯醇縮丁醛)、聚乙烯醇樹脂、酪蛋白、聚酰胺樹脂、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、硅酮樹脂、硅酮-醇酸樹脂、酚醛樹脂、苯酚-甲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、氨基甲酸酯樹脂；具有電荷輸送性基團的電荷輸送性樹脂；和諸如聚苯胺等導電性樹脂。在這些樹脂中，可以使用不溶于底涂層上形成的層所用的涂布溶劑的樹脂。特別地，優(yōu)選為酚醛樹脂、苯酚-甲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、氨基甲酸酯樹脂和環(huán)氧樹脂等。在底涂層形成用分散型涂布液中，金屬氧化物顆粒與粘合劑樹脂的比例可以自由設定在能夠獲得理想的感光體特性的范圍內(nèi)。將已通過上述方法進行了表面處理的金屬氧化物顆粒分散在粘合劑樹脂中的方法可以是，例如使用諸如球磨機、振動球磨機、磨碎機、砂磨機或臥式砂磨機等介質(zhì)分散器的方法，或者使用諸如攪拌器、超聲波分散器、輥磨機和高壓均化器等無介質(zhì)的分散器的方法。高壓均化器可以是例如其中通過高壓下的液-液碰撞或液-壁碰撞進行分散的碰撞型均化器或者其中通過在高壓下穿過微細流路進行分散的貫通型均化器。使用底涂層用分散型涂布劑形成底涂層可以以與上述使用底涂層用涂布劑形成底涂層相似的方式進行。感光層電荷輸送層下面將通過依次描述電荷輸送層和電荷生成層來描述感光層。電荷輸送層中所使用的電荷輸送材料的實例包括空穴輸送材料，例如噁二唑衍生物，例如2,5-二(對二乙基氨基苯基)-1,3，44惡二唑；吡唑啉衍生物，例如1,3，5-三苯基-吡唑啉或l-[吡啶基-(2)]-3-(對二乙基氨基苯乙烯基)-5-(對二乙基氨基苯乙烯基)吡唑啉；芳香族叔胺化合物，例如三苯胺、三(對甲基苯基)胺、N，N-二(3，4-二甲基苯基)聯(lián)苯基-4-胺、二芐基苯胺或9,9-二甲基-N,N-二(對甲苯基)芴酮-2-胺；芳香叔二胺化合物，例如N,N，-二苯基-N，N，-二(3-甲基苯基HU-聯(lián)苯基]-4,4，-二胺；1，2,4-三嗪衍生物，例如3-(4，-二甲氨基苯基)-5，6-二-(4，-甲氧基苯基)-l，2，4-三嗪；腙衍生物，例如4-二乙基氨基苯甲醛-l，l-二苯基腙、4-二苯氨基苯甲醛-l，l-二苯基腙、[對(二乙基氨基)苯基](l-萘基)苯基腙、1-芘二苯基腙、9-乙基-3-[(2-甲基-l-二氫吲哚基亞氨基)甲基]咔唑、4-(2-甲基-l-二氫吲哚基亞氨基甲基)三苯胺、9-甲基-3-咔唑二苯基腙、1,1-二-(4,4，-甲氧基苯基)丙烯醛二苯基腙或(3，p-二(甲氧基苯基)乙烯基二苯基腙；喹唑啉，例如2-苯基-4-苯乙烯基-喹唑啉；苯并呋喃衍生物，例如6-羥基-2，3-二(對甲氧基苯基)-苯并呋喃；a-茛衍生物，例如對-(2,2-二苯基乙烯基)-N，N-二苯基苯胺；烯胺衍生物；咔唑衍生物，例如N-乙基咔唑；或者聚-N-乙烯基咔唑或其衍生物。其實例還包括在主鏈或側(cè)鏈上具有由任何上述化合物獲得的基團的聚合物。這些電荷輸送材料可以單獨使用，也可以兩種以上組合使用。任何樹脂都可以用作電荷輸送層中所用的粘合劑樹脂。然而，粘合劑樹脂優(yōu)選是具有適當強度和與電荷輸送材料的相容性的樹脂。粘合劑樹脂的實例包括諸如包含雙酚A、雙酚Z、雙酚C或雙酚TP的聚碳酸酯樹脂等各種聚碳酸酯樹脂及其共聚物；聚芳酯樹脂及其共聚物；聚酯樹脂；甲基丙烯酸類樹脂；丙烯酸類樹脂；聚氯乙烯樹脂；聚偏二氯乙烯樹脂；聚苯乙烯樹脂；聚乙酸乙烯酯樹脂；苯乙烯-丁二烯共聚物樹脂；氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂；氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐共聚物樹脂；硅酮樹脂；硅酮-醇酸樹脂；苯酚-甲醛樹脂；苯乙烯-丙烯酸類共聚物樹脂、苯乙烯-醇酸樹脂；聚-N-乙烯基咔唑樹脂；聚乙烯醇縮丁醛樹脂；以及聚苯醚樹脂。樹脂可以單獨使用，也可以使用它們的兩種以上的混合物。電荷輸送層中所使用的粘合劑樹脂的分子量可以根據(jù)諸如感光層厚度和溶劑種類等成膜條件適當選擇。通常粘合劑樹脂的粘均分子量優(yōu)選在3，000300,000的范圍內(nèi)，更優(yōu)選為20,000200,000。電荷輸送層可以通過將包含溶解在適當溶劑中的電荷輸送材料和粘合劑樹脂的溶液涂布然后干燥而形成。用于形成電荷輸送層的溶液中所使用的溶劑的實例包括芳香烴，例如苯、甲苯或氯苯等；酮，例如丙酮或2-丁酮；鹵代脂肪烴，例如二氯甲垸、氯仿或氯乙烯；環(huán)狀或直鏈醚，例如四氫呋喃、二氧六環(huán)、乙二醇或乙醚；和它們的混合溶劑。