專利名稱：具有不同基板厚度差的顯示面板制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種顯示面板制造方法；具體而言，本發(fā)明有關(guān)于一種具 有不同基板厚度差的顯示面板制造方法。
背景技術(shù)：
隨著薄型顯示器需求量的提升，顯示面板薄型化的技術(shù)開(kāi)發(fā)在近年來(lái)日 益重要。顯示面板薄型化的技術(shù)包含有以物理方式的研磨方法與以化學(xué)方式 的蝕刻方法。對(duì)于化學(xué)蝕刻方法而言，其技術(shù)成熟度也日趨成熟。以有機(jī)發(fā) 光二極管顯示面板為例，顯示面板的厚度及其相對(duì)厚度差往往是評(píng)價(jià)整體品 質(zhì)的一大考慮。因此目前在此一領(lǐng)域中，如何有效及彈性地調(diào)整顯示面板的 厚度及其相對(duì)厚度差異，已成為工程師們積極研發(fā)的目標(biāo)。目前，以化學(xué)蝕刻方法而言，顯示面板的兩個(gè)外表面是同時(shí)進(jìn)行化學(xué)蝕 刻，因此顯示面板的第一基板與第二基板的厚度差是無(wú)法在化學(xué)蝕刻步驟進(jìn) 行調(diào)整，必須借助物理研磨方法來(lái)調(diào)整基板厚度差。然而在顯示面板制造過(guò) 程加入物理研磨方法不只會(huì)增加成本對(duì)于制造工藝的規(guī)劃也增加不確定性， 甚至物理研磨方法常造成基板刮痕。因此，如何通過(guò)化學(xué)蝕刻方法制造出基 板厚度差的顯示面板即成為目前研發(fā)的方向。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種顯示面板制造方法，能彈性地生產(chǎn)不同基板 厚度差的顯示面板。本發(fā)明的顯示面板制造方法步驟包含組立第一基板與第二基板；設(shè)置 抗蝕刻層于第一基板的外表面；以及在第一基板的抗蝕刻層與第二基板的外 表面進(jìn)行第一蝕刻。如上所述的顯示面板制造方法，其中附著該抗蝕刻層的方法包含選自氣 相沉積法、貼附法、涂布法、噴灑法其中之一。如上所述的顯示面板制造方法，其中該抗蝕刻層的材質(zhì)選自含蠟材質(zhì)與 氮硅化合物其中之一。如上所述的顯示面板制造方法，其中該第一基板與該第二基板間具有零 以上的初始厚度差，并在該第一蝕刻后使該第一基板與該第二基板間具有第 一厚度差，其中該第一厚度差相異于該初始厚度差。如上所述的顯示面板制造方法，其中該抗蝕刻層設(shè)置步驟包含決定該抗 蝕刻層的厚度以改變?cè)摰谝缓穸炔钆c該初始厚度差的差值。如上所述的顯示面板制造方法，其中該抗刻蝕層相對(duì)該第一基板與該第 二基板具有蝕刻速率比值，該抗蝕刻層設(shè)置步驟包含決定該抗蝕刻層的材質(zhì) 以調(diào)整該蝕刻速率，以改變?cè)摰谝缓穸炔钆c該初始厚度差的差值。如上所述的顯示面板制造方法，其中該蝕刻速率范圍在0.5pm/min至 20jim/min之間。如上所述的顯示面板制造方法，其中該抗蝕刻層設(shè)置步驟包含化學(xué)性 或物理性附著方式將可移除的膜層附著于該第一基板與該第二基板的至少 一個(gè)外表面；以及形成該抗蝕刻層于該可移除的膜層上；其中，在該第一蝕 刻后移除該可移除的膜層。如上所述的顯示面板制造方法，其中該可移除的膜層附著步驟包含以靜 電力方式將該可移除的膜層附著于該第一基板與該第二基板的至少一個(gè)外 表面。