專利名稱：：用于調(diào)節(jié)浸漬流體的裝置和方法用于調(diào)節(jié)浸漬流體的裝置和方法本申請(qǐng)案請(qǐng)求2007年5月21日申請(qǐng)的標(biāo)題為"用于調(diào)節(jié)浸漬流體的裝置和方法，，的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案第60/931,275以及2006年7月21日申請(qǐng)的標(biāo)題為"用于調(diào)節(jié)浸漬流體的裝置和方法"的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案第60/832,472的權(quán)利，其教示以引用方式并入本文。
背景技術(shù)：
：水浸漬式微影術(shù)是一種將容許半導(dǎo)體組件的特征尺寸持續(xù)性降低的方法。使用水取代空氣作為透鏡和晶圓之間的介質(zhì)增加了介質(zhì)的折射率到接近透鏡的折射率的數(shù)值，并改良微影的解析度。水浸漬式微影術(shù)容許使用激光，例如193納米(nm)的激光，以產(chǎn)生相較于使用傳統(tǒng)微影術(shù)可能的微細(xì)幾何圖形。盡管水浸漬式微影術(shù)比傳統(tǒng)微影術(shù)具有數(shù)個(gè)優(yōu)點(diǎn)，其自身具有一系列技術(shù)上的挑戰(zhàn)。一種特別的挑戰(zhàn)是在曝光程序期間供應(yīng)水浸漬介質(zhì)，該水浸漬介質(zhì)適當(dāng)?shù)厥遣缓袝?huì)另外產(chǎn)生缺陷的污染物。一種典型的水浸漬式微影系統(tǒng)具有數(shù)個(gè)單元操作，其可作用來提供水適合作為浸漬介質(zhì)。主要單元操作可包括(例如)抽取，總可氧化碳(TOC)的降低，可溶氧的移除，溫度控制及顆?？刂?。然而，每個(gè)單元操作提供浸漬介質(zhì)的進(jìn)一步污染。對(duì)于浸漬式微影術(shù)而言，所利用的液體(例如水)的品質(zhì)維持了液體光學(xué)性質(zhì)在最高程度的澄清度(低吸收度)及純度(兆分之一(ppt)含量的污染物)，以確保圖像輻射經(jīng)過液休和透鏡的高透射率。例如，在高純度水中的193nm光學(xué)吸收性典型是0.01/cm，且隨著微量吸收固有雜質(zhì)而劇烈地變化。膠體硅石，包括非常細(xì)微粒形式(例如，直徑如2-3納米的小)的膠體硅石對(duì)于半導(dǎo)體工業(yè)是非常重要的。超大規(guī)模集成電路(VLSI)的制造涉及到多次半導(dǎo)體晶圓表面處理階段，其每個(gè)階段典型接續(xù)著使用超純水清洗晶圓。不管清洗的頻率以及伴隨著監(jiān)測(cè)超純水的關(guān)注，膠體硅石及其它雜質(zhì)可累積在晶圓上，導(dǎo)致所得半導(dǎo)體組件上的缺陷。膠體硅石在特別是非常細(xì)的微粒形式時(shí)是難以偵測(cè)的。這樣的膠體硅石不能以電子掃描顯微鏡(SEM)偵測(cè)，而是需要實(shí)質(zhì)上更為昂貴的電子掃描穿隧顯微鏡?；蛘?，膠體硅石的偵測(cè)可通過原子吸收光譜法確定硅石的總數(shù)量或比例，加上使用傳統(tǒng)機(jī)構(gòu)測(cè)量經(jīng)溶解硅石，因而膠體硅石為全部硅石減去經(jīng)溶解的硅石。硅石是;f艮獨(dú)特的，因?yàn)槠湓贒I水中的存在不可能通過pH或通常用于測(cè)量水純度的導(dǎo)電標(biāo)準(zhǔn)來偵測(cè)。硅石可在水中以懸浮固體，膠體的形式存在，以與鐵、鋁及有機(jī)物形成的復(fù)合物的形式存在，以聚合物及可溶/反應(yīng)性物種的形式存在。影響硅石溶解度的主要因素為溫度、pH、固相的特性及壓力。在水的pH水平(通常在6-8.5范圍)下，硅石是以分子物種，H4Si04或H2Si03(鄰或間硅酸)形式存在。它們是非常弱的酸(pKa=9.4)，且在水中是以非離子性物種存在。當(dāng)在水中的硅石濃度增加時(shí)，硅石經(jīng)常會(huì)聚合，形成二聚物、三聚物、四聚物等?？蛇M(jìn)行聚合反應(yīng)到硅石通過溶解狀態(tài)到膠體狀態(tài)的程度，且可能最后形成不可溶的凝膠的程度。在UPW中的硅石典型是以下列兩種主要形式存在經(jīng)溶解硅石(化學(xué)形式)及膠體硅石(物理形式:典型尺寸為<0.1微米)。經(jīng)溶解硅石和膠體硅石在取決于水的酸度下是可以互相交換的。大量的超純水可用于制程中來制造半導(dǎo)體，且硼可在原始或預(yù)處理進(jìn)料水中以污染物存在。硼為制造固態(tài)電子組件中使用的p-型半導(dǎo)體摻雜物，且在經(jīng)摻雜硅晶體中作用為主要電荷載體。于半導(dǎo)體制造制程流體，例如顯影劑，清潔流體，蒸氣，清洗水或類似物中硼以次-ppb含量的存在可以產(chǎn)生硼的表面沉積，然后可在各種不同制程階段(特別是加熱或離子植入階段)中并入硅晶圓中，且可改變所^^參雜物分布或另外改變基^1的電子特性。在浸漬式微影中，水滴殘余物已經(jīng)以潛在缺陷來源辨識(shí)。已經(jīng)研究了許多方法來降低浸漬區(qū)外側(cè)的水滴。然而，從物理上的觀點(diǎn)來看，晶圓表面在浸漬曝光后是非常難以保持干燥。水滴殘余物容易導(dǎo)致范圍從微米-尺寸圓形缺陷到次微米浮渣缺陷的水印缺陷。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明包括一種用于制造在浸漬式微影程序中使用的經(jīng)調(diào)節(jié)浸漬流體的裝置和方法。經(jīng)調(diào)節(jié)浸漬流體保護(hù)了浸漬系統(tǒng)透鏡并降低或消除污染物沉積在透鏡上，污染物沉積在透鏡上會(huì)不利影響浸漬式微影系統(tǒng)的透鏡穿透度及耐用性。在一具體方式中，本發(fā)明包括一種具有流動(dòng)路徑的裝置，其包括(a)供應(yīng)進(jìn)料液體(例如水，如經(jīng)除氣的進(jìn)料水)到裝置的加壓來源；(b)氧化單元，其具有接收第一液體流并使第一流中所有或部分有機(jī)污染物降解成氧化降解產(chǎn)物的入口，由此通過氧化單元的出口產(chǎn)生含氧化降解產(chǎn)物的液體，其中氧化降解產(chǎn)物包括二氧化碳；(c)具有接受含氧化降解產(chǎn)物的液體的入口的高純度除氣器，除氣器用于從含氧化降解產(chǎn)物的液體中移除所有或部分氧化降解產(chǎn)物，由此產(chǎn)生第二液體流；(d)具有用于接收第二液體流的入口的純化器，純化器包括一種用于從未經(jīng)氧化單元降解移除第二流污染物中污染物的材料床，純化器進(jìn)一步包括離子交換床(例如含有陽離子和陰離子交換樹脂的混合離子交換床)，離子交換床用于從第二流中移除離子污染物，純化器具有從純化器中移除第三液體流的入口；(e)用于自第三液體流中移除微粒子、膠體、凝膠或它們的組合以產(chǎn)生第四液體流的粒子過濾器，及(f)具有用于接收第四液體流的入口的高純度熱塑性熱交換器，該熱交換器用于調(diào)節(jié)經(jīng)過熱塑性聚合物的第四液體流的溫度(例如使用于浸漬式微影透鏡中的溫度)，由此形成經(jīng)調(diào)節(jié)溫度的液體；熱交換器具有出口以從交換器中移除所有或部分經(jīng)調(diào)節(jié)溫度的液體到使用點(diǎn)上。在某些具體方式中，進(jìn)料液體具有小于約200ppb(十億分之一)的溶氧。在流動(dòng)路徑中一特定的裝置順序已經(jīng)描述于前。在其它具體方式中，可重新配置在流動(dòng)路徑中裝置的順序。例如，在一具體方式中，來自高純度除氣器的液體流動(dòng)是導(dǎo)向粒子過濾器且來自粒子過濾器的液體流動(dòng)是導(dǎo)向純化器中以產(chǎn)生第四液體流動(dòng)。本發(fā)明包括一種方法，其可包括(a)供應(yīng)進(jìn)料液體的加壓來源(例如水，如經(jīng)除氣水)；(b)導(dǎo)引進(jìn)料液體到具有入口接收第一液體流并降解在第一流體中所有或部份有機(jī)污染物為氧化降解產(chǎn)物的氧化單元中，由此產(chǎn)生含氧化降解產(chǎn)物的液體，氧化降解產(chǎn)物包括二氧化碳，并從氧化單元中移除含氧化降解產(chǎn)物的液體；(c)使含氧化降解產(chǎn)物的液體接觸高純度熱塑性除氣器，該除氣器具有入口接收含氧化降解產(chǎn)物的液體并使用高純度熱塑性除氣器從液體中移除所有或部分氧化降解產(chǎn)物，由此產(chǎn)生第二液體流；(d)導(dǎo)引第二液體流經(jīng)過純化器床，該床具有移除未被氧化單元降解的污染物的物質(zhì)且通過使液體和離子交換床(例如含有陽離子和陰離子交換樹脂的混合離子交換床)接觸來移除離子污染物，離子交換床移除離子污染物，由此形成第三液體流；(f)過濾第三液體流以移除微粒子、膠體、凝膠或它們的組合，由此形成第四液體流；及(g)使用高純度熱塑性交換器來調(diào)節(jié)第四液體流的溫度，該交換器具有入口接收第四流，熱交換器通過熱塑性聚合物和交換流體接觸調(diào)節(jié)第四液體流的溫度(例如經(jīng)除氣交換流體)，由此形成經(jīng)調(diào)節(jié)溫度的液體；熱交換器具有出口以從交換器中移除所有或部分經(jīng)調(diào)節(jié)溫度的液體到使用點(diǎn)。