電荷輸送材料與粘合劑樹脂的混合比例(重量比)可以在10/11/5的范圍內(nèi)。通常，電荷輸送層的厚度優(yōu)選為5|om50(im，更優(yōu)選為10|im40pm。從防止感光體因熱、光或者成像裝置中產(chǎn)生的臭氧或氧化性氣體而劣化的方面考慮，電荷輸送層和/或下述電荷生成層可以包含諸如抗氧化劑、光穩(wěn)定劑或熱穩(wěn)定劑等添加劑。抗氧化劑的實例包括受阻酚、受阻胺、對苯二胺、芳基烷烴、氫醌、螺色滿(spirochromane)和螺茚酮(spiroindanone)和它們的衍生物、有機硫化合物和有機磷化合物。抗氧化劑化合物的具體實例包括酚類抗氧化劑，例如2，6,-二-叔丁基-4-甲酚、苯乙烯基苯酚、正十八烷基-3-(3',5'-二叔丁基-4，-羥苯基)-丙酸酯、2，2，-亞甲基-二-(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、2-叔丁基-6-(3，-叔丁基-5，-甲基-2，-羥基苯甲基)-4-甲基苯基丙烯酸酯、4,4，-亞丁基-二-(3-甲基-6-叔丁基-苯酚)、4，4，-硫代-二-(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、1，3,5-三(4-叔丁基-3-羥基-2，6-二甲基苯甲基)異氰脲酸酯、四-[亞甲基-3-(3，，5，-二叔丁基-4，-羥基-苯基)丙酸酯]-甲烷、3,9-二[2-[3-(3-叔丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙酰氧基]-U-二甲基乙基]-2，4,8，10-四氧雜螺[5，5]H"^—垸或3-(3，，5，-二-叔丁基-4，-羥苯基)丙酸硬脂基酯等。受阻胺的實例包括二(2,2，6，6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、二(1，2,2，6,6-五甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、l-[2-[3-(3,5-二叔丁基-4-羥苯基)丙酰氧基]乙基]-4-[3-(3,5-二叔丁基-4-羥苯基)丙酰氧基]-2,2，6,6-四甲基哌啶、8-苯甲基-7,7，9，9-四甲基-3-辛基-l，3，8-三氮雜螺[4,5]H^—烷-2,4-二酮、4-苯甲酰氧基-2，2,6，6-四甲基哌啶、琥珀酸二甲基酯-l-(2-羥乙基)-4-羥基-2,2，6,6-四甲基哌啶縮聚物、聚[{6-(1,1，3,3-四甲基丁基)亞氨基-l,3，5-三嗪-2，4-二基}{(2，2，6,6-四甲基-4-哌啶基)亞氨基}六亞甲基{(2，3，6,6-四甲基-4-哌啶基)亞氨基}]、2-(3,5-二叔丁基-4-羥基苯甲基)-2-正丁基二丙二酸二(1，2,2，6，6-五甲基-4-哌啶基)和N,N，-二(3-氨丙基)乙二胺-2,4-二[N-丁基-^(1，2,2,6,6-五甲基-4哌啶基)氨基]-6-氯-1,3,5-三嗪縮合物。有機硫抗氧化劑的實例包括二-十二烷基-3,3'-硫代二丙酸酯、二-十四垸基-3,3'-硫代二丙酸酯、二硬脂基-3，3'-硫代二丙酸酯、季戊四醇-四-^十二垸基-硫代二丙酸酯)、二-十三烷基-3,3，-硫代二丙酸酯和2-巰基苯并咪唑。有機磷抗氧化劑的實例包括亞磷酸三壬基苯酯、亞磷酸三苯酯和亞磷酸三(2,4-二-叔丁基苯基)酯。有機硫抗氧化劑和有機磷抗氧化劑被稱為輔助抗氧化劑。輔助抗氧化劑在與諸如含有酚或胺的抗氧化劑等主抗氧化劑組合使用時，可以協(xié)同改善抗氧化效果。光穩(wěn)定劑的實例包括二苯甲酮、苯并三唑、二硫代氨基甲酸酯和四甲基哌啶的衍生物。二苯甲酮光穩(wěn)定劑的實例包括2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-辛氧基二苯甲酮和2,2'-二-羥基-4-甲氧基二苯甲酮。苯并三唑光穩(wěn)定劑的實例包括2-(-2，-羥基-5，-甲基苯基)-苯并三唑、2-[2，-羥基-3，-(3，，,4"，5"，6"-四氫化鄰苯二甲酰亞胺-甲基)-5，-甲基苯基]-苯并三唑、2-(-2，-羥基-3，-叔丁基-5，-甲基苯基-)-5-氯代苯并三唑、2-(2，-羥基-3，-叔丁基-5，-甲基苯基)-5-氯代苯并三唑、2-(2，-羥基-3，，5，-叔丁基苯基)-苯并三唑、2-(2，-羥基-5，-叔辛基苯基)-苯并三唑和2-(2，-羥基-3，,5，-二-叔戊基苯基)-苯并三唑。其它光穩(wěn)定劑的實例包括2，4-二-叔丁基苯基-3',5'-二-叔丁基-4'-羥基苯甲酸酯和二丁基二硫代氨基甲酸鎳。電荷輸送層可以通過將包含溶解在適當溶劑中的電荷輸送材料和粘合劑樹脂的溶液涂布然后干燥而形成。