如上所述的顯示面板制造方法，進(jìn)一步包含在該抗蝕刻層設(shè)置步驟前在 該第一基板與該第二基板的外表面進(jìn)行初始蝕刻。如上所述的顯示面板制造方法，進(jìn)一步包含在該第一蝕刻步驟后在該第 一基板與該第二基板的外表面進(jìn)行第二蝕刻。如上所述的顯示面板制造方法，其中該初始蝕刻、該第一蝕刻與該第二 蝕刻包含以氟化物進(jìn)行化學(xué)蝕刻。如上所述的顯示面板制造方法，其中該組立步驟進(jìn)一步包含密封該第一 基板與該第二基板的側(cè)邊間隙。本發(fā)明還提供一種顯示面板制造方法，包含下列步驟組立第一基板與 第二基板，其中該第一基板與該第二基板間具有零以上的初始厚度差；設(shè)置 抗蝕刻層于該第一基板的外表面；對(duì)具有設(shè)置該抗蝕刻層的該第一基板與該第二基板的外表面進(jìn)行第一蝕刻階段；使該第一基板與該第二基板間具有第一基板厚度差，其中該第一厚度差相異于該初始厚度差；以及在該第一基板與該第二基板的外表面進(jìn)行第二蝕刻階段。如上所述的顯示面板制造方法，其中該抗蝕刻層設(shè)置步驟包含決定 該抗蝕刻層的厚度以改變?cè)摰谝缓穸炔钆c該初始厚度差的差值。如上所述的顯示面板制造方法，其中該抗刻蝕層相對(duì)該第一基板與該第 二基板具有蝕刻速率比值，該抗蝕刻層設(shè)置步驟包含決定該抗蝕刻層的材質(zhì) 以調(diào)整該蝕刻速率，以改變?cè)摰谝缓穸炔钆c該初始厚度差的差值。如上所述的顯示面板制造方法，其中該第一蝕刻階段步驟以及該第二蝕 刻階段步驟包含以氟化物進(jìn)行化學(xué)蝕刻。如上所述的顯示面板制造方法，其中該抗蝕刻層設(shè)置步驟包含化學(xué)性 或物理性附著方式將可移除的膜層附著于該第一基板與該第二基板的至少 一個(gè)外表面；形成該抗蝕刻層于該可移除的膜層上；以及，在該第一蝕刻階 段后移除該可移除的膜層。如上所述的顯示面板制造方法，其中該第二蝕刻階段為初始蝕刻，并于 該抗蝕刻層設(shè)置步驟前于該第一基板與該第二基板的外表面進(jìn)行該初始蝕 刻。如上所述的顯示面板制造方法，其中該組立步驟進(jìn)一步包含密封該第一 基板與該第二基板的側(cè)邊間隙。本發(fā)明能夠調(diào)整顯示面板上下基板的厚度，以產(chǎn)生不同厚度的顯示面板。


圖1為本發(fā)明的顯示面板制造方法實(shí)施例流程圖；圖2a為本發(fā)明的基板組立步驟的實(shí)施例示意圖；圖2b為本發(fā)明的抗蝕刻層設(shè)置步驟的實(shí)施例示意圖；圖2c為本發(fā)明的第一蝕刻步驟的實(shí)施例示意圖；圖3為本發(fā)明的顯示面板制造方法實(shí)施例流程圖；圖4a為本發(fā)明的抗蝕刻層設(shè)置步驟的實(shí)施例示意圖；圖4b為本發(fā)明的抗蝕刻層設(shè)置步驟的另一實(shí)施例示意圖；圖4C為本發(fā)明的第一蝕刻步驟的實(shí)施例示意圖；圖4d為本發(fā)明的第一蝕刻步驟的另一實(shí)施例示意圖；圖5為本發(fā)明的顯示面板制造方法實(shí)施例流程圖；圖6a為本發(fā)明的初始蝕刻步驟的實(shí)施例示意圖；圖6b為本發(fā)明的抗蝕刻層設(shè)置步驟的實(shí)施例示意圖；圖6C為本發(fā)明的抗蝕刻層設(shè)置步驟的另一實(shí)施例示意圖;圖6d為本發(fā)明的第一蝕刻步驟的實(shí)施例示意圖；圖6e為本發(fā)明的第一蝕刻步驟的另一實(shí)施例示意圖；圖7為本發(fā)明的顯示面板制造方法實(shí)施例流程圖；圖8為本發(fā)明的第二蝕刻步驟的實(shí)施例示意圖。