專利名稱：防止vdmos管二次擊穿的方法
防止VDMOS管二次擊穿的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域中改善VDMOS (Vertical conduction Double diffused Metal Oxide Semiconductor ，垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散型MOS管)性能的方 法，尤其涉及一種防止VDMOS管二次擊穿的方法。背景技術(shù)：
VDMOS由于具有獨(dú)特的高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率、高開(kāi)關(guān)速度、優(yōu)越的頻率 特性以及低噪聲等特點(diǎn)，已得到十分廣泛的應(yīng)用。然而，VDMOS晶體管二次擊穿 問(wèn)題仍會(huì)影響VDMOS的有效應(yīng)用。晶體管二次擊穿是指晶體管從高電壓小電流 向低電壓大電流躍變并伴隨著電流急驟增大的現(xiàn)象，二次擊穿將會(huì)造成晶體管 永久性損壞。二次擊穿主要是由于局部過(guò)熱而引起。由于晶體管的結(jié)面上有缺 陷和參數(shù)分布不均勻，導(dǎo)致電流分布不均勻，y^人而引起溫度分布不均勻。溫度
高的局部區(qū)域載流子濃度將增加，使電流更加密集，這種惡性循環(huán)形成熱不穩(wěn) 定性。如果局部區(qū)域所產(chǎn)生的熱量不能及時(shí)散發(fā)，將使電流上升失去控制。一 旦溫度達(dá)到材料熔點(diǎn)，便造成永久性破壞。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種防止VDMOS管二次擊穿的方法，能有 效避免VDMOS管的局部過(guò)熱，使VDMOS管在大電流下測(cè)試VDS (漏源極電壓)時(shí) 不再出現(xiàn)嚴(yán)重的二次擊穿現(xiàn)象。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明防止VDMOS管二次擊穿的方法，包括如下 步驟
(1)在VDMOS管制造過(guò)程中，采用掩膜光刻膠在硅片表面進(jìn)行干法刻蝕；(2)在真空條件下通入氣體，該氣體在射頻作用下形成對(duì)掩膜光刻膠具有
轟擊能力的等離子體，用該等離子體去除掩膜光刻膠。
所述步驟(2)的氣體包括氧氣，該氧氣流量為1~10 L/min,優(yōu)選的，所
述氧氣流量為2. 5L/min。
所述步驟(2)的真空度為0. 5 10Torr，優(yōu)選的，所述真空度為2Torr。 所述步驟(2)的射頻的功率為500 100(JW，優(yōu)選的，所述射頻的功率為1000W。
本發(fā)明防止VDMOS管二次擊穿的方法，由于在干法刻蝕工藝后采用等離子 工藝去膠，能將干法刻蝕后表面已發(fā)生變性的掩膜光刻膠去除干凈，使VDMOS 晶體管的結(jié)面上不存有因光刻膠殘留導(dǎo)致的缺陷，從而使VDMOS管有效避免了 局部過(guò)熱，進(jìn)而在大電流下測(cè)試VDS時(shí)不再出現(xiàn)二次擊穿現(xiàn)象。具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
VDMOS管二次擊穿問(wèn)題嚴(yán)重影響了 VDMOS管的有效應(yīng)用，而引起VDMOS管二 次擊穿的原因非常復(fù)雜，VDMOS管制造過(guò)程中的材料、工藝等因素都可能引起 VDMOS管的二次擊穿。其中，VDMOS晶體管結(jié)面上存有缺陷所導(dǎo)致的晶體管局部 過(guò)熱是引起二次擊穿的主要原因。
本發(fā)明發(fā)現(xiàn)掩膜光刻膠在干法刻蝕過(guò)程中，由于受到射頻與化學(xué)腐蝕的作 用而發(fā)生表面變性，變性的表面層就像一層堅(jiān)硬的甲殼一樣，用傳統(tǒng)的硫酸加 雙氧水濕法去膠工藝4艮難將該變性的掩膜光刻膠去除干凈，導(dǎo)致VDMOS源區(qū)存 有光刻膠殘留物，該殘留物使VDMOS晶體管的結(jié)面上存有缺陷，進(jìn)而影響電流 特性，使電流分布不均勻，引起VDMOS管局部受熱，使VDMOS管在大電流情況 下測(cè)試VDS時(shí)出現(xiàn)二次擊穿，導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢。因此，本發(fā)明在VDM0S管制造過(guò)程中，采用能將掩膜光刻膠去除干凈的等離子體去膠工藝。
本發(fā)明防止VDM0S管二次擊穿的方法，包括如下步驟 (1)在VDM0S管制造過(guò)程中，采用掩膜光刻膠在硅片表面進(jìn)行干法刻蝕； (2 )在真空條件下通入氣體，該氣體在射頻作用下形成對(duì)掩膜光刻膠具有 轟擊能力的等離子體，用該等離子體去除掩膜光刻膠。
所述步驟(2 )的等離子體去膠工藝是，在真空度為0. 5 ~ 10Torr的條件下， 通入工藝氣體氧氣，該通入氧氣的流量為l~10L/min，所述氧氣分子在功率為 500 - 1000W的射頻作用下分解成氧原子，并進(jìn)一步電離形成高氧化能力的氧離 子，該氧原子和氧離子在射頻作用下具有轟擊能力，并能與光刻膠中的碳(C) 和氫(H)反應(yīng)，生成揮發(fā)性的一氧化碳、二氧化碳和水等主要生成物，這些生 成物被真空系統(tǒng)抽走。由于光刻膠的基本成分是碳?xì)杈酆衔?，因此通過(guò)上述高 能的離子轟擊與強(qiáng)烈的化學(xué)反應(yīng)的雙重作用，本發(fā)明的等離子體去膠步驟可以 將干法刻蝕后表面發(fā)生變性的掩膜光刻膠去除干凈。
