專利名稱：制備可畸變的光學(xué)元件陣列的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
0001使用反向反光膜將光從光源點(diǎn)反射到觀察點(diǎn)。例如，在公路
安全應(yīng)用中(如公路標(biāo)志、路面標(biāo)志)，車頭燈的光線被反射到汽車駕 駛者的眼睛中。當(dāng)光線被反射到觀察點(diǎn)時(shí)，任何給定的旋轉(zhuǎn)角c的發(fā)散
角"的變化范圍是0-3度。
0002任何給定情形下的發(fā)散角"和旋轉(zhuǎn)角s的值取決于光源(如車 頭燈)的幾何形狀、觀察者(如駕駛者)和光源/觀察者(如汽車)與 反向反光膜之間的距離。例如，大卡車的右車頭燈和駕駛者在距路標(biāo) 大約40米時(shí)，其發(fā)散角"大約為3度，當(dāng)汽車的左車頭燈和駕駛者在 距路標(biāo)大約600米時(shí)，其發(fā)散角大約為0.05度。汽車左右車頭燈的旋 轉(zhuǎn)角s的值不同，其也取決于車頭燈的幾何形狀及汽車和駕駛者與路標(biāo) 之間的距離。
0003理論上，路標(biāo)使用的反向反光膜可以產(chǎn)生足夠強(qiáng)度的反射光， 而且反射光的旋轉(zhuǎn)角s范圍寬，發(fā)散角a的范圍合適。例如，非市區(qū)反 向反射公路標(biāo)志以角度大約為1度的發(fā)散角來反向反射光，其相當(dāng)于 大卡車的駕駛者在距路標(biāo)大約120米時(shí)，返回到駕駛者的右車頭燈光 的發(fā)散角的值。此外，如果路標(biāo)上的反向反射膜是隨機(jī)取向，則在旋 轉(zhuǎn)角s的每個(gè)值都需要反向反射率。
0004為了增加反向反射材料的平均幾何發(fā)散，應(yīng)該在反向反射元 件中有意地引進(jìn)畸變。例如，使用微型立方體，可以引進(jìn)畸變，這可 以使二面角稍微偏離90度。在過去的，US3712706、 US4775219、 US4938563 、 US6015214 、 US2003/007815A1描述過這些畸變。 US6871966剛開了一種引進(jìn)畸變的方法，其在加工后通過主體基片的 控制加工或主體基片的復(fù)制基片的控制加工產(chǎn)生幾何形狀。(此專利歸 屬于本發(fā)明的受讓人并且其全部公開內(nèi)容通過參考合并于此)。具體 地，在非元件承載面(如承載形成元件的面的對立面)的局部區(qū)域加工基片，使其足以改變元件承載面的對立面的光學(xué)元件的幾何形狀。

發(fā)明內(nèi)容
0005本發(fā)明提供一種引進(jìn)有畸變反向反射元件陣列的方法，其中 可以控制加工基片的元件承載面。在權(quán)利要求中全部描述和具體指出 了本發(fā)明的這些和其他特征。下面描述和附圖詳細(xì)陳述了本發(fā)明的特 定圖示說明的實(shí)施例，該特定圖示說明實(shí)施例是象征性的，在本發(fā)明 原理內(nèi)還可以使用多種不同的方法。


0006圖1根據(jù)本發(fā)明是具有畸變反向反射元件陣列的反向反射膜
0007圖2是有畸變反向反射元件陣列的表面視圖。
0008圖3是反向反射元件的特寫圖。
0009圖4是無畸變反向反射元件陣列的表面視圖。
0010圖5是一種制備反向反射膜的方法的示意圖。
0011圖6是在基片上執(zhí)行控制加工的示意圖。
0012圖7是當(dāng)在基片上附加其電鑄復(fù)制品時(shí)，在基片上執(zhí)行控制 加工的示意圖。
具體實(shí)施例方式
0013參考附圖，最先參考圖1和圖2，根據(jù)本發(fā)明顯示反向反射膜 10。反向反射膜IO包括純凈的樹脂膜材料12 (如聚丙烯酸脂、聚碳酸 酯、乙烯樹脂等)，該樹脂膜材料12具有前表面14和后表面16，以在 前表面14和后表面16上形成有畸變反向反射元件20陣列18。圖示說 明的反向發(fā)射元件20是立方角元件，更具體地，是微型立方體。另外 參考圖3可以更好的看出，每個(gè)反向反射元件20包括三個(gè)互相垂直的 面22，三個(gè)面在頂24點(diǎn)相交，三個(gè)面中的每兩個(gè)面在邊26相交形成 三個(gè)二面角。然而，其他反向反射元件也是可能的，本發(fā)明可以考慮。 此外，元件20不必是反向反射性的，其可以是任何類型的光學(xué)元件(包
8括微型光學(xué)元件)，其中在光學(xué)元件內(nèi)有意引進(jìn)畸變以便改進(jìn)光學(xué)性 能。