其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下 100第一基板200第二基板300抗蝕刻層310可移除的膜層410驅(qū)動(dòng)電濾元件層420濾光層500框膠具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供一種顯示面板制造方法，以及應(yīng)用此制造方法制成具有不同 厚度差的顯示面板。在優(yōu)選實(shí)施例中，本發(fā)明的顯示面板為液晶顯示面板 (LCD)。然而在不同實(shí)施例中，本發(fā)明的顯示面板亦可包含有機(jī)發(fā)光二極管 顯示面板。此外，在不同實(shí)施例中，本發(fā)明的顯示面板也可包含高分子有機(jī) 發(fā)光二極管(PLED)顯示面板。本發(fā)明的顯示面板可應(yīng)用于各式種面板顯示 屏、家用的平面電視、個(gè)人計(jì)算機(jī)及筆記本電腦的平板型監(jiān)視器、移動(dòng)電話 及數(shù)碼相機(jī)的顯示屏等。如圖l所示為本發(fā)明的顯示面板制造方法的實(shí)施例流程圖。步驟4001 包含組立第一基板與第二基板。步驟4003包含設(shè)置抗蝕刻層于第一基板的 外表面。步驟4005包含在第一基板的抗蝕刻層與第二基板的外表面進(jìn)行第一蝕刻。以下通過(guò)多個(gè)不同實(shí)施方式說(shuō)明各步驟。如圖2a所示的實(shí)施例中，顯示面板主要包含第一基板100、第二基板 200、驅(qū)動(dòng)電路元件層410以及濾光層420。在此實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路元件層 410設(shè)置于第二基板200內(nèi)表面而濾光層420則設(shè)置于第一基板100內(nèi)表面; 第一基板100與第二基板200的材質(zhì)優(yōu)選為玻璃；然而在其它實(shí)施例中，基 板材質(zhì)可為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate， PET)、聚 甲基丙烯酸甲酯(poly-methyl methacrylate， PMMA)、聚碳酸脂 (poly隱carbonate， PC)、聚苯乙烯(poly-styrene， PS)、以上材質(zhì)的混和物 或其它透光材料。此外，第一基板100優(yōu)選采用與第二基板200相同的材質(zhì); 然而在不同實(shí)施例中，第一基板100與第二基板200亦可分別使用不同的材 質(zhì)。如圖2a所示的實(shí)施例中，濾光層420包含彩色濾光片。驅(qū)動(dòng)電路元件 層410則包含薄膜晶體管(Thin-Film-Transistor,TFT);然而在不同實(shí)施例中， 驅(qū)動(dòng)電路元件層410也可為其它具有類似功能的電路型式，例如MIM-TFD 電路。而形成薄膜晶體管的方式優(yōu)選包含非晶硅制造工藝(amorphous silicon; a-Si)、低溫多晶硅制造工藝(Low Temperature poly-silicon; LTPS)及其它可提 供類似功效的制造工藝。接著請(qǐng)同時(shí)參閱圖1與圖2a 圖2c，圖1為本發(fā)明的顯示面板制造方法 實(shí)施例流程圖，圖2a為本發(fā)明的基板組立步驟的實(shí)施例示意圖，圖2b為本 發(fā)明的抗蝕刻層設(shè)置步驟的實(shí)施例示意圖，圖2c為本發(fā)明的第一蝕刻步驟 的實(shí)施例示意圖。