專利名稱：：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，尤其涉及在像素部同時具有透射區(qū)域和反射區(qū)域的半透射半反射型的液晶顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
：作為液晶顯示裝置，反射型、透射型、以及組合了反射型和透射型的半透射半反射型的液晶顯示裝置已廣為人知。該半透射半反射型的液晶顯示裝置是通過在各像素部同時具有透射來自背光源的光的透射區(qū)域和反射外來光的反射區(qū)域，使用一個液晶顯示裝置實(shí)現(xiàn)透射型液晶顯示裝置和反射型液晶顯示裝置的優(yōu)點(diǎn)的液晶顯示裝置。在半透射半反射型的液晶顯示裝置之一中具有內(nèi)置漫射片(內(nèi)面漫反射片)。內(nèi)置漫射片具有使從顯示面一側(cè)向1個像素的基板內(nèi)面的反射區(qū)域入射的外來光在該顯示面方向漫反射的金屬膜。圖11是說明半透射半反射型的液晶顯示裝置的一個彩色像素的結(jié)構(gòu)例的示意俯視圖。彩色像素CP由3個像素(也稱作副像素、或者子像素)R、G、B三個為一組構(gòu)成。各像素R、G、B用黑底BM劃分，R像素具有反射部RR和透射部TR，G像素具有反射部RG和透射部TG，B像素具有反射部RB和透射部TB。反射部RR、RG、RB的橫向尺寸(柵極線方向尺寸)為PH,縱向尺寸(數(shù)據(jù)線方向尺寸)為RV;透射部TR、TG、TB的橫向尺寸為PH，縱向尺寸為TV。而且，彩色像素的橫向尺寸為PCH,縱向尺寸為PV。圖12是說明半透射半反射型的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)例的沿著圖11的A-A，線的剖視圖。在圖12中，匯總圖11中的透射部TR、TG、TB表示為透射區(qū)域TA，匯總圖ll的反射部RR、RG、RB表示為反射區(qū)域RA。在圖12中，在作為第一基板的TFT基板SUB1的內(nèi)面形成有薄膜晶體管TFT。薄膜晶體管TFT由柵電極GT、柵極絕緣膜GI、硅半導(dǎo)體層(未圖示)、源電極(漏電極)SD1、漏電極(源電極)SD2構(gòu)成。覆蓋薄膜晶體管TFT形成以透明絕緣材料為宜的保護(hù)膜PAS，在其上成膜有以ITO為宜的透明導(dǎo)電膜的像素電極PX。該像素電極PX通過在保護(hù)膜PAS上開的接觸孔CH與源電極(漏電極)SD1相連接，由薄膜晶體管TFT進(jìn)行驅(qū)動。在該結(jié)構(gòu)中，保護(hù)膜PAS的膜厚在透射區(qū)域TA形成得薄，在反射區(qū)域RA形成得厚。在反射區(qū)域RA的保護(hù)膜PAS的表面形成有由金屬的濺射膜構(gòu)成的具有凹凸的漫反射電極MT。而且，透射區(qū)域TA的池間隙(cellgap)gl設(shè)定為反射區(qū)域的池間隙g2的2倍，使透射光和反射光的光相位一致。作為通過使用混入了粒子的樹脂涂敷膜，使粒子的直徑比涂敷膜的膜厚大而使粒子突出來，從而在表面形成了漫反射電極的底層的凹凸的例子，能夠列舉專利文獻(xiàn)l。而在作為第二基板的濾色器基板(CF基板)SUB2的內(nèi)面成膜有用黑底BM劃分的濾色器CF、保護(hù)涂層OC、對置電極(公共電極)AT。在TFT基板和CF基板的液晶層的界面成膜有定向膜，但省略了圖示。.此外，在透射部TA和反射部RA之間存在的臺階處，液晶的定向被擾亂，在黑顯示時發(fā)生光泄漏。在相鄰的像素之間由于存在黑底BM，所以成為非透射部NT,不發(fā)生光泄漏。但是，在像素內(nèi)的臺階處的定向擾亂產(chǎn)生光泄漏LK，顯示質(zhì)量下降。作為其對策，有圖13所示的方法。圖13是說明具有光泄漏對策結(jié)構(gòu)的半透射半反射型液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)例的與圖12相同的剖視圖。在圖13中，通過在臺階的側(cè)面覆蓋金屬膜MT,使該部分成為非透射部NT而防止了光泄漏。[專利文獻(xiàn)l]日本特開2002-350840號公報