在本發(fā)明步驟(2)的等離子體去膠工藝中，真空度為0.5-10Torr，因?yàn)?真空度超過(guò)10Torr，會(huì)使氣體過(guò)濃，影響去膠的均一性，進(jìn)而使去膠質(zhì)量難以 控制，如果真空度小于O. 5Torr,將會(huì)使等離子體濃度過(guò)低，且抽真空設(shè)備也很 難將真空度抽到小于0. 5Torr，經(jīng)過(guò)多次實(shí)—瞼_〖正實(shí)所述真空度優(yōu)選為2Torr。所 述步驟(2)中的氧氣流量為1~10 L/min，如果氧氣流量大于10 L/min,不僅 使去膠速率減慢，而且會(huì)增加生產(chǎn)成本，如果氧氣流量小于lL/min，由于等離 子體濃度太低，去膠速率也會(huì)減慢，經(jīng)實(shí)驗(yàn)證實(shí)所述氧氣流量?jī)?yōu)選為2. 5L/min。 所述步驟(2)中射頻的功率為500 ~ 1000W,如果射頻的功率低于500W，會(huì)影 響去膠速率，而目前的設(shè)備還達(dá)不到產(chǎn)生超過(guò)1000W的射頻，經(jīng)實(shí)驗(yàn)證實(shí)所述 射頻的功率優(yōu)選為IOOOW。實(shí)施例1
在VDMOS管制造過(guò)程中，釆用掩膜光刻膠在硅片表面進(jìn)行干法刻蝕，接著， 用等離子體去除掩膜光刻膠，即在真空度為2 Torr的條件下，通入工藝氣體氧 氣，該通入氧氣的流量為2. 5L/min,所述氧氣分子在功率為1 OOOw的射頻作用 下分解成氧原子，并進(jìn)一步電離形成高氧化能力的氧離子，該氧原子和氧離子 在射頻作用下具有轟擊能力，并能與光刻膠中的碳(C)和氫(H)反應(yīng)，通過(guò) 高能的離子轟擊與強(qiáng)烈的化學(xué)反應(yīng)的雙重作用，本發(fā)明的等離子體去膠步驟可 以將掩膜光刻膠去除干凈。
實(shí)施例2
在VDMOS管制造過(guò)程中，采用掩膜光刻膠在硅片表面進(jìn)行干法刻蝕，接著， 用等離子體去除掩膜光刻膠，即在真空度為0. 5 Torr的條件下，通入工藝氣體 氧氣，該通入氧氣的流量為10L/min,所述氧氣分子在功率為800w的射頻作用 下分解成氧原子，并進(jìn)一步電離形成高氧化能力的氧離子，該氧原子和氧離子 在射頻作用下具有轟擊能力，并能與光刻膠中的碳(C)和氫(H)反應(yīng)，通過(guò) 高能的離子轟擊與強(qiáng)烈的化學(xué)反應(yīng)的雙重作用，本發(fā)明的等離子體去膠步驟可 以將掩膜光刻膠去除干凈。
實(shí)施例3
在VDMOS管制造過(guò)程中，采用掩膜光刻膠在硅片表面進(jìn)行干法刻蝕，接著， 用等離子體去除掩膜光刻膠，即在真空度為10 Torr的條件下，通入工藝氣體 氧氣，該通入氧氣的流量為1L/min,所述氧氣分子在功率為500w的射頻作用下 分解成氧原子，并進(jìn)一步電離形成高氧化能力的氧離子，該氧原子和氧離子在 射頻作用下具有轟擊能力，并能與光刻膠中的碳(C)和氫(H)反應(yīng)，通過(guò)高 能的離子轟擊與強(qiáng)烈的化學(xué)反應(yīng)的雙重作用，本發(fā)明的等離子體去膠步驟可以將掩膜光刻膠去除干凈。
按上述實(shí)施例制造的VDM0S管，與采用傳統(tǒng)濕法工藝去膠制成的VDM0S管 相比，在大電流下測(cè)試VDS時(shí)都沒(méi)有出現(xiàn)二次擊穿。
以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)， 但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域 的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和 改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附 權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種防止VDMOS管二次擊穿的方法，其特征在于，包括如下步驟(1)在VDMOS管制造過(guò)程中，采用掩膜光刻膠在硅片表面進(jìn)行干法刻蝕；(2)在真空條件下通入氣體，該氣體在射頻作用下形成對(duì)掩膜光刻膠具有轟擊能力的等離子體，用該等離子體去除掩膜光刻膠。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)的氣體包括 氧氣。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧氣的流量為1~10 L/min。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述氧氣的流量為2. 5L/min。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)的真空度為 0. 5 ~ 10Torr。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)的真空度為 2Torr。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)的射頻的功 率為500 ~ 1000W。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)的射頻的功 率為IOOOW。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種防止VDMOS管二次擊穿的方法，包括步驟在VDMOS管制造過(guò)程中，采用掩膜光刻膠在硅片表面進(jìn)行干法刻蝕；在真空條件下通入氣體，該氣體在射頻作用下形成對(duì)掩膜光刻膠具有轟擊能力的等離子體，用該等離子體去除掩膜光刻膠。本發(fā)明防止VDMOS管二次擊穿的方法，能有效解決因光刻膠殘留導(dǎo)致的VDMOS管在大電流下測(cè)試VDS時(shí)出現(xiàn)的二次擊穿現(xiàn)象。
文檔編號(hào)G03F7/42GK101504917SQ20081006746
公開(kāi)日2009年8月12日 申請(qǐng)日期2008年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月27日
發(fā)明者劉宗賀 申請(qǐng)人:深圳深愛(ài)半導(dǎo)體有限公司