專利名稱：：防反射膜的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及防反射膜的形成方法。
背景技術(shù)：
：以往玻璃或透明塑料被用作光學(xué)部件、透鏡、棱鏡、光盤、照相機(jī)鏡頭、眼鏡、液晶屏、等離子顯示器、布勞恩管、顯示器、機(jī)器儀表罩、太陽能電池、太陽能電池板(太陽能電池組件)、太陽光收集器、窗玻璃、車輛用玻璃及展覽窗玻璃等透明部件材料。在這些透明部件的表面時常形成有作為防止反射層的防反射膜。作為其形成方法可舉出單層膜或多層膜的真空蒸鍍或浸漬涂布等方法。另一方面，在這些透明部件中根據(jù)其用途、目的，有時也需要強(qiáng)化處理。特別是太陽能電池板的覆蓋玻璃、建材用玻璃、汽車用玻璃及顯示器用玻璃，通常實(shí)施強(qiáng)化處理。為了使用單層的防反射膜得到良好的防反射效果，該防反射膜的折射率相對于透明部件的折射率需要為1/2次方左右。例如構(gòu)成透明部件的光學(xué)玻璃通常具有1.471.92的折射率。因此，作為防反射膜的折射率，要求為1.211.38左右。無機(jī)材料中MgF2顯示出最低的折射率，但是其折射率也為1.38左右。通常的玻璃材料和透明塑料的折射率為1.5左右，從而期待著顯示出更低折射率的材料。然而，通常采用CVD法作為以無機(jī)材料為主成分的防反射膜的形成方法。但是，由CVD法形成防反射膜時，由于采用真空工藝，在提高生產(chǎn)性上存在限制，工序上的制約變大。從而，從成本方面考慮，難以說將CVD法應(yīng)用于制造太陽能電池板的覆蓋玻璃、建材用玻璃、汽車用玻璃是實(shí)用的。另外，針對低折射率的防反射膜的要求，嘗試了使防反射膜材料多孔質(zhì)化以實(shí)現(xiàn)低折射率(參照例如專利文獻(xiàn)112)。專利文獻(xiàn)1:日本特開昭58-116507號公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開昭62-226840號公報(bào)專利文獻(xiàn)3:日本特開平1-312501號公報(bào)專利文獻(xiàn)4:日本特開平3-199043號公報(bào)專利文獻(xiàn)5:日本特開平5-157902號公才艮專利文獻(xiàn)6:日本特開平6-3501號公報(bào)專利文獻(xiàn)7:日本特開平6-157076號公才艮專利文獻(xiàn)8:日本特開平7-140303號公報(bào)專利文獻(xiàn)9:日本特開平7-150356號公報(bào)專利文獻(xiàn)10:日本特開平7-333403號公報(bào)專利文獻(xiàn)11:日本特開平9-249411號乂>才艮專利文獻(xiàn)12:日本特開2000-147750號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的問題然而，通過以專利文獻(xiàn)112記載的內(nèi)容為代表的現(xiàn)有的防反射膜形成方法來獲得具有防反射膜的透明部件時成本仍然較高，迫切期望進(jìn)一步低成本化。因此，本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供能夠以充分低的成本形成防反射膜的防反射膜形成方法。解決問題的手段為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種防反射膜的形成方法，具有同時進(jìn)行在玻璃體表面上形成的包含防反射膜前體的涂膜的燒結(jié)處理和上述玻璃體的強(qiáng)化處理的工序。由此，本發(fā)明將防反射膜的形成工藝的一部分與玻璃體的強(qiáng)化處理同時來進(jìn)行，從而不僅能夠?qū)崿F(xiàn)充分的低成本化，而且工序也被縮短。本發(fā)明中，上述燒結(jié)處理和強(qiáng)化處理優(yōu)選在400800。C進(jìn)行。由此，不僅可以降低防反射膜的折射率，而且可以更有效地進(jìn)行玻璃體的強(qiáng)化。本發(fā)明中，防反射膜優(yōu)選為二氧化硅系覆膜。二氧化硅系覆膜的適于涂膜的燒結(jié)處理的溫度與玻璃體的強(qiáng)化處理的溫度相同或近似。因此，防反射膜為二氧化硅系覆膜時，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)充分的低成本化，而且容易使防反射膜的折射率更低。另外，防反射膜為多孔質(zhì)的二氧化硅系覆膜時，可以進(jìn)一步降低折射率，提高防反射效果。本發(fā)明中上述涂膜優(yōu)選將二氧化硅系覆膜形成用組合物涂布到玻璃體表面上并干燥而得到，所述二氧化硅系覆膜形成用組合物含有(a)成分硅氧烷樹脂、(b)成分可溶解(a)成分的溶劑和(c)成分固化促進(jìn)催化劑。