發(fā)明內(nèi)容隨著液晶顯示的高清晰化，漫反射電極也需要高精度地形成。漫反射電極的高精度化要求形成在作為底層的絕緣層的表面的凹凸的高精度化。在以使樹脂粘合劑的膜厚比混入的微小粒子的直徑還薄的膜厚，涂敷向該樹脂粘合劑中混入了微小粒子的溶液，從而在表面形成凹凸的現(xiàn)有技術(shù)中，離差較多，難以保證凹凸尺寸或凹凸分布的均勻性、批量生產(chǎn)的均一性。此外，在現(xiàn)有的方法中，難以用低成本制造高精度的漫反射電極。本發(fā)明的目的在于，提供具有適合高清晰顯示的漫反射電極的半透射半反射型液晶顯示裝置及其制造方法。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的半透射半反射型的液晶顯示裝置在具有漫反射功能的反射區(qū)域中由有機(jī)絕緣層和包含具有與該有機(jī)絕緣層的折射率同等或近似的折射率的球形粒子的低介電常數(shù)的絕緣層構(gòu)成，通過使球形粒子的直徑比有機(jī)絕緣層的膜厚大來形成凹凸面，由仿照該凹凸面的表面形狀而成膜的金屬膜形成了漫反射電極。此外，本發(fā)明能夠在透射區(qū)域和反射區(qū)域之間設(shè)置上述有機(jī)絕緣層的膜厚比上述球形粒子的直徑大的上述低介電常數(shù)的絕緣層。而且，本發(fā)明能夠通過使反射區(qū)域的池間隙和透射區(qū)域的池間隙比為1:2而使透射光和反射光的相位一致。此外，本發(fā)明的半透射半反射型液晶顯示裝置的制造方法，在第一基板(通常是薄膜晶體管基板)的內(nèi)面上涂敷對有機(jī)絕緣樹脂材料混合了球形粒子的有機(jī)絕緣膜材料，將其干燥，形成有機(jī)絕緣膜；通過在透射區(qū)域具有開口，在反射區(qū)域具有半色調(diào)曝光狹縫的曝光掩模來曝光，除去基于上述開口的曝光部，并且對基于上述半色調(diào)曝光狹縫的半色調(diào)曝光部的上述有機(jī)絕緣膜進(jìn)行減膜，使上述球形粒子露出來；對曝光后的上述有機(jī)絕緣膜燒結(jié)并使其固化；在固化后的上述有機(jī)絕緣膜上成膜金屬薄膜，形成具有仿照了由上述球形粒子的露出所形成的凹凸面的凹凸面的漫反射層。此外，本發(fā)明能夠通過在上述曝光顯影步驟的半色調(diào)曝光中，通過顯影，將上述有機(jī)絕緣膜的膜厚除去相當(dāng)于上述球形粒子的直徑的50%,從而能使上述球形粒子的一半露出。此外，本發(fā)明能夠用上述有機(jī)絕緣膜材料的上述有機(jī)絕緣樹脂材料與上述球形粒子的混合比來調(diào)整上述漫反射層的凹凸的排列間距。此外，本發(fā)明能夠使用對低介電常數(shù)、具有高透明性的丙烯酸類樹脂、環(huán)氧樹脂、烯烴類樹脂、酚醛樹脂中的任一個混合了重氮萘醌(NQD)的材料、或者對上述有機(jī)絕緣樹脂材料混合了光產(chǎn)酸劑的材料來作為上述有機(jī)絕緣樹脂材料。由于能夠用球形微粒的粒子直徑和有機(jī)絕緣樹脂材料的混合比來控制表面的凹凸的粗糙度、間距，所以能夠得到表面形狀沒有離差的具有高精細(xì)的凹凸的高精度的漫射片底層。因此，通過在該漫射片底層成膜金屬膜，能夠得到具有仿照了該漫射片底層的表面形狀的高精度的漫反射電極的半透射半反射型液晶顯示裝置。通過使有機(jī)絕緣樹脂材料和球形微粒的折射率為同等，即使在透射區(qū)域中殘留了含有該球形微粒的有機(jī)絕緣樹脂材料的膜時也能確保透明性。而且，在結(jié)構(gòu)上，在殘留該有機(jī)絕緣樹脂材料的其他部分，使該有機(jī)絕緣樹脂材料的膜厚比含有的球形微粒的直徑厚，從而能夠平坦地形成該有機(jī)絕緣樹脂材料的膜的表面。根據(jù)本發(fā)明，即使在制造工序中的曝光、顯影、燒結(jié)等中存在一些離差，也能夠得到再現(xiàn)性高的表面凹凸形狀，能提高批量生產(chǎn)率。