在某些具體方式中，進(jìn)料液體具有在25。C時(shí)約17到約18.2mega-ohm的電阻系數(shù)。在某些具體方式中，進(jìn)料液體含有小于約200ppb(十億分之一)的溶氧。在其它具體方式中，方法的特定步驟順序已被描述于前。在其它具體方式中，可重新安排步驟的順序。例如，在一具體方式中，來自高純度除氣器的第二液體流被過濾以移除微粒子、膠體、凝膠或它們的組合，由此形成第三液體流，且第三流被導(dǎo)引經(jīng)過純化器床以形成第四液體流。本發(fā)明的具體方式包括一種具有流動(dòng)路徑的裝置，其包括一入口導(dǎo)管可供應(yīng)進(jìn)料液體(例如水，如經(jīng)除氣水)的加壓來源到裝置中，進(jìn)料液體含有小于約200ppb(十億分之一)的溶氧。裝置可包括氧化或降解單元，其具有入口接收進(jìn)料液體并降解在進(jìn)料液體中所有或部分有機(jī)污染物成為氧化降解產(chǎn)物，例如氧化降解產(chǎn)物可包括二氧化碳。氧化或降解單元具有液體入口和液體出口，且可使用一或多種能量來源(例如紫外線光)以降解有機(jī)污染物。該裝置可進(jìn)一步包括高純度除氣器，其具有一入口可接收含氧化降解產(chǎn)物的液體(例如水，如經(jīng)除氣的水)。例如通過真空除氣或汽提的除氣器可從進(jìn)料液體中移除所有或部分揮發(fā)性氧化降解產(chǎn)物。高純度除氣器使得進(jìn)料液體只有少許或沒有有機(jī)污染物，該污染物會(huì)不利地在浸漬式微影應(yīng)用中影響經(jīng)處理液體的使用。在某些變化形式中，高純度除氣器包含微孔隙中空纖維或全氟微孔隙中空纖維。裝置可進(jìn)一步包括純化器，其具有一入口可接收進(jìn)料液體(例如進(jìn)料水，如經(jīng)除氣進(jìn)料水)并移除對(duì)浸漬式微影程序有害且尚未被氧化單元降解的進(jìn)料液體的污染物。純化器可包括用于從進(jìn)料液體中移除離子污染物的離子交換床。在一具體方式中，離子交換床是混合的離子交換床且包括陽離子和陰離子交換床。在另一具體方式中，離子交換床僅包括陽離子樹脂或陰離子交換樹脂。純化器可包括用于移除污染物的其它床的疊層。純化器具有用于從純化器中移除該進(jìn)料液體的出口。純化器和離子交換床可為單一的外殼或被分離成一或多個(gè)外殼。在裝置的某些變化形式中，純化材料是在離子交換床的上游。在其它具體方式中，離子交換床是在純化材料的上游。裝置可包括一或多種粒子過濾器，以從進(jìn)料液體(例如進(jìn)料水，如除氣的進(jìn)料水)中移除微粒子、膠體、凝膠或它們的組合。在一具體方式中，這些微粒子為未被純化器、離子交換床移除的微粒子或未被氧化單元降解的微粒子。在某些具體方式中，一或多種粒子過濾器包括微孔隙薄膜。粒子過濾器的微孔隙薄膜可以帶電或未被帶電。在一具體方式中，微孔隙薄膜為塑料材質(zhì)。裝置亦可包括高純度熱塑性熱交換器，其具有入口可接收進(jìn)料液體(例如進(jìn)料水，如除氣的進(jìn)料水)。熱交換器通過熱塑性聚合物調(diào)節(jié)進(jìn)料液體的溫度，該熱塑性聚合物流體化地使進(jìn)料液體與熱交換器流體分開。在一具體方式中，熱交換流體已經(jīng)被除氧或除氣。在某些變化形式中，熱交換器包含一或多種中空管，例如全氟薄壁中空管。進(jìn)料液體可被調(diào)節(jié)成使用于浸漬式微影系統(tǒng)中的溫度。熱交換器具有出口以從交換器中移除所有或部分經(jīng)調(diào)節(jié)溫度的液體到使用點(diǎn)(例如液體浸漬式微影系統(tǒng))。在本發(fā)明的一個(gè)變化形式中，裝置也可包括除氣器(例如凈化(polishing)除氣器)以從進(jìn)料液體中移除氣泡及/或經(jīng)溶解氣體，它們可能未被事先除氣到浸漬式微影使用的程度。此外，如圖1A和1B所說明，裝置可另外以再循環(huán)或進(jìn)料和流出構(gòu)形配置。因此，在某些具體方式中，裝置也可包括一泵以利用純化器^/或高純度熱交換器再循環(huán)所有或部份流體。本發(fā)明也包括一種用于調(diào)節(jié)浸漬式微影程序中液體的浸漬流體的方法。該方法可包括供應(yīng)經(jīng)除氣進(jìn)料液體(例如水)的加壓來源到裝置的作用或步驟，或使進(jìn)料液體(例如水)除氣的作用或步驟。經(jīng)除氣的進(jìn)料液體可具有在25。C時(shí)約17到約18.2mega-ohm的電阻系數(shù)。經(jīng)除氣進(jìn)料液體可例如含有小于約200ppb(十億分之一)的溶氧。在一用于調(diào)解浸漬液體的方法中，進(jìn)料液體(例如經(jīng)除氣的進(jìn)料水)可流9接收該進(jìn)料液體并降解在進(jìn)料液體中所有或部分有機(jī)污染物成為降解產(chǎn)物。降解產(chǎn)物可包括二氧化碳或其它揮發(fā)性副產(chǎn)物。來自氧化或降解單元的出口的含降解產(chǎn)物的液體可進(jìn)一步使含氧化降解產(chǎn)物的液體與高純度熱塑性除氣器接觸來處理，該高純度熱塑性除氣器具有入口可接收含氧化降解產(chǎn)物的液體并通過真空除氣、氣體汽提或它們的組合來從液體中移除所有或部分揮發(fā)性降解產(chǎn)物。本方法可進(jìn)一步包括使進(jìn)料液體(例如經(jīng)除氣的進(jìn)料水)流動(dòng)經(jīng)過具有可移除對(duì)浸漬式微影程序有害的污染物的材質(zhì)的純化器床。在一具體方式中，未被氧化或降解單元降解的污染物是從進(jìn)料液體中移除。本方法可進(jìn)一步通過使進(jìn)料液體和離子交換床接觸從進(jìn)料液體中移除離子污染物。離子交換床是從該進(jìn)料液體中移除離子污染物。在一具體方式中，離子交換床為一混合的離子交換床且包括陽離子和陰離子交換樹脂。在另一具體方式中，離子交換床僅包括陽離子交換樹脂或陰離子交換樹脂。所得純化液體可通過使液體流動(dòng)經(jīng)過過濾器來過濾以從液體中移除微粒子、膠體、凝膠或它們的組合。本方法亦可包括使用具有一接收進(jìn)料液體的入口的高純度熱塑性熱交換器來調(diào)節(jié)進(jìn)料液體(例如經(jīng)除氣的進(jìn)料水)的溫度。熱交換器可接收進(jìn)料液體且可通過熱塑性聚合物使進(jìn)料液體與熱交換器流體(例如經(jīng)除氣的熱交換器流體)接觸來調(diào)節(jié)進(jìn)^)"液體的溫度。在一方法的變化形式中，高純度熱交換器可包含全氟薄壁中空管。進(jìn)料液體可經(jīng)調(diào)節(jié)成使用于浸漬式微影系統(tǒng)或程序中的溫度和穩(wěn)定度的范圍。熱交換器具有出口以從交換器中傳送所有或部分經(jīng)溫度調(diào)節(jié)液體到使用點(diǎn)上(例如浸漬式微影系統(tǒng))。在方法的某些變化形式中，純化器床是位于高純度除氣器的出口和離子交換床的入口的間。在方法的某些變化形式中，高純度熱塑性熱交換器調(diào)節(jié)了經(jīng)純化床處理的進(jìn)^h液體的溫度。本發(fā)明的變化形式是從液體(例如水)移除污染物到使用點(diǎn)(POU)的微量程度，以達(dá)到浸漬式微影術(shù)的高程序功效。POUUPW(超高純度水)系統(tǒng)可用來進(jìn)一步純化并提升高'純度晶圓廠為含有較低雜質(zhì)的較高品質(zhì)，并將其輸送到浸漬式微影工具透鏡中。雜質(zhì)可從半導(dǎo)體制造程序材料及管件組件中加入到晶圓廠水中成為UPW。10本發(fā)明的變化形式可進(jìn)一步提供溫度和流動(dòng)控制，以消除或降低液體中(例如水)及水和經(jīng)涂覆基板的界面上的微氣泡。在本發(fā)明的一個(gè)變化形式中，浸漬液體(如經(jīng)裝置處理的水)的溫度控制可被用來確保折射率、密度、表面張力及氣體溶解度維持穩(wěn)定。本發(fā)明的具體方式提供可用于浸漬式微影程序中的經(jīng)處理浸漬液體并可進(jìn)一步保護(hù)透鏡且可降低、消除或避免污染物的沉積，該污染物會(huì)不利地影響透鏡穿透度及浸潰式微影系統(tǒng)的持久度。在裝置和方法的某些變化形式中，純化器移除硼。對(duì)于特定工業(yè)應(yīng)用而言，例如半導(dǎo)體制造，可產(chǎn)生低于約100ppt(兆分之一)的硼的含量。硼含量的降低可改良半導(dǎo)體產(chǎn)率，因?yàn)樵谥圃飚?dāng)中使用的去離子UPW產(chǎn)物水中存在非常低含量的硼可明顯且有利地影響半導(dǎo)體芯片的品質(zhì)和性能。本發(fā)明將由上述本發(fā)明更多特別例示的具體方式以擊圖式的說明而變得清楚明白，在該圖式中，相似的組件符號(hào)在不同的圖式中是指相同組件。