0014當(dāng)討論陣列18和/或反向反射元件20的光學(xué)性能時(shí)，使用模 擬陣列18'作為比較的基礎(chǔ)會有所幫助。如圖4中所示的模擬陣列18' 具有與陣列18相同的模式，并且具有與先前有畸變的反向反射元件20 完全相同的反向反射元件20'。例如，在所圖示說明的立方角元件實(shí)施 例中，每個(gè)模擬陣列18'的反向反射元件20'可以包括三個(gè)二面角， 其中每個(gè)二面角為90度或接近90度。模擬無畸變陣列18'具有確定 的全部光學(xué)性能，包括平均幾何發(fā)散和總反向反射率。
0015根據(jù)本發(fā)明，反向反射元件20中的畸變足夠大，以使陣列18 具有比無畸變陣列18'(如0-0.5度)大的平均幾何發(fā)散(如大至少0.2 度、至少0.5度、至少1度、和/或大至少0.1度)。此外或可選地，當(dāng) 與無畸變陣列18'進(jìn)行比較時(shí)，陣列18可以使總反向反射率維持為至 少90%、至少94%和/或至少98%。反向反射元件20的平滑度和/或邊 緣銳度基本與無畸變元件20'相同。
0016參考圖5，示意性顯示一種制備反向發(fā)射膜10的方法。在此 方法中，加工空白基片100以產(chǎn)生主體基片110，該主體基片110具有 承載形成元件120的表面116。形成元件120可以與反向反射元件20 同性或異性，無論是同性還是異性，形成元件120具有與無畸變元件 20'所需的幾何形狀相同的幾何形狀。在所圖示說明的實(shí)施例中，主 體基片IIO包括凸形元件120。
0017然后使用主體基片110產(chǎn)生(如通過電鑄形成) 一個(gè)或多于 一個(gè)原版基片110。每個(gè)復(fù)制的基片110具有承載形成元件120的表面 116，其與主體基片110的形成元件120異性。 一個(gè)或多于一個(gè)原版基 片110可以被組裝在組裝基片210上?？梢允褂媒M裝基片210產(chǎn)生(如 通過電鑄形成)二級復(fù)制基片110，每個(gè)二級復(fù)制的基片IIO具有承載 形成元件120的表面116，其與組裝基片210的形成元件120異性。二 級復(fù)制的基片110可以一起被組裝在二級組裝基片210上。可以使用 二級組裝基片210產(chǎn)生(如通過電鑄形成)三級復(fù)制基片110，并且復(fù) 制序列可以以相同的方式持續(xù)下去直到產(chǎn)生M10復(fù)制基片。加工產(chǎn)生
9的M10復(fù)制的基片具有承載形成元件M20的陣列表面M16，其與反 向反射元件20異性。然后可以使用加工產(chǎn)生的M10在塑料膜材料12 的表面16上形成(如通過模壓加工、澆鑄、壓縮模制等)反向反射元 件20，以產(chǎn)生反向反射膜IO。
0018如圖6示意性顯示，在主體基片110、復(fù)制基片110、和/或組 裝基片210的第一表面210的至少一個(gè)局部區(qū)域130/230上執(zhí)行控制加 工。在一個(gè)或多于一個(gè)復(fù)制/聚類步驟階段，可以執(zhí)行控制加工步驟。 在執(zhí)行控制加工步驟之前，模擬陣列18'中的有畸變元件20'的幾何 形狀、執(zhí)行控制加工步驟之后，在加工的基片110/210上形成元件 120/220、和復(fù)制加工的基片所得到的基片110/210上形成元件120/220 與陣列18中有畸變的反向反射元件20—致。
0019可以在主體基片110、復(fù)制基片110、或組裝基片210上執(zhí)行 控制加工。
0020基片110/210可以由金屬或塑料制成。例如，在所圖示說明的 實(shí)施例中，基片110/210可以由電鑄的鎳制成。因?yàn)橐庸ぴ休d表 面116/216 (與對立面相對)，所以本發(fā)明可以調(diào)整不同的基片厚度， 即使那些大于IO毫米的基片。也就是說，基片110/210的厚度范圍可 以是0.01-2,0毫米和/或2.0-10.0毫米。主體基片110可以比其他基片 厚(如大約厚10.0毫米)。
0021加工基片表面116/216的目的是此表面局部區(qū)域上增加、移除、 或修改材料，或簡化其上施加的局部壓力、溫度、或其他干擾。加工 的程度需足以使材料所承受的壓力發(fā)生變化，以引起一個(gè)或多于一個(gè) 二面角的輕微變化。優(yōu)選，在陣列表面116/216上的加工程度足夠小， 以不損壞表面的平滑度、和/或形成元件120/220的邊緣銳度、和/或與 其相鄰的元件120/220。如圖7所示，當(dāng)在其上仍然附加電鑄復(fù)制品 110/210時(shí)，可以在基片110/210的表面116/216上執(zhí)行加工。