此外，用半色調(diào)曝光同時形成有凹凸的反射區(qū)域和沒有凹凸的透射區(qū)域，即能用1次光刻步驟(1次光刻)來形成，能提高批量生產(chǎn)率。圖l是示意地說明本發(fā)明的半透射半反射型液晶顯示裝置的實(shí)施例1的制造工序的主要部分剖視圖。圖2是示意地說明本發(fā)明的半透射半反射型液晶顯示裝置的實(shí)施例1的制造工序的接著圖1的主要部分剖視圖。圖3是示意地說明本發(fā)明的半透射半反射型液晶顯示裝置的實(shí)施例1的制造工序的接著圖2的主要部分剖視圖。圖4是示意地說明本發(fā)明的半透射半反射型液晶顯示裝置的實(shí)施例1的制造工序的接著圖3的主要部分剖視圖。圖5是示意地說明本發(fā)明的半透射半反射型液晶顯示裝置的實(shí)施例1的制造工序的接著圖4的主要部分剖視圖。圖6是示意地說明本發(fā)明的半透射半反射型液晶顯示裝置的實(shí)施例2的主要部分剖視圖。圖7是示意地說明相對于本發(fā)明的比較例1的半透射半反射型液晶顯示裝置的主要部分剖視圖。圖8是示意地說明相對于本發(fā)明的比較例2的半透射半反射型液晶顯示裝置的主要部分剖視圖。圖9是示意地說明相對于本發(fā)明的比較例3的半透射半反射型液晶顯示裝置的主要部分剖視圖。圖10是說明本發(fā)明的半透射半反射型液晶顯示裝置的一例的示意剖視圖。圖11是說明半透射半反射型液晶顯示裝置的一個彩色像素的結(jié)構(gòu)例的示意俯視圖。圖12是說明半透射半反射型液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)例的沿著圖11的A-A，線的剖視圖。圖13是說明具有光泄漏對策結(jié)構(gòu)的半透射半反射型液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)例的與圖12相同的剖視圖。具體實(shí)施方式下面，參照實(shí)施例的附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的最佳實(shí)施方式。[實(shí)施例1]根據(jù)制造工序，說明本發(fā)明實(shí)施例1的液晶顯示裝置。整體結(jié)構(gòu)與圖11、圖12所說明的結(jié)構(gòu)大致相同。但是，在圖11、圖12所示的結(jié)構(gòu)中，在透射區(qū)域的像素電極PX的下層殘留了有機(jī)絕緣樹脂材料的膜，而在實(shí)施例l中，作為透射區(qū)域的像素電極PX直接形成在第一基板(TFT基板)SUB1的內(nèi)面的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。當(dāng)然，本發(fā)明也同樣能夠應(yīng)用于圖11、圖12所示的半透射半反射型的液晶顯示裝置。圖1圖5是示意地說明本發(fā)明的半透射半反射型液晶顯示裝置的實(shí)施例1的制造工序的主要部分剖視圖。以下，按順序參照圖l圖5進(jìn)行說明。首先，在成膜有以ITO為宜的像素電極PX的TFT基板SUB1的內(nèi)面旋轉(zhuǎn)涂敷具有以下的組成和特性的有機(jī)絕緣膜材并牛溶液，用加熱板(hotplate)進(jìn)行干燥(圖1)。干燥后所得到的有機(jī)絕緣膜PF的膜厚為2.5(im。(有機(jī)絕緣膜材料溶液的組成)有機(jī)絕緣膜材料PET:向密度1.05、折射率1.50的丙烯酸類樹脂混入NQD作為感光劑球形粒子PTC:密度1.00、折射率1.50、粒子直徑1.6pm的丙烯酸改性聚苯乙烯有機(jī)絕緣膜材料PET和球形粒子PTC的配比調(diào)整為重量比為3:1,總固態(tài)成分量30%,粘度20mPa's。接著，使用曝光掩模MSK對有機(jī)絕緣膜PF實(shí)施曝光(圖2)。曝光掩模MSK是所謂的半色調(diào)曝光掩模，在殘留有機(jī)絕緣膜的部分具有遮光部SH，在成為漫反射電極的下層(底層)的部分由具有由1.5(im寬度的多個狹縫SL構(gòu)成的半色調(diào)曝光用開口部的反射區(qū)域RA的曝光部、和由較寬開口構(gòu)成的透射區(qū)域TA的曝光部構(gòu)成。