圖式?jīng)]有必要依比例而定，其重點(diǎn)是在說明本發(fā)明的具體方式。圖1A說明本發(fā)明的具體方式，其中純化器包括用于移除未被氧化或帶電的污染物的樹脂及離子交換樹脂的混合床；圖1B說明本發(fā)明的具體方式，其中裝置包括個(gè)別的純化器床及離子交換樹脂的混合床。裝置可視需要包括除氣器以使要到裝置中的進(jìn)料水除氣及過濾器可視情況需要地帶電或?yàn)橛H水性微孔隙薄膜。圖2顯示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體方式中單一次通過的純化方法。圖3A和3B說明實(shí)施例2的測(cè)試結(jié)果。圖4說明本發(fā)明的裝置的流動(dòng)路徑及具體方式，該裝置具有一或多個(gè)熱交換器、純化器或離子交換床、氧化單元、帶電過濾器及除氣器。出口Si純化器樣本收集孔可與使用點(diǎn)(例如浸漬微影系統(tǒng))連接。圖5A和5B說明圖4的具體方式的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。圖6說明使用在本發(fā)明具體方式中使用的高純度熱交換器達(dá)到的溫度調(diào)節(jié)。圖7A和7B說明來自本發(fā)明圖4A裝置的非限制性具體方式的數(shù)據(jù)；浸漬流體、水的電阻系數(shù)為約18.2到18.25Mohms-cm。TOC可為小于約4ppb(十億分之一)。圖8A、8B及8C分別是在本發(fā)明的一個(gè)具體方式中經(jīng)除氣進(jìn)料水入口壓力、抽取出口壓力及高純度出口壓力隨著時(shí)間的圖式。圖9包含在本發(fā)明的I具體方式中分別為經(jīng)除氣進(jìn)料水入口壓力及高純度出口壓力隨著時(shí)間的圖式。圖10為根據(jù)本發(fā)明的數(shù)個(gè)具體方式，顯示了在各種不同實(shí)驗(yàn)中大于0.05pm的粒子數(shù)與時(shí)間的函數(shù)，其中三個(gè)不同的粒子過濾器是安裝在單一次通過純化方法中。具體實(shí)施例方式本發(fā)明的例示性具體方式的說明如下所述。在浸漬式微影術(shù)中，在透鏡和基板的間的空間填充有液體，通常稱為浸漬液體，且典型具有折射率大于1。浸漬液體應(yīng)在操作波長(zhǎng)(例如193nm及157nm)下具有低光學(xué)吸收度，且可與光阻劑和透鏡材料相容，且為均勻的并為未污染。用于193nm的浸漬式微影術(shù)的浸漬流體為超純水(UPW)。超純水具有約1.44的折射率，顯示在高至6mm的工作距離下小于約5%的吸收度，且與光阻劑和透鏡相容，且為超純形式的未收污染型。又一為157nm浸漬式微影術(shù)所考慮者是其它浸漬流體包括KRYTOX(E丄DuPontDeNemours和Co.,Wilmington,DE的商標(biāo))及全氟聚醚(PFPE)。液體浸漬式微影系統(tǒng)可包括光源、發(fā)光系統(tǒng)(例如冷凝器)、光罩及物鏡透鏡。浸漬液體使用于系統(tǒng)中以幫助圖案在半導(dǎo)體基板上形成圖案。光源可為任何合適的光源，例如光源可為具有436nm(G-線)或365nm(I-線)波長(zhǎng)的汞燈，具有波長(zhǎng)為248nm的氟化氪(KrF)準(zhǔn)分子雷射，具有波長(zhǎng)為193nm的氟化氬(ArF)準(zhǔn)分子雷射，具有波長(zhǎng)為157nm的氟氣體(F2)準(zhǔn)分子雷射，或其它具有低于約lOOnm的波長(zhǎng)的光源。浸漬液體可具有大于1,在預(yù)定圖案化波長(zhǎng)(例如193nm)下相當(dāng)?shù)偷墓鈱W(xué)吸收度且可與施于半導(dǎo)體基板上的光阻劑相容。此外，浸漬液體可在化學(xué)上穩(wěn)定，均勻組合，未受污染，不含氣泡及熱穩(wěn)定的。舉例而言，純水可用來作為浸漬液體。此外，浸漬液體的溫度可被控制以降低液體的折射指數(shù)。在圖1A中，說明裝置的一個(gè)變化形式的流動(dòng)路徑。進(jìn)料液體IO，其可包括家用水，如超純水，或其它液體進(jìn)料，如來自微影系統(tǒng)的浸漬液體可與再循環(huán)液體12組合以形成物流14。物流14可流入視情況需要的除氣器16,其中物流14是自進(jìn)料液體10中被除氣到足夠的含量。經(jīng)除氣進(jìn)料水18可流入降解單元20,例如UV氧化單元，其中含可氧化碳的污染物被降解。經(jīng)UV處理的經(jīng)除氣的水22可然后傳送到高純度除氣器24中，在該除氣器24中，揮發(fā)性降解產(chǎn)物(例如但不限于二氧化碳)是從經(jīng)UV處理的經(jīng)除氣水22中去除以產(chǎn)生經(jīng)除氣液體26。第二或凈化除氣可利用高純度(例如低TOC,如小于20ppb(十億分之一))及低離子性提取性(參見例如描述于本文中的除氣器的表)的除氣器，它們可包括數(shù)個(gè)全氟中空纖維。在一個(gè)具體方式中，高純度除氣器24為凈化除氣器。具有所有或部分經(jīng)移除揮發(fā)性降解產(chǎn)物的經(jīng)除氣液體26是流入純化器28中。純化器28具有入口以接收經(jīng)除氣液體26且包括純化材料床以去除未被氧化單元降解的經(jīng)除氣進(jìn)料水污染物(這樣的污染物對(duì)浸漬式微影程序有害)，如此可產(chǎn)生經(jīng)純化液體物流36。純化器28可包括離子交換材料，如陰離子或混合的陰離子/陽離子交換材料。純化器28也可包括材料床，其在純化器外殼內(nèi)是與離子交換材料分開的區(qū)域。在另一具體方式中，如圖1B中所說明，經(jīng)除氣液體26流入純化器30中以形成物流32，物流32流入離子交換床34(含有離子交換材料，如陰離子或混合的陰離子/陽離子交換材料)以產(chǎn)生經(jīng)純化液體物流36。在一具體方式中，離子交換材料可包含陽離子及陰離子交換樹脂以從經(jīng)除氣水中去除離子污染物，該水已經(jīng)UV氧化并除氣以移除揮發(fā)性降解產(chǎn)物，如經(jīng)除氣液體26。經(jīng)來自純化器出口或離子交換床的純化液體物流36供給入視情況需要的粒子過濾器40中。粒子過濾器40可去除未被純化器28或30、離子交換床34或降解單元20所去除的膠體、凝膠及其它微粒子。已經(jīng)UV氧化處理，純化，除氣及離子交換的物流42流入高純度熱交換器44中，例如含有數(shù)個(gè)中空管結(jié)合或存在于裝置中的全氟熱交換器。在一具體方式中，物流42被供給到數(shù)個(gè)位于高純度熱交換器44中的全氟中空管。高純度熱交換器44，例如，一或多個(gè)來自EntegrisInc.，的PHASOR⑧熱交換器可在來自冷卻器/力。熱器(未顯示，但參見圖3)的脫氧交換流體和物流42之間傳遞熱量。熱交換器44調(diào)節(jié)物流42的溫度到可提供一穩(wěn)定折射指數(shù)的水來使用于浸漬式微影系統(tǒng)中的溫度范圍。熱交換器44具有出口以去除交換器中所有或部分經(jīng)調(diào)節(jié)溫度的經(jīng)除氣水。在一具體方式中，經(jīng)處理浸漬流體46從交換器中去除。經(jīng)處理浸漬流體46可全部被導(dǎo)向使用點(diǎn)。在另一具體方式中，經(jīng)處理浸漬流體被分成物流48和50。物流48然后被導(dǎo)向使用點(diǎn)，且物流50經(jīng)由再循環(huán)泵52再循環(huán)以形成物流12。在一具體方式中，物流12可然后與進(jìn)料液體10混合。在某些具體方式中，裝置可被用于單一次通行，參見例如實(shí)施例2所描述的具體方式，裝置可如圖1A和1B所示的建構(gòu)，以再循環(huán)經(jīng)處理液體，同時(shí)使一部份物流48轉(zhuǎn)向到浸漬式微影系統(tǒng)中。在本發(fā)明的一具體方式中，液體(例如水)純化系統(tǒng)或裝置包括整體除氣，UV氧化，使用高純度熱塑性除氣器的凈化除氣，硅石去除，離子交換純化，約0.03微米或較小的過濾，及使用自熱交換器排放的低TOC(總可氧化碳)的水進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)，如此提供小于約o.orc的溫度控制且維持水具有大于約18.2Mohms-cm的電阻系數(shù)。視情況需要地，裝置可進(jìn)一步包括用于測(cè)量經(jīng)溶解氣體(例如氧)，pH，TOC,電阻系數(shù)或它們的組合的感應(yīng)器。在一具體方式中，離子交換純化包括一或多種離子交換床。離子交換床可包括混合床的交換樹脂，如陽離子及陰離子交換樹脂的混合物，如具有l(wèi):l的陽離子:陰離子比例的交換樹脂。在另一具體方式中，離子交換床包括陽離子交換床或是陰離子交換床。在一具體方式中，床的大小為約2寸的直徑及約24寸的長(zhǎng)度。可使用其它的尺寸，且可基于程序流動(dòng)速率，壓降需求，及進(jìn)料水的雜質(zhì)含量來做選擇。