通過進(jìn)一步燒結(jié)這種涂膜得到的防反射膜與專利文獻(xiàn)113中記載的防反射膜相比，可以顯示出特別低的折射率。這被認(rèn)為是由于通過并用二氧化硅系化合物中高分子量的硅氧烷樹脂和固化促進(jìn)催化劑，得到的防反射膜(二氧化硅系覆膜)，與現(xiàn)有的防反射膜相比，具有非常多的足夠致密的空孔。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，可以提供以充分低的成本形成防反射膜的防反射膜形成方法。圖1是表示本發(fā)明的包括白板強(qiáng)化玻璃和防反射膜的層疊體的截面示意圖。圖2是表示防反射膜(白板強(qiáng)化玻璃)的反射率的波長依存性的圖。圖3是本發(fā)明的硅太陽能電池的平面示意圖。圖4是表示本發(fā)明的硅太陽能電池的制造工序的工序截面圖。圖5是表示本發(fā)明的多個太陽能電池相互布線連接的方式的示意圖。圖6是透視了本發(fā)明的太陽能電池組件的斜視示意圖。圖7是部分地表示本發(fā)明的太陽能電池組件的截面示意圖。圖8是對本發(fā)明的實(shí)施例中的防反射膜表示反射率的波長依存性的圖。圖9是對本發(fā)明的實(shí)施例中的防反射膜表示反射率的波長依存性的圖。圖10是對本發(fā)明的實(shí)施例中的防反射膜表示反射率的波長依存性的圖。圖11是對本發(fā)明的實(shí)施例中的防反射膜表示反射率的波長依存性的圖。符號說明l...硅襯底、2…紋理面、3…n型層、4…防反射膜、5…表面電極用銀漿料、6…背面電極用鋁漿料、7…表面銀電極(柵電極)、8…背面鋁電極、9…p+層、10…表面銀電極(匯流電極)、11…背面銀電極(匯流電極)、M…太陽能電池、52a、52b…片狀電極、53…背片、54…橫向片狀布線、55、56…電極接片、57…白板強(qiáng)化玻璃、58…太陽能電池密封材料、60…防反射膜、100…層疊體、600…太陽能電池組件具體實(shí)施例方式本發(fā)明的防反射膜的形成方法具有同時進(jìn)行在玻璃體的表面上形成的包含防反射膜的前體的涂膜的燒結(jié)處理和上述玻璃體的強(qiáng)化處理的工序。以下根據(jù)需要參照附圖對本發(fā)明的適宜實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說明。這里，附圖中對同一構(gòu)件賦予同一符號，省略重復(fù)說明。另外，只要沒有特別說明，上下左右等位置關(guān)系基于附圖所示的位置關(guān)系。進(jìn)而，附圖的尺寸比率并不限于圖示的比率。另外，本說明書中的"(曱基)丙烯酸酯"是指"丙烯酸酯"及與之對應(yīng)的"曱基丙烯酸酯"。本實(shí)施方式的防反射膜的形成方法包括將二氧化硅系覆膜形成用組合物涂布到玻璃體的表面上而形成涂膜的涂布工序，除去包含在涂膜中的溶劑的溶劑除去工序以及同時進(jìn)行涂膜的燒結(jié)處理和上述玻璃體的強(qiáng)化處理的燒結(jié)強(qiáng)化工序。在涂布工序中，作為將二氧化硅系覆膜形成用組合物涂布到玻璃體的表面上的方法沒有特別限制，可舉出例如旋轉(zhuǎn)涂布、刷毛涂布、噴涂、狹縫涂布、模唇涂布、印刷法等。在涂布工序中使用的二氧化硅系覆膜形成用組合物為防反射膜的前體，含有下述(a)(c)成分。并且，該組合物根據(jù)需要可以進(jìn)一步含有(d)成分和/或其他成分?！?a)成分〉(a)成分為硅氧烷樹脂，可以使用公知的樹脂，優(yōu)選在樹脂的末端或側(cè)鏈等具有OH基。由此，可以進(jìn)一步進(jìn)行使二氧化硅系覆膜形成用組合物固化的水解縮合反應(yīng)。另外，從提高對溶劑的溶解性、機(jī)械特性、成型性等角度考慮，硅氧烷樹脂的重均分子量(Mw)優(yōu)選為5001000000,更優(yōu)選為500500000,進(jìn)一步優(yōu)選為500100000，特別優(yōu)選為50010000，尤其優(yōu)選為5005000。該重均分子量小于500時，有二氧化硅系覆膜的成膜性差的傾向；該重均分子量超過1000000時，有與溶劑的相溶性低的傾向。在本說明書中，重均分子量是通過凝膠滲透色譜法(以下稱為"GPC，，)測定且使用標(biāo)準(zhǔn)聚苯乙烯的標(biāo)準(zhǔn)曲線進(jìn)行換算而得到的值。重均分子量(Mw)可以通過例如下述條件的GPC進(jìn)行測定。