組立第一基板100與第二基板200的組立步驟4001包含 密封第一基板100與第二基板200的側(cè)邊間隙，其中優(yōu)選以框膠500，在本 發(fā)明中，優(yōu)選用UV膠將第一基板100與第二基板200的側(cè)邊密封；然而在 不同實(shí)施例中，亦可以其它不同方式來(lái)組立第一基板100與第二基板200。 在此實(shí)施例中，第一基板100與第二基板200間具有零以上的初始厚度差(I D2-D1 I ^0， Dl為第一基板IOO的厚度；D2為第二基板200的厚度)；換 言之，第一基板100與第二基板200可具有相同的初始厚度或相異的初始厚 度。如圖2b所示的實(shí)施例，抗蝕刻層300設(shè)置于第一基板100的外表面。 抗蝕刻層300優(yōu)選由含臘材質(zhì)、氮硅化合物或其它具抗侵蝕性的材質(zhì)形成。9抗蝕刻層300可以為完全抗蝕刻材質(zhì)或部分抗蝕刻材質(zhì)；亦即抗蝕刻層300 可完全不受藥劑侵蝕或以預(yù)設(shè)速率以內(nèi)的速度受到侵蝕或消耗。此外，抗蝕刻層300優(yōu)選以氣相沉積法、貼附法、涂布法、噴灑法或其它具有類似功效 的方式將抗蝕刻層300設(shè)置于第一基板100的外表面。如圖2b所示，當(dāng)?shù)?一基板100的內(nèi)表面設(shè)置有濾光層420時(shí)，第一基板100即作為濾光層基板 使用。此時(shí)濾光層基板的外表面設(shè)置有抗蝕刻層300;因此作為濾光層基板 的第一基板100的外表面會(huì)受保護(hù)不受蝕刻。然而在不同實(shí)施例中，也可以 將抗蝕刻層300設(shè)置在第二基板200上，此時(shí)抗蝕刻層300則附著于驅(qū)動(dòng)電 路元件層基板的外表面上。此外，視制造工藝設(shè)計(jì)需要，抗蝕刻層300亦可 以同時(shí)設(shè)置于濾光層基板以及濾光層基板以外的基板。接著在第一蝕刻步驟4005中，對(duì)設(shè)置抗蝕刻層300的第一基板100與 第二基板200進(jìn)行第一蝕刻。蝕刻用的化學(xué)材料優(yōu)選包含各式的氟化物，例 如氟化氫或氟化銨等。由于第一基板100表面設(shè)有抗蝕刻層300，因此可避 免或延遲第一基板100受到蝕刻，而第二基板200則在此同時(shí)受蝕刻而使基 板厚度減少。如圖2c所示的第一實(shí)施例中，在進(jìn)行蝕刻步驟4005后，在此 實(shí)施例中，抗蝕刻層300會(huì)受到侵蝕并消耗以至于對(duì)其保護(hù)的第一基板100 最終也會(huì)受到侵蝕，而使第一基板100的厚度Dl變成dl;同時(shí)第二基板也 因第一蝕刻使其厚度由D2變成d2。因此第一基板100與第二基板200間的 厚度差由初始厚度差(I D2-D1 I ^0)改變?yōu)榈谝缓穸炔?I d2-dl I ^0)。第 一厚度差可以為零或其它數(shù)值，但需與初始厚度差相異(I d2-dl I ^ I D2-D1 I )。然而在不同實(shí)施例中，抗蝕刻層300亦可不受侵蝕或以較慢速率 受到侵蝕，以保護(hù)第一基板100完全不受侵蝕而維持其厚度為Dl。當(dāng)以氮硅化合物作為抗蝕刻層300的材質(zhì)時(shí)，氮硅化合物本身亦會(huì)在蝕 刻制造工藝中受到侵蝕，而漸漸減少其厚度。