用于制備電荷輸送層形成用涂布液的溶劑的實例包括芳香烴溶劑，例如苯、甲苯或氯苯；酮溶劑，例如丙酮或2-丁酮；鹵代脂肪烴溶劑，例如二氯甲垸、氯仿或氯乙烯；環(huán)狀或直鏈醚溶劑，例如四氫呋喃、二氧六環(huán)、乙二醇或乙醚；和它們的混合溶劑。可以向電荷輸送層形成用涂布液中加入痕量硅油作為流平劑以改善通過涂布形成的涂布膜的平滑性。電荷轉(zhuǎn)移材料與粘合劑樹脂的混合比例(重量比)可以在10/11/5的范圍內(nèi)。通常，電荷輸送層的厚度優(yōu)選為5陴50pm，更優(yōu)選為10,30(xm。電荷輸送層形成用涂布液可以根據(jù)感光體的形狀和應用來通過諸如浸涂、環(huán)涂、噴涂、刮槽涂布、刮板涂布(beadcoating)、輥涂、刮刀涂布或幕涂等涂布法進行施用。干燥可以包括在室溫下干燥為指觸干燥狀態(tài)然后加熱干燥。加熱干燥可以是在3(TC20(TC的溫度范圍內(nèi)進行5分鐘2小時。感光層電荷生成層電荷生成層可以通過根據(jù)真空沉積法沉積電荷生成材料或者通過涂布包含電荷生成材料、有機溶劑和粘合劑樹脂的溶液而形成。電荷生成材料的實例包括硒化合物，例如無定形硒、晶體硒、硒-碲合金和硒-砷合金；無機光導電體，例如硒合金、氧化鋅和氧化鈦以及通過利用著色劑敏化上述物質(zhì)獲得的材料；各種酞菁化合物，例如不含金屬的酞菁、鈦氧基酞菁、銅酞菁、錫酞菁和鎵酞菁；各種有機顏料如斯夸琳(squarilium)顏料、蒽嵌蒽醌顏料、茈顏料、偶氮顏料、蒽醌顏料、芘顏料、吡喃鐺鹽和噻喃鑰鹽；和染料。通常這些有機顏料均具有多種晶型。特別是已經(jīng)知道酞菁化合物具有包括a-型和|3-型等在內(nèi)的多種晶型?？梢允褂萌魏尉?，只要顏料能夠提供適于實現(xiàn)目的的感光度和其它特性即可。在上述電荷生成材料中，優(yōu)選酞菁化合物。當用光照射感光層時，包含在感光層中的酞菁化合物會吸收光子并產(chǎn)生載流子。由于酞菁化合物具有高量子效率，基于吸收的光子會發(fā)生有效的載流子生成。在上述酞菁化合物中，更優(yōu)選下述項(1)(3)中指出的酞菁作為電荷生成材料(l)在使用CuKa射線獲得的X射線衍射譜上至少在布拉格角(20±0.2°)為7.6°、10.0。、25.2。和28.0。的位置處具有衍射峰的結(jié)晶羥基鎵酞菁；(2)在使用CuKa射線獲得的X射線衍射譜上至少在布拉格角(2e±0.2°)為7.3。、16.5°、25.4。和28.1。的位置處具有衍射峰的結(jié)晶氯化鎵酞菁；和(3)在使用CuKa射線獲得的X射線衍射譜上至少在布拉格角(29±0.2°)為9.5°、24.2°和27.3。的位置處具有衍射峰的結(jié)晶鈦氧基酞菁；由于這些酞菁化合物具有高而穩(wěn)定的感光度，因此具有包含酞菁化合物的感光層的感光體適于用作需要在重復循環(huán)時具有高速成像能力和再現(xiàn)性的彩色成像裝置的感光體。雖然取決于結(jié)晶形狀和測量方法其峰強度和衍射角可能會略微偏離上述值，但是具有基本相同的X射線衍射圖案的結(jié)晶被認作具有相同的晶型。用于電荷生成層中的粘合劑樹脂的實例包括諸如雙酚A聚碳酸酯樹脂和雙酚Z聚碳酸酯樹脂等聚碳酸酯樹脂及其共聚物、聚芳酯樹脂、聚酯樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物樹脂、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、硅酮樹脂、硅酮-醇酸樹脂、苯酚-甲醛樹脂、苯乙烯-醇酸樹脂和聚-N-乙烯基咔唑。粘合劑樹脂可以單獨使用，也可以兩種以上組合使用。電荷生成材料與粘合劑樹脂的重量混合比例(電荷生成材料:粘合劑樹脂)可以在10/11/10的范圍內(nèi)。通常，電荷生成層的厚度優(yōu)選為O.Ol^tm5^im，更優(yōu)選為0.05|im2.0pm。為改善感光度、降低殘余電勢和降低反復使用時的疲勞，電荷生成層可以包含至少一種電子接受性化合物。用于電荷生成層的電子接受性化合物的實例包括琥珀酸酐、馬來酸酐、二溴馬來酸酐、鄰苯二甲酸酐、四溴鄰苯二甲酸酐、四氰乙烯、四氰基對苯醌二甲垸、鄰二硝基苯、間二硝基苯、氯醌、二硝基蒽醌、三硝基芴酮、苦味酸、鄰硝基苯甲酸、對硝基苯甲酸和鄰苯二甲酸。在這些化合物中，特別優(yōu)選芴酮化合物、醌類化合物和具有諸如Cl、CN或N02等吸電子基團的苯化合物。電荷生成材料例如可以通過使用輥磨機、球磨機、振動球磨機、磨碎機、戴諾磨(dynomill)、砂磨機或膠體磨等分散在樹脂中。