曝光機(jī)的數(shù)值孔徑(NA)為0.08,曝光量為150mJ/cm2。遮光部SH的下側(cè)能夠用于柵極線或漏極線的敷設(shè)。本發(fā)明的半色調(diào)曝光(以下只稱作半曝光)是使用設(shè)置了曝光機(jī)的極限分辨率以下的狹縫(上述的狹縫SL)的曝光掩模而得到未曝光部的一半左右的有機(jī)絕緣膜厚的曝光方法。當(dāng)使用設(shè)置了曝光機(jī)的極限分辨率以下的狹縫(上述的狹縫SL)的掩模進(jìn)行曝光時，極限分辨率以下的狹縫SL部分無法進(jìn)行掩模圖案再現(xiàn)，所以能夠以相當(dāng)于狹縫的遮光面積部的減光量得到與使狹縫部分的全部區(qū)域曝光時相同的曝光圖案。其結(jié)果，能夠用一次曝光得到掩模透射部分的殘留膜0%、掩模遮光部分的殘留膜100%、極限分辨率以下的狹縫SL部分的殘留膜50%。例如，在數(shù)值孔徑(NA)為0.08的曝光才幾時，由于極限分辨率為2pm左右，所以可通過設(shè)置1.5pm以下的狹縫進(jìn)行半曝光。在數(shù)值孔徑(NA)為0.14的曝光^/L時，變?yōu)?.8pm以下的狹縫。此外，為了得到半膜厚，需要對感光劑使用重氮萘醌(NQD)或光產(chǎn)酸劑的具有正片型照相功能的有機(jī)絕緣膜材料。使用了上述感光劑的正性光致抗蝕劑，由于出現(xiàn)相當(dāng)于被照射的光量的顯影溶解性，所以能夠通過曝光量的控制得到任意的膜厚。用液溫25。C的0.4%四曱基氬氧化銨(TMAH)使這樣曝光的有機(jī)絕緣膜PF顯影80秒后，進(jìn)行水洗。此時的未曝光部分的膜厚為2.3|im。然后，以曝光量300mJ/cn^使基板內(nèi)面的整個面曝光而使感光劑透明化后，在設(shè)定為23(TC的烤爐(oven)中加熱30分鐘，使有機(jī)絕緣膜PF固化(圖3)。與被固化的反射區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域的凹凸面的凹部的厚度、即有機(jī)絕緣膜PF的膜厚為lpm,凸部的半徑即球形粒子的半徑為l|im,凸部的高度為lpm,凸部的峰值間的間距為2|im。此外，與由遮光部SH覆蓋的未曝光部分對應(yīng)的區(qū)域BD的膜厚為2nm,為平坦的表面狀態(tài)。即，在區(qū)域BD,球形粒子沒有從表面飛出(圖4)。在其上賊射鋁，用光刻處理在反射區(qū)域RA形成漫反射電極MT(圖5)。該漫反射電極MT的反射區(qū)域具有仿照了由混入到下層的有機(jī)絕緣膜PF中的球形粒子PTC引起的表面凹凸形狀的表面凹凸形狀。該漫反射電極MT在與透射區(qū)域相鄰的部分與像素電極PX電連接。包括后述的實(shí)施例2，也可以在濺射鋁之前濺射鉬等高反射性金屬膜而使金屬膜多層化。根據(jù)實(shí)施例1，能夠得到表面形狀沒有離差的具有高精細(xì)的凹凸的高精度的漫射片底層。因此，通過使用以濺射為宜的方法在該漫射片底層成膜薄的金屬膜，能夠得到具有仿照了該漫射片底層的表面形狀的高精度的漫反射電極的半透射半反射型液晶顯示裝置。[實(shí)施例2]圖6是示意地說明本發(fā)明的半透射半反射型液晶顯示裝置的實(shí)施例2的主要部分剖視圖。實(shí)施例2的有機(jī)絕緣膜材料溶液的組成如下所述。即，有機(jī)絕緣膜材料PET:對密度1.05、折射率1.50的丙烯酸類樹脂混入NQD作為感光劑^t形粒子PTC:密度2.65、折射率1.45、粒子直徑1.8pm的石英珠有機(jī)絕緣膜材料PET和球形粒子PTC的配比調(diào)整為重量比為1:1，總固態(tài)成分量40%，粘度20mPa's。在成膜有以ITO為宜的像素電極PX的TFT基板SUB1的內(nèi)面旋轉(zhuǎn)涂敷具有上述組成和特性的有機(jī)絕緣膜材料溶液，用加熱板進(jìn)行干燥。