在本裝置的某些變化形式中，在離子交換床中的陰離子交換樹脂和在純化器中的陰離子交換材料可為相同或是不同，且可選擇相對(duì)的數(shù)量以用于特定流入進(jìn)料液體(例如進(jìn)料水)的組成。純化器或離子交換材料也可包括碳去除材料或是同時(shí)去除TOC及離子的樹脂，例如為來自MilliporeCorporation的ORGANEXTM樹脂，或是其它相似的材料。在本發(fā)明的某些變化形式中，硅石純化器(Si純化器)(硅石為未被氧化單元降解而對(duì)浸漬式微影程序有害的污染物的例子)可在離子交換床上游提供一層純化材料。該純化材料可為相同或不同的外殼或是其它合適的構(gòu)形。氧化或降解單元可包括一或多種UV燈，其具有分解于進(jìn)料水中典型發(fā)現(xiàn)14的可氧化有機(jī)化合物的波長(zhǎng)。在某些變化形式中，例如UV燈可為型式SL-10A,其具有185nm的波峰波長(zhǎng)為大于30,000微瓦特.秒/cm2。在一些例子中，UV燈可放射出一或多個(gè)波長(zhǎng)，例如254和185nm波長(zhǎng)光的混合物。燈或其它能量來源的能量和波長(zhǎng)可以做選擇來降解液體進(jìn)料(例如水)中一或多種污染物。以水或其它浸漬液體的流速為基準(zhǔn)，一或多種低TOC排放除氣器可用來從UV燈下游處或其它降解單元的浸漬液體中去除二氧化碳，揮發(fā)性降解產(chǎn)物，或其它可溶氣體。在某些變化形式中，除氣器包含全氟微孔隙薄膜以降低或消除氣泡及來自于源頭的溶解氣體，例如但不限于在進(jìn)料液體(例如UPW)中的經(jīng)溶解氣體，浸漬式微影掃描程序，由UV氧化源產(chǎn)生的氣體/氣泡，或它們的組合。從工廠的整體除氣進(jìn)料液體可視情況需要使用聚烯烴或其它相似微孔隙薄膜來進(jìn)行。除氣可通過真空除氣，惰性氣體氣提或它們的組合來達(dá)成。視情況需要的除氣器可被用來從已在裝置中被處理的浸漬流體中去除溶解氣體到ppb(十億分之一)的含量。這些除氣器較佳為高純度，具有低的總可氧化碳(TOC，通常發(fā)現(xiàn)于Celgard中空纖維除氣器)提取性且粒子流出的清潔裝置中。這些傳統(tǒng)，非-TEFLON⑧或非全氟材料的除氣器在典型的流速(例如大于75%的效率)下是有效的，但可具有一些TOC提取物，且可在氧化或降解單元上游使用，如粗除氣器(TEFLON為E丄DuPontDeNemours及Co.，Wilmington,DE的商標(biāo))的除氣器。這些除氣器可例如包括平片狀或中空纖維微孔隙薄膜。TEFLON⑧或全氟材料薄膜除氣器可為大于約40%的效率且其清潔設(shè)計(jì)可使其適于在氧化或降解單元之后使用。這些除氣器可包括片狀或中空纖維微孔隙薄膜。金屬提取物數(shù)據(jù)顯示TEFLON⑧或全氟材料除氣器的較優(yōu)的清潔度。參見例如下表1中顯示的Entegris，Inc的PHASOR⑧薄膜接觸器的10%HC1的提取率(PHASOR⑧為Entegris,Inc，Chaska，MN的商標(biāo))。TEFLON⑧或全氟材料薄膜除氣器一般為具有低的總可氧化碳(TOC)提取物和粒子的高純度、清潔裝置。在某些具體方式中，除氣器有助于構(gòu)成小于約200ppb的TOC和金屬提取物，且在另一具體方式中，小于約20ppb的TOC和金屬提取物。表l:來自全氟除氣器的提取物<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>"<DL"表示低于偵測(cè)值。在浸漬流體，例如水中的粒子可在導(dǎo)致缺陷的微影曝光中沉積在晶圓上或投射為陰影。這些粒子可使用過濾去除到約0.03微米或更小。這些粒子可包括未溶解硅石。例如，0.03微米或更小等級(jí)的所有Teflon⑧材料的過濾器(其為非潤(rùn)濕且在可棄置形式中具有非常低或?qū)嵸|(zhì)上沒有TOCs(例如來自EntegrisInc.的QUICKCHANGE))可用來使所處理的污染降到最小及去除未經(jīng)溶解及未經(jīng)降解的污染物。這類過濾器使用非脫濕技術(shù)，顯示了高的粒子保留率0.03微米粒子(大于99.7%去除率)的LRV(對(duì)數(shù)還原數(shù)值)為大于2.5且具有適于浸漬式微影方法的含量的極低提取物。在本發(fā)明的另一變化形式中，粒子過濾器包括薄膜，例如0.02微米(|im)等級(jí)的PVDF過濾器，例如但不限于來自Millipore公司的DURAPOREZ(DURAPORE⑧為Millipore公司的注冊(cè)商標(biāo)，Bedford,MA)。該0.02jim等級(jí)的聚偏二氟乙烯(PVDF)為主的過濾器是對(duì)于從浸潰流體(如水)中去除顆粒相當(dāng)有效，且具有相當(dāng)?shù)秃康奶崛∥?，而適于浸漬式微影術(shù)中。適用于本發(fā)明的粒子過濾器，例如篩選過濾器薄膜可在欲過濾液體中具有范圍從正電荷到中性電荷的范圍。例如，DURAPOREZ過濾器是在起褶匣裝置中利用聚偏二氟乙烯(PVDF)薄膜。過濾器的支撐物，籠及核心為聚丙烯。DURAPOREZ薄膜的表面被改性或涂覆且其變成在水中帶正電。除了通過篩分去除大于100nm的粒子外，DURAPOREZ過濾器可捕捉實(shí)質(zhì)上所有帶負(fù)電的粒子，包括小于薄膜孔隙者。因?yàn)榇蟛糠衷谒械奈廴玖Ｗ泳哂胸?fù)電荷，故可使用正電荷薄膜。因?yàn)镈URAPOREZ對(duì)于20nm膠體硅石具有完全的去除率，2LRV或更大，或在某些例子中為3LRV或更大，過濾器可#皮描述成具有20nm(0.02pm)等級(jí)的孔隙大小。合適的具有正電荷的粒子過濾器的另一例子為耐綸過濾器，其在起褶匣中利用耐綸薄膜。合適耐綸薄膜是可例如從MembranaGmbH(Wuppertal，Germany)獲得的。過濾器的支撐物，籠及核心為例如高密度聚乙烯(HDPE)。耐綸過濾器的孔隙等級(jí)可為約20nm。過濾器可在水中具有天然正電荷，而對(duì)帶負(fù)電荷粒子(如PSL球珠及膠體硅石)有完全或幾乎完全的保留。另一合適的粒子過濾器為表面改性的納米過濾器，例如Entegris，Inc,PartNo,S4416M117Y06。表面改性納米過濾器可包含表面改性超高分子量聚乙烯薄膜(UPE)及可被打折和裝置于匣中。適合使用于表面改性納米過濾器中的薄膜是例如描述于國(guó)際專利公告號(hào)WO/2005072487,標(biāo)題為"用于從液體中移除微氣泡的方法"，其全部揭示內(nèi)容并入本文中為參考。過濾器的支撐物，籠及核心為例如高密度聚乙烯。改性的UPE薄膜可以在水中自發(fā)性潤(rùn)濕為特征。表面可在水中帶中性，而對(duì)帶負(fù)電荷及正電荷粒子產(chǎn)生了出乎意料的未篩分的保留率。過濾器可為約20nm等級(jí)?？苫趹?yīng)用時(shí)的壓降及流速需求來選擇粒子過濾器的面積。在某些具體方式中，過濾器的面積可在約5000cn^到約15,000ci^的范圍。在其它具體方式中，過濾器的面積可在約70000112到約11，000cn^的范圍?？墒褂玫倪^濾器薄膜的孔隙大小等級(jí)包括了篩分空隙等級(jí)為約30nm或較小，約25nm或較小，或約20nm或4交小。17可使用的過濾器薄膜可具有完全或幾乎完全的硅石粒子(該硅石粒子例如為具有約30nm或較小，約25nm或較小或約20nm或較小的帶負(fù)電硅石粒子)保留率，且對(duì)于高至約20單層的硅石粒子覆蓋或超過約20層者具有約3LRV或更多的邀:值。粒子過濾器的過濾器薄膜及匣可在裝置或系統(tǒng)中于約3升/分鐘的液體流速及約20°C水溫下具有下列一或任何組合的特性在約200分鐘或更少，在約70分鐘或更少且在某些情形中約60分鐘或更少內(nèi)達(dá)到小于約10ppb的TOC的時(shí)間；達(dá)到約18.2mega-ohm電阻系數(shù)的時(shí)間約690分鐘或更少，約470分鐘或更少，約315分鐘或更少；達(dá)到粒子規(guī)格的時(shí)間約200分鐘或更少，約150分鐘或更少，約65分鐘或更少；在從系統(tǒng)或裝置出口處約4小時(shí)后的粒子濃度約450粒子/升或更少，每升約300個(gè)粒子或更少，每升約230個(gè)粒子或更少；以及在低于約2ppb入口監(jiān)測(cè)或約lppb入口監(jiān)測(cè)的偵測(cè)限制的硅石去除率。在一具體方式中，粒子過濾器為在液體傳送到使用點(diǎn)之前的最后單元操作。在一具體方式中，對(duì)于粒子過濾器(例如過濾器薄膜及過濾器外殼)而言不會(huì)釋放任何不欲的污染物是很重要的。在UPW或浸漬液體中的有機(jī)污染物是不欲的，因?yàn)樗鼈儠?huì)從步進(jìn)機(jī)吸收DUV能量且導(dǎo)致缺陷。這些有^L污染物也可能沉積于透^^竟上，導(dǎo)致薄霧及透鏡性能退化。使用UV氧化-離子交換方法，可將來自晶圓廠UPW進(jìn)料水中的有機(jī)物(例如TOC)從典型ppb含量降低至ppt含量。