電荷生成層形成用涂布液中所使用的溶劑可以是已知的有機溶劑，其實例包括芳香烴溶劑，例如甲苯或氯苯；脂肪醇溶劑，例如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇或正丁醇；酮溶劑，例如丙酮、環(huán)己酮或2-丁酮；鹵代脂肪烴溶劑，例如二氯甲烷、氯仿或氯乙烯；環(huán)狀或直鏈醚溶劑，例如四氫呋喃、二氧六環(huán)、乙二醇或乙醚；和酯溶劑，例如乙酸甲酯、乙酸乙酯或乙酸正丁酯。溶劑可以單獨使用，也可以使用兩種以上溶劑的混合物。當使用兩種以上溶劑的混合物時，溶劑可以是任何溶劑，只要獲得的混合溶劑能夠溶解粘合劑樹脂即可。然而，當感光層具有從導電性基體側(cè)依次形成有電荷輸送層和電荷生成層的層結(jié)構(gòu)并且電荷生成層是使用諸如浸涂法等易使下層溶解的涂布法形成時，可以使用難以溶解下層(例如，電荷輸送層)的溶劑。當通過對下層滲透性較低的噴涂或環(huán)涂形成電荷生成層時，溶劑的選擇范圍會更廣一些。處理盒和成像裝置下面將描述采用本發(fā)明的示例性實施方式的感光體的處理盒和成像裝置。本發(fā)明的示例性實施方式的處理盒不受特別限制，只要將示例性實施方式的感光體用在處理盒中即可。具體而言，處理盒可以以一體化方式包含本發(fā)明的示例性實施方式的感光體和選自充電單元、顯影單元或清理單元中的至少一個單元，并且可以具有能在成像裝置主體上安裝和拆卸的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的示例性實施方式的成像裝置不受特別限制，只要將本發(fā)明的示例性實施方式的感光體用在成像裝置中即可。具體而言，本發(fā)明的示例性實施方式的成像裝置可以包含本發(fā)明的示例性實施方式的感光體、使感光體表面帶電的充電單元、通過用光照射己經(jīng)通過充電單元而帶電的感光體表面從而形成靜電潛像的曝光單元(靜電潛像形成單元)、通過使用含有調(diào)色劑的顯影劑將靜電潛像顯影而形成調(diào)色劑圖像的顯影單元和將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)上的轉(zhuǎn)印單元。本發(fā)明的示例性實施方式的成像裝置可以是具有與各種顏色的調(diào)色劑對應的多個感光體的所謂串聯(lián)式裝置。在這種情況下，所有感光體都可以是本發(fā)明的示例性實施方式的感光體。可以以使用中間轉(zhuǎn)印介質(zhì)的中間轉(zhuǎn)印方式進行調(diào)色劑圖像的轉(zhuǎn)印。圖5是顯示本發(fā)明的示例性實施方式的處理盒的一個實例的基本結(jié)構(gòu)的示意圖。處理盒100包括電子照相感光體107、充電單元108、顯影單元lll、清理單元113、曝光用開口105和除電單元114，它們通過箱101和固定軌103組合并一體化。處理盒100可以在包含轉(zhuǎn)印單元112、定影單元115和其它圖中未示出的部件的成像裝置的主體上安裝和拆卸。處理盒100與成像裝置(電子照相裝置)的主體一起構(gòu)成了成像裝置。圖6是顯示本發(fā)明的示例性實施方式的成像裝置的一個實例的基本結(jié)構(gòu)的示意圖。圖6所示的成像裝置200具有電子照相感光體207、以接觸方式使電子照相感光體207帶電的充電單元208、與充電單元208相連的電源209、將已通過充電單元208而帶電的電子照相感光體207暴露于光線下的曝光單元210、將由曝光單元210暴露于光線下的區(qū)域顯影的顯影單元211、轉(zhuǎn)印已經(jīng)由顯影單元211形成的位于電子照相感光體207上的圖像的轉(zhuǎn)印單元212、清理單元213、除電單元214和定影單元215。本發(fā)明的示例性實施方式的處理盒或成像裝置中的感光體的清理單元不受特別限制，可以是清理刮刀。與其它清理系統(tǒng)相比，清理刮刀可能容易損壞感光體表面并促進感光體的磨損。然而，在本示例性實施方式的處理盒和成像裝置中，即使長時間使用也能抑制感光體表面的損壞和磨損，因為此處所用的感光體是本示例性實施方式的感光體。實施例下面將參照實施例具體描述本發(fā)明。然而，不應認為本發(fā)明僅限于這些實施例。實施例1電子照相感光體的制備根據(jù)下述步驟，在A1基體上依次形成底涂層、電荷生成層和電荷輸送層，以提供有機感光體。底涂層的形成在攪拌下將100重量份氧化鋅(平均粒徑70nm)與500重量份四氫呋喃混合。向該混合物中加入1.25重量份硅垸偶聯(lián)劑(商品名KBM603,信越化學社制造)并攪拌2小時。然后進行烘烤以獲得其表面經(jīng)硅垸偶聯(lián)劑處理的氧化鋅顏料。將60重量份經(jīng)表面處理的氧化鋅、0.6重量份茜素、13.5重量份固化劑(封端異氰酸酯，商品名SUMIDUR3175，SumikaBayerUrethaneCo.,Ltd.制造)和15重量份縮丁醛樹脂(商品名:S畫LECBM-1，積水化學社制造)溶解在85重量份甲基乙基酮中以形成溶液。