0022通過不同方法可以完成對陣列表面116/216的加工，包括對第 二表面施加能量、應(yīng)用化學(xué)藥品、或施加壓力。例如，可以施加能量， 如電能或聚焦的熱量，諸如通過紅外線激光器。當(dāng)施加壓力時(shí)，壓力 可以在材料質(zhì)量不變的情況下使材料移動(dòng)而使其產(chǎn)生局部膨脹。還可以使用粒子碰撞(如，非常輕的噴砂)。0023如圖8中示意性顯示，當(dāng)在基片區(qū)域的第一表面的局部區(qū)域
130/230執(zhí)行控制加工時(shí)，同時(shí)也在包括和圍繞局部區(qū)域130/230的受 影響位置140/240中執(zhí)行控制加工。位置140/240上的形成元件120/220 的變化通常不一致，并且其變化取決于與局部區(qū)域130/230之間的距 離。例如，在所圖示說明的立方角示例中，接近局部區(qū)域130/230的形 成元件120/220，其二面角變化比遠(yuǎn)離局部區(qū)域130/230的形成元件 120/220的二面角變化大。
0024如上所指出的，可以在至少一個(gè)局部區(qū)域130/230上執(zhí)行控制 加工。通常，在基片110/210的幾個(gè)局部區(qū)域130/230上執(zhí)行控制加工 步驟?；砻?16/216上的這些局部區(qū)域130/230和/或相互之間可以 是以預(yù)定的模式或半隨機(jī)模式(如分布是統(tǒng)計(jì)控制的，但不是具體詳 細(xì)控制)。此外或可選地，每個(gè)局部區(qū)域130/230上的控制程度可以相 同或不同。
0025應(yīng)該明白本發(fā)明提供一種產(chǎn)生有畸變光學(xué)元件20的陣列18 的方法。盡管參考特定優(yōu)選實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行顯示和描述，但是很 顯然本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員基于對說明書的閱讀和理解，可以對本發(fā) 明進(jìn)行等效和顯而易見的變動(dòng)和修改。本發(fā)明包括所有此類變動(dòng)和修 改，而且本發(fā)明的范圍僅受權(quán)利要求限制。
0026光學(xué)元件是具有一個(gè)或多于一個(gè)光相互作用面的元件。
0027陣列是大量光學(xué)元件的排列。
0028微型光學(xué)元件是尺寸小于等于1毫米的光學(xué)元件。
0029立方角元件是包括相互交叉面(如三個(gè)交叉面)的元件，相 互交叉面具有二面角，每個(gè)二面角的角度大約是預(yù)定值(如90度)。
0030微型立方體是角立方體元件，其總立方體面積少于1平方毫 米?？偟牧⒎襟w面積是立方體形狀包圍的面積，該立方體形狀由立方 角元件周邊在主要折射光線方向的投影限定。
0031反向反射是優(yōu)選反射光線接近沿與入射光線相反的方向返回 的反射，在多個(gè)不同的入射光線方向保持這種性質(zhì)。反向反射器是產(chǎn)生反向反射的表面或裝置。0032反向反射元件是產(chǎn)生反向反射的光學(xué)元件。
0033反向反射材料是具有反向反射元件連續(xù)層的材料。反向反射 膜是預(yù)組裝為薄膜的反向反射材料。
0034照明軸是從反向反射器中心到光源點(diǎn)的半直線。光源點(diǎn)是照 明源的位置。反向反射器中心是反向反射器上的點(diǎn)或反向反射器附近 的點(diǎn)，其被指定為裝置所在的位置。
0035入射角p是照明軸和反向反射器軸間的夾角。反向反射器軸是 從反向反射器中心沿照明方向間中心方向的半直線。
0036觀察軸是從反向反射器中心到觀察點(diǎn)的半直線。觀察點(diǎn)是觀 察者所處的位置。
0037發(fā)散角《是照明軸和觀察軸間的夾角。這個(gè)角也被稱為觀察角。 反向反射器可以反射所有給定方向的照明光線。
0038旋轉(zhuǎn)角f是從反向反射軸上的觀察點(diǎn)逆時(shí)針測量的基準(zhǔn)軸與觀 察半平面之間的角，該角位于垂直于反光反射器軸的平面內(nèi)。觀察半 平面是起始于照明軸線并且包含觀察軸的半平面?；鶞?zhǔn)軸是指定的起 始于反向反射器中心并且垂直于反向反射器軸的半直線?；鶞?zhǔn)半平面 是起始于反向反射器軸線并且包含基準(zhǔn)軸的半平面。
0039總反向反射率是由光學(xué)裝置反向反射的光線的百分比。
0040形成元件是用來形成光學(xué)元件的元件、或用來形成形成元件 以形成光學(xué)元件的元件，因而形成元件將具有與被形成的光學(xué)元件面 相應(yīng)的面。
0041基片是具有表面的材料，該表面可以承載一個(gè)或多一個(gè)光學(xué) 元件、或一個(gè)或多于一個(gè)形成元件。