此時(shí)為控制初始厚度差與第一 厚度差的差異，抗蝕刻層設(shè)置步驟4003中可進(jìn)一步包含決定抗蝕刻層300 的厚度以改變第一厚度差與初始厚度差的差值(I I d2-dl I - I D2-D1 I I )。 在抗蝕刻層300材質(zhì)相同時(shí)，抗蝕刻層300的厚度增加即可延遲抗蝕刻層300 被完全侵蝕的時(shí)間；換言之，可通過(guò)增加抗蝕刻層300的厚度來(lái)延遲第一基 板IOO表面起始蝕刻的時(shí)間，以增加第一厚度差與初始厚度差的差值。對(duì)于部分可被蝕刻的抗蝕刻層300而言，抗蝕刻層300相對(duì)于第一基板100與第二基板200具有蝕刻速率比值；以優(yōu)選實(shí)施例而言，蝕刻速率比值 可為氟化氫蝕刻有抗蝕刻層300速率與氟化氫蝕刻玻璃速率的比值。以氟化物進(jìn)行第一蝕刻時(shí)，第一蝕刻的蝕刻玻璃速率范圍優(yōu)選在0.5um/min至 2(^m/min之間。為調(diào)整第一厚度差與初始厚度差的差值，抗蝕刻層設(shè)置步驟 4003亦可通過(guò)決定抗蝕刻層300的材質(zhì)以調(diào)整蝕刻速率，以改變抗蝕刻層 300完全消耗及第一基板起始蝕刻的時(shí)點(diǎn)。例如當(dāng)抗蝕刻層300的材質(zhì)優(yōu)選 為氮硅化合物時(shí)，氮硅化合物相對(duì)于氟化氫的蝕刻速率可調(diào)整為六百分之一 至二分之一之間。如圖2c所示的實(shí)施例，在第一蝕刻步驟4005后第一基板 100與第二基板200產(chǎn)生第一厚度差(I d2-dl I >0)，此時(shí)抗蝕刻層300也因 為第一蝕刻步驟而被蝕刻殆盡；然而，抗蝕刻層300材質(zhì)不同也會(huì)使蝕刻結(jié) 果有所不同，例如使用蝕刻速率比值更小的材質(zhì)會(huì)使第一厚度差加大；然而 在其它的實(shí)施例中，抗蝕刻層300在第一蝕刻步驟后也可殘留以待的后制造 工藝步驟進(jìn)行。圖3所示為本發(fā)明的顯示面板制造方法的另一實(shí)施例流程圖。在此實(shí)施 例中，步驟4003進(jìn)一步包含步驟4003a、步驟4003b以及步驟4003c。步驟 4003a包含以化學(xué)性或物理性附著方式將可移除的膜層附著于第一基板與第 二基板的至少一個(gè)外表面。步驟4003b包含形成抗蝕刻層于可移除的膜層上。 步驟4003c包含在第一蝕刻后移除可移除的膜層。步驟4003a優(yōu)選以靜電力 方式將可移除的膜層附著于第一基板與第二基板的至少一個(gè)外表面。以下說(shuō) 明各步驟。如圖4a所示的第二實(shí)施例中，可移除的膜層310以靜電力附著方式設(shè) 置于第一基板IOO(厚度為Dl)的外表面；然而在其它不同實(shí)施例中，可移除 的膜層310能以其它化學(xué)性或物理性附著方式設(shè)置于第一基板100與第二基 板200(厚度為D2)的至少一個(gè)外表面。在優(yōu)選實(shí)施例中，膜層310可以塑料 材質(zhì)形成，例如聚碳酸酉旨(Polycarbonate,PC)材質(zhì)。如圖4b所示的第二實(shí)施例 中，形成抗蝕刻層300于可移除的膜層310上，其中抗蝕刻層300的材質(zhì)優(yōu) 選選自含蠟材質(zhì)與氮硅化合物其中之一 。當(dāng)使用含蠟材質(zhì)為抗蝕刻層300時(shí)， 抗蝕刻層300通常會(huì)殘留使受到抗蝕刻層保護(hù)的濾光層基板與驅(qū)動(dòng)電路元件 層基板的基板厚度不變，換言之，具有以含蠟材質(zhì)為抗蝕刻層的基板，經(jīng)過(guò) 第一蝕刻步驟后該基板厚度與該初始厚度一致。