專利名稱：：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及使用新穎的硬質(zhì)透明基板取代以往的玻璃基板而積層顯示裝置用電子材料而成的顯示裝置，并且涉及在例如計算機、視聽設(shè)備、行動電話、信息和通訊機器、游戲或仿真機器、車上裝載的導航系統(tǒng)等各種領(lǐng)域所使用的顯示裝置。
背景技術(shù)：
：隨著電子技術(shù)的急劇進步，特別是液晶顯示裝置、觸控式面板、光電領(lǐng)域正在擴大。一般而言，光電元件是通過將元件形成于具有透明導電層的玻璃基板上而提供各種用途。然而，玻璃基板重量大，且當組合在行動型裝置上時，由于玻璃基板的比重大，故存在機器重量變大的問題。因此，輕量化備受期待，而就取代玻璃基板的硬質(zhì)基板而言，逐漸采用由強度、透明性、耐熱性等較優(yōu)良的聚丙烯酸酯、聚醚砜(polyethersulfone)、聚碳酸酯等塑料薄片組成的薄片基板。然而，目前這些薄片基板由于厚度為0.lmm左右，因此比以往的玻璃基板較欠缺剛性。雖然為了賦予剛性可考慮將薄膜加厚，但在一般得到薄片基板時所采用的溶劑澆鑄(casting)法中，由于發(fā)泡、平面性降低、殘留溶劑的問題，故實際上制造厚度0.2mm左右為極限。此外，為了應(yīng)用于液晶元件，薄片基板的雙折射率通常須在20nm以下、優(yōu)選的在10nm以下，但塑料成形時，容易受到分子取向而難以制造低雙折射的成形體。因此，有提案例如積層2層雙折射率小的薄片的光學塑料薄片(參照專利文獻l)，但在此種薄片中由于為難塑性樹脂，故有剛性小且對耐藥性極差的缺點。此外，對光學用薄片雖提案有在基材薄片的表面層涂布硬化性樹脂的(參照專利文獻2)，但此種薄片在基板清洗時，由于根據(jù)溶劑不同而在薄片側(cè)面的硬化性樹脂有膨潤或溶解的地方，故耐藥性差，同時也有基板剛性不足的問題。特別是，由于在光電元件領(lǐng)域中，更加要求高度的光學特性、阻氣(gasbarrier)性、導電性、機械強度等。故實際上是使用由具有各機能的多層或者膜所組成積層構(gòu)造的基板。已提案有例如，在塑料成形體上的雙面設(shè)置硬化覆膜，而在單面設(shè)置導電膜，且在另一面設(shè)置金屬氧化物覆膜的積層體。然而，在此積層體中，因各層的性質(zhì)不同'和密著性的問題等，因此在加熱時，在塑料成形體上容易產(chǎn)生龜裂等問題。另一方面，有用的塑料薄片基板雖能做為玻璃替代基板，但為了提高利用價值，故不只須為輕量，且也須兼具撓性。換言之，即在以某個曲率使基板彎曲(使彎曲)時，必須使導電膜上不帶有裂痕而確保導電性。然而，在以往的塑料薄片基板上，有其耐彎曲性不足的問題。日本特開平7—36023號公報日本特開平6—116406號公報日本特開平2—5308號公報
發(fā)明內(nèi)容(發(fā)明所欲解決的課題)本發(fā)明的目的是在于提供一種顯示裝置，其是利用具備如無機玻璃的強度、透明性、耐熱性及尺寸穩(wěn)定性，同時也具備如塑料的高韌性及可加工性，且耐彎曲性也優(yōu)良的硬質(zhì)透明基板，而積層各種顯示裝置用電子材料而成。(解決課題的手段)本發(fā)明人等為了得到取代以往的玻璃基板的新穎的基板而專心致力研究后結(jié)果發(fā)現(xiàn)，使在分子構(gòu)造中具有自由體積分率不同的緊密構(gòu)造部位與疏松構(gòu)造部位的硬化性樹脂硬化，而兼具玻璃基板與塑料薄片基板所具有的優(yōu)良性能，且能得到耐彎曲性也優(yōu)良的硬質(zhì)透明基板，而此硬質(zhì)透明基板較適合代替至今在各種顯示裝置中所使用的玻璃基板，才完成本發(fā)明。換言之，本發(fā)明是將顯示裝置用電子材料積層于硬質(zhì)透明基板而形成的顯示裝置；硬質(zhì)透明基板為可使下述一般式(1)所示的硬化性樹脂硬化而得到，而上述硬化性樹脂為具有由下述計算式(2)所計算的堆砌系數(shù)(packingcoefficient)Kp在0.68至0.8的金屬氧化物所構(gòu)成的緊密構(gòu)造部位(A)、與由上述Kp未達到0.68的有機物或有機物與有機金屬氧化物所構(gòu)成的疏松構(gòu)造部位(B)，同時構(gòu)造部位(A)/(B)的重量比為0.01至5.00，且具有至少一個不飽和鍵而平均分子量為800至60000。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>(其中，m及n為1以上的整數(shù))<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>(其中，An-阿伏伽德羅常數(shù)(Avogadroconstant)、Vw二范德華體積(VanderWaalsvolume)、p二密度、Mw二分子量、Vw=SVa、Va二4Jt/R3—2l/3:ihi2(3Ra—hi)、hi:Ra—(Ra2+di2—Ri2)/2di、Ra二原子半徑、Ri二鍵結(jié)原子半徑、及di二原子間距離)此外，本發(fā)明的上述顯示裝置中，緊密構(gòu)造部位(A)為具有去除下述一般式(I)的有機物部位的三維多面體構(gòu)造的金屬氧化物部位，疏松構(gòu)造部位(B)為由一般式(I)的有機物部位與下述一般式(II)所構(gòu)成。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>(其中，R為以(a)—R'—0C0—CR、CH2、(b)—R1—CR2=CH2或者(c)一CH《H2表示的不飽和基、烷基、環(huán)烷基、環(huán)烯基、苯基、氫原子、烷氧基、或烷基硅氧基，而式(1)中的多個R可互相不同，但至少l個是包含(a)、(b)、(c)的任一者。此外，R'表示亞烷基、亞烯基或亞苯基，R2表示氫原子或烷基，R3至R7為以(a)-R'-OCO-CR2=CH2、(b)—R1—CR2《H2或者(c)一CH二CH2表示的不飽和基、烷基、環(huán)垸基、環(huán)烯基、苯基、氫原子、垸氧基、或烷基硅氧基，M為硅、鍺、鈦、或鋯的金屬原子，X為鹵素原子、或垸氧基，w為4以上的整數(shù)，x、y及z為滿足w十x+y+z^8的整數(shù)；此外，j、k、及1分別表示0以上的整數(shù))在此，如一般式(I)所示的構(gòu)造單位中的三維多面體構(gòu)造骨架的金屬氧化物部位為產(chǎn)生自RSiX3、MX4或其混合物(其中，R、M及X與一般式(I)相同)的水解縮合物的構(gòu)造單位中的三維多面體構(gòu)造骨架的金屬氧化物部位、或一般式(II)所示的構(gòu)造單位為由R3R4R5SiX、R6R7SiX2或其混合物(其中，W至W及X與一般式(II)相同)的水解縮合物所制造的金屬氧化物的鏈狀單位、及與金屬原子鍵結(jié)的有機基，是本發(fā)明的較理想的狀態(tài)。