將38重量份所得的溶液和25重量份甲基乙基酮混合，并在使用直徑為1mm的玻璃珠的砂磨機中對獲得的混合液進行分散處理2小時，由此獲得分散液。將0.005重量份作為催化劑的二月桂酸二辛基錫和4.0重量份硅酮樹脂顆粒(商品名:TOSPEARL145，GEToshibaSiliconesCo.,Ltd.制造)加入到獲得的分散液中，以提供底涂層形成用涂布液。通過浸涂法將獲得的涂布液涂布在鋁基體上，然后在17(TC下干燥、硬化40分鐘，由此形成厚度為5pm的底涂層。電荷生成層的形成將1重量份作為電荷生成材料的氯化鎵酞菁、1重量份聚乙烯醇縮丁醛(商品名S-LECBM-S，積水化學社制造)和100重量份乙酸正丁酯混合，以形成混合物。在使用玻璃珠的涂料搖動器中對所述混合物進行分散處理1小時，由此獲得電荷生成層形成用分散液。通過浸涂法將獲得的分散液涂布在底涂層上并在IOO'C的溫度下干燥10分鐘，由此獲得厚度為0.15iam的電荷生成層。電荷輸送層的形成接下來，將2重量份由以下結(jié)構(gòu)式(l)代表的化合物和3重量份的其重復單元由以下結(jié)構(gòu)式(2)代表的聚合物化合物(粘均分子量39,000)加入到20重量份氯苯中并使它們?nèi)芙?，由此獲得電荷輸送層形成用涂布液。結(jié)構(gòu)式(l)通過浸涂法將獲得的涂布液涂布到電荷生成層上，然后在ll(TC下加熱40分鐘，以形成厚度為20pm的電荷輸送層，由此獲得在A1基體上依次形成有底涂層、電荷生成層和電荷輸送層的有機感光體(下文中有時稱為"未涂布的感光體")。中間層的形成使用具有如圖3A和圖3B所示的結(jié)構(gòu)的成膜裝置在未涂布的感光體上形成中間層。首先，將未涂布的感光體安裝在成膜裝置的成膜室10的基體固定器13上，然后通過排氣口11將成膜室10的內(nèi)部抽真空至壓力大約為0.1Pa。接下來，將氮氣和H2氣的比例為1:10的混合氣以300sccm的流速(氮氣500sccm，氫氣500sccm)由供氣管20引入到其中設置有直徑為50mm的平板電極19的高頻放電管單元21中。隨后通過利用高頻電源單元18和匹配電路(圖3A和圖3B中未示出)，施加經(jīng)調(diào)諧器調(diào)配而將其輸出功率設置為100W的13.65MHz的射頻波，由平板電極19進行放電。此時反射波為OW。結(jié)構(gòu)式(2)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage55</formula>然后，將含有作為載氣的氫氣與三甲基鎵氣體的混合氣通過氣體入口管15在三甲基鎵氣體的流速為0.2sccm的情況下從噴頭16引入到成膜室10中的等離子體擴散部17中。此時，由Baratron真空計確定的成膜室10中的反應壓力為40Pa。在此狀態(tài)下，在以100rpm的速度旋轉(zhuǎn)未涂布的感光體的同時進行成膜10分鐘以形成厚度為15nm的GaN膜，由此獲得具有形成在電荷輸送層表面上的中間層的有機感光體。對于膜厚的測量，在與如上所述的成膜條件相同的條件下進行另一實驗。具體而言，在與如上所述的條件相同的條件下，在由KAPTON帶(商品名，DuPont-TorayCo.，Ltd制造，膜厚為50pm)部分掩蓋的Si基體(10mmx5mm)上進行2小時的成膜，然后通過利用SURFCOM113A(商品名，東京精密社制造)的水平差測量確定所獲得的參比膜的膜厚。結(jié)果水平差為180nm。中間層的厚度通過將此參比膜的厚度乘以中間層的成膜時間與參比膜的成膜時間之比而求出。在下述實施例7至實施例10中，當引入氧時，將由He氣稀釋為1%的氧氣與氮氣混合，然后引入以形成含有Ga、N、O和H的膜。氧氣流速為0.5sccm(實施例7和實施例8)或0.7sccm(實施例9和實施例10)。表面層的形成在形成中間層之后，將He氣、氫氣和由He氣稀釋為4X的氧氣在混合設備(圖中未示出)中混合，并以大約352sccm(He氣150sccm，氫200sccm，氧2sccm)的流速將該混合氣由供氣管20向長度為350mm的平板電極19引入。通過利用高頻電源單元18和匹配電路(圖中未示出)，經(jīng)調(diào)諧器調(diào)配將13.65MHz的射頻波的輸出功率設置為80W，從而由平板電極19進行放電。放電時的反射波為0W。接下來，將三甲基鎵氣體通過氣體入口管15，在三甲基鎵氣體流速為1.0sccm的情況下，由噴嘴16引入到成膜室10中。此時，由Baratron真空計確定的成膜室10中的反應壓力為30Pa。在以100rpm的速度旋轉(zhuǎn)具有中間層的感光體的同時進行60分鐘的成膜，以便形成厚度為0.5^im并且含有氫的GaO膜，由此獲得在中間層表面上形成有表面層的感光體A1。