試樣二氧化硅系覆膜形成用組合物10|iL標(biāo)準(zhǔn)聚苯乙烯東曹林式會社制造標(biāo)準(zhǔn)聚苯乙蹄(分子量190000、17900、9100、2980、578、474、370、266)檢測器抹式會社日立制作所社制造RI監(jiān)測器、商品名"L-3000"積分儀抹式會社日立制作所社制造GPC積分儀、商品名"D-2200"泵抹式會社日立制作所社制造、商品名"L-6000"脫氣裝置昭和電工株式會社制造、商品名"ShodexDEGAS"柱將日立化成工業(yè)抹式會社制造的商品名"GL-R440"、"GL-R430"、"GL-R420"的柱依次連接來使用洗脫液四氫呋喃(THF)測定溫度23。C流速1.75mL/分鐘測定時間45分鐘作為優(yōu)選的硅氧烷樹脂，可舉出例如以下述通式(1)表示的化合物為必要成分進(jìn)行水解縮合而得到的樹脂等，通式(1):R、SiX4-n...(1)。在此，式中W表示包含B原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子及Ti原子中的至少一種的基團(tuán)(除了碳原子數(shù)120的有機(jī)基團(tuán))、碳原子數(shù)120的有機(jī)基團(tuán)、H原子或F原子，X表示水解性基團(tuán)，n表示04的整數(shù)；n為2時各R'可以相同也可以不同，n為02時各X可以相同也可以不同。作為水解性基團(tuán)X,可舉出例如烷氧基、芳氧基、卣原子、乙酰氧基、異氰酸酯基和羥基。其中，從組合物自身的液態(tài)穩(wěn)定性和涂布特性等角度考慮，優(yōu)選烷氧基或芳氧基，更優(yōu)選烷氧基。作為水解性基團(tuán)X為烷氧基時由通式(1)表示的化合物(烷氧基硅烷)，可舉出例如各自可以被取代的四烷氧基硅烷、三烷氧基硅烷和二烷氧基硅烷。作為四烷氧基硅烷，可舉出例如四曱氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四正丙氧基硅烷、四異丙氧基硅烷、四正丁氧基硅烷、四仲丁氧基硅烷和四叔丁氧基硅坑。作為三烷氧基硅烷，可舉出例如三曱氧基硅烷、三乙氧基硅烷、三丙氧基硅烷、氟代三曱氧基硅烷、氟代三乙氧基硅烷、曱基三曱氧基硅烷、曱基三乙氧基硅烷、曱基三正丙氧基硅烷、曱基三異丙氧基硅烷、曱基三正丁氧基硅烷、曱基三異丁氧基硅烷、曱基三叔丁氧基硅烷、乙基三曱氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、乙基三正丙氧基硅烷、乙基三異丙氧基硅烷、乙基三正丁氧基硅烷、乙基三異丁氧基硅烷、乙基三叔丁氧基硅烷、正丙基三曱氧基硅烷、正丙基三乙氧基硅烷、正丙基三正丙氧基硅烷、正丙基三異丙氧基硅烷、正丙基三正丁氧基硅烷、正丙基三異丁氧基硅烷、正丙基三叔丁氧基硅烷、異丙基三曱氧基硅烷、異丙基三乙氧基硅烷、異丙基三正丙氧基硅烷、異丙基三異丙氧基硅烷、異丙基三正丁氧基硅烷、異丙基三異丁氧基硅烷、異丙基三叔丁氧基硅烷、正丁基三甲氧基硅烷、正丁基三乙氧基硅烷、正丁基三正丙氧基硅烷、正丁基三異丙氧基硅烷、正丁基三正丁氧基硅烷、正丁基三異丁氧基硅烷、正丁基三叔丁氧基硅烷、仲丁基三曱氧基硅烷、仲丁基三乙氧基硅烷、仲丁基三正丙氧基硅烷、仲丁基三異丙氧基硅烷、仲丁基三正丁氧基硅烷、仲丁基三異丁氧基硅烷、仲丁基三叔丁氧基硅烷、叔丁基三甲氧基硅烷、叔丁基三乙氧基硅烷、叔丁基三正丙氧基硅烷、叔丁基三異丙氧基硅烷、叔丁基三正丁氧基硅烷、叔丁基三異丁氧基硅烷、叔丁基三叔丁氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、苯基三正丙氧基硅烷、苯基三異丙氧基硅烷、苯基三正丁氧基硅烷、苯基三異丁氧基硅烷、苯基三叔丁氧基硅烷、三氟曱基三甲氧基硅烷、五氟乙基三甲氧基硅烷、3，3，3-三氟丙基三曱氧基硅烷及3,3,3-三氟丙基三乙氧基硅貌。作為二烷氧基硅烷，可舉出例如二甲基二曱氧基硅烷、二曱基二乙氧基硅烷、二曱基二正丙氧基硅烷、二甲基二異丙氧基硅烷、二曱基二正丁氧基硅烷、二曱基二仲丁氧基硅烷、二甲基二叔丁氧基硅烷、二乙基二曱氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、二乙基二正丙氧基硅烷、二乙基二異丙氧基硅烷、二乙基二正丁氧基硅烷、二乙基二仲丁氧基硅烷、二乙基二叔丁氧基硅烷、二正丙基二甲氧基硅烷、二正丙基二乙氧基硅烷、二正丙基二正丙氧基硅烷、二正丙基二異丙氧基硅烷、二正丙基二正丁氧基硅烷、二正丙基二仲丁氧基硅烷、二正丙基二叔丁氧基硅烷、二異丙基二甲氧基硅烷、二異丙基二乙氧基硅烷、二異丙基二正丙氧基硅烷、二異丙基二異丙氧基硅烷、二異丙基二正丁氧基硅烷、二異丙基二仲丁氧基硅烷、二異丙基二叔丁氧基硅烷、二正丁基二曱氧基硅烷、二正丁基二乙氧基硅烷、二正丁基二正丙氧基硅烷、二正丁基二異丙氧基硅烷、二正丁基二正丁氧基硅烷、二正丁基二仲丁氧基硅烷、二正丁基二叔丁氧基硅烷、二仲丁基二曱氧基硅烷、二仲丁基二乙氧基硅烷、二仲丁基二正丙氧基硅烷、二仲丁基二異丙氧基硅烷、二仲丁基二正丁氧基硅烷、二仲丁基二仲丁氧基硅烷、二仲丁基二叔丁氧基硅烷、二叔丁基二曱氧基硅烷、二叔丁基二乙氧基硅烷、二4又丁基二正丙氧基硅烷、二4又丁基二異丙氧基硅烷、二叔丁基二正丁氧基硅烷、二叔丁基二仲丁氧基硅烷、二叔丁基二叔丁氧基硅烷、二苯基二曱氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、二苯基二正丙氧基硅烷、二苯基二異丙氧基硅烷、二苯基二正丁氧基硅烷、二苯基二仲丁氧基硅烷、二苯基二叔丁氧基硅烷、二(3,3,3-三氟丙基)二曱氧基硅烷及曱基(3，3,3-三氟丙基)二曱氧基硅烷。