干燥后所得到的有機(jī)絕緣膜PF的膜厚為2.5pm。使用與實(shí)施例1相同的半曝光掩模使有機(jī)絕緣膜PF曝光，用液溫25。C的0.4%TMAH顯影80秒后，進(jìn)行水洗。此時的未曝光部分的膜厚為2.3pm。對其以曝光量300mJ/cn^照射到整個面而使感光劑透明化后，在設(shè)定為230。C的烤爐中加熱30分鐘，使膜固化。完成后的凹凸部的凹部的膜厚為lpm,凸部的高度為lpm，球形粒子的半徑為l)im，凸部的峰值間的間距為2pm。此外，未曝光部分的膜厚為2pm，在表面沒有粒子飛出，成為平坦面。然后，與實(shí)施例1相同地'減射鋁，用光刻處理在反射區(qū)域RA形成漫反射電極MT。該漫反射電極MT的反射區(qū)域具有仿照了由混入到下層的有機(jī)絕緣膜PF的球形粒子PTC引起的表面凹凸形狀的表面凹凸形狀。該漫反射電極MT在與透射區(qū)域相鄰的部分與像素電極PX電連接。根據(jù)實(shí)施例2,也能夠得到表面形狀沒有離差的具有高精細(xì)的凹凸的高精度漫射片底層。因此，通過在該漫射片底層成膜薄的金屬膜，能夠得到具有仿照了該漫射片底層的表面形狀的高精度的漫反射電極的半透射半反射型液晶顯示裝置。下面，說明用于評價本發(fā)明的上述各實(shí)施例的比較例1、2、3,然后與本發(fā)明的實(shí)施例相比較并進(jìn)行評價。[比4交例1]圖7是示意地說明相對于本發(fā)明的比較例1的半透射半反射型液晶顯示裝置的主要部分剖視圖。在比較例1中，采用對密度1.05、折射率1.50的丙烯酸類樹脂混入NQD作為感光劑的材料來作為有機(jī)樹脂膜材料PET,不進(jìn)行球形粒子的混入。在TFT基板SUB1的內(nèi)面旋轉(zhuǎn)涂敷該有機(jī)絕緣膜材料溶液，用加熱板進(jìn)行干燥后，得到了膜厚為2.5pm的有機(jī)絕緣膜PF。使用在透射區(qū)域具有開口、與實(shí)施例l相同地對殘留膜的部分遮光、且反射區(qū)域也全部遮光的曝光掩模，將有機(jī)絕緣膜PF曝光，用液溫25。C的0.4%TMAH顯影80秒后，進(jìn)行水洗。此時的未曝光部分的膜厚為2.3pm。對其以曝光量300mJ/cn^照射到整個面而使感光劑透明化后，在設(shè)定為230。C的烤爐中加熱30分鐘，使膜固化。未曝光部分的膜厚為2pm,也包括反射區(qū)域，表面為平坦面。然后，與實(shí)施例l相同地賊射鋁，用光刻處理在反射區(qū)域RA形成了漫反射電極MT。該漫反射電極MT的反射區(qū)域，仿照下層的有機(jī)絕緣膜PF的表面形狀而成為平坦面形狀。反射電極MT在與透射區(qū)域相鄰的部分與像素電極PX電連接。[比4交例2]圖8是示意地說明相對于本發(fā)明的比較例2的半透射半反射型液晶顯示裝置的主要部分剖視圖。在比較例2中，采用對調(diào)整為密度1.05、折射率1.50、總固態(tài)成分量30%、粘度25mPas的丙烯酸類樹脂混入了NQD作為感光劑的材料來作為有機(jī)樹脂膜材料PET,不進(jìn)行球形粒子的混入。在TFT基板SUB1的內(nèi)面旋轉(zhuǎn)涂敷該有機(jī)絕緣膜材料溶液，用加熱板進(jìn)行干燥，形成了膜厚為2.5jim的有機(jī)絕緣膜PF。使用在透射區(qū)域具有開口，與實(shí)施例l相同地對殘留膜的部分遮光，在反射區(qū)域形成用于形成凹凸的凹部的部分加工1.5pim寬度的狹縫，在其上以20pm間距配置了lOpm見方的遮光部的半曝光掩模，用數(shù)值孔徑NA0.08的曝光機(jī)以曝光量150mJ/cn^進(jìn)行曝光。曝光后，用液溫25。C的0.4%TMAH顯影80秒后，進(jìn)行水洗。此時的未曝光部分的膜厚為2.3|im。對其以曝光量300mJ/cm2照射到整個面而使感光劑透明化后，在設(shè)定為230。C的烤爐中加熱30分鐘，使膜固化。完成后的凹凸部的凹部的膜厚也為l|im,成為平緩的凹凸面，未曝光部分的膜厚為2pm。然后，與實(shí)施例1相同地、減射鋁，用光刻處理在反射區(qū)域RA形成了漫反射電極MT。