此外，在本發(fā)明中，可按在上述硬化性樹脂中調(diào)配硅氫(hydrosilyl)化催化劑或自由基引發(fā)劑，或者調(diào)配硅氫化催化劑與自由基引發(fā)劑兩者而形成硬化性樹脂組合物后，使此硬化性樹脂組合物硬化而得到硬質(zhì)透明基板。具體而言，可將如上述進行而調(diào)配出的硬化性樹脂組合物，在形成預定形狀后使其熱硬化或光硬化而得到成形體(硬質(zhì)透明基板)。此外，在此硬化性樹脂組合物中，調(diào)配分子中具有至少1個硅氫基的可硅氫化的化合物、或調(diào)配分子中具有不飽和基的化合物，或者也可調(diào)配兩者。(發(fā)明的效果)由本發(fā)明所得到的硬質(zhì)透明基板因具備如無機玻璃的強度、透明性、耐熱性及尺寸穩(wěn)定性，同時也具備如塑料的高韌性及可加工性，且因耐彎曲性也優(yōu)良，所以可取代在以液晶顯示裝置、觸控式面板顯示裝置、有機EL顯示裝置為首的各種領(lǐng)域的顯示裝置中所使用的玻璃基板，一面發(fā)揮以往的玻璃基板和塑料薄片基板所具備的性能，同時可提供輕量化、及耐沖撞性更加優(yōu)良的顯示裝置。具體實施例方式下面進一步具體說明本發(fā)明。本發(fā)明的硬化性樹脂如上述一般式(l)所示，具有由緊密構(gòu)造部位(A)與疏松構(gòu)造部位(B)組成的分子構(gòu)造，且具有至少1個不飽和鍵。在此，緊密構(gòu)造部位(A)是由堆砌系數(shù)Kp在0.68至0.8的金屬氧化物部位所構(gòu)成的構(gòu)造部位，而疏松構(gòu)造部位(B)是由堆砌系數(shù)Kp未達到0.68的有機部位或有機部位與有機金屬氧化物部位所構(gòu)成的構(gòu)造部位。緊密構(gòu)造部位(A)優(yōu)選上述一般式(I)所示的構(gòu)造單位中三維多面體構(gòu)造骨架的金屬氧化物部位。在一般式(I)中，R至少l個應(yīng)為具有上述(a)至(c)表示的不飽和基的有機基。另外，一般式(I)的多個R無須都相同。如一般式(I)所示的構(gòu)造單位是由三維多面體構(gòu)造與R所構(gòu)成，其一例是將一般式(I)中的w為8且x、y及z為0時、w為10且x、y及z為0時、及w為12且x、y及z為0的構(gòu)造的具體例表示于下述構(gòu)造式(3)、(4)及(5)。其中，一般式(I)所示的構(gòu)造單位并不限定于如構(gòu)造式(3)、(4)及(5)所示者。另夕卜，這些構(gòu)造是對于已知的特定官能團由X射線結(jié)晶構(gòu)造解析所顯示。R<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>上述一般式(I)所示的構(gòu)造單位中的金屬氧化物部位是通過將以RSiL或MX4表示的化合物的1種以上在酸或堿催化劑存在下進行水解與縮合反應(yīng)而得到。在此，R、X及M具有與一般式(I)的R、X及M相同意義。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>R的一部分是以上述(a)、(b)或(c)表示的不飽和基較理想，但若以具體例表示較理想的不飽和基，則可舉例如，3-甲基丙烯酰氧丙基、3-丙烯酰氧丙基、芳基、乙烯基、及苯乙烯基。X是鹵素原子、烷氧基的水解性基，若以具體例表示，則例如氯、溴、甲氧基、乙氧基、正丙氧基、及異丙氧基。若表示以RSiX3所示的化合物的較佳例，則可舉例如，三氯硅烷、甲基三氯硅烷、乙基三氯硅垸、異丙基三氯硅烷、丁基三氯硅烷、三級丁基三氯硅烷、環(huán)己基三氯硅烷、苯基三氯硅烷、乙烯基三氯硅垸、烯丙基三氯硅烷、苯乙烯基三氯硅垸、環(huán)己烯基三氯硅垸、三甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅垸、乙基三甲氧基硅垸、異丙基三甲氧基硅烷、丁基三甲氧基硅垸、三級丁基三甲氧基硅烷、環(huán)己基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅垸、乙烯基三甲氧基硅垸、烯丙基三甲氧基硅烷、苯乙烯基三甲氧基硅垸、環(huán)己烯基三甲氧基硅烷、三乙氧基硅垸、甲基三乙氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、異丙基三乙氧基硅烷、丁基三乙氧基硅垸、三級丁基三乙氧基硅烷、環(huán)己基三乙氧基硅垸、苯基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅垸、烯丙基三乙氧基硅烷、苯乙烯基三乙氧基硅烷、環(huán)己烯基三乙氧基硅垸、三丙氧基硅垸、甲基三丙氧基硅垸、乙基三丙氧基硅烷、異丙基三丙氧基硅垸、丁基三丙氧基硅烷、三級丁基三丙氧基硅烷、環(huán)己基三丙氧基硅垸、苯基三丙氧基硅垸、乙烯基三丙氧基硅垸、烯丙基三丙氧基硅烷、苯乙烯基三丙氧基硅烷、環(huán)己烯基三丙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧甲基三乙氧基硅垸、甲基丙烯酰氧甲基三甲氧基硅垸、3-甲基丙烯酰氧丙基三氯硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅垸、3-甲基丙烯酰氧丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧丙基三氯硅垸等。此外，M是硅、鍺、鈦或鋯。在此，若表示以MX4所示的化合物的較理想的例，則可舉例如，四氯硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四氯鍺垸(germane)、四甲氧基鍺烷、四乙氧基鍺烷、乙氧化鈦(titaniumethoxide)、丙氧化鈦、異丙氧化鈦、丁氧化鈦、異丁氧化鈦、乙氧化鋯、丙氧化鋯、異丙氧化鋯、丁氧化鋯、異丁氧化鋯等。另一方面，疏松構(gòu)造部位(B)是由去除上述一般式(I)所示的構(gòu)造單位中的三維多面體構(gòu)造骨架的殘基(或取代基)，與上述一般式(II)所示的構(gòu)造單位組成。