作為水解性基團(tuán)X為芳氧基時由上述通式(1)表示的化合物，可舉出例如各自可以被取代的四芳氧基硅烷、三芳氧基硅烷和二芳氧基硅烷。作為四芳氧基硅烷，可舉出例如四苯氧基硅烷。作為三芳氧基硅烷，可舉出例如三苯氧基硅烷、甲基三苯氧基硅烷、乙基三苯氧基硅烷、正丙基三苯氧基硅烷、異丙基三苯氧基硅烷、仲丁基三苯氧基硅烷、叔丁基三苯氧基硅烷及苯基三苯氧基硅烷。作為二芳氧基硅烷，可舉出二甲基二苯氧基硅烷、二乙基二苯氧基硅烷、二正丙基二苯氧基硅烷、二異丙基二苯氧基硅烷、二正丁基二苯氧基硅烷、二異丁基二苯氧基硅烷、二叔丁基二苯氧基硅烷及二苯基二苯氧基硅烷。另外，作為R1為碳原子數(shù)120的有機(jī)基團(tuán)時由上述通式(1)表示的化合物，除了上述以外，還可舉出例如二(三曱氧基曱硅烷基)曱烷、二(三乙氧基甲硅烷基)甲烷、二(三正丙氧基曱硅烷基)曱烷、二(三異丙氧基曱硅烷基)曱烷、二(三曱氧基曱硅烷基)乙烷、二(三乙氧基曱硅烷基)乙烷、二(三正丙氧基曱硅烷基)乙烷、二(三異丙氧基甲硅烷基)乙烷、二(三甲氧基甲硅烷基)丙烷、二(三乙氧基曱硅烷基)丙烷、二(三正丙氧基曱硅烷基)丙烷和二(三異丙氧基曱硅烷基)丙烷等二甲硅烷基烷烴，以及二(三曱氧基甲硅烷基)苯、二(三乙氧基曱硅烷基)苯、二(三正丙氧基曱硅烷基)苯、二(三異丙氧基曱硅烷基)苯等二曱硅烷基苯。作為R'為包含Si原子的基團(tuán)時由通式(1)表示的化合物，可舉出例如六曱氧基二硅烷、六乙氧基二硅烷、六正丙氧基二硅垸及六異丙氧基二硅烷等六烷氧基二硅烷類，以及1，2-二曱基四曱氧基二硅烷、1，2-二甲基四乙氧基二硅烷及1，2-二曱基四丙氧基二硅烷等二烷基四烷氧基二硅烷類。作為水解性基團(tuán)X為鹵原子(鹵基)時由通式(1)表示的化合物(鹵化硅烷)，可舉出例如上述的各烷氧基硅烷分子中的烷氧基被卣原子取代的化合物。進(jìn)而，作為水解性基團(tuán)X為乙酰氧基時由通式(1)表示的化合物(乙酰氧基硅烷)，可舉出例如上述的各烷氧基硅烷分子中的烷氧基被乙酰氧基取代的化合物。進(jìn)而，作為水解性基團(tuán)X為異氰酸酯基時由通式(1)表示的化合物(異氰酸酯基硅烷)，可舉出例如上述的各烷氧基硅烷分子中的烷氧基被異氰酸酯基取代的化合物。再者，作為水解性基團(tuán)X為羥基時由通式(1)表示的化合物(羥基硅烷)，可舉出例如上述的各烷氧基硅烷分子中的烷氧基被羥基取代的化合物。這些由通式(l)表示的化合物可以單獨(dú)使用l種或者組合使用2種以上。另外，作為硅氧烷樹脂，也可以使用由通式(1)表示的化合物的多聚物等的部分縮合物水解縮合而得到的樹脂、由通式(1)表示的化合物的多聚物等的部分縮合物與由通式(1)表示的化合物水解縮合而得到的樹脂、由通式(1)表示的化合物與其他化合物水解縮合而得到的樹脂以及由通式(1)表示的化合物的多聚物等的部分縮合物與由通式(1)表示的化合物與其他化合物水解縮合而得到的樹脂等。作為由通式(1)表示的化合物的多聚物等的部分縮合物，可舉出例如六曱氧基二硅氧烷、六乙氧基二硅氧烷、六正丙氧基二硅氧烷及六異丙氧基二硅氧烷等六烷氧基二硅氧烷，進(jìn)行了部分縮合的三硅氧烷、四硅氧烷、低聚硅氧烷等。作為上述的"其他化合物"，可舉出例如具有聚合性雙鍵或三鍵的化合物。作為具有聚合性雙鍵的化合物，可舉出例如乙烯、丙烯、異丁烯、丁二烯、異戊二烯、氯乙烯、醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、己酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯、曱基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、丙基乙烯基醚、丙烯腈、苯乙烯、曱基丙烯酸、曱基丙烯酸曱酯、曱基丙烯酸乙酯、曱基丙烯酸正丙酯、曱基丙烯酸異丙酯、甲基丙歸酸正丁酯、丙烯酸、丙烯酸曱酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸苯酯、乙烯基吡啶、乙烯基咪唑、丙烯酰胺、烯丙基苯和二烯丙基苯以及這些化合物部分縮合后的化合物等。