當形成表面層時，不加熱未涂布的感光體。對于膜厚的測量，在與如上所述的條件相同的條件下形成在Si基板上僅形成有表面層的參比樣品，然后通過利用與中間層中所用相同的的水平差測量方法獲得參比樣品的膜厚。此時，在成膜后觀察溫度記錄帶(TEMP-PLATEP/N101，Wahl制造)的顏色，所述溫度記錄帶在成膜前己貼在基板表面上以監(jiān)控成膜時的溫度，發(fā)現(xiàn)記錄的溫度為42°C。中間層和表面層的分析和評價在與如上所述的在未涂布的感光體表面上形成中間層所用的條件相同的條件下在Si基板上形成樣品中間層，并測量所述樣品中間層的紅外線吸收光譜。結(jié)果，存在對應于Ga-H、Ga-N和N-H鍵的峰。該結(jié)果表明中間層中包含鎵、氮和氫。通過盧瑟福反向散射和氫前向散射確定樣品中間層的組成。測量結(jié)果表明鎵、氮和氫的組成比例為1:0.5:0.8，氮含量低于Ga與N的化學計量比(1:1)。以相似的方式分析和評價表面層。結(jié)果，通過紅外線吸收光譜確認了Ga-0鍵，顯示Ga、0和H的組成比例為1:1.3:0.4，氧含量低于Ga與O的化學計量比(1:1.5)。通過RHEED(反射高能電子衍射)測量獲得的衍射圖具有暈環(huán)圖案的模糊環(huán)，表明該層是無定形的微晶層。感光體的性質(zhì)的評價初始接觸角通過使用接觸角計(商品名CA-Xroll-type，協(xié)和界面科學社制造)在23。C和55XRH的環(huán)境下于成膜后立即向形成于Si基板上的樣品膜上滴純水來測量初始接觸角。使用在不同位置的三次重復測量獲得的平均值作為接觸角。通過測量反射譜評價光干涉性質(zhì)。反射強度的變化的評價使用白光(波長400nm800nm)照射的感光體表面的反射光的分光強度譜通過使用線光譜儀(linespectrometer)測量。首先測量標準有機感光體(未涂布的感光體)的分光反射強度譜，并通過將每一波長的反射強度值設定為100來校準光譜儀。結(jié)果如圖7A所示。然后，測量在未涂布的感光體上僅形成有中間層的感光體的分光反射強度譜。結(jié)果如圖7B所示?？v軸上的值100表示與未涂布的感光體相同的反射率，縱軸上的值200表示為未涂布的感光體的反射率的兩倍的反射率。測量下述的其中表面層直接形成于未涂布的感光體上的比較感光體Bl的分光反射強度譜。結(jié)果如圖7C所示。反射譜的最大值與最小值之間的強度差(反射強度的變化值)為110。然后，以與上述相同的方式測量在未涂布的感光體上依次形成有中間層和表面層的實施例1中制備的感光體Al的反射譜。結(jié)果如圖7D所示。由圖7D計算的實施例1中制備的感光體Al的反射譜的最大值與最小值之間的強度差(反射強度的變化值)為30。將由此獲得的強度差與比較感光體B1(參見比較例1)的強度差(其值為110)進行比較，并根據(jù)下述標準進行評價。反射強度的變化值及其評價結(jié)果如表1中所示。Gl:強度差與比較感光體B1的強度差之比小于或等于1/3。G2:強度差與比較感光體B1的強度差之比大于1/3但小于或等于3/5。G3:強度差與比較感光體B1的強度差之比大于3/5。使用實機評價評價具有中間層和表面層的有機感光體Al的電子照相性能。在以40rpm旋轉(zhuǎn)感光體并使用柵極式電暈管(scorotron)充電器使其帶負電至-700V的情況下，使用曝光光線(光源半導體激光；波長780nm;輸出功率5mW)掃描照射不具有中間層和表面層的未涂布的感光體或具有中間層和表面層的感光體A1各自的表面。使用表面電位計(商品名MODEL344;TREKJapanKK制造)在溫度為20°0并且濕度為50%RH的條件下測量照射后的各感光體的表面電勢。結(jié)果顯示未涂布的感光體的表面電勢為-20V，而具有中間層和表面層的感光體Al的表面電勢小于或等于_40V，感光體A1的表面電勢受溫度和濕度影響的程度很小，感光體A1的表面電勢處于良好的水平。通過改變光源的發(fā)射波長在由紅外區(qū)到可見區(qū)的整個波長區(qū)評價對感光度的影響。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，未涂布的感光體和具有中間層和表面層的感光體A1之間幾乎不存在差異。該結(jié)果表明，感光度不因設置中間層和表面層而降低。另外，在將貼在具有中間層和表面層的感光體A1表面上的粘合帶剝離的剝離測試中未觀察到表面層的剝落，這表明感光體Al中的粘著性很強。使用成像裝置(商品名DOCUCENTRECOLORa450，富士施樂株式會社制造)評價具有中間層和表面層的感光體A1。該裝置安裝有中間轉(zhuǎn)印帶、充電輥和清理刮刀，它們是與感光體接觸的部件。