換言之，是由上述一般式(I)所示的構(gòu)造單位去除緊密構(gòu)造部位(A)的部位與上述一般式(II)所示的構(gòu)造單位所組成。更具體而言，依照下述說明，以可選自R3R4R5SiX、RVSiX2或其混合物(其中，R3至W及X與一般式(II)相同)的水解縮合物的一般式(II)所示的金屬氧化物的鏈狀構(gòu)造物、及與一般式(I)中的金屬原子鍵結(jié)的有機基[換言之，即去除一般式(I)所示的構(gòu)造單位中的三維多面體構(gòu)造骨架的殘基(或取代基)]組成為佳。上述一般式(n)所示的構(gòu)造單位，可由將以R3R4R5SiX或R6R7SiX2表示的化合物的1種以上，在酸或堿催化劑存在下進行水解與縮合反應(yīng)而得到。在此，R3至R7具有與一般式(II)的R3至R7相同意義。當R3至R7的一部分為不飽和基時，若以較理想的具體例表示，則可舉例如，3-甲基丙烯酰氧丙基、3-丙烯酰氧丙基、芳基、乙烯基、及苯乙烯基。X是鹵素原子或烷氧基，若以具體例表示，則例如氯、溴、甲氧基、乙氧基、正丙氧基、及異丙氧基。以R3R4R5SiX表示的化合物的較佳例，可舉例如，三甲基氯硅垸、乙烯基二甲基氯硅垸、二甲基氯硅垸、苯基二甲基氯硅烷、苯基氯硅烷、三乙基氯硅垸、二乙烯基氯硅烷、甲基二乙烯基氯硅垸、烯丙基二甲基氯硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基二甲基氯硅烷、3-丙烯酰氧丙基二甲基氯硅烷、苯乙烯基二甲基氯硅烷、三甲基甲氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷、二甲基甲氧基硅烷、苯基二甲基甲氧基硅烷、苯基甲氧基硅烷、三乙基甲氧基硅垸、三乙烯基甲氧基硅烷、甲基二乙烯基甲氧基硅烷、烯丙基二甲基甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基二甲基甲氧基硅垸、3-丙烯酰氧丙基二甲基甲氧基硅垸、苯乙烯基二甲基甲氧基硅烷、三甲基乙氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅垸、二甲基乙氧基硅烷、苯基二甲基乙氧基硅烷、苯基乙氧基硅烷、三乙基乙氧基硅烷、三乙烯基乙氧基硅烷、甲基二乙烯基乙氧基硅垸、烯丙基二甲基乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基二甲基乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧丙基二甲基乙氧基硅烷、苯乙烯基二甲基乙氧基硅烷、三甲基丙氧基硅垸、乙烯基二甲基丙氧基硅垸、二甲基丙氧基硅烷、苯基二甲基丙氧基硅垸、苯基丙氧基硅垸、三乙基丙氧基硅垸、三乙烯基丙氧基硅烷、甲基二乙烯基丙氧基硅垸、烯丙基二甲基丙氧基硅垸、3-甲基丙烯酰氧丙基二甲基丙氧基硅垸、3-丙烯酰氧丙基二甲基丙氧基硅烷、苯乙烯基二甲基丙氧基硅垸、三甲基異丙氧基硅垸、乙烯基二甲基異丙氧基硅垸、二甲基異丙氧基硅烷、苯基二甲基異丙氧基硅垸、苯基異丙氧基硅烷、三乙基異丙氧基硅烷、三乙烯基異丙氧基硅垸、甲基二乙烯基異丙氧基硅垸、烯丙基二甲基異丙氧基硅垸、3-甲基丙烯酰氧丙基二甲基異丙氧基硅烷、3-丙烯酰氧丙基二甲基異丙氧基硅垸、苯乙烯基二甲基異丙氧基硅烷等。以R6R7SiX2表示的化合物的較佳例，可舉例如，二甲基二氯硅垸、乙烯基甲基二氯硅垸、二乙烯基二氯硅垸、烯丙基甲基二氯硅垸、甲基二氯硅烷、甲基苯基二氯硅垸、甲基乙基二氯硅垸、乙基乙烯基二氯硅烷、乙基烯丙基二氯硅垸、苯乙烯基甲基二氯硅烷、苯乙烯基乙基二氯硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基甲基二氯硅烷、二甲基二甲氧基硅垸、乙烯基甲基二甲氧基硅烷、二乙烯基二甲氧基硅垸、烯丙基甲基二甲氧基硅垸、甲基二甲氧基硅烷、甲基苯基二甲氧基硅烷、甲基乙基二甲氧基硅烷、乙基乙烯基二甲氧基硅垸、乙基烯丙基二甲氧基硅垸、苯乙烯基甲基二甲氧基硅垸、苯乙烯基乙基二甲氧基硅垸、3-甲基丙烯酰氧丙基甲基二甲氧基硅垸、二甲基二乙氧基硅烷、乙烯基甲基二乙氧基硅烷、二乙烯基二乙氧基硅垸、烯丙基甲基二乙氧基硅垸、甲基二乙氧基硅烷、甲基苯基二乙氧基硅垸、甲基乙基二乙氧基硅垸、乙基乙烯基二乙氧基硅烷、乙基烯丙基二乙氧基硅垸、苯乙烯基甲基二乙氧基硅烷、苯乙烯基乙基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基甲基二乙氧基硅烷、二甲基二丙氧基硅垸、乙烯基甲基二丙氧基硅垸、二乙烯基二丙氧基硅垸、烯丙基甲基二丙氧基硅烷、甲基二丙氧基硅烷、甲基苯基二丙氧基硅烷、甲基乙基二丙氧基硅烷、乙基乙烯基二丙氧基硅垸、乙基烯丙基二丙氧基硅垸、苯乙烯基甲基二丙氧基硅垸、苯乙烯基乙基二丙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基甲基二丙氧基硅垸、二甲基二異丙氧基硅烷、乙烯基甲基二異丙氧基硅垸、二乙烯基二異丙氧基硅垸、烯丙基甲基二異丙氧基硅垸、甲基二異丙氧基硅垸、甲基苯基二異丙氧基硅烷、甲基乙基二異丙氧基硅烷、乙基乙烯基二異丙氧基硅垸、乙基烯丙基二異丙氧基硅垸、苯乙烯基甲基二異丙氧基硅烷、苯乙烯基乙基二異丙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基甲基二異丙氧基硅烷等。本發(fā)明的硬化性樹脂是能使上述一般式(I)所示的籠型硅氧垸樹脂、與上述一般式(n)所示的硅氧化合物反應(yīng)而得到，而所得到的硬化性樹脂是具有通過將上述一般式(I)及上述一般式(II)所示的構(gòu)造單位的不飽和鍵予以交聯(lián)或水解縮合而縮合的分子構(gòu)造。而且，所述硬化性樹脂具有從自由體積分率所計算的堆砌系數(shù)在0.68至0.8的緊密構(gòu)造部位(A)、與堆砌系數(shù)未達到0.68的疏松構(gòu)造部位(B)，且具有至少一個不飽和鍵。計算在本發(fā)明中所使用的堆砌系數(shù)Kp是從以下的計算式(2)所計算。Kp二An.Vw.p/Mw(2)(其中，An二阿伏伽德羅常數(shù)、Vw〕范德華體積、？=密度、Mf分子量)其中，Vw=2VaVa=4:i/R3—21/3兀hi2(3R—hi)hi二R—(R2+di2—Ri2)/2di(其中，f^原子半徑、Ri二鍵結(jié)原子半徑、及di—京子間距離)在計算上述堆砌系數(shù)時，原子半徑及原子間距離使用記載于日本化學學會的化學便覽基礎(chǔ)編修訂第3版的數(shù)值。