通過將大部分有機(jī)分子分解成C02和H20，可用來降低TOC到ppt(兆分之一)含量(在某些情形中，其它含有羧酸酯或其它帶電基團(tuán)的經(jīng)氧化有機(jī)物可通過離子交換而非除氣方式來產(chǎn)生并去除)。除氣被說明在例如圖1A和IB中以及在圖3的具體方式中。在這些具體方式中，除氣器和額外的純化器被置于UV氧化單元和離子交換單元之間。粒子交換單元可隨同凈化除氣器一起使用，以除去C02。TOC降低是通過氧化或降解單元及純化器兩者的流動(dòng)(滯流時(shí)間)來影響。低TOC液體(例如低TOC水)也可使用具有降低溶出物及TOC的預(yù)先清潔的系統(tǒng)組件來達(dá)成。例如可利用UPW水洗、使用UPW的熱水洗或提取或其它相似裝置組件的處理來達(dá)成降低殘余TOC?？沙掷m(xù)清洗一直到入口TOC符合來自清洗的出口TOC。當(dāng)高含量流入TOC存在時(shí)，除去碳的分離床可被并入裝置的流動(dòng)路徑中。例如，可使用除去TOC及離子，例如ORGANEXTM樹脂(來自Millipore公司)兩者的樹脂或其它相似材料。從UPW去除離子到ppt含量記載在半導(dǎo)體(ITRS)指導(dǎo)原則的國(guó)際技術(shù)地圖中。在本發(fā)明的裝置及方法的一個(gè)變化形式中，可使用混合床離子交換單元以有效在POU中使UPW去離子化到ppt含量。元件等及混合床離子交換器可被制作成符合ITRS指導(dǎo)原則，而不添加任何離子雜質(zhì)。在本發(fā)明的一個(gè)具體方式中，裝置可通過純化器樹脂，離子交換(例如混合離子交換)及/或除氣去除TOC，s力或TOx(例如硫、氮、卣素、含磷有機(jī)化合物)。使浸漬流體除氣以從流體中去除經(jīng)溶解氣體或去除揮發(fā)性氧化降解產(chǎn)物可導(dǎo)致流體溫度的變化。可使用高純度除氣器，例如PHASOR⑧H(Entegris，Inc)。例如，在UV氧化單元后的真空除氣可因蒸發(fā)性冷卻降低水溫。對(duì)于浸漬式微影應(yīng)用而言，液體(例如水)溫度的維持對(duì)于折射指數(shù)的一致性是4艮重要的。在本發(fā)明的一個(gè)變化形式中，可使用高純度、低TOC產(chǎn)生的熱交換器，而在從約15。C到約30。C范圍內(nèi)(或在流體的折射指數(shù)是在約其最大值下)，調(diào)節(jié)浸漬流體的溫度到設(shè)定點(diǎn)溫度，并維持其在交換器出口或使用點(diǎn)上為約士0.01。C或更少。合適水溫通過消除折射指數(shù)改變避免微影圖像缺陷。為了降低由浸漬流體中溫度改變所產(chǎn)生的折射指數(shù)的變動(dòng)，及為避免由于有機(jī)離子的污染，全氟熱交換器可被用來維持浸漬流'體的溫度在小于約土0.1。C的預(yù)定溫度范圍，如圖6所示者。在某些具體方式中，可使用熱交換器來維持浸漬流體的溫度在小于約士0.002。C的預(yù)定溫度范圍。在某些具體方式中，來自裝置或到分配點(diǎn)的浸漬流體中的變化可為約土0.001。C或lmK或更少。在用于制造高純度浸漬流體(如水)的裝置及方法的具體方式中，進(jìn)料流體部分(例如進(jìn)料水，如經(jīng)除氣進(jìn)料水或經(jīng)處理水)可被用來作為加熱器/冷卻器(例如圖4的冷卻器342,如Neslab冷卻器)的交換流體以溫度調(diào)節(jié)自熱交換器(一或多個(gè)熱交換器，如圖4所示的熱交換器336和338,例如來自Entegris，Inc的PHASORX)出口傳送到浸漬式孩i影系統(tǒng)的液體。盡管加熱19器/冷卻器的交換或工作流體可在封閉路徑中再循環(huán)，在交換或工作流體中溶解氣體的量的控制可被進(jìn)一步除氣、惰性氣體清洗，覆蓋(或其組合)交換流體。另外，氮?dú)饣蚱渌栊詺怏w清洗可被用來通過裝置的熱塑性導(dǎo)管和/或熱交換器中空管來降低或消除大氣氣體的滲透及擴(kuò)散?？墒褂玫母采w或清洗氣體包括在浸漬流體中具有低溶解度，在裝置的熱塑性體中具有低滲透率及擴(kuò)散率，且對(duì)浸漬流體為化學(xué)相容。這類惰性氣體清洗可被用來維持產(chǎn)物浸漬流體的高電阻系數(shù)并使大氣氣體(例如二氧化碳及氧)從浸漬流體中排除。在某些具體方式中，在處理液體中經(jīng)溶解氣體的量是低于液體中氣體的飽和量，例如對(duì)于浸漬液體(如水)中的氧為小于約8ppm。在其它具體方式中，在處理液體中的經(jīng)溶解氣體的量為低于約1000ppb(十億分之一)，在某些具體方式中，小于約20ppb，且在又一具體方式中，為小于約20ppb。在本發(fā)明的一些變化中，裝置中的冷卻器可手動(dòng)填充液體(如水)，該液體已經(jīng)在起始時(shí)使用裝置產(chǎn)生且可然后在裝置操作期間如液位傳感器指示以自動(dòng)地從系統(tǒng)中填充。同時(shí)，可以有氮?dú)饣蚱渌栊詺怏w起泡器持續(xù)地維持氮?dú)饣蚨栊詺怏w層在交換器的交換流體上。"經(jīng)處理液體"是指被除氣器、氧化單元、除氣器(例如凈化除氣器)、純化器、離子交換床(例如混合離子交換床)、過濾器及熱交換器調(diào)節(jié)的液體。經(jīng)處理液體可為具有折射指數(shù)高于1的浸漬流體。純化器可為用于從液體中除去微粒子、膠體、分子污染物或這些污染物的組合的材料床，其中這些污染物的特征在于它們可降低浸漬式微影術(shù)產(chǎn)率和/或在基板上產(chǎn)生殘余物，且這些污染物不能或可能無法被系統(tǒng)的其它元件(例如離子交換器、氧化單元、過濾膜或除氣器)除去。當(dāng)參考硅石及硅石純化器時(shí)，本發(fā)明不限于移除硅石及具有硅石純化器的裝置?？梢酝ㄟ^施行本發(fā)明所移除的其它污染物可包括、但不限于含硅污染物、含硼污染物及含碳污染物。適于本發(fā)明的純化器可具有用于移除這些污染物的材料床。純化器的位置不限于除氣器下游且在某些變化形式中可取決于欲利用純化器移除的污染物及其對(duì)系統(tǒng)下游組件的影響而定來置放于例如除氣器或氧化單元之前。在某些具體方式中，經(jīng)處理液體可用于浸漬式微影術(shù)中且然后被丟棄。在其它具體方式中，經(jīng)處理液體可從透鏡中移除且另外被處理或再循環(huán)以從基板除去任何提取物，然后再利用。在本例中，液體可再度于各種不同點(diǎn)(例如圖1A所示的進(jìn)料液體10的入口)或其它點(diǎn)(例如在純化器或除氣器之前)被導(dǎo)入系統(tǒng)中。在某些變化形式中，可使用第二階段熱交換器系統(tǒng)，其可為調(diào)節(jié)來自裝置(例如圖1A的裝置，在該處，使用點(diǎn)接近晶圓或其它基板)的液體(例如水)的最后溫度的"凈化器"?？稍谙到y(tǒng)中使用流動(dòng)控制模式以維持通過微影系統(tǒng)的照光區(qū)域的高度重復(fù)性和穩(wěn)定的流速?？梢捞囟ㄍ哥R構(gòu)造選擇流速，使得氣泡被最小化或于填充時(shí)消除。再者，可選擇流速以避免或消除基板上的污染物，該污染物會(huì)離開透鏡并入經(jīng)處理液體中?？蛇x擇流速以維持來自基板上的污染物或提取物在經(jīng)處理液體的邊界層中。例如，裝置可精確地/重復(fù)地傳送穩(wěn)定的UPW流到照光區(qū)域，以避免氣泡在填充期間接觸到基板上或透鏡上。流動(dòng)系統(tǒng)的精確度可為約5%的全刻度或較小，在某些具體方式中，為約2%全刻度或較小。于晶圓表面地形上的水填充率可移除光阻劑反應(yīng)產(chǎn)物、可水溶性阻劑成分，及在曝光期間生成的熱，使得經(jīng)浸漬液體的溫度和折射指數(shù)在制程限制內(nèi)。在某些變化形式中，所需要的流速控制是在穩(wěn)態(tài)下的約0.4到約1L/min。在初始填充時(shí)較慢的流速可確保在透鏡底下完成填充。如此可接續(xù)著在掃描期間較快的流速以確保在步進(jìn)移動(dòng)期間副產(chǎn)物的移除以及彎月面的整體性。在某些具體方式中，可使用高至約3L/min全刻度的水或其它浸漬流速。處理液體(例如水)的裝置和方法的某些具體方式為傳送具有低的總可氧化碳濃度、粒子濃度及于193nm(以及在某些具體方式中為65nm)下浸漬式微影的溶氧含量的浸漬液體。本發(fā)明的裝置和方法的一個(gè)具體方式中降低了來自工廠或晶圓廠進(jìn)料水或其它入口UPW源(例如實(shí)施例5所述者)的總可氧化碳達(dá)高至約80%及溶氧達(dá)約95%。現(xiàn)今可得水處理系統(tǒng)使用離子交換樹脂來使家用水去離子化以便產(chǎn)生較高純度水，但該方式不能產(chǎn)生浸漬式微影所欲的低硅石含量。特別的純化方法，例如使用類型I強(qiáng)堿離子交換樹脂、巨分子樹脂、帶電微孔隙薄膜過濾、超微過濾的方法或上述的組合作為純化器以移除硅石、硼或21它們的組合，或從浸漬液體(如水)中個(gè)別去除或另外去除類似帶電污染物。類型I離子交換樹脂可有效地去除反應(yīng)性硅石。巨分子、帶電微孔隙及超微過濾方法可有效地去除非反應(yīng)性及膠體硅石。