該漫反射電極MT的反射區(qū)域仿照下層的有機(jī)絕緣膜PF的表面形狀而成為平緩的凹凸面形狀。反射電極MT在與透射區(qū)域相鄰的部分與像素電極PX電連接。[比較例3]圖9是示意地說明相對于本發(fā)明的比較例3的半透射半反射型液晶顯示裝置的主要部分剖視圖。在比較例3中，釆用對調(diào)整為密度1.05、折射率1.50、總固態(tài)成分量30%、粘度25mPa.s的丙烯酸類樹脂中混入了NQD作為感光劑的材料來作為有機(jī)樹脂膜材料PET,不進(jìn)行球形粒子的混入。在TFT基板SUB1的內(nèi)面旋轉(zhuǎn)涂敷該有機(jī)絕緣膜材料溶液，用加熱板進(jìn)行干燥，得到了膜厚為2.5pm的有機(jī)絕緣膜PF。使用在透射區(qū)域具有開口，與實(shí)施例l相同地對殘留膜的部分遮光，在反射區(qū)域形成用于形成凹凸的凹部的部分加工1.5(am寬度的狹縫，在其上以10pm間距配置了5nm見方的遮光部的半曝光掩模，用數(shù)值孔徑NA為0.08的曝光機(jī)以曝光量150mJ/cn^進(jìn)行曝光。曝光后，用液溫25。C的0.4%TMAH顯影80秒后，進(jìn)行水洗。此時的未曝光部分的膜厚為2.3pm。對其以曝光量300mJ/cn^照射到整個面而使感光劑透明化后，在設(shè)定為230。C的烤爐中加熱30分鐘，使膜固化。完成后的凹凸部的凹部的膜厚為1.3pm,凸部的頂端變?yōu)?.5(im(這是由曝光光的衍射和樹脂材料的熔化而引起的)，沒有成為漫反射充分的凹凸，而成為平緩的凹凸面，未曝光部分的膜厚為2pm。此外，未曝光部分的膜厚為2jiim。然后，與實(shí)施例l相同地濺射鋁，用光刻處理在反射區(qū)域RA形成了漫反射電極MT。該漫反射電極MT的反射區(qū)域仿照下層的有機(jī)絕緣膜PF的表面形狀而成為平緩的凹凸面形狀。反射電極MT在與透射區(qū)域相鄰的部分與像素電極PX電連接。表1表示改變光的入射角而測量以上說明的比較例和本發(fā)明的實(shí)施例中的在反射區(qū)域的對正面的反射率的結(jié)果。[表1]表1<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>表l是測量改變了光的入射角度時的漫射片底層的正面反射率的表。在反射型顯示元件的情況下，光源成為外來光(太陽光或室內(nèi)光)，所以絕大多數(shù)是光從具有比正面稍小的角度的地方入射。因此，能夠判定為5。、10。入射角度中的正面反射率高的一方反射部的像素可見性高。在實(shí)施例1、2中，能夠得到具有充分性能的漫射片底層。由于不需要在狹縫中設(shè)置用于形成凸部的遮光部，沒有對像素尺寸的限制，所以不僅能應(yīng)對像素尺寸約為20pm的高清晰品種，還能應(yīng)對更纟田小的j象素。比較例1是由于漫射片底層是平坦的，所以具有正反射光多、漫反射光少這樣的、作為漫射片不充分的性能的例子。比較例2是用現(xiàn)有的方法在狹縫中設(shè)置10pm見方的遮光部而形成了漫射片底層的例子。能夠得到充分的性能，證明了只要是像素尺寸約為40pm的中等清晰品種就能充分應(yīng)對。可是，在用與比較例2相同的方法在狹縫中設(shè)置了5jam見方的遮光部的比較例3中，由于高清晰化，凸部因曝光光的衍射而變窄、和由于樹脂材料的熔化(溶解)導(dǎo)致漫射片底層的凹凸無法維持而變得平坦，只能得到正反射光多、漫反射光少這樣的不充分性能的漫射片底層。此時，不能應(yīng)對像素尺寸約為20jam的高清晰品種。圖10是說明本發(fā)明的半透射半反射型液晶顯示裝置的一例的示意剖視圖。在第一基板SUB1上安裝有掃描信號布線(柵極線)、顯示信號布線(數(shù)據(jù)線)以及薄膜晶體管(TFT)等像素選擇電路或像素電路開關(guān)控制電路。在該第一基板SUB1的內(nèi)面具有用薄膜晶體管TFT驅(qū)動的以ITO為宜的透明導(dǎo)電膜的像素電極PX。