0042凸形光學(xué)元件是一種光學(xué)元件，其中該元件的面從基片的第 一表面向外凸出。
0043凹形光學(xué)元件是一種光學(xué)元件，其中該元件的面凹入基片的 第一表面。一種形成元件，其中該元件的面從基片的第 一表面向外凸出。
0045凹形形成元件是一種光學(xué)元件，其中該元件的面凹入基片的 第一表面。
0046承載凸形元件的基片厚度是從元件凸出的材料的厚度。承載 凹形元件的基片厚度是材料的總厚度。
0047復(fù)制是將一個(gè)基片上的形成元件通過電鑄、澆鑄、模制、模 壓加工等方法復(fù)制到另一個(gè)基片上。
0048主體基片是在其上以非復(fù)制方式，例如切割或量度(ruling) 的方式，第一次形成形成元件的基片。
0049連鎖復(fù)制是對通過復(fù)制源于原始主體(如主體基片)的復(fù)制 品，源于原始主體的復(fù)制品通過復(fù)制原始主體或多次復(fù)制原始主體產(chǎn) 生，然后不斷復(fù)制產(chǎn)生一個(gè)或多于一個(gè)原始主體的復(fù)制品的復(fù)制品， 等等。
0050第一級復(fù)制品是具有形成元件的基片，該基片是直接復(fù)制主 體基片得到的。
0051第n級復(fù)制品是具有形成元件的基片，該基片是在連鎖復(fù)制 中的第n個(gè)環(huán)節(jié)復(fù)制連鎖復(fù)制中所述包含的原始主體和第n級復(fù)制間 的第n-l個(gè)中間復(fù)制鏈接品。例如，第3級復(fù)制品是復(fù)制第2級復(fù)制品， 其中第2級復(fù)制品是復(fù)制第1級復(fù)制品，第1級復(fù)制品是復(fù)制原始主 體。
0052生產(chǎn)工具是承載形成元件的工具，其用來形成光學(xué)元件。
0053畸變指的是光學(xué)元件的幾何形狀的微小變化。對于立體角元 件，其具體指的是元件的一個(gè)或多于一個(gè)二面角的微小變化，此變化 足以引起光學(xué)元件的平均幾何發(fā)散發(fā)生變化或引起復(fù)制該光學(xué)元件所 形成的光學(xué)元件的平均幾何發(fā)散發(fā)生變化。由畸變產(chǎn)生的角度變化通 常小于1度。動(dòng)詞畸變是指形成畸變。
0054畸變元件是一種光學(xué)元件或具有畸變的形成元件。0055控制加工是以與隨機(jī)和/或無意方式相反的控制模式來進(jìn)行增 加、移除、修改、扭曲、變形、或干擾。
0056局部區(qū)域是陣列中非常小的區(qū)域，可以在其上執(zhí)行控制加工 (如可以在其上有效施加能量、應(yīng)用化學(xué)藥品、或施加壓力)。
0057受影響位置是區(qū)域中包括和圍繞局部區(qū)域的區(qū)域，其中在局 部區(qū)域中應(yīng)用控制加工可以使元件發(fā)生畸變。
權(quán)利要求
1. 一種制備可畸變的光學(xué)元件(20)陣列(18)的方法，所述方法的步驟包括提供基片(110/210)，所述基片(110/210)具有在其上帶有形成元件(120/220)的第一表面(116/216)，其中所述形成元件(120/220)的幾何形狀相當(dāng)于模擬陣列(18′)中無畸變光學(xué)元件(20′)的幾何形狀；加工所述基片(110/210)的所述第一表面上的局部區(qū)域(130/230)，所述加工的程度足以使包括和圍繞所述局部區(qū)域(130/230)的受影響位置(140/240)上的所述形成元件(120/220)發(fā)生畸變；將所述如此加工的基片(110/210)、或其一個(gè)或多個(gè)復(fù)制品組裝到生產(chǎn)工具(M10)上；及使用所述生產(chǎn)工具(M10)形成反向反射元件(20)的陣列(18)。
2. —種制備產(chǎn)生可畸變光學(xué)元件(20)陣列(18)的工具的方法， 所述方法的步驟包括提供基片(110/210)，所述基片(110/210)具有在其上帶有形成 元件(120/220)的第一表面(116/216)，其中所述形成元件(120/220) 的幾何形狀相當(dāng)于模擬陣列(18"中無畸變光學(xué)元件(20')的幾何 形狀；加工所述基片(110/210)的所述第一表面上的局部區(qū)域(130/230)， 所述加工的程度足以使包括和圍繞所述局部區(qū)域(130/230)的受影響 位置(140/240)上的所述形成元件(120/220)發(fā)生畸變；將所述如此加工的基片(116/216)、或其一個(gè)或多個(gè)復(fù)制品組裝到 生產(chǎn)工具(M10)上。