作為具有三鍵的化合物可舉出乙炔和乙炔基苯等。這樣得到的硅氧烷樹脂可以單獨(dú)使用l種或者組合使用2種以上。使通式(1)表示的化合物水解縮合時使用的水的量，優(yōu)選每1摩爾由通式(1)表示的化合物為0.1~1000摩爾，更優(yōu)選為0.5100摩爾。該水的量小于0.1摩爾時，水解縮合反應(yīng)有不充分地進(jìn)行的傾向；水的量超過1000摩爾時，水解中或縮合中有產(chǎn)生凝膠物的傾向。另外，由通式(1)表示的化合物在水解縮合時，優(yōu)選使用催化劑。作為這種催化劑的種類，可舉出例如酸催化劑、堿催化劑、金屬螯合化合物等。作為酸催化劑，可舉出例如有機(jī)酸和無機(jī)酸。作為有機(jī)酸，可舉出例如曱酸、馬來酸、富馬酸、酞酸、丙二酸、琥珀酸、酒石酸、蘋果酸、乳酸、檸檬酸、醋酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、草酸、己二酸、癸二酸、丁酸、油酸、硬脂酸、亞油酸、亞麻酸、水楊酸、苯磺酸、苯曱酸、對氨基苯曱酸、對曱苯磺酸、曱烷磺酸、三氟曱烷磺酸及三氟乙烷磺酸。作為無機(jī)酸，可舉出例如鹽酸、磷酸、硝酸、硼酸、辟u酸及氫氟酸等。其中，作為有機(jī)酸優(yōu)選馬來酸，作為無機(jī)酸優(yōu)選硝酸。這些酸催化劑可以單獨(dú)使用1種或者組合使用2種以上。作為堿催化劑，可舉出例如無機(jī)堿和有機(jī)堿。作為無機(jī)堿，可舉出例如氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銣及氫氧化銫等。作為有機(jī)-威，可舉出例如吡啶、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二曱基單乙醇胺、單曱基二乙醇胺、氨、四曱基氬氧化銨、四乙基氬氧化銨、四丙基氫氧化銨、曱胺、乙胺、丙胺、丁胺、戊胺、己胺、庚胺、辛胺、壬胺、癸胺、十一烷基胺、十二烷基胺、環(huán)戊胺、環(huán)己胺、N，N-二甲基胺、N,N-二乙基胺、N,N-二丙基胺、N,N-二丁基胺、N,N-二戊基胺、N，N-二己基胺、N,N-二環(huán)戊基胺、N，N-二環(huán)己基胺、三甲基胺、三乙基胺、三丙基胺、三丁基胺、三戊基胺、三己基胺、三環(huán)戊基胺和三環(huán)己基胺。這些堿催化劑可以單獨(dú)使用l種或者組合使用2種以上。作為金屬螯合化合物，只要是具有金屬和多配位基配位體的化合物就沒有特別限制，還可以具有有機(jī)基團(tuán)。作為金屬螯合化合物中的金屬，可舉出例如鈦、鋯、鋁等。作為多配位基配位體，可舉出例如乙酰丙酮離子和乙酰乙酸乙酯。作為有機(jī)基團(tuán)，可舉出例如曱氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基等烷氧基。作為金屬螯合化合物的具體例，可舉出三曱氧基.單(乙酰丙酮)鈦、三乙氧基.單(乙酰丙酮)鈦、三正丙氧基'單(乙酰丙酮)鈦、三異丙氧基.單(乙酰丙酮)鈦、三正丁氧基.單(乙酰丙酮)鈦、三仲丁氧基.單(乙酰丙酮)鈦、三叔丁氧基.單(乙酰丙酮)鈦、二曱氧基.二(乙酰丙酮)鈦、二乙氧基'二(乙酰丙酮)鈦、二正丙氧基.二(乙酰丙酮)鈦、二異丙氧基'二(乙酰丙酮)鈦、二正丁氧基.二(乙酰丙酮)鈦、二仲丁氧基.二(乙酰丙酮)鈦、二叔丁氧基.二(乙酰丙酮)鈦、單曱氧基.三(乙酰丙酮)鈦、單乙氧基.三(乙酰丙酮)鈦、單正丙氧基.三(乙酰丙酮)鈦、單異丙氧基.三(乙酰丙酮)鈦、單正丁氧基三(乙酰丙酮)鈦、單仲丁氧基'三(乙酰丙酮)鈦、單叔丁氧基.三(乙酰丙酮)鈦、四(乙酰丙酮)鈦、三曱氧基'單(乙酰乙酸乙酯)鈦、三乙氧基.單(乙酰乙酸乙酯)鈦、三正丙氧基.單(乙酰乙酸乙酯)鈦、三異丙氧基.單(乙酰乙酸乙酯)鈦、三正丁氧基單(乙酰乙酸乙酯)鈦、三仲丁氧基.單(乙酰乙酸乙酯)鈦、三叔丁氧基.單(乙酰乙酸乙酯)鈦、二曱氧基.二(乙酰乙酸乙酯)鈦、二乙氧基二(乙酰乙酸乙酯)鈦、二正丙氧基'二(乙酰乙酸乙酯)鈦、二異丙氧基，二(乙酰乙酸乙酯)鈦、二正丁氧基.二(乙酰乙酸乙酯)鈦、二仲丁氧基.二(乙酰乙酸乙酯)鈦、二叔丁氧基.二(乙酰乙酸乙酯)鈦、單甲氧基'三(乙酰乙酸乙酯)鈦、單乙氧基.三(乙酰乙酸乙酯)鈦、單正丙氧基'三(乙酰乙酸乙酯)鈦、單異丙氧基.三(乙酰乙酸乙酯)鈦、單正丁氧基.三(乙酰乙酸乙酯)鈦、單仲丁氧基.三(乙酰乙酸乙酯)鈦、單叔丁氧基.三(乙酰乙酸乙酯)鈦、四(乙酰乙酸乙酯)鈦等具有鈦的金屬螯合化合物，上述具有鈦的金屬螯合化合物的鈦被鋯、鋁等替換的化合物等。這些化合物可以單獨(dú)使用1種或者組合使用2種以上。由通式(1)表示的化合物的水解縮合時，優(yōu)選使用上述催化劑進(jìn)行水解。