換言之，即原子半徑則使用H二l.2、0=1.52、C=l.7、Si=2.14，原子間距離使用H—O1.08、C—C=1.541、Si—C=1.863、Si—0=1.609。例如，以一般式(1)的^1=硅原子、v=0、w=2、y=0、及z咱表示的玻璃密度是2.23g/cm3而其堆砌系數(shù)為0.747。取一般式(l)的R為甲基且v=8、w=0、y=0、及z=0的立方體構(gòu)造的八甲基倍半硅氧烷(silsesquioxane)的密度是1.49g/cm3而堆砌系數(shù)為0.697。此外取一般式(2)的Re及W為甲基且j=0、k=4、及1=0的環(huán)狀構(gòu)造的八甲基環(huán)四硅氧烷的密度是0.956g/cm3，而其堆砌系數(shù)為0.576。同樣地取W及R4、R5、W及W為甲基且j=2、k二l、及1=0的鏈狀構(gòu)造的八甲基三硅氧烷的密度是0.820g/cm3，而其堆砌系數(shù)為0.521。換言之，具有硅原子與3個以上氧原子鍵結(jié)的三維多面體構(gòu)造的金屬氧化物的堆砌系數(shù)為0.69以上，而成為本發(fā)明的緊密構(gòu)造部位。此外取環(huán)狀及鏈狀構(gòu)造的化合物的堆砌系數(shù)是0.576及0.521，而成為本發(fā)明的疏松部位。本發(fā)明的硬化性樹脂，其緊密構(gòu)造部位(A)與疏松構(gòu)造部位(B)的構(gòu)成重量比(A)/(B)為0.01至5.00、優(yōu)選的為0.5至3.0。當(A)/(B)小于0.01時，緊密構(gòu)造過少，而將硬化性樹脂成形且使樹脂硬化而得到的成形體的機械物性及耐熱性顯著地惡化。此外，當重量比在5.00以上時，賦予成形體柔軟性的疏松構(gòu)造部位過少，而韌性顯著地惡化且成為脆弱的成形體。此外，本發(fā)明的硬化性樹脂的平均分子量為800至60000。若平均分子量未達到800則在成形后容易變得脆弱，相反地若超過60000則硬化成型加工變得困難且在使用上有時會造成不自由。另外，平均分子量可經(jīng)由熟知的GPC測定裝置進行測定。以RSi&或MX4表示的化合物、及以R3R4R5SiX或1^&1表示的化合物的水解及縮合所使用的酸催化劑而言，可舉例如鹽酸及硫酸。此外，亦能將其混合使用，且當水解基為鹵素原子時也可利用在水解時所生成的鹵化氫。以使用于水解及縮合的堿性催化劑而言，例如，氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銫等堿金屬氫氧化物、或者氫氧化四甲銨、氫氧化四乙銨、氫氧化四丁銨、氫氧化苯甲基三甲基銨、氫氧化苯甲基三乙基鉸等氫氧化銨鹽。其中，從催化劑活性高的出發(fā)點來看尤以使用氫氧化四甲銨較理想。堿性催化劑通常使用水溶液。水解反應(yīng)必須有水的存在，但其可由催化劑的水溶液供給，也可另外加入水。水量足以將水解性基水解的量以上，優(yōu)選的為理論量的1.0至1.5倍量。在將硬化性樹脂做為硬化性樹脂組合物的情形中，在硬化性樹脂所調(diào)配成的分子中具有至少1個硅氫基的化合物，分子中至少1個以上的可硅氫化的硅原子上具有氫原子的低聚物及單體。以硅原子上具有氫原子的低聚物而言，可舉例如，聚氫硅氧垸(po1yhydrogensiloxane)類、聚二甲基氫硅氧基硅氧烷類及其共聚物、末端為由二甲基氫硅氧基所修飾的硅氧垸。此外，以在硅原子上具有氫原子的單體而言，例如，四甲基環(huán)四硅氧烷、五甲基環(huán)五硅氧烷等環(huán)狀硅氧烷類，二氫二硅氧垸類、三氫單硅垸類、二氫單硅垸類、單氫單硅烷類、二甲硅氧基硅氧垸類等，也可混合其2種以上。此外，具有硬化性樹脂所調(diào)配成的不飽和基的化合物大致區(qū)分成，構(gòu)造單位的重復數(shù)2至20左右的聚合物的反應(yīng)性單體、與低分子量的低粘度的反應(yīng)性單體。此外，大致區(qū)分成，具有1個不飽和基的單官能不飽和化合物與具有2個以上不飽和基的多官能不飽和化合物。以反應(yīng)性低聚物而言，例如，聚乙烯硅氧垸類、聚二甲基乙烯基硅氧基硅氧垸類及其共聚物、末端為由二甲基乙烯基硅氧基所修飾的硅氧烷類、環(huán)氧丙烯酸酯、環(huán)氧化油丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯、不飽和聚酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、丙烯酸乙烯酯、多烯/硫醇、硅氧丙烯酸酯、聚丁二烯、聚甲基丙烯酸苯乙烯基乙酯等。其中有單官能不飽和化合物與多官能不飽和化合物。以反應(yīng)性單官能單體而言，例如，三乙基乙烯基硅烷、三苯基乙烯基硅垸等乙烯取代硅化合物類、環(huán)己烯等環(huán)狀烯烴類、苯乙烯、醋酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯酮、丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸正己酯、丙烯酸環(huán)己酯、丙烯酸正癸酯、丙烯酸異冰片酯(isobornyl)、丙烯酸二環(huán)戊烯氧基乙酯、丙烯酸苯氧乙酯、甲基丙烯酸三氟乙酯等。以反應(yīng)性多官能單體而言，例如，四乙烯基硅垸、二乙烯基四甲基二硅氧烷等乙烯取代硅化合物，四甲基四乙烯基環(huán)四硅氧垸、五甲基五乙烯基環(huán)五硅氧垸等乙烯取代環(huán)狀硅化合物，雙(三甲硅烷基)乙炔、二苯基乙炔等乙炔衍生物，降冰片二烯(norbornadiene)、二環(huán)戊二烯、環(huán)辛二烯等環(huán)狀多烯類，乙烯基環(huán)己烯等乙烯基取代環(huán)狀烯烴，二乙烯基苯類、二乙炔基苯類、三羥甲丙烷二烯丙基醚、季戊四醇(pentaerythritol)三烯丙基醚、三丙二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、雙酚A二環(huán)氧丙基(glycidyl)醚二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、羥基特戊酸(pivalicacid)新戊二醇二丙烯酸酯、三羥甲丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯等。以分子中具有不飽和基的化合物而言，除以上所例示者以外，能使用各種反應(yīng)性低聚物、單體。