在某些具體方式中，可達(dá)成的硅石含量為低于約500ppt，在某些變化形式中為小于約350ppt,在其它變化形式中為小于約50ppt。在本發(fā)明的變化形式中，經(jīng)溶解硅石去除效率系出乎意料地隨著通過純化器的流速的增加而增加?？蛇x擇通過純化器的浸漬流體的流速來使溝流效應(yīng)降到最小并提供晶圓或其它浸漬流體和樹脂之間良好的接觸。純化器樹脂例如是強(qiáng)堿陰離子交換樹脂，可使用含有低TOC及低離子的浸漬液體(例如UPW水)來清洗以降低來自樹脂的TOC到小于約20ppb且在某些例子中為小于約5ppb。在某些變化形式中，持續(xù)清洗一直到?jīng)]有添加額外的TOC到流入的UPW。在某些具體方式中，可使用強(qiáng)堿陰離子交換介質(zhì)(類型I)以去除溶解的硅石。例如，可使用類型I強(qiáng)堿離子交換樹脂。主要樹脂制造商提供了這類型的初十月旨，例如ResinTech，Inc.,WestBerlin,NJ;DowChemicalCompany,Midland,MI(例如DowexTM樹脂);Rohm及HassCo"Philadelphia,PA;QualiChem,Inc.,Salem,VA;及Bio-RadLaboratories,Hercules,CA?？梢瞥枋叫∮诩s350ppt且在某些例子中為小于約50ppt。為了避免在浸漬式微影制造程序期間不小心導(dǎo)入硼污染物，在某些具體方式中，純化器和裝置可從浸漬液體(例如水)中移除硼(及溫度調(diào)節(jié)，使TOC為小于約5ppb并去氣)到非常低的殘余含量，典型至約50ppt(兆分之一)以下的硼的低極限值，在某些例子中硼含量為小于約20ppt,且在其它例子中硼含量為小于約10ppt。在某些例子中，純化器可去除溶解硅石和溶解硼物種的組合(及同時(shí)溫度調(diào)節(jié)，TOC為小于約5ppb并使浸漬液體去氣)到小于約50ppt的溶解硅石和小于約10ppt硼。一種可用于這類應(yīng)用中的純化器的硼的特定交換樹脂為由Rohm和Haas公司所制造的AMBERLITEIRA-743T。在某些變化形式中，純化器樹脂可與離子交換單元(例如混合床的離子交換單元)中的陰離子交換樹脂相同?；旌系碾x子交換床(MBD)性能可以通過改變陰離子交換樹脂類型來改性。例如，ResinTechMBD陽IO(ResinTech,Inc.,WestBerlin,NJ)使用ResinTechSBG1(ResinTech，Inc.),標(biāo)準(zhǔn)孔隙度凝膠類型I樹脂，其在凈化應(yīng)用中具有較22高的操作容量，在拋光應(yīng)用中，主要陰離子負(fù)荷是來自硅石和碳酸氫鹽。ResinTechMBD-15(ResinTech，Inc.)使用高孔隙類型I凝膠樹脂，ResinTechSBG1P(ResinTech,Inc.)給予了水中高比例氯離子的較佳功效?？筛淖兗兓⒂暗燃?jí)的浸漬液體。在某些具體方式中，例如具有強(qiáng)離子交換介質(zhì)的純化器可使用約18.2MQ-cm水來清洗以降低任何的TOC。在某些具體方式中，純化器(例如硅石純化器)可以使用具有類型I強(qiáng)堿陰離子交換樹脂的管柱(約6，，-約8，，長(zhǎng)、約0.5'，-約l，'直徑)。管柱可以使用至少約18MQ-cm的DI水來清洗以去除殘余TOC(至小于約20ppb)及其它污染物。去除污染物(例如硅石或硼)導(dǎo)致具有低硅石的較高純度UPW并可提供不會(huì)在晶圓上產(chǎn)生"斑紋(streak)"或"水痕"的浸漬式微影術(shù)的水。在本發(fā)明的變化形式中，使用特定陰離子交換樹脂的浸漬水的POU純化可降低水中硅石并可提供改良的微影方法。在水中測(cè)量硅石可經(jīng)由下列決定膠體硅石-總硅石-溶解硅石。為了測(cè)量溶解硅石，最常見方法是使用約0.05ppb的偵測(cè)限制的比色法。對(duì)于總硅石而言，最常見方法為使用具有約0.05ppb偵測(cè)限制的ICP-MS(市售可得的偵測(cè)限制)。在水溶液中硅石的分析技術(shù)是基于高度染色的鉬硅酸鹽復(fù)合物的生成?；谒{(lán)色鉬硅酸鹽的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試測(cè)量了可溶解硅石，但其不會(huì)測(cè)量高度可聚合或膠體硅石且因此限制到低于約100ppm的濃度。對(duì)于ppb-ppt含量的測(cè)量而言，可使用GFAA,ICP-MS或UV-VIS分光計(jì)技術(shù)。分析方法可包括揭示于美國(guó)專利號(hào)5518624中，它們的全文被并入為參考。硅石可由ICP-MS偵測(cè)。裝置可先使用超高純度水洗凈和清洗，在某些例子中，使用具有電阻系數(shù)大于約18mega-ohm及TOC小于約20ppb的水，以消除任何可在干燥時(shí)留下的殘余物的有機(jī)提取物并消除使用測(cè)量的干擾。下一個(gè)膠體硅石可在純化水中被攔下并分析它。溶液可被滯留數(shù)天以使膠體硅石溶解并形成反應(yīng)理論，傾相信由本發(fā)明提供的高純度液體可對(duì)浸漬式微影系統(tǒng)的23晶圓透鏡提供增加的穩(wěn)定度。例如，由本發(fā)明提供的高純度液體被認(rèn)為有助于維持水透鏡的大小和/或形狀。在某些具體方式中，本發(fā)明的實(shí)行可提供高純度液體(例如高純度水)物流，其具有與進(jìn)料液體(例如進(jìn)料水、如經(jīng)去氣進(jìn)料水)相較下減少的體積流動(dòng)，溫度和/或壓力。在某些具體方式中，進(jìn)料液體具有的壓力、溫度和/或體積擾動(dòng)可影響傳送到浸漬式微影系統(tǒng)的液體的壓力、溫度和/或體積。在其它具體方式中，在裝置中的一或多個(gè)泵可提供水的壓力、溫度和/或體積擾動(dòng)，以影響傳送到浸漬式微影系統(tǒng)的水的壓力、溫度和/或體積。通過降低或消除傳送到浸漬式微影系統(tǒng)中的高純度液體的壓力、溫度和/或體積的擾動(dòng)，可發(fā)現(xiàn)更為穩(wěn)定的水透鏡且因此改良為微影結(jié)果。在某些具體方式中，裝置和方法可用來提供壓力、溫度和/或體積的減低比例，入口振幅與出口振幅的比例為約1到約5。在一特別具體方式中，減低比例為約2。不被任何特定理論局限住，傾相信在本文中描述的裝置的某些組件的特性對(duì)于進(jìn)料液體(例如進(jìn)料水，如經(jīng)去氣進(jìn)料水)的擾動(dòng)的減低產(chǎn)生貢獻(xiàn)。例如，元件如中空纖維去氣器、薄膜過濾器、離子交換樹脂床和/或中空管熱交換器可對(duì)進(jìn)料液體中的擾動(dòng)的降低產(chǎn)生貢獻(xiàn)。在某些具體方式中，本發(fā)明可提供相當(dāng)穩(wěn)定的高純度液體(例如高純度水)的供應(yīng)，而沒有使用壓力控制系統(tǒng)，如封閉回路壓力控制系統(tǒng)。然而，在某些具體方式中，本發(fā)明可包括壓力控制系統(tǒng)，例如封閉回路的壓力控制系統(tǒng)。在某些例子中，本文所描述的裝置可進(jìn)一步包括壓力阻尼裝置。壓力阻尼裝置可降低最終傳送到浸漬式微影術(shù)中的液體的壓力和/或體積的擾動(dòng)。壓力阻尼裝置可包括脈沖阻尼器。一合適脈沖阻尼器的例子為Accu-PulsePulsationDampenser(PrimaryFluidSystems,Inc;Ontario,Canada)。熟習(xí)該項(xiàng)技術(shù)者從本文中所包含的啟示的觀點(diǎn)而言且基于特定制程需求能選擇及篩選特定壓力阻尼裝置。在某些具體方式中，使用多個(gè)壓力阻尼裝置。壓力阻尼裝置可位于本文所述的裝置中的任何處。可使用壓力阻尼裝置來使減弱液體流，該液體流為選自由進(jìn)料液體、含氧化降解產(chǎn)物的液體、及溫度經(jīng)調(diào)節(jié)液體所組成的群組中。例如，壓力阻尼裝置可使用來減弱選自由進(jìn)料水(例如經(jīng)除氣進(jìn)料水)，含氧化降解產(chǎn)物的進(jìn)料水(例如含氧化降解產(chǎn)物的經(jīng)除氣進(jìn)料水)及溫度經(jīng)調(diào)節(jié)水(例如溫度經(jīng)調(diào)節(jié)除氣水)所組成的群組中的水流。在某些具體方式中，一或多個(gè)壓力阻尼裝置可用來減弱來自除氣器，純化器，粒子過濾器及/或熱交換器的液體流。在一具體方式中，壓力阻尼裝置可用來減弱進(jìn)iH"液體，例如水。在某些具體方式中，壓力阻尼裝置可用來減弱高純度液體出口流，例如高純度水出口流。在某些具體方式中，在進(jìn)料液體(例如經(jīng)除氣進(jìn)料水)入口以及高純度液體出口之間的壓力擾動(dòng)為小于約20kPa,例如小于約15kPa,小于約10kPa或小于約5kPa。圖8A-C為本發(fā)明不包含增加壓力阻尼器(例如脈沖阻尼器)的具體方式中分別為隨著時(shí)間的經(jīng)除氣進(jìn)料水入口壓力，泵出口壓力及高純度水出口壓力的圖式。