但是，二氧化硅系覆膜形成用組合物由于含有催化劑，也存在組合物的穩(wěn)定性惡化的情況和/或可能對其他材料產(chǎn)生腐蝕等影響的情況。這種情況下例如可以在水解后從組合物中除去上述催化劑，或者將催化劑與其他化合物反應(yīng)而使作為催化劑的功能失活。除去催化劑的方法和使催化劑反應(yīng)的方法沒有特別限制，可以采用蒸餾、離子色譜柱等進(jìn)行除去。由通式(1)表示的化合物得到的水解生成物，可以通過再沉降等從組合物中耳又出。另外，作為通過反應(yīng)使作為催化劑的功能失活的方法，例如催化劑為,威催化劑時，可舉出添加酸催化劑，利用酸堿反應(yīng)進(jìn)行中和或者使pH為酸性側(cè)的方法。同樣，催化劑為酸催化劑時，可舉出添加堿催化劑，利用酸堿反應(yīng)進(jìn)行.中和或者使pH為堿性側(cè)的方法。該催化劑的使用量，相對于1摩爾由通式(1)表示的化合物優(yōu)選為0.0001~1摩爾的范圍。該使用量小于0.0001摩爾時，有實(shí)質(zhì)上不進(jìn)行反應(yīng)的傾向；超過l摩爾時，水解縮合時有促進(jìn)凝膠化的傾向。進(jìn)而，由于通過該水解副產(chǎn)生的醇為質(zhì)子性溶劑，因此優(yōu)選使用蒸發(fā)器等進(jìn)行除去。從對溶劑的溶解性、機(jī)械特性、成型性等角度考慮，這樣得到的樹脂的重均分子量優(yōu)選為5001000000,更優(yōu)選為500500000，進(jìn)一步優(yōu)選為500~100000,特別優(yōu)選為50010000,尤其優(yōu)選為500~5000。該重均分子量小于500時，有防反射膜的成膜性差的傾向；該重均分子量超過1000000時，有與溶劑的相溶性降低的傾向。當(dāng)要求二氧化硅系覆膜形成用組合物與涂布其的底層的粘接性和機(jī)械強(qiáng)度時，形成硅氧烷樹脂的硅氧烷鍵的每1個Si原子所結(jié)合的選自由H原子、F原子、B原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子、Ti原子和C原子形成的組中的至少一種原子的總數(shù)(將其定義為特定結(jié)合原子(通式(1)中的R1)的總數(shù)(M))優(yōu)選為1.30~0.20，更優(yōu)選為1.000.20,特別優(yōu)選為0.卯0.20,尤其優(yōu)選為0.800.20。這樣，可以抑制二氧化硅系覆膜對玻璃體等的粘接性和機(jī)械強(qiáng)度的降低。該特定結(jié)合原子的總數(shù)(M)小于0.20時，有二氧化硅系覆膜的介電特性差的傾向；超過1.30時，最終得到的防反射膜與玻璃體等的粘接性和機(jī)械強(qiáng)度等會較差。另外，上述的特定結(jié)合原子中，在二氧化硅系覆膜的成膜性方面，優(yōu)選含有選自由H原子、F原子、N原子、Si原子、Ti原子和C原子形成的組中的至少一種原子；其中，在介電特性和機(jī)械強(qiáng)度方面，更優(yōu)選含有選自由H原子、F原子、N原子、Si原子和C原子形成的組中的至少一種原子。另外，特定結(jié)合原子的總數(shù)(M)可以從硅氧烷樹脂的加入量求出，例如可以采用由下述式(A)表示的關(guān)系算出。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>式中，Ml表示特定結(jié)合原子中與單一(僅僅一個)Si原子結(jié)合的原子的總數(shù)，M2表示特定結(jié)合原子中與2個Si原子結(jié)合的原子的總數(shù)，M3表示特定結(jié)合原子中與3個Si原子結(jié)合的原子的總數(shù)，Msi表示Si原子的總數(shù)。這種硅氧烷樹脂可以單獨(dú)使用l種或組合使用2種以上。作為組合2種以上硅氧烷樹脂的方法，可舉出例如組合具有不同重均分子量的2種以上硅氧烷樹脂的方法、組合以不同化合物為必要成分進(jìn)行水解縮合而得到的2種以上硅氧烷樹脂的方法等?！?b)成分〉(b)成分只要是可溶解(a)成分的溶劑就沒有特別限制。作為(b)成分，可舉出例如不顯示供質(zhì)子性的非質(zhì)子性溶劑和顯示供質(zhì)子性的質(zhì)子性溶劑。這些溶劑可以單獨(dú)使用l種或組合使用2種以上。作為非質(zhì)子性溶劑，可舉出例如丙酮、甲基乙基酮、曱基正丙基酮、曱基異丙基酮、曱基正丁基酮、甲基異丁基酮、曱基正戊基酮、曱基正己基酮、二乙基酮、二丙基酮、二異丁基酮、三曱基壬酮、環(huán)己酮、環(huán)戊酮、曱基環(huán)己酮、2，4-戊二酮、丙酮基丙酮、，丁內(nèi)酯和？