此外，此等反應(yīng)性低聚物和單體可分別單獨使用、或混合2種以上使用。本發(fā)明所使用的分子中具有至少1個硅氫基的化合物、及分子中具有不飽和基的化合物可分別單獨使用、或混合使用2種以上皆可。本發(fā)明中，可在硬化性樹脂中調(diào)配硅氫化催化劑或自由基引發(fā)劑，或者調(diào)配兩者而得到硬化性樹脂組合物。然后，能使此硬化性樹脂組合物熱硬化或光硬化，以硅氫化和自由基聚合，而得到硬質(zhì)透明基板。此外，可加入硅氫化催化劑和自由基引發(fā)劑，將分子中具有至少1個硅氫基的化合物和具有不飽和基的化合物進一步調(diào)配而得到硬化性樹脂組合物。換言之，即從使硬化性樹脂硬化而得到硬質(zhì)透明基板的目的、和改良所得到的硬化透明基板的物性的目的，促進反應(yīng)的添加劑調(diào)配硅氫化催化劑、熱聚合引發(fā)劑、光聚合引發(fā)劑、光起始助劑、增敏劑等而得到硬化性樹脂組合物。當調(diào)配硅氫化催化劑時，其添加量相對于硬化性樹脂的重量以金屬原子添加在1至1000ppm、優(yōu)選的在20至500ppm的范圍內(nèi)。當調(diào)配光聚合引發(fā)劑或熱聚合引發(fā)劑做為自由基引發(fā)劑時，其添加量在相對于硬化性樹脂，以使其在0.1至5重量份的范圍為佳，且以使其在0.1至3重量份的范圍更加理想。若此添加量不滿0.1重量份則硬化不足，而所得到的成形體的強度和剛性降低。另一方面，若超過5重量份則有產(chǎn)生成形體的著色等問題。此外可單獨使用硅氫化催化劑與自由基引發(fā)劑，也能同時使用2種以上。以硅氫化催化劑而言，可舉例如，氯化鈾、氯鉑酸(chloroplatinicacid)、氯鉑酸與醇、醛、酮的錯合物、氯鉑酸與烯烴類的錯合物、鉑與乙烯基硅氧烷的錯合物、二羰基二氯化鉑及鈀系催化劑、銠系催化劑等鉑族金屬系催化劑。其中，從催化劑活性的點來看，以氯鉑酸、氯鉑酸與烯烴類的錯合物、鉑與乙烯基硅氧垸的錯合物較理想。此外，可單獨使用，也可同時使用2種以上。以硬化性樹脂組合物做為光硬化性組合物的情形中所使用的光聚合引發(fā)劑而言，能較適合使用乙酰苯系、安息香(benzoin)系、二苯基酮系、噻噸酮(thioxanthone)系、?；⒀趸锵档然衔铩＞唧w而言例如，三氯乙酰苯、二乙氧基乙酰苯、1-苯基-2-羥基-2-甲基丙-l-酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮、2-甲基-l-(4-甲基噻吩基(thiopheny1))-2-嗎啉基丙-l-酮、安息香甲基醚、苯甲基二甲基縮酮(ketal)、二苯基酮、噻噸酮、氧化2，4，6-三甲基苯甲?；届?、乙醛酸(glyoxylate)甲基苯酯、樟腦醌(camphorquinone)、苯偶酰、蒽醌、米其勒酮(Michler'sketone)等。此外，也能并用與光聚合引發(fā)劑組合而發(fā)揮效果的光起始助劑和增敏劑。以上述目的所使用的熱聚合引發(fā)劑而言，能較適合使用過氧化酮系、過氧化縮酮系、過氧化氫系、過氧化二烷基系、過氧化二酰基系、過氧二碳酸酯系、過氧化酯系等各種有機過氧化物。具體而言例如，過氧化環(huán)己酮、1,1-雙(第三-己基過氧化)環(huán)己酮、氫過氧化異丙苯(cumenehydroperoxide)、過氧化二異丙苯、過氧化苯甲酰、過氧化二異丙烷、己酸三級丁基過氧-2-乙酯等，但并非被其所限制。此外，其熱聚合引發(fā)劑可單獨使用、或?qū)?種以上混合使用。在本發(fā)明的硬化性樹脂組合物中，能在不悖離本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)添加各種添加劑。各種添加劑例如有機/無機填料、塑化劑、阻燃劑、熱安定劑、抗氧化劑、光安定劑、紫外線吸收劑、潤滑劑、抗靜電劑、脫模劑、發(fā)泡劑、晶核劑、著色劑、交聯(lián)劑、分散助劑、樹脂成分等。如上所述，本發(fā)明的硬質(zhì)透明基板，能將包含硅氫化催化劑或自由基聚合引發(fā)劑的任一種、或者包含兩者的硬化性樹脂組合物成形為預定形狀，再經(jīng)由加熱或光照射使其硬化而制造。當經(jīng)由加熱制造共聚物(硬質(zhì)透明基板)時，其溫度因選擇熱聚合引發(fā)劑與促進劑，而能選自室溫至20(TC左右的寬廣范圍。在此情形中，在模具內(nèi)和鋼帶上使其聚合硬化而能得到所需形狀的硬質(zhì)透明基板。更具體而言，射出成形、擠壓成形、壓縮成形、轉(zhuǎn)移成形、壓延成形(calendaringmolding)、澆鑄(注模)成形的一般成形加工方法皆可應(yīng)用。此外，當經(jīng)由光照射產(chǎn)生的光聚合制造硬質(zhì)透明基板時，照射波長1.0至400nm的紫外線和波長400至700nm的可見光，而能得到硬質(zhì)透明基板。所使用的光的波長并不特別限制，但較適合使用波長200至400nm的近紫外線。以使用做為紫外線產(chǎn)生源的燈而言，例如，低壓水銀燈(輸出0.4至4W/cm)、高壓水銀燈(40至160W/cm)、超高壓水銀燈(173至435W/cm)、金屬鹵素燈(80至160W/cm)、脈沖氙燈(80至120W/cm)、無電極放電燈(80至120W/cm)等。這些紫外線燈由于在其分光分布上有各自的特征，故依所使用的光引發(fā)劑的種類而選定。以經(jīng)由光照射得到硬質(zhì)透明基板的方法而言，例如在具有任何穴(cavity)形且由石英玻璃等透明材料所構(gòu)成的模具內(nèi)注入硬化性樹脂組合物，再以上述紫外線燈照射紫外線進行聚合硬化后，使其從模具脫模而制造所需形狀的硬質(zhì)透明基板的方法；和在不使用模具的情形中，例如在移動的鋼帶上使用刮刀片(doctorblade)或輥狀的涂布機涂布本發(fā)明的硬化性樹脂組合物，使其以上述紫外線燈聚合硬化，而制造薄片狀的硬質(zhì)透明基板的方法等。并且在本發(fā)明中也可組合使用經(jīng)由加熱與光照射得到硬質(zhì)透明基板的方法。使本發(fā)明中的硬化性樹脂硬化而得到的硬質(zhì)透明基板的透明性優(yōu)良，具體而言波長在550nm的光的光線穿透率在80X以上，此外，因雙折射率在20nm以下，所以可通過使各種顯示裝置用電子材料積層而得到各種顯示裝置。換言之，若光線穿透率未達到80%，則當顯示彩色等時，由于畫面變暗而難以使用，故有只能使用于單色顯示組件等用途的傾向，若雙折射率大于20nm，則做為顯示面板時，有顯示畫面產(chǎn)生色斑的傾向，但本發(fā)明的硬質(zhì)透明基板由于具備如上述的特性，故在得到各種顯示裝置上較適合。