該評價中，在安裝感光體后，在溫度為20"C并且濕度為50XRH的環(huán)境下，將A4尺寸的紙張(商品名PPAPER，富士施樂株式會社制造)的短邊設置為平行于進紙方向，在所述紙張上連續(xù)打印如圖8所示的圖像圖案。此處，如圖8所示的初始圖像201包括兩個圖像圖^~~長度(189mm)為紙張短邊長度的90%的實地圖像210(實地部長度90%圖像)，和長度(63mm)為紙張短邊長度的30%的實地圖像220(實地部長度30%圖像)。圖像濃度的不均勻性連續(xù)在50,000張紙張上形成上述條帶狀圖像。接下來，將在50,000張紙張上印刷之后印刷的第二張紙張作為樣品紙張，并觀察樣品紙張上是否存在圖像濃度不均勻。根據(jù)以下標準評價圖像濃度的不均勻性。Gl:在整個圖像區(qū)未觀察到不均勻的圖像濃度。G2:雖然在長度為紙張短邊長度的30%的實地圖像部中未觀察到圖像濃度不均勻，但是在長度為紙張短邊長度的90%的實地圖像部中略微觀察到圖像濃度的條帶狀不均勻。G3:在長度為紙張短邊長度的30%的實地圖像部中略微觀察到圖像濃度不均勻，并且在長度為紙張短邊長度的90%的實地圖像部中明顯觀察到圖像濃度的條帶狀不均勻。評價結(jié)果集中顯示在表l中。實施例2實施例10在實施例2實施例6中，以與實施例1相似的方式制備在未涂布的感光體上依次形成有中間層和表面層的感光體A2感光體A6，不同之處在于，所包含的元素的種類和組成比例和成膜時間如表1中所示改變。以與實施例1相同的方式評價這樣獲得的感光體A2感光體A6。評價結(jié)果如表1中所示。此外，在實施例7實施例10中，以與實施例1相似的方式制備在未涂布的感光體上依次形成有中間層和表面層的感光體A7感光體A10，不同之處在于，所包含的元素的種類和組成比例和成膜時間如表1中所示改變。感光體A7感光體A10的中間層包含Ga、N和O。以與實施例1相同的方式評價這樣獲得的感光體A7A10，評價結(jié)果如表1中所示。比較例1以與實施例1相似的方式制備比較感光體B1，不同之處在于，在未涂布的感光體上未形成中間層而直接形成有表面層。以與實施例1相同的方式評價感光體B1。評價結(jié)果如表l中所示。比較例2和比較例3以與實施例1相似的方式在未涂布的感光體上形成具有中間層和表面層的比較感光體B2和比較感光體B3，不同之處在于，所包含的元素的種類和組成比例和成膜時間如表1中所示改變。以與實施例1相同的方式評價這樣獲得的感光體B2和感光體B3。評價結(jié)果如表l中所示。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage61</column></row><table>如表1中所示，與不具有中間層的比較例1的比較感光體B1和其中感光層、中間層和表面層的折射率不滿足不等式(l)的比較感光體B2和B3相比，在實施例1實施例10的感光體Al感光體A10(其中在感光層上形成有層厚在5nm70nm的范圍內(nèi)的中間層，在中間層上形成有表面層，并且感光層、中間層和表面層的折射率滿足不等式(l))中，即使當表面層厚度改變時也未觀察到圖像濃度不均勻的產(chǎn)生。從表1中的反射強度變化的評價結(jié)果中可以知道，與比較例1比較例3的比較感光體B1比較感光體B3相比，實施例1實施例10的感光體Al感光體A10具有較小的反射強度變化。因此，認為感光體A1A10的反射強度和光譜較少受到表面層厚度改變的影響，這導致對圖像濃度不均勻的抑制。權(quán)利要求1.一種電子照相感光體，所述電子照相感光體包含導電性基體和依次設置于所述導電性基體上的感光層、中間層和表面層，所述中間層的厚度為2nm～70nm，所述感光層的折射率n1、所述中間層的折射率n2和所述表面層的折射率n3滿足下述不等式(1)不等式(1)n2＞n3＞n1。2.如權(quán)利要求l所述的電子照相感光體，其中，所述中間層包含第一材料，所述第一材料含有氧或氮中的至少一種和第13族元素，所述表面層包含第二材料，所述第二材料含有氧或氮中的至少一種和第13族元素，并且所述第一材料和所述第二材料具有不同的組成式。3.如權(quán)利要求2所述的電子照相感光體，其中，所述第一材料中含有的第13族元素和所述第二材料中含有的第13族元素均為Ga。4.如權(quán)利要求3所述的電子照相感光體，所述電子照相感光體在所述導電性基體和所述感光層之間進一步包含底涂層，并且所述感光層包含電荷生成層和電荷輸送層，所述電荷生成層含有酞菁化合物，所述電荷輸送層含有由下式(1)表示的化合物和其重復單元由下式(2)表示的聚合物MeMe式(2)5.如權(quán)利要求l所述的電子照相感光體，其中，所述感光層的折射率nl與所述中間層的折射率n2之差為0.11.0。6.如權(quán)利要求l所述的電子照相感光體，其中，所述感光層的折射率nl與所述中間層的折射率n2之差為0.30.7。