戊內(nèi)酯等酮系溶劑，二乙基醚、甲基乙基醚、曱基正二正丙基醚、二異丙基醚、四氫呋喃、曱基四氫呋喃、二噁烷、二曱基二噁烷、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇二正丙基醚、乙二醇二丁基醚、二甘醇二甲基醚、二甘醇二乙基醚、二甘醇曱基乙基醚、二甘醇曱基單正丙基醚、二甘醇曱基單正丁基醚、二甘醇二正丙基醚、二甘醇二正丁基醚、二甘醇甲基單正己基醚、三甘醇二甲基醚、三甘醇二乙基醚、三甘醇甲基乙基醚、三甘醇曱基單正丁基醚、三甘醇二正丁基醚、三甘醇曱基單正己基醚、四甘醇二曱基醚、四甘醇二乙基醚、四甘醇曱基乙基醚、四甘醇曱基單正丁基醚、二甘醇二正丁基醚、四甘醇曱基單正己基醚、四甘醇二正丁基醚、丙二醇二曱基醚、丙二醇二乙基醚、丙二醇二正丙基醚、丙二醇二丁基醚、二丙二醇二曱基醚、二丙二醇二乙基醚、二丙二醇曱基乙基醚、二丙二醇曱基單正丁基醚、二丙二醇二正丙基醚、二丙二醇二正丁基醚、二丙二醇曱基單正己基醚、三丙二醇二曱基醚、三丙二醇二乙基醚、三丙二醇曱基乙基醚、三丙二醇曱基單正丁基醚、三丙二醇二正丁基醚、三丙二醇甲基單正己基醚、四丙二醇二甲基醚、四丙二醇二乙基醚、四丙二醇曱基乙基醚、四丙二醇曱基單正丁基醚、二丙二醇二正丁基醚、四丙二醇甲基單正己基醚和四丙二醇二正丁基醚等醚系溶劑，醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸正丙酯、醋酸異丙酯、醋酸正丁酯、醋酸異丁酯、醋酸仲丁酯、醋酸正戊酯、醋酸仲戊酯、醋酸-3-曱氧基丁酯、醋酸曱基戊酯、醋酸-2-乙基丁酯、醋酸-2-乙基己酯、醋酸節(jié)酯、醋酸環(huán)己酯、醋酸曱基環(huán)己酯、醋酸壬酯、乙酰醋酸甲酯、乙酰醋酸乙酯、醋酸二甘醇單甲基醚、醋酸二甘醇單乙基醚、醋酸二甘醇單正丁基醚、醋酸二丙二醇單曱基醚、醋酸二丙二醇單乙基醚、二醋酸乙二醇酯、醋酸甲氧基三甘醇酯、丙酸乙酯、丙酸正丁酯、丙酸異戊酯、草酸二乙酯和草酸二正丁酯等酯系溶劑，乙二醇曱基醚丙酸酯、乙二醇乙基醚丙酸酯、乙二醇曱基醚醋酸酯、乙二醇乙基醚醋酸酯、二甘醇曱基醚醋酸酯、二甘醇乙基醚醋酸酯、二甘醇正丁基醚醋酸酯、丙二醇曱基醚醋酸酯、丙二醇乙基醚醋酸酯、丙二醇丙基醚醋酸酯、二丙二醇曱基醚醋酸酯和二丙二醇乙基醚醋酸酯等醚醋酸酯系溶劑，乙腈、N-曱基吡咯烷二酮、N-乙基吡咯烷二酮、N-丙基吡咯烷二酮、N-丁基吡咯烷二酮、N-己基吡咯烷二酮、N-環(huán)己基吡咯烷二酮、N，N-二甲基曱酰胺、N,N-二曱基乙酰胺以及N,N-二曱基亞砜等。這些非質(zhì)子性溶劑中，從厚膜化的角度考慮，優(yōu)選從由醚系溶劑、醚醋酸酯系溶劑和酮系溶劑形成的組中選出的l種以上的溶劑。進(jìn)而，從抑制涂布不均和凹陷的角度考慮，這些溶劑中首先優(yōu)選醚醋酸酯系溶劑，其次優(yōu)選醚系溶劑，第三優(yōu)選酮系溶劑。這些溶劑可以單獨(dú)使用1種或組合使用2種以上。作為質(zhì)子性溶劑，可舉出例如曱醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、仲丁醇、叔丁醇、正戊醇、異戊醇、2-曱基丁醇、仲戊醇、叔戊醇、3-曱氧基丁醇、正己醇、2-甲基戊醇、仲己醇、2-乙基丁醇、仲庚醇、正辛醇、2-乙基己醇、仲辛醇、正壬醇、正癸醇、仲十一烷醇、三曱基壬醇、仲十四烷醇、仲十七烷醇、苯酚、環(huán)己醇、甲基環(huán)己醇、節(jié)醇、乙二醇、1,2-丙二醇、1，3-丁二醇、二甘醇、二丙二醇、三甘醇和三丙二醇等醇系溶劑，乙二醇曱基醚、乙二醇乙基醚、乙二醇單苯基醚、二甘醇單曱基醚、二甘醇單乙基醚、二甘醇單正丁基醚、二甘醇單正己基醚、乙氧基三甘醇、四甘醇單正丁基醚、丙二醇單曱基醚、二丙二醇單曱基醚、二丙二醇單乙基醚和三丙二醇單曱基醚等醚系溶劑，以及乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯和乳酸正戊酯等酯系溶劑等。這些質(zhì)子性溶劑中，從保存穩(wěn)定性的角度考慮，優(yōu)選醇系溶劑。進(jìn)而，其中，從抑制涂布不均和凹陷的角度考慮，優(yōu)選從由乙醇、異丙醇和丙二醇丙基醚形成的組中選擇的1種以上的溶劑。這些溶劑可以單獨(dú)使用1種或組合使用2種以上。非質(zhì)子性溶劑的配合比例相對于二氧化硅系覆膜形成用組合物中的全部溶劑量優(yōu)選為70質(zhì)量％90質(zhì)量％,更優(yōu)選為75質(zhì)量％85質(zhì)量％，特別優(yōu)選為73質(zhì)量％~83質(zhì)量％。該配合比例小于70質(zhì)量％時，有容易發(fā)生涂布不均的傾向；超過90質(zhì)量％時，有穩(wěn)定性降低的傾向。質(zhì)子性溶劑的配合比例相對于二氧化硅系覆膜形成用組合物中的全部溶劑量優(yōu)選為0.1質(zhì)量％15質(zhì)量％,更優(yōu)選為0.5質(zhì)量％10質(zhì)量％,特別優(yōu)選為1.0質(zhì)量％7質(zhì)量％。