3. —種制備基片(110/210)的方法，所述基片(110/210)用以組 裝在生產(chǎn)工具(M10)上以制備可畸變光學(xué)元件(20)的陣列(18)， 所述方法的步驟包括提供基片(110/210)，所述基片(110/210)具有在其上帶有形成元件(120/220)的第一表面(116/216)，其中所述形成元件(120/220) 的幾何形狀相當(dāng)于模擬陣列(18')中無畸變光學(xué)元件(20')的幾何 形狀；及加工所述基片(110/210)的所述第一表面上的局部區(qū)域(130/230)， 所述加工的程度足以使包括和圍繞所述局部區(qū)域(130/230)的受影響 位置(140/240)上的所述形成元件(120/220)發(fā)生畸變。
4. 根據(jù)前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中所述的加工步驟 是控制加工步驟。
5. 根據(jù)前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中執(zhí)行所述的加工 步驟以便所述陣列(18)的平均幾何發(fā)散比所述模擬陣列(18')的平 均幾何發(fā)散大。
6. 根據(jù)前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中執(zhí)行所述的加工 步驟以便所述陣列(18)的總反向反射率至少是所述模擬陣列(18') 的總反向反射率的90%。
7. 根據(jù)前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中所述陣列(18) 的總反向反射率至少是所述模擬陣列(18')的總反向反射率的94%。
8. 根據(jù)前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中所述陣列(18) 的總反向反射率至少是所述模擬陣列(18')的總反向反射率的98%。
9. 根據(jù)前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中所述光學(xué)元件 (20)是反向反射元件。
10. 根據(jù)前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中所述光學(xué)元件 (20)是立體角元件。
11. 根據(jù)前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中所述光學(xué)元件 (20)是微型光學(xué)元件。
12. 根據(jù)前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中所述光學(xué)元件 (20)是微型立方體。
13. 根據(jù)前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中所述加工步驟導(dǎo) 致一個(gè)或多于一個(gè)所述形成元件(120/120/220)的二面角不等于90度。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1-13中任何一個(gè)所述的方法，其中所述基片 (110)是主體基片。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1-13中任何一個(gè)所述的方法，其中所述基片 (110)是另一個(gè)基片(110/210)的復(fù)制品。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1-13中任何一個(gè)所述的方法，其中所述基片 (210)是組裝基片。
17. 根據(jù)前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中當(dāng)在所述基片 (110/210)仍然附加電鑄復(fù)制品(110/210)時(shí)，可以執(zhí)行所述加工步驟。
18. 根據(jù)前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中所述加工程度足 夠小以便基本上不損壞所述形成元件(120/220)的面(122/222)的平滑度。
19. 根據(jù)前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中所述加工程度 足夠小以便基本上不損壞所述形成元件(120/220)的邊緣(126/226) 的銳度。