形成在第一基板SUB1上的布線、薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)未圖示。在該結(jié)構(gòu)中，在薄膜晶體管TFT的區(qū)域具有層間絕緣膜INS,在該層間絕緣膜INS之上形成有像素電極PX。而且，在反射區(qū)域RA形成有對有機(jī)樹脂膜材料PET混入了球形微粒PTC的有機(jī)絕緣膜PF。在該有機(jī)絕緣膜PF的表面形成有由球形微粒PTC的飛出引起的微細(xì)的凹凸。在該有機(jī)絕緣膜PF之上成膜有以鋁為宜的金屬膜MT。金屬膜MT構(gòu)成具有仿照下層的表面形狀的微細(xì)凹凸表面的漫反射電極。該漫反射電極與在薄膜晶體管的源電極(或漏電極)SD1上連接的像素電極PX相連接而構(gòu)成反射部RA。像素電極PX在作為透明基板的第一基板SUB1的內(nèi)面的透射部TA的全部區(qū)域成膜。然后，覆蓋像素區(qū)域的全部區(qū)域，形成有第一定向膜ORIl。而在第二基板SUB2的內(nèi)面形成有用黑底BM與相鄰像素劃分開的濾色器CF、和公共電極(對置電極)AT，在其上形成有第二定向膜0RI2。在第一定向膜和第二定向膜之間密封有液晶層LC。在第二基板SUB2的外面粘貼有偏振片POL2,根據(jù)需要粘貼相位差板、防反射膜。在第一基板SUB1的外面也粘貼有第一偏振片P0L1等。而且，在背面設(shè)置有照明裝置(背光源)BLT。根據(jù)該液晶顯示裝置，能得到高清晰的半透射半反射型的圖像顯示。本發(fā)明不限于半透射半反射型液晶顯示裝置，對全反射型液晶顯示裝置也同樣能夠應(yīng)用。權(quán)利要求1.一種液晶顯示裝置，以矩陣狀排列了多個在像素內(nèi)具有反射區(qū)域的像素，其特征在于上述反射區(qū)域具有在有機(jī)絕緣膜材料中含有具有與該有機(jī)絕緣膜材料的折射率同等的折射率的粒子的有機(jī)絕緣膜，上述粒子的直徑比上述有機(jī)絕緣膜的膜厚大而形成有凹凸面；還具有由仿照上述凹凸面的表面形狀而成膜的金屬膜所形成的漫反射電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于在上述像素內(nèi)具有上述反射區(qū)域，并且具有透射區(qū)域。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述反射區(qū)域的含有上述粒子的上述有機(jī)絕緣膜延伸到上述透射區(qū)域和上述反射區(qū)域的邊界區(qū)域，上述邊界區(qū)域的上述有機(jī)絕緣膜的膜厚比上述粒子的直徑大。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述反射區(qū)域的池間隙和上述透射區(qū)域的池間隙之比為1:2。5.—種液晶顯示裝置的制造方法，該液晶顯示裝置具有形成有薄膜晶體管和像素電極的第一基板、和與上述第一基板相對的第二基板，以矩陣狀排列了多個在像素內(nèi)具有反射區(qū)域的像素，其特征在于，包括有機(jī)絕緣膜形成步驟，在上述第一基板的內(nèi)面上涂敷向有機(jī)絕緣樹脂材料中混合了粒子的有機(jī)絕緣膜材料，然后進(jìn)行干燥，形成有機(jī)絕緣膜；曝光顯影步驟，通過具有半色調(diào)曝光狹縫的曝光掩模，使上述半色調(diào)曝光狹縫與上述反射區(qū)域相對應(yīng)，對上述有機(jī)絕緣膜進(jìn)行曝光，然后進(jìn)行顯影，對基于上述半色調(diào)曝光狹縫的半色調(diào)曝光部的上述有機(jī)絕緣膜進(jìn)行減膜，使上述粒子的一部分露出；對上述有機(jī)絕緣膜燒結(jié)使其固化的有機(jī)絕緣膜固化步驟；以及漫反射層形成步驟，在固化后的上述有機(jī)絕緣膜的上層成膜金屬薄膜，形成具有仿照了由上述粒子的露出所形成的凹凸面的凹凸面的漫反射層。6.