如圖4c所示的實(shí)施例中，在第一蝕刻步驟后第一基板100與第二基板200產(chǎn)生第一厚度差(I d2-Dl I )。因抗蝕刻層300的功能使第一基板100的 厚度與其原始厚度相同，而使第一厚度差相異于初始厚度差(I d2-Dl I # I D2-D1 |);換言之，抗蝕刻層300決定了基板是否蝕刻而產(chǎn)生上述基板厚度 差的效果。最后，如圖4d所示，在第一蝕刻后移除抗蝕刻層300與可移除 的膜層310。由于抗蝕刻層300形成于膜層310上，因此僅需自第一基板IOO 或第二基板200上分離膜層310，即可一并取下殘存的抗蝕刻層300。在優(yōu) 選實(shí)施例中，可以人工或自動(dòng)方式將膜層310自第一基板100或第二基板200 上撕下，或以沖洗等其它方式將膜層310取下。圖5所示為本發(fā)明的顯示面板制造方法的另一實(shí)施例流程圖。本發(fā)明的 顯示面板制造方法進(jìn)一步包含步驟5001。通過(guò)步驟5001，在抗蝕刻層設(shè)置 步驟4003前，在第一基板100與第二基板200的外表面進(jìn)行初始蝕刻。步 驟4003則包含步驟4003a、步驟4003b以及步驟4003c。步驟4003a以化學(xué) 性或物理性附著方式將可移除的膜層附著于第一基板與第二基板的至少一 個(gè)外表面。通過(guò)步驟4003b，形成抗蝕刻層于可移除的膜層上。通過(guò)步驟 4003c，在第一蝕刻后移除可移除的膜層。以下說(shuō)明各步驟。如圖6a所示的第三實(shí)施例中，首先進(jìn)行初始蝕刻步驟5001，在未覆蓋 抗蝕刻層300的第一基板100與第二基板200的外表面進(jìn)行初始蝕刻，使兩 者的初始厚度均減少(由Dl變?yōu)镈l';由D2變?yōu)镈2')。在優(yōu)選實(shí)施例中，兩 者于初始蝕刻后的初始厚度差仍然不變(I D2-D1 I = I D2'-D1' I );然而在不 同實(shí)施例中，例如當(dāng)?shù)谝换?00與第二基板200的材質(zhì)不同時(shí)，則兩者在 初始蝕刻中減少的厚度會(huì)有所不同。接著如圖6b所示，在附著膜層步驟4003a 中優(yōu)選以靜電方式設(shè)置可移除的膜層310于第一基板100的外表面。如圖6c 所示，接著在形成抗蝕刻層步驟4003b中，在可移除的膜層310上設(shè)置抗蝕 刻層300。如圖6d所示，在第一蝕刻步驟4005后，第一基板100與第二基 板200產(chǎn)生第一厚度差(I d2-Dl' I )。因抗蝕刻層300的功能使第一基板100 的厚度與其原始厚度相同，而使第一厚度差相異于初始厚度差(I D2-D1 I = I D2'-D1' I ^ I d2-Dl' I )。最后，在第一蝕刻后進(jìn)行移除膜層步驟4003c 中，移除抗蝕刻層300與可移除的膜層310，如圖6e所示。圖7所示為本發(fā)明的顯示面板制造方法的另一實(shí)施例流程圖。本發(fā)明的顯示面板制造方法進(jìn)一步包含步驟5003。通過(guò)步驟5003，在第一蝕刻步驟 4005后在第一基板(厚度Dl變?yōu)閐l)與第二基板(厚度D2變?yōu)閐2)的外表面 進(jìn)行第二蝕刻。蝕刻用的化學(xué)材料優(yōu)選包含各式的氟化物，例如氟化氫或氟 化銨等。