7.如權(quán)利要求l所述的電子照相感光體，其中，所述中間層的折射率n2與所述表面層的折射率n3之差為0.010.7。8.如權(quán)利要求l所述的電子照相感光體，其中，所述中間層的折射率n2與所述表面層的折射率n3之差為0.030.5。9.如權(quán)利要求l所述的電子照相感光體，其中，所述中間層的厚度為5nm60nm。10.—種處理盒，所述處理盒以一體化方式包含電子照相感光體；和選自由以下單元組成的組中的至少一個單元使所述電子照相感光體帶電的充電單元、使用含有調(diào)色劑的顯影劑將帶電的所述電子照相感光體上形成的靜電潛像顯影的顯影單元和除去附著于所述電子照相感光體的表面上的物質(zhì)的清理單元，所述電子照相感光體包含導電性基體和依次設置于所述導電性基體上的感光層、中間層和表面層，所述中間層的厚度為2nm70nm，所述感光層的折射率nl、所述中間層的折射率n2和所述表面層的折射率n3滿足下述不等式(2):不等式(2):n2>n3>nl。11.如權(quán)利要求10所述的處理盒，其中，所述中間層包含第一材料，所述第一材料含有氧或氮中的至少一種和第13族元素，所述表面層包含第二材料，所述第二材料含有氧或氮中的至少一種和第13族元素，并且所述第一材料和所述第二材料具有不同的組成式。12.如權(quán)利要求11所述的處理盒，其中，所述第一材料中含有的第13族元素和所述第二材料中含有的第13族元素均為Ga。13.如權(quán)利要求12所述的處理盒，所述處理盒在所述導電性基體和所述感光層之間進一步包含底涂層，并且所述感光層包含電荷生成層和電荷輸送層，所述電荷生成層含有酞菁化合物，所述電荷輸送層含有由下式(1)表示的化合物和其重復單元由下式(2)表示的聚合物Me式(2)ko-c—/II0。14.如權(quán)利要求10所述的處理盒，其中，所述感光層的折射率nl與所述中間層的折射率n2之差為0.11.0。15.如權(quán)利要求10所述的處理盒，其中，所述中間層的折射率n2與所述表面層的折射率n3之差為0.010.7。16.如權(quán)利要求10所述的處理盒，其中，所述中間層的厚度為5nm60nm。17.—種成像裝置，所述成像裝置包含電子照相感光體；充電單元，所述充電單元使所述電子照相感光體帶電；靜電潛像形成單元，所述靜電潛像形成單元在帶電的所述電子照相感光體上形成靜電潛像；顯影單元，所述顯影單元使用含有調(diào)色劑的顯影劑將所述靜電潛像顯影而形成調(diào)色劑圖像；和轉(zhuǎn)印單元，所述轉(zhuǎn)印單元將所述調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)上，所述電子照相感光體包含導電性基體和依次設置于所述導電性基體上的感光層、中間層和表面層，所述中間層的厚度為2nm70nm，并且所述感光層的折射率nl、所述中間層的折射率n2和所述表面層的折射率n3滿足下述不等式(3):不等式(3):n2>n3>nl。18.如權(quán)利要求17所述的成像裝置，其中，所述中間層包含第一材料，所述第一材料含有氧或氮中的至少一種和第13族元素，所述表面層包含第二材料，所述第二材料含有氧或氮中的至少一種和第13族元素，并且所述第一材料和所述第二材料具有不同的組成式。19.如權(quán)利要求18所述的成像裝置，其中，所述第一材料中含有的第13族元素和所述第二材料中含有的第13族元素均為Ga。20.如權(quán)利要求19所述的成像裝置，所述成像裝置在所述導電性基體和所述感光層之間進一步包含底涂層，并且所述感光層包含電荷生成層和電荷輸送層，所述電荷生成層含有酞菁化合物，所述電荷輸送層含有由下式(1)表示的化合物和其重復單元由下式(2)表示的聚合物式(l)21.如權(quán)利要求17所述的成像裝置，其中，所述感光層的折射率nl與所述中間層的折射率n2之差為0.11.0。22.如權(quán)利要求17所述的成像裝置，其中，所述中間層的折射率n2與所述表面層的折射率n3之差為0.010.7。23.如權(quán)利要求17所述的成像裝置，其中，所述中間層的厚度為5nm60nm。全文摘要本發(fā)明涉及電子照相感光體及使用該感光體的成像裝置和處理盒。所述電子照相感光體包含導電性基體和依次設置于所述導電性基體上的感光層、中間層和表面層，所述中間層的厚度為2nm～70nm。所述感光層的折射率n1、所述中間層的折射率n2和所述表面層的折射率n3滿足不等式n2＞n3＞n1。文檔編號G03G5/047GK101551604SQ20091000489公開日2009年10月7日申請日期2009年2月4日優(yōu)先權(quán)日2008年4月4日發(fā)明者八木茂,巖永剛,西川雅之,鳥越誠之申請人:富士施樂株式會社