—種液晶顯示裝置的制造方法，該液晶顯示裝置具有形成有薄膜晶體管和像素電極的第一基板、和與上述第一基板相對的第二基板，以矩陣狀排列了多個在像素內(nèi)具有透射區(qū)域和反射區(qū)域的像素，其特征在于，包括有機(jī)絕緣膜形成步驟，在上述第一基板的內(nèi)面上涂敷向有機(jī)絕緣樹脂材料中混合了粒子的有機(jī)絕緣膜材料，然后進(jìn)行干燥，形成有機(jī)絕緣膜；曝光顯影步驟，通過具有開口和半色調(diào)曝光狹縫的曝光掩模，使上述開口與上述透射區(qū)域相對應(yīng)，且使上述半色調(diào)曝光狹縫與上述反射區(qū)域相對應(yīng)，對上述有機(jī)絕緣膜進(jìn)行曝光，然后進(jìn)行顯影，除去基于上述開口的曝光部的上述有機(jī)絕緣膜，并且對基于上述半色調(diào)曝光狹縫的半色調(diào)曝光部的上述有機(jī)絕緣膜進(jìn)行減膜，使上述粒子的一部分露出；對上述有機(jī)絕緣膜燒結(jié)并使其固化的有機(jī)絕緣膜固化步驟；以及漫反射層形成步驟，在固化后的上述有機(jī)絕緣膜的上層成膜金屬薄膜，形成具有仿照了由上述粒子的露出所形成的凹凸面的凹凸面的漫反射層。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于在上述曝光步驟的半色調(diào)曝光中，通過顯影，將上述有機(jī)絕緣膜的膜厚除去相當(dāng)于上述粒子的直徑的50%。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于在上述曝光步驟的半色調(diào)曝光中，通過顯影，將上述有機(jī)絕緣膜的膜厚除去相當(dāng)于上述粒子的直徑的50%。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于用上述有機(jī)絕緣膜材料的上述有機(jī)絕緣樹脂材料與上述粒子的混合比來調(diào)整上述漫反射層的凹凸的排列間距。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于用上述有機(jī)絕緣膜材料的上述有機(jī)絕緣樹脂材料與上述粒子的混合比來調(diào)整上述漫反射層的凹凸的排列間距。11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于上述有機(jī)絕緣樹脂材料是向丙烯酸類樹脂、環(huán)氧樹脂、烯烴類樹脂、酚醛樹脂的任一個中混合了重氮萘醌作為感光劑的材料，或者是向上述有機(jī)絕緣樹脂材料中混合了光產(chǎn)酸劑的材料。12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于上述有機(jī)絕緣樹脂材料是向丙烯酸類樹脂、環(huán)氧樹脂、烯烴類樹脂、酚醛樹脂的任一個中混合了重氮萘醌作為感光劑的材料，或者是向上述有機(jī)絕緣樹脂材料中混合了光產(chǎn)酸劑的材料。全文摘要本發(fā)明提供一種具有適合清晰顯示的漫反射電極的半透射半反射型液晶顯示裝置。涂敷將對密度1.05、折射率1.50的丙烯酸類樹脂混入了NQD作為感光劑的有機(jī)樹脂膜材料(PET)和密度1.00、折射率1.50、粒子直徑1.6μm的丙烯酸改性聚苯乙烯的球形粒子(PTC)調(diào)整為重量比3∶1、總固態(tài)成分量30％、粘度20mPa·s的材料，并干燥。使用在成為漫反射電極的下層的部分具有由多個狹縫構(gòu)成的半曝光用開口部的曝光掩模進(jìn)行曝光，使其固化。在其上濺射鋁，用光刻處理在反射區(qū)域形成漫反射電極(MT)。漫反射電極(MT)的反射區(qū)域具有仿照了基于混入到下層的有機(jī)絕緣膜(PF)的球形粒子(PTC)的表面凹凸形狀的表面凹凸形狀。文檔編號G02F1/13GK101162306SQ200710152440公開日2008年4月16日申請日期2007年10月12日優(yōu)先權(quán)日2006年10月13日發(fā)明者石垣利昌,西澤昌纮,高橋文雄申請人:株式會社日立顯示器