關(guān)于硬質(zhì)透明基板的厚度因顯示裝置的種類而異，例如液晶顯示裝置的情形以0.10至2.OOmm較理想。若未達到0.10mm則因基板本身的重量而容易彎曲，且有使用以往的玻璃制基板的液晶顯示裝置的制造過程無法使用的地方。另一方面，若超過2.00mm則重量變成與以往的1.5至0.7mm的玻璃基板相同，而悖離輕量化的目的。下面使用本發(fā)明的優(yōu)選實施例。圖1是使用顯示裝置用電子材料與本發(fā)明的硬質(zhì)透明基板形成的液晶顯示裝置的剖面解說圖。圖2是使用顯示裝置用電子材料與本發(fā)明的硬質(zhì)透明基板形成的觸控式面板顯示裝置的剖面解說圖。圖3是使用顯示裝置用電子材料與本發(fā)明的硬質(zhì)透明基板形成的有機EL顯示裝置的剖面解說圖。圖1是使用各種顯示裝置用電子材料與本發(fā)明的硬質(zhì)透明基板形成的液晶顯示裝置的剖面解說圖，且為使用本發(fā)明的硬質(zhì)透明基板的較適合的例。在這種情況下，顯示裝置用電子材料例如，透明電極、定向膜、液晶層、濾色器、薄膜晶體管、偏光板、及背光源，而在硬質(zhì)透明基板上積層有濾色器、透明電極、及定向膜的液晶第1構(gòu)件、與在硬質(zhì)透明基板上積層有薄膜晶體管及定向膜的第2構(gòu)件以使定向膜彼此面對面的方式夾住液晶層，且在液晶第1構(gòu)件的硬質(zhì)透明基板外側(cè)配置偏光板，同時在液晶第2構(gòu)件的硬質(zhì)透明基板外側(cè)配置偏光板及背光源。在此，可在上述硬質(zhì)透明基板的雙面設(shè)置阻氣膜。液晶顯示裝置的情形，以透明電極而言，可舉例如，氧化銦、氧化錫、金、銀、銅、鎳等導電物質(zhì)。其可單獨或2種以上混合使用，從透明性與導電性的平衡面來看，通常以由氧化銦99至90%與氧化錫1至10%的混合物組成的氧化銦錫(以下稱為「ITO」)特別理想。形成透明電極的方法，能使用以往所知的真空蒸鍍法、噴鍍(sputtering)法、離子電鍍(ionplating)法、化學蒸鍍法進行。其中，從粘著性的來看以濺鍍法較理想。以上的透明電極的厚度從透明性及導電性的平衡面來看，通常以在500至2000的范圍較理想。圖2是使用各種顯示裝置用電子材料與本發(fā)明的硬質(zhì)透明基板形成的觸控式面板顯示裝置的剖面解說圖。換言之，顯示裝置用電子材料至少包括透明電極、點隔件(dotspacer)、偏光板、及液晶顯示裝置，而在硬質(zhì)透明基板上形成透明電極的一對觸控式面板構(gòu)件以使透明電極彼此面對面的方式夾住點隔件。然后，在各觸控式面板構(gòu)件的外側(cè)配置偏光板，同時在任一側(cè)的觸控式面板構(gòu)件的外側(cè)除偏光板以外配置以液晶顯示裝置為首的顯示裝置。在此，也可在上述硬質(zhì)透明基板的雙面上設(shè)置阻氣膜。圖3是使用各種顯示裝置用電子材料與本發(fā)明的硬質(zhì)透明基板形成的有機EL顯示裝置的剖面解說圖。換言之，顯示裝置用電子材料至少包括透明電極、空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、金屬電極、及阻氣膜，而在硬質(zhì)透明基板上積層透明電極、空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、及金屬電極而成。在此，也可經(jīng)由圖式外的阻氣膜將整體密封。此外，也可在上述硬質(zhì)透明基板的雙面設(shè)置阻氣膜。此有機EL顯示裝置的情形，例如，發(fā)光體層則使用硫化鋅、硫化鎘、硒化鋅等，金屬電極則使用鋁等。在硬質(zhì)透明基板上積層顯示裝置用電子材料時，關(guān)于依需要而設(shè)置于硬質(zhì)透明基板與顯示裝置用電子材料之間的阻氣膜，可舉例如，無機氧化物膜、或者、乙烯一乙烯醇共聚物(例如，EVAL商品名EVAL、Soarnol)、二氯乙烯等阻氣性樹脂層，但優(yōu)選為無機氧化物膜。所謂無機氧化物，是指金屬、非金屬、亞金屬的氧化物，以具體例而言，可舉例如，氧化鋁、氧化鋅、氧化銻、氧化銦、氧化鈣、氧化鎘、氧化銀、氧化金、氧化鉻、氧化硅、氧化鈷、氧化鋯、氧化錫、氧化鈦、氧化鐵、氧化銅、氧化鎳、氧化鉑、氧化鈀、氧化鉍、氧化鎂、氧化錳、氧化鉬、氧化釩、氧化鋇等，以氧化硅特別理想。另外，在無機氧化物中可含有微量金屬、非金屬、亞金屬單體或其氫氧化物，此外，為了使撓性提高也可適當含有碳或氟。以形成阻氣膜的方法而言，可舉例如，涂布樹脂等的方法、和形成由無機氧化物組成的蒸鍍膜的方法。以形成蒸鍍膜的方法而言，能使用真空蒸鍍法、真空濺鍍法、離子電鍍法、CVD法等以往周知的方法。關(guān)于此阻氣膜的厚度并無特別限制，雖因構(gòu)成阻氣膜的成分的種類而異，但除氧氣阻氣性和阻水蒸氣性以外，若考慮經(jīng)濟性，則膜厚以5至50nm較理想。若膜厚未達到5nm則由于可能有膜呈島狀而產(chǎn)生不形成膜之處而有無法得到均勻膜的傾向，故不甚理想。為了進一步得到高度氧氣阻氣性和阻水蒸氣性只要使膜厚變厚即可，但若超過50nm則由于生產(chǎn)性差且成本增加，且透明性也連帶惡化故較不理想。下面表示本發(fā)明的實施例。另外，在下述實施例中使用的硬化性樹脂，以如下述合成例所示的方法得到。(合成例)在備有攪拌機、滴液漏斗的2L的4口燒瓶中裝入異丙醇300mL、甲苯600mL及20w^氫氧化四甲銨水溶液22.37g(氫氧化四甲銨4.55g/0.05mol、水17.82g/0.99mol)。在滴液漏斗中裝入乙烯基三甲氧基硅烷44.4g/0.30mol與異丙醇50mL的混合溶液，一面攪拌反應(yīng)容器，同時在室溫下用3小時滴入。滴入結(jié)束后不加熱即攪拌3小時。攪拌3小時后，停止攪拌且使反應(yīng)溶液在室溫下18小時熟成。將該反應(yīng)溶液加入至0.1M檸檬酸水溶液1L中且進行中和，并且以水進行水洗至中性后，加入無水硫酸鎂進行脫水。濾除無水硫酸鎂后，在減壓下進行濃縮。將濃縮物以經(jīng)脫水的四氫呋喃200mL溶解后，裝入至備有攪拌機、滴液漏斗的1L的4口燒瓶中。在反應(yīng)容器中加入經(jīng)脫水的批啶1.OOmL及在滴液漏斗中加入二甲基二氯硅垸3.2g/0.025mol、三甲基氯硅烷2.7g/0.025mo1與四氫呋喃30mL，在氮氣流下一面攪拌反應(yīng)容器，同時在室溫下用3小時滴入。滴入結(jié)束后不加熱即攪拌3小時。