20. 根據(jù)權(quán)利要求1-19中任何一個(gè)所述的方法，其中所述基片 (110/210)的厚度范圍大約是0.01-2.0毫米。
21. 根據(jù)權(quán)利要求1-19中任何一個(gè)所述的方法，其中所述基片(110/210)的厚度范圍大約是2.0-10.0毫米。
22. 根據(jù)權(quán)利要求1-19中任何一個(gè)所述的方法，其中所述基片 (110/210)的厚度大于10.0毫米。
23. 根據(jù)權(quán)利要求1-22中任何一個(gè)所述的方法，其中所述基片 (110/210)是由金屬制成。
24. 根據(jù)前面權(quán)利要求所述的方法，其中所述金屬是電鑄鎳。
25. 根據(jù)權(quán)利要求1-22中任何一個(gè)所述的方法，其中所述基片 (110/210)是由塑料制成
26. 根據(jù)權(quán)利要求1-22中任何一個(gè)所述的方法，其中通過施加壓 力完成所述加工步驟。
27. 根據(jù)前面權(quán)利要求所述的方法，其中所述施加的壓力引起所述 基片(110/210)局部扭曲。
28. 根據(jù)權(quán)利要求1-22中任何一個(gè)所述的方法，其中通過施加能 量完成所述加工步驟。
29. 根據(jù)前面權(quán)利要求所述的方法，其中從施加激光能量和施加聚 焦熱量中選擇所述施加的能量。
30. 根據(jù)權(quán)利要求1-22中任何一個(gè)所述的方法，其中通過應(yīng)用化 學(xué)藥品完成所述加工。
31. 根據(jù)權(quán)利要求1-22中任何一個(gè)所述的方法，其中通過粒子碰 撞完成所述加工。
32. 根據(jù)前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中所述加工步驟包括加工所述基片(110/210)的所述第一表面上的多個(gè)局部區(qū)域 (130/230)。
33. 根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述加工步驟的程度至少 在某些所述的多個(gè)局部區(qū)域(130/230)是相同的。
34. 根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述加工步驟的程度至少 在某些所述的多個(gè)局部區(qū)域(130/230)是不同的。
35. —種生產(chǎn)反向反射膜(10)的中間形成裝置(110/210)，所述 裝置(110/210)包括第一基片(110/210)和復(fù)制基片(110)，所述復(fù) 制基片(110)在所述第一基片(110/210)上電鑄形成；其中所述第一基片(110/210)具有在其上帶有形成元件(120/220)陣 列(18)的第一表面(116/216);所述形成元件(120/220)是可畸變的；及所述陣列(18)包括圍繞局部加工區(qū)域(130/230)的位置(140/240)。
36. 反向反射膜(10)包括具有前表面(14)和后表面(16)的一 層材料(12)，可以在所述前表面和后表面上形成反向反射元件(20) 的陣列(18);至少一些反向反射元件(20)具有畸變以使所述陣列(18) 的平均幾何發(fā)散比僅帶有無畸變元件的模擬陣列(18')的平均幾何發(fā) 散大。
37. 根據(jù)前面權(quán)利要求所述的反向反射膜(10)，其中所述陣列(18) 的總反射率至少是模擬陣列(18')的總反射率的90%。
38. 根據(jù)前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的反向反射膜(10)，其中所 述陣列(18)的總反射率至少是模擬陣列(18')的總反射率的94%。
39. 根據(jù)權(quán)利要求36-38中任何一個(gè)所述的反向反射膜(10)，其 中所述陣列(18)的總反射率至少是模擬陣列(18')的總反射率的98%。
全文摘要
一種制備可畸變的光學(xué)元件(20)陣列(18)的方法。該方法包括的步驟是提供具有第一表面的基片，控制加工基片第一表面上的局部區(qū)域；其中第一表面上帶有形成元件?？刂萍庸さ某潭茸阋允箛@局部區(qū)域的受影響位置上的一個(gè)或多于一個(gè)形成元件發(fā)生畸變。
文檔編號G02B5/124GK101490584SQ200780027091
公開日2009年7月22日 申請日期2007年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月17日
發(fā)明者F·吳, K(·K)·黃, S·R·查普曼 申請人:艾利丹尼森公司