在此實(shí)施例中，在移除抗蝕刻層300與可移除的膜層310后，始于 第一基板100與第二基板200的外表面進(jìn)行第二蝕刻步驟5003，如圖8所示。 在此步驟中，由于第一基板100與第二基板200的外表面均無(wú)抗蝕刻層300 的設(shè)置，因此均會(huì)受到蝕刻而減少厚度，因此第一基板100厚度由dl變?yōu)?dl'而第二基板200厚度由d2變?yōu)閐2'。在優(yōu)選實(shí)施例中，此步驟所產(chǎn)生的第 二厚度差與第一厚度差的差值為零(I d2-dl I - I d2'-dl' I =0);換言之，第二 蝕刻步驟同步減少第一基板100及第二基板200的厚度，因此不具有改變上 述基板厚度差的效果，但卻能提供制造工藝上更彈性地調(diào)控顯示器基板總厚 度的效果。在不同實(shí)施例中，例如當(dāng)?shù)谝换?00與第二基板200的材質(zhì)不 同時(shí)，則兩者在第二蝕刻中減少的厚度亦可不同。本發(fā)明已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本發(fā)明 的范例。必須指出的是，已公開(kāi)的實(shí)施例并未限制本發(fā)明的范圍。相反地， 包含于權(quán)利要求書(shū)的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包含于本發(fā)明的范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種顯示面板制造方法，包含下列步驟組立第一基板與第二基板；設(shè)置抗蝕刻層于該第一基板的外表面；以及在該第一基板的該抗蝕刻層與該第二基板的外表面進(jìn)行第一蝕刻。
2、 如權(quán)利要求1所述的顯示面板制造方法，其中附著該抗蝕刻層的方 法包含選自氣相沉積法、貼附法、涂布法、噴灑法其中之一。
3、 如權(quán)利要求2所述的顯示面板制造方法，其中該抗蝕刻層的材質(zhì)選 自含蠟材質(zhì)與氮硅化合物其中之一。
4、 如權(quán)利要求1所述的顯示面板制造方法，其中該第一基板與該第二 基板間具有零以上的初始厚度差，并在該第一蝕刻后使該第一基板與該第二 基板間具有第一厚度差，其中該第一厚度差相異于該初始厚度差。
5、 如權(quán)利要求4所述的顯示面板制造方法，其中該抗蝕刻層設(shè)置步驟 包含決定該抗蝕刻層的厚度以改變?cè)摰谝缓穸炔钆c該初始厚度差的差值。
6、 如權(quán)利要求1所述的顯示面板制造方法，其中該抗刻蝕層相對(duì)該第 一基板與該第二基板具有蝕刻速率比值，該抗蝕刻層設(shè)置步驟包含決定該抗 蝕刻層的材質(zhì)以調(diào)整該蝕刻速率，以改變?cè)摰谝缓穸炔钆c該初始厚度差的差 值。
7、 如權(quán)利要求6所述的顯示面板制造方法，其中該蝕刻速率范圍在 0.5(xm/min至20|im/min之間。
8、 如權(quán)利要求1所述的顯示面板制造方法，其中該抗蝕刻層設(shè)置步驟 包含.-化學(xué)性或物理性附著方式將可移除的膜層附著于該第一基板與該第二基板的至少一個(gè)外表面；以及形成該抗蝕刻層于該可移除的膜層上；其中，在該第一蝕刻后移除該可 移除的膜層。
9、 如權(quán)利要求8所述的顯示面板制造方法，其中該可移除的膜層附著步驟包含以靜電力方式將該可移除的膜層附著于該第一基板與該第二基板 的至少一個(gè)外表面。
10、 如權(quán)利要求1所述的顯示面板制造方法，進(jìn)一步包含在該抗蝕刻層設(shè)置步驟前在該第一基板與該第二基板的外表面進(jìn)行初始蝕刻。