攪拌3小時后，加入甲苯300mL后，將反應(yīng)溶液以水進行水洗至中性，再加入無水硫酸鎂進行脫水。濾除無水硫酸鎂后，在減壓下進行濃縮而得到無色透明液體的硬化性樹脂[一般式(1)]27.lg。在所述硬化性樹脂的1H—匪R中，因觀測到乙烯基的尖銳信號所以確認出水解自乙烯基三甲氧基硅烷的水解縮合物為籠型構(gòu)造。因此關(guān)于由金屬氧化物，即硅氧化物所構(gòu)成的三維多面體構(gòu)造的緊密構(gòu)造部位(A)，能假設(shè)成由8個硅原子與12個氧原子所構(gòu)成的(Si03")8表示的立方體構(gòu)造，而所導出的Kp是0.73。此外，上述硬化性樹脂的(A)以外的部位是，(H2C=CH—Si03/2)8的殘基的乙烯基與(Me3Si01/2)與(Me2Si0)的疏松構(gòu)造部位(B)，從其所求得的重量比[(A)/(B)]是1.302。此外，來自GPC的數(shù)平均分子量Mn是5200。另外，計算緊密構(gòu)造部位(A)的Kp時，(SiOv2)8由于為(A)的一部分且作為存在于一般式(I)樹脂中的一部分故不可能取出而無法直接求得Kp值。因此使用(HSi03/2)s做為對Kp的影響最少且能最近似的化合物來計算。(實施例1)將在合成例中所得到的硬化性樹脂100重量份與過氧化二異丙苯(日本油脂股份有限公司PERCUMYLD)2重量份混合至均勻而得到硬化性樹脂組合物。將此流入至以玻璃板組合成的模使厚度成為0.2mm，在IO(TC中加熱1小時、在12(TC中1小時、在140。C中1小時、在160'C中1小時、及在18(TC中2小時而得到成形體(硬質(zhì)透明基板)。(實施例2)將在合成例中所得到的硬化性樹脂58重量份、末端三甲硅烷基修飾聚甲基氫硅氧烷(Azmax股份有限公司制HMS—992)42重量份、及鉑-乙烯基硅氧烷錯合物(Azmax股份有限公司制SIP6830.3)0.5重量份混合至均勻而得到硬化性樹脂組合物。將此流入至以玻璃板組合成的模使厚度成為0.2mm,在IO(TC中加熱1小時、在12(TC中1小時、在14(TC中1小時、在160'C中1小時、及在18(TC中2小時而得到成形體(硬質(zhì)透明基板)。(實施例3)將在合成例中所得到的硬化性樹脂58重量份、末端三甲硅垸基修飾聚甲基氫硅氧垸(Azmax股份有限公司制HMS—992)21重量份、過氧化二異丙苯(日本油脂股份有限公司PERCUMYLD)2重量份、及鉑-乙烯基硅氧烷錯合物(Azmax股份有限公司制SIP6830.3)0.5重量份混合至均勻而得到硬化性樹脂組合物。將此流入至以玻璃板組合成的模使厚度成為0.2mm，在IO(TC中加熱1小時、在12(TC中1小時、在140。C中1小時、在16(TC中1小時、及在18(TC中2小時而得到成形體(硬質(zhì)透明基板)。在實施例1至3中所得到的硬質(zhì)透明基板上，分別預先依濺鍍法設(shè)置由厚度10nm的硅氧化物組成的阻氣膜，接著依濺鍍法在阻氣膜上形成厚度150nm的ITO膜(透明電極)，而得到在硬質(zhì)透明基板上備有透明電極的測試用積層體。將所得到的測試用積層體以以下方法進行評估。<耐熱性>在維卡軟化(VicatSoftening)測試中，在壓頭(indenter)剖面積1.0,、負重5Kg、升溫速度50。C/hr的測定條件下，在120。C以下壓頭進入O.4mm以上的標示為X、進入0.2至0.4mm的標示為A、在0.lmm以下幾乎未進入的標示為O。<雙折射率>使用相位差測定裝置(Nikon制，NPDM—1000)，以波長400至800nm測定面內(nèi)的雙折射率。<光線穿透率〉使用(股)日立制作所的分光光度計，測定波長550mn的穿透率。<ITO膜表面的粗糙度(Ra)〉根據(jù)AFM進行表面粗糙度測定。測定范圍為10um,在輕敲模式(t鄰pingmode)的條件下進行測定。<彎曲性>以直徑25mm的芯棒纏繞測試用積層體，在彎折90度時，不產(chǎn)生龜裂的標示為O、產(chǎn)生龜裂的標示為X。在實施例1至3所得到的測試用積層體的耐熱性、雙折射率、光線穿透率、ITO膜表面粗糙度、及彎曲性的評估結(jié)果如表l所示。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>此外，將在實施例1至3所得到的測試用積層體使用于觸控式面板構(gòu)件的一側(cè)，另一側(cè)的觸控式面板構(gòu)件是使用在玻璃基板上以與前述同樣的方法形成150nm的透明導電性薄膜。以使透明導電薄膜互相面對面的方式，隔著直徑30um的環(huán)氧樹脂珠而配置所述2片觸控式面板構(gòu)件從而制作觸控式面板測試體。關(guān)于此所得到的觸控式面板測試體以以下方法進行評估。(比較例1)除使用厚度0.188mm的聚對酞酸乙二酯代替硬質(zhì)透明基板以外與實施例1至3同樣進行而制作觸控式面板測試體。1)耐熱變色將組合好的觸控式面板測試體以120'C的熱風循環(huán)烘箱處理120小時后確認基板的變色。若無變化則標示為O、有變黃等著色情形的標示為X。2)筆滑動測試在聚縮醛制筆(尖端形狀0.8mmR)上掛250g的砝碼進行20萬次的滑動測試。在滑動部分未觀察到白化而在導通電阻(ONresistance)無異常則標示為O、有白化及在導通電阻觀察到異常則標示為X。3)按鍵測試在聚縮醛制筆(尖端形狀0.8mmR)上掛250g的砝碼進行1G0萬次的按鍵測試。在ON抵抗無異常則標示為O、觀察到異常則標示為X。使用在上述實施例1至3及比較例1中所得到的測試用積層體制作出的觸控式面板測試體的薄膜成形性、耐熱變色、筆滑動測試、及按鍵測試的評估結(jié)果如表2所示。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>權(quán)利要求1.一種顯示裝置，其是將顯示裝置用電子材料積層于硬質(zhì)透明基板而形成；硬質(zhì)透明基板為使下述一般式(1)所示的硬化性樹脂硬化而得到，而上述硬化性樹脂為具有由以下述計算式(2)所計算的堆砌系數(shù)Kp為0.68至0.8的金屬氧化物所構(gòu)成的緊密構(gòu)造部位(A)、與由上述Kp未達到0.68的有機物或有機物與有機金屬氧化物所構(gòu)成的疏松構(gòu)造部位(B)，同時，構(gòu)造部位(A)/(B)的重量比為0.01至5.00，且具有至少一個不飽和鍵而平均分子量為800至60000，-{(A)-(B)m}n-(1)(其中，m及n為1以上的整數(shù))Kp＝An.Vw.p/Mw(2)(其中，An＝阿伏伽德羅常數(shù)、Vw＝范德華體積、p＝密度、Mw＝分子量、Vw＝ΣVa、Va＝4π/R3-Σ1/3πhi2(3Ra-hi)、hi＝Ra-(Ra2+di2-Ri2)/2di、Ra＝原子半徑、Ri＝鍵結(jié)原子半徑、及di＝原子間距離)。