下表2顯示圖式數(shù)據(jù)的平均，最大及標(biāo)準(zhǔn)偏差。裝置是以每分鐘約6升再循環(huán)方式操作。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>圖9包含本發(fā)明不包含增加壓力阻尼器(例如脈沖阻尼器)的具體方式中經(jīng)除氣進(jìn)料水入口壓力及高純度水出口壓力隨著時(shí)間的圖式。裝置是以每分鐘約6升再循環(huán)方式操作。圖8A-C及9證實(shí)在某些具體方式中本發(fā)明可提供穩(wěn)定供應(yīng)的高純度液體，例如高純度水。同時(shí)，圖8A-C及9顯示在某些具體方式中通過實(shí)施本發(fā)明可降低或?qū)嵸|(zhì)上消除在裝置中進(jìn)料液體的擾動(dòng)和/或因抽取造成的擾動(dòng)。實(shí)施例1本實(shí)施例說明在單一次通過程序中使用單一硅石純化器，類型I強(qiáng)堿陰離子樹脂來從水中移除硅石的結(jié)果。結(jié)果顯示單一個(gè)純化器證實(shí)了進(jìn)入純化器中0.33ppb溶解硅石進(jìn)料有大于70%溶解硅石去除效率。傾觀察經(jīng)溶解硅石的數(shù)量在純化器出口處于1天及6天后是小于0.05ppb(偵測(cè)極限)。傾觀察當(dāng)流速增加時(shí)經(jīng)溶解硅石去除效率增加。在不被任何理論局限住，較高的流速被認(rèn)為是在純化器床中具有最小化溝流效應(yīng)且提供水和樹脂間的良好接觸。沒有明顯數(shù)量的TOC從Si純化器樹脂中流出。實(shí)施例2本實(shí)施例提供如圖2所描述的裝置的具體方式的測(cè)試結(jié)果。圖2顯示單一次通過純化方法，其中在本實(shí)施例中的浸漬流體100,主要回路的去離子水被導(dǎo)入純化器102中。純化器102為Si純化器。來自純化器102的純化水流104被導(dǎo)入經(jīng)過粒子過濾器105。粒子過濾器105為0.02微米DURAPOREZ過濾器。經(jīng)過濾水流106是從粒子過濾器105導(dǎo)向粒子計(jì)數(shù)器108(UDI50)。樣本是在粒子計(jì)數(shù)已經(jīng)變慢及穩(wěn)定后才收集。圖3A顯示對(duì)于主要回路去離子水(200),純化水流104(202)及過濾水流106(204)的總硅石含量(ppb)。總硅石移除效率對(duì)于單一次通過為大約60%。圖3B顯示對(duì)于主要回路去離子水(206)，純化水流104(208)及過濾水流106(210)的經(jīng)溶解硅石含量(ppb)。對(duì)于純化水流104(208)及過濾水流106(210)的溶解的硅石含量為低于偵測(cè)極限(亦即小于0.05ppb)。經(jīng)溶解硅石去除效率對(duì)于單一次通過為大于約70%。結(jié)果指示裝置對(duì)于在Si純化器或過濾器出口處從進(jìn)料中移除經(jīng)溶解硅石的濃度為0.14ppb到小于0.05ppb是很有效的。使用類型I強(qiáng)堿陰離子交換樹脂制備硅石移除匣。某些膠體硅石的去除可觀察到是4.9ppb到2-2.5ppb，然而，DURAPOREZ過濾器的處理(先前使用)可降低其功效。結(jié)果說明自進(jìn)料水中的經(jīng)溶解硅石去除及膠體硅石去除。實(shí)施例3本實(shí)施例描述一實(shí)驗(yàn)，其中使用過濾器改良處理程序。本實(shí)施例使用圖4中所描述的裝置。家用離子(DI)水300是與再循環(huán)水流302組合以形成被導(dǎo)向泵306的組合流304。泵306傳送組合的流304到除氣器308及310。經(jīng)除氣水流312^^皮導(dǎo)向UV氧化單元314和316。所得UV-處理水流318然后^皮導(dǎo)向PHASORII高純度除氣器320。所得水流322被導(dǎo)向Si純化器324和混合床純化器326和328以產(chǎn)生純化流330。純化流330然后被導(dǎo)向DURAPOREZ0.02^f效米匣過濾器332以產(chǎn)生過濾水流334。過濾水流334然后被導(dǎo)向熱交換器336及338。熱交換器336和338是使用由冷卻器342(例如NESLAB冷卻器)提供的冷卻水340來供應(yīng)。物流344被用來收集液體樣本。物流344可連接到使用點(diǎn)。圖4的裝置是在下列操作條件下進(jìn)行操作:泵306的速度為700rpm(旁通閥完全開啟)；系統(tǒng)再循環(huán)的速率為每分鐘大約2加侖(GPM);系統(tǒng)流出速率為每分鐘大約2.5升(包括儀器滲漏)。在裝置已經(jīng)運(yùn)轉(zhuǎn)72小時(shí)后收集樣本，TOC和電阻系數(shù)兩者已經(jīng)穩(wěn)定。圖4的裝置證實(shí)在偵測(cè)極限之下去除總和經(jīng)溶解硅石的能力并提供在18.2和18.25megaohm-cm或較高的電阻系數(shù)，及如圖5、7A和7B所示的TOC為小于4ppb。圖5顯示對(duì)于家用去離子水(DI)300(400)及對(duì)于再循環(huán)水流302(402)的總硅石含量?？偣枋コ适窃傺h(huán)模式中大約40%。對(duì)于再循環(huán)水流302而言的總硅石含量為低于偵測(cè)極限(亦即小于0.05ppb)。圖5B顯示對(duì)于家用去離子水(DI)300(404)及對(duì)于再循環(huán)水流302(406)的經(jīng)溶解硅石含量。對(duì)于再循環(huán)水流302而言的經(jīng)溶解硅石含量為低于偵測(cè)極限(亦即，小于0.05ppb)。經(jīng)溶解硅石去除效率為大于約85%。圖6說明裝置能維持溫度在小于0.1。C。圖6顯示熱交換器套管回流溫度500，熱交換器入口溫度502,熱交換器出口溫度504及家用DI水溫506的圖式。標(biāo)的溫度為20.5。C,平均家用DI水溫為約19.81。C，及平均熱交換出口溫度為約20.49°C。圖7A顯示對(duì)于Si純化器入口(600)及Si純化器出口(602)而言的TOC對(duì)時(shí)間的圖式。圖7B顯示對(duì)于Si純化器入口(604)及Si純化器出口(606)而言的電阻系數(shù)對(duì)時(shí)間的圖式。圖7A和7B的數(shù)據(jù)使用兩個(gè)SieversPPTAnalyzer來測(cè)量。系統(tǒng)顯示在連續(xù)的回路中極佳的經(jīng)溶解硅石去除效率。實(shí)施例4下表3和4總結(jié)了由圖4中所描述的浸漬流體系統(tǒng)所傳送的UPW離子質(zhì)量。數(shù)據(jù)顯示系統(tǒng)組件是干凈的且沒有添加離子雜質(zhì)到產(chǎn)物水中。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>在具有移除硅石的系統(tǒng)或裝置的某些具體方式中，系統(tǒng)具有用于UPW水及經(jīng)處理溫度調(diào)節(jié)浸漬液體(出口)的進(jìn)料入口的下列特性(下表4)。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>在各種不同的實(shí)-瞼中，DURAPOREZ過濾器，耐綸過濾器(得自MembranaGmbH)及表面改性納米沖立子過濾器(EntegrisPartNo.S4416M117Y06)是以粒子過濾器105形式安裝在實(shí)施例2的裝置中。使用20-40mL/min的進(jìn)料流速及10-15psi壓力。對(duì)于數(shù)個(gè)特性，監(jiān)測(cè)隨時(shí)間的系統(tǒng)的輸出。圖10顯示在每個(gè)過濾器被安裝在系統(tǒng)中之后X).05iim的粒子計(jì)數(shù)隨時(shí)間的函數(shù)。表5顯示水的品質(zhì)。表面改性的納米粒子過濾器證實(shí)了比起其它過濾器較優(yōu)的水質(zhì)量。表5:比較性過濾器性能<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>當(dāng)本發(fā)明已經(jīng)以參照例示具體方式來顯示及說明時(shí)，應(yīng)了解熟習(xí)該項(xiàng)技術(shù)者可在不偏離所附申請(qǐng)專利范圍所涵蓋本發(fā)明范圍內(nèi)進(jìn)行形式上和細(xì)節(jié)上的改變。權(quán)利要求1.