11、如權(quán)利要求1所述的顯示面板制造方法，進(jìn)一步包含在該第一蝕刻 歩驟后在該第一基板與該第二基板的外表面進(jìn)行第二蝕刻。
12、 如權(quán)利要求10或11所述的顯示面板制造方法，其中該初始蝕刻、 該第一蝕刻與該第二蝕刻包含以氟化物進(jìn)行化學(xué)蝕刻。
13、 如權(quán)利要求1所述的顯示面板制造方法，其中該組立步驟進(jìn)一步包 含密封該第一基板與該第二基板的側(cè)邊間隙。
14、 一種顯示面板制造方法，包含下列步驟組立第一基板與第二基板，其中該第一基板與該第二基板間具有零以上 的初始厚度差；設(shè)置抗蝕刻層于該第一基板的外表面；對(duì)具有設(shè)置該抗蝕刻層的該第一基板與該第二基板的外表面進(jìn)行第一 蝕刻階段；使該第一基板與該第二基板間具有第一基板厚度差，其中該第一 厚度差相異于該初始厚度差；以及在該第一基板與該第二基板的外表面進(jìn)行第二蝕刻階段。
15、 如權(quán)利要求14所述的顯示面板制造方法，其中該抗蝕刻層設(shè)置步 驟包含決定該抗蝕刻層的厚度以改變?cè)摰谝缓穸炔钆c該初始厚度差的差值。
16、 如權(quán)利要求14所述的顯示面板制造方法，其中該抗刻蝕層相對(duì)該 第一基板與該第二基板具有蝕刻速率比值，該抗蝕刻層設(shè)置步驟包含決定該 抗蝕刻層的材質(zhì)以調(diào)整該蝕刻速率，以改變?cè)摰谝缓穸炔钆c該初始厚度差的 差值。
17、 如權(quán)利要求14所述的顯示面板制造方法，其中該第一蝕刻階段步 驟以及該第二蝕刻階段步驟包含以氟化物進(jìn)行化學(xué)蝕刻。
18、 如權(quán)利要求14所述的顯示面板制造方法，其中該抗蝕刻層設(shè)置步 驟包含化學(xué)性或物理性附著方式將可移除的膜層附著于該第一基板與該第二 基板的至少一個(gè)外表面；形成該抗蝕刻層于該可移除的膜層上；以及， 在該第一蝕刻階段后移除該可移除的膜層。
19、 如權(quán)利要求14所述的顯示面板制造方法，其中該第二蝕刻階段為初始蝕刻，并于該抗蝕刻層設(shè)置步驟前于該第一基板與該第二基板的外表面 進(jìn)行該初始蝕刻。
20、如權(quán)利要求14所述的顯示面板制造方法，其中該組立步驟進(jìn)一步 包含密封該第一基板與該第二基板的側(cè)邊間隙。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有不同基板厚度差的顯示面板制造方法，供調(diào)整顯示面板上下基板的厚度，以產(chǎn)生不同厚度的顯示面板。顯示面板制造方法包含下列步驟組立第一基板與第二基板、設(shè)置抗蝕刻層于第一基板的外表面并進(jìn)行第一蝕刻。由于第一基板表面設(shè)有抗蝕刻層，因此可避免或延遲第一基板受到蝕刻。第二基板則在此同時(shí)受蝕刻而使基板厚度減少，以改變第一基板與第二基板間厚度的差異。
文檔編號(hào)G03F7/00GK101261444SQ20081009352
公開(kāi)日2008年9月10日 申請(qǐng)日期2008年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月23日
發(fā)明者儲(chǔ)中文, 劉昱辰, 林朝成, 王書(shū)志 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司