2,根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，緊密構(gòu)造部位(A)是具有去除下述一般式(I)的有機物部位的三維多面體構(gòu)造的金屬氧化物部位，疏松構(gòu)造部位(B)是由一般式(I)的有機物部位與下述一般式(II)構(gòu)成，(RSi03/2)w(M02)x(RXSiO)y(XM03/2)z(I)(R3R4R5Si01/2)j(R6R7SiO)k{R6R7XSi01/2},(II)(其中，R為以(a)—R1—OCO—CR2=CH2、(b)—R1—CR^CH2或者(c)一CH^CH2表示的不飽和基、垸基、環(huán)烷基、環(huán)烯基、苯基、氫原子、烷氧基、或烷基硅氧基，而式(l)中的多個R可互相不同，但至少l個是包含(a)、(b)、(c)的任一者；此外，Ri表示亞烷基、亞烯基或亞苯基，W表示氫或垸基，R3至R7為以(a)—R1—OCO—CR2=CH2、(b)—R1—CR2=CH2或者(c)一CHNCH2表示的不飽和基、垸基、環(huán)烷基、環(huán)烯基、苯基、氫原子、烷氧基、或烷基硅氧基，M為硅、鍺、鈦、或鋯的金屬原子，X為鹵素原子、或垸氧基，w為4以上的整數(shù)，x、y及z為滿足w+x+y+z^8的整數(shù)；此外，j、k、及1分別表示0以上的整數(shù))。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，一般式(l)中的(A)所示的構(gòu)造單位是由選自RSiX3、MX4或其混合物(其中，R、M及X與一般式(I)相同)的水解縮合物的一般式(I)所示的構(gòu)造單位中的三維多面體構(gòu)造骨架的金屬氧化物部位所構(gòu)成。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，一般式(l)中的(B)所示的構(gòu)造單位是由R3R4R5SiX、RSR7SiX2或其混合物(其中，W至W及X與一般式(II)相同)的水解縮合物所制造的一般式(II)所示的金屬氧化物的鏈狀單位、及與一般式(l)所示的構(gòu)造中所含有的金屬原子鍵結(jié)的有機基所構(gòu)成。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的顯示裝置，其中，在硬化性樹脂中調(diào)配硅氫化催化劑及/或自由基引發(fā)劑而得到硬化性樹脂組合物后，使此硬化性樹脂組合物成形，且使其熱硬化或光硬化而得到硬質(zhì)透明基板。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，進一步調(diào)配分子中具有至少1個硅氫基的化合物及/或具有不飽和基的化合物而得到硬化性樹脂組合物。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的顯示裝置，該顯示裝置為液晶顯示裝置，其中，顯示裝置用電子材料至少有透明電極、定向膜、液晶層、濾色器、薄膜晶體管、偏光板、及背光源，該液晶顯示裝置是令在硬質(zhì)透明基板上積層有濾色器、透明電極、及定向膜的液晶第1構(gòu)件、與在硬質(zhì)透明基板上積層有薄膜晶體管及定向膜的液晶第2構(gòu)件以使定向膜彼此面對面的方式夾住液晶層，且在液晶第1構(gòu)件的硬質(zhì)透明基板外側(cè)配置偏光板，同時在液晶第2構(gòu)件的硬質(zhì)透明基板外側(cè)配置偏光板及背光源而成。8.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的顯示裝置，該顯示裝置為有機EL顯示裝置，其中，顯示裝置用電子材料至少有透明電極、空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、金屬電極、及阻氣膜，而有機EL顯示裝置系在硬質(zhì)透明基板上積層有透明電極、空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、及金屬電極，并經(jīng)阻氣膜而密封而成。9.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的顯示裝置，該顯示裝置為觸控式面板顯示裝置，其中，顯示裝置用電子材料至少有透明電極、點隔件、偏光板、及液晶顯示裝置，而觸控式面板顯示裝置是令在硬質(zhì)透明基板上形成有透明電極的一對觸控式面板構(gòu)件，以使透明電極彼此面對面的方式夾住點隔件，且在各觸控式面板構(gòu)件的一側(cè)配置偏光板，同時在任一側(cè)的觸控式面板構(gòu)件的外側(cè)進一步配置液晶顯示裝置而成。10.根據(jù)權(quán)利要求7至9任一項所述的顯示裝置，其中，在硬質(zhì)透明基板與透明電極之間進一步配置阻氣膜。全文摘要本發(fā)明是提供一種顯示裝置，其利用了具備如無機玻璃的特性與如塑料的特性、且耐彎曲性優(yōu)良的硬質(zhì)透明基板，積層各種顯示裝置用電子材料而成。硬質(zhì)透明基板可使一般式(1)所示的硬化性樹脂硬化而得到，而硬化性樹脂具有以式(2)所計算的Kp為0.68至0.8的緊密構(gòu)造部位(A)與Kp未達到0.68的疏松構(gòu)造部位(B)，構(gòu)造部位(A)/(B)之重量比為0.01至5.00，且具有至少一個不飽和鍵而平均分子量為800至60000。-{(A)-(B)m}n-(1)(m及n為1以上的整數(shù))Kp＝An.Vw.p/Mw(2)(An＝阿伏伽德羅常數(shù)、Vw＝范德華體積、p＝密度、Mw＝分子量、Vw＝∑Va、Va＝4π/R3-∑1/3πhi2(3Ra-hi)、hi＝Ra-(Ra2+di2-Ri2)/2di、Ra＝原子半徑、Ri＝鍵結(jié)原子半徑、及di＝原子間距離)。文檔編號G02F1/1333GK101174053SQ20071015245公開日2008年5月7日申請日期2007年10月12日優(yōu)先權(quán)日2006年10月13日發(fā)明者北村健一,安藤秀樹,齋藤憲申請人:新日鐵化學株式會社