一種具有流動(dòng)路徑的裝置，其包括入口導(dǎo)管，其使經(jīng)除氣進(jìn)料水的加壓來源供應(yīng)到該裝置中，該經(jīng)除氣進(jìn)料水具有小于約200ppb(十億分之一)溶氧；氧化單元，其具有接收該經(jīng)除氣進(jìn)料水并使該經(jīng)除氣進(jìn)料水中所有或部分有機(jī)污染物降解成氧化降解產(chǎn)物的入口及該氧化單元具有出口；該氧化降解產(chǎn)物包括二氧化碳；高純度除氣器，其具有接受含氧化降解產(chǎn)物的水的入口，該除氣器是從經(jīng)除氣進(jìn)料水中移除所有或部分該氧化降解產(chǎn)物，純化器，其具有用于接收經(jīng)除氣進(jìn)料水的入口，該純化器包括一種用于從未經(jīng)該氧化單元降解的該經(jīng)除氣進(jìn)料水中移除污染物的材料床，該純化器進(jìn)一步包括離子交換床，該離子交換床用于從經(jīng)除氣進(jìn)料水中移除離子污染物，該純化器具有從純化器中移除該經(jīng)除氣進(jìn)料水的出口，粒子過濾器，其從經(jīng)除氣進(jìn)料水中移除微粒子、膠體、凝膠或它們的組合；及高純度熱塑性熱交換器，其具有用于接收經(jīng)除氣進(jìn)料水的入口，該熱交換器用于調(diào)節(jié)該經(jīng)除氣進(jìn)料水的溫度，該熱交換器通過熱塑性聚合物接收經(jīng)除氣進(jìn)料水并調(diào)節(jié)該經(jīng)處理水的溫度到用于浸漬式微影透鏡中的溫度；該熱交換器具有出口以從交換器中移除所有或部分溫度經(jīng)調(diào)節(jié)的經(jīng)除氣水到使用點(diǎn)上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其包括除氣器用以從進(jìn)料液體中去除氣泡和/或經(jīng)溶解氣體。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中該溫度經(jīng)調(diào)節(jié)水的溫度為約20到約30。C的范圍，同時(shí)維持在加熱溫度下的該電阻系數(shù)等于在約20.5。C時(shí)約18.2到約18.25mega-ohm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中純化器包括用于移除離子污染物的個(gè)別的床。5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的裝置，其中熱交換器包含中空管。6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的裝置，其中高純度除氣器包含微孔隙中空管。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其一步包括泵，用于再循環(huán)所有或部分溫度經(jīng)調(diào)節(jié)除氣水經(jīng)過該純化器及該高純度熱交換器。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中該經(jīng)除氣進(jìn)料水具有在20.5°C時(shí)約17到約18.2Mohm-cm范圍的電阻系數(shù)。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中使用點(diǎn)為液體浸漬微影系統(tǒng)。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中該純化器是該離子交換床的上游。11.一種方法，其包括供應(yīng)該經(jīng)除氣進(jìn)料水的加壓來源，該經(jīng)除氣進(jìn)料水具有在25°C下約17到約18.2mega-ohms的電阻系數(shù)，該經(jīng)除氣進(jìn)料水包含小于約200ppb(十億分之一)溶氧；使該經(jīng)除氣進(jìn)料水流入氧化單元，該氧化單元具有接收該經(jīng)除氣進(jìn)料水并降解在該經(jīng)除氣進(jìn)料水中所有或部份有機(jī)污染物為氧化降解產(chǎn)物的入口；該氧化降解產(chǎn)物包括二氧化碳，及從該氧化單元中出口移除含氧化降解產(chǎn)物的經(jīng)除氣進(jìn)料水；使含氧化降解產(chǎn)物的該經(jīng)除氣進(jìn)料水接觸高純度熱塑性除氣器，該除氣器具有接收含氧化降解產(chǎn)物的該經(jīng)除氣進(jìn)料水的入口并由高純度熱塑性除氣器從水中移除所有或部分該氧化降解產(chǎn)物，使該經(jīng)除氣進(jìn)料水流經(jīng)具有移除未被該氧化單元降解的污染物的材料的純化器床；通過使經(jīng)除氣進(jìn)料水和離子交換床接觸來從經(jīng)除氣進(jìn)料水中移除離子污染物，該離子交換床從該經(jīng)除氣進(jìn)料水中移除離子污染物；使該經(jīng)除氣進(jìn)料水過濾以從經(jīng)除氣進(jìn)料水中移除^f鼓粒子，膠體，凝膠或它們的組合；及使用高純度熱塑性交換器來調(diào)節(jié)該經(jīng)除氣進(jìn)料水的溫度，該交換器具有入口接收經(jīng)除氣進(jìn)料水，該熱交換器調(diào)節(jié)經(jīng)除氣進(jìn)料水的溫度；該熱交換器經(jīng)由熱塑性聚合物和經(jīng)除氣交換流體接觸調(diào)節(jié)該經(jīng)除氣進(jìn)料水的溫度；該經(jīng)除氣進(jìn)料水調(diào)節(jié)使用于浸漬微影系統(tǒng)中的溫度；該熱交換器具有出口以從交換器中傳送溫度經(jīng)調(diào)節(jié)的經(jīng)除氣水到浸漬^t影系統(tǒng)中。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中該純化器床是位在高純度除氣器出口及離子交換床入口之間。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中高純度熱塑性熱交換器調(diào)節(jié)了已經(jīng)被該純化床處理的經(jīng)除氣進(jìn)料水的溫度。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中該高純度熱交換器包含全氟薄壁中空管。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中該純化器床包括使用18.2Mn水清洗以降低TOC的一種類型為強(qiáng)離子交換介質(zhì)。16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中該純化器床包括使用18.2MQ水清洗以降低TOC的一種類型為強(qiáng)離子交換介質(zhì)。17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其進(jìn)一步包括至少一種壓力阻尼裝置。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中至少一種壓力阻尼裝置包括脈沖阻尼器。19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中粒子過濾器包括表面改性納米粒子20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的裝置，其中表面改性納米粒子過濾器包括在水中為中性帶電的薄膜表面及其中過濾器為約20nm的等級(jí)。21.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其進(jìn)一步包括降弱水的壓力。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其一步包括減弱選自由經(jīng)除氣進(jìn)料水，的壓力。23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中減弱水的壓力包括使用脈沖阻尼器減弱水的壓力。24.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中過濾該經(jīng)除氣進(jìn)料水包括使經(jīng)除氣進(jìn)料水經(jīng)過表面改性納米過濾器來過濾。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中表面改性納米過濾器包括薄膜表面，其在水中為中性帶電及其中過濾器是在約20nm的等級(jí)。26.—種浸漬微影系統(tǒng)，其包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置及微影圖像系統(tǒng)。全文摘要本發(fā)明關(guān)于一種產(chǎn)生使用于浸漬式微影程序中的經(jīng)調(diào)節(jié)浸漬流體的裝置和方法。經(jīng)調(diào)節(jié)浸漬流體保護(hù)浸漬系統(tǒng)透鏡并降低或消除污染物沉積到透鏡中，該污染物沉積到透鏡中會(huì)不利地影響透鏡透射度及浸漬微影系統(tǒng)的耐用性。文檔編號(hào)G03F7/20GK101512438SQ200780027775公開日2009年8月19日申請(qǐng)日期2007年7月18日優(yōu)先權(quán)日2006年7月21日發(fā)明者夏延安,比品·S.·帕瑞克,米歇爾·克拉克,約瑟夫·E.·史密斯申請(qǐng)人:恩特格林斯公司