該配合比例小于0.1質(zhì)量％時，有穩(wěn)定性降低的傾向；超過15質(zhì)量％時，有容易發(fā)生涂布不均的傾向。(b)成分向二氧化硅系覆膜形成用組合物中的配合方法沒有特別限制。作為其配合方法，可舉出例如用作調(diào)制(a)成分時的溶劑的方法、調(diào)制U)成分后進(jìn)行添加的方法、進(jìn)行溶劑交換的方法、通過溶劑蒸餾等提取出(a)成分后加入(b)成分的方法等?？偭?的配合比例，優(yōu)選二氧化硅系覆膜形成用組合物中的(a)成分(硅氧烷樹脂)的濃度為530質(zhì)量％這樣的量，更優(yōu)選為1030質(zhì)量％這樣的量，進(jìn)一步優(yōu)選為13~30質(zhì)量％這樣的量，特別優(yōu)選為1530質(zhì)量％這樣的量，尤其優(yōu)選為15~25質(zhì)量％這樣的量。溶劑量過多，(a)成分的濃度小于5質(zhì)量％時，難以形成具有期望膜厚的二氧化硅系覆膜。另外，溶劑量過少，U)成分的濃度超過30質(zhì)量％時，二氧化硅系覆膜的成膜性等會惡化，而且組合物自身的穩(wěn)定性會降低?！?C)成分〉(c)成分為固化促進(jìn)催化劑。該固化促進(jìn)催化劑是在溶液中不顯示催化作用、在涂布后的涂膜中顯示活性的特異的物質(zhì)。固化促進(jìn)催化劑只要是具有固化促進(jìn)催化能力的物質(zhì)就沒有特別限制。以下14表示調(diào)查固化促進(jìn)催化劑的固化促進(jìn)催化能力的方法。1.首先，準(zhǔn)備包括(a)成分和(c)成分的組合物。2.接著，在硅晶片上涂布準(zhǔn)備好的組合物，使得烘焙(燒成)后的膜厚為l.O士O.lpm。接著，以規(guī)定溫度對涂布后的組合物烘焙30秒鐘后，測定得到的覆膜的膜厚。此時，該膜厚成為l.O士O.liim即可。3.接著，將層疊了覆膜的硅晶片在23士2。C的2.38質(zhì)量％四曱基氫氧化銨(TMAH)水溶液中浸漬30秒鐘，進(jìn)而進(jìn)行水洗和干燥，再次測定覆膜的膜厚。此時，將TMAH水溶液浸漬前后的覆膜的膜厚變化相對于浸漬前的膜厚為20%以內(nèi)的烘焙時的最低溫度設(shè)定為不溶解溫度。4.接著，在上述包括(a)成分和(c)成分的組合物中，以相對于(a)成分的總量為0.01質(zhì)量％添加想確認(rèn)是否有固化促進(jìn)催化能力的化合物，得到新的組合物。針對得到的組合物實(shí)施與上述2和3同樣的處理，求出新的組合物的不溶解溫度。其結(jié)果是，通過添加想確認(rèn)是否有固化促進(jìn)催化能力的化合物，如果組合物的不溶解溫度降低，則判斷該化合物具有固化促進(jìn)催化能力。作為(c)成分的固化促進(jìn)催化劑，可舉出例如氫氧化鈉、氯化鈉、氫氧化鉀、氯化鉀等具有固化促進(jìn)催化能力的堿金屬類、錄鹽等。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用1種或組合使用2種以上。其中，從能夠提高得到的二氧化硅系覆膜的電特性和機(jī)械強(qiáng)度，進(jìn)而能夠提高組合物的穩(wěn)定性的角度考慮，優(yōu)選為具有固化促進(jìn)催化能力的鐵鹽，更優(yōu)選為具有固化促進(jìn)催化能力的季銨鹽。作為鐺鹽之一，例如可舉出由含氮化合物以及選自含陰離子性基團(tuán)化合物和面原子中的至少一種形成的鹽。與上述含氮化合物的氮結(jié)合的原子優(yōu)選為選自由H原子、F原子、B原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子、Ti原子和C原子形成的組中的至少一種原子。另外，作為上述陰離子性基團(tuán)，可舉出例如羥基、硝酸基、硫酸基、羰基、羧基、碳酸酯基和苯氧基等。作為鐵鹽，可舉出例如氫氧化銨、氟化銨、氯化銨、溴化銨、碘化銨、磷酸銨、賄S吏銨、硼酸銨、硫酸銨、甲酸銨、馬來酸銨、富馬酸銨、酞酸銨、丙二酸銨、琥珀酸銨、酒石酸銨、蘋果酸銨、乳酸銨、檸檬酸銨、醋酸銨、丙酸銨、丁酸銨、戊酸銨、己酸銨、庚酸銨、辛酸銨、壬酸銨、癸S臾銨、草酸銨、己二酸銨、癸二酸銨、丁酸銨、油酸銨、硬脂酸銨、亞油酸銨、亞麻酸銨、水楊酸銨、苯磺酸銨、苯曱酸銨、對氨基苯甲酸銨、對甲苯磺酸銨、曱烷磺酸銨、三氟曱烷磺酸銨及三氟乙烷磺酸銨等銨鹽。另外，還可舉出上述銨鹽中的銨離子被甲基銨離子、二甲基銨離子、三曱基銨離子、四曱基銨離子、乙基銨離子、二乙基銨離子、三乙基銨離子、四乙基銨離子、丙基銨離子、二丙基銨離子、三丙基銨離子、四丙基銨離子、丁基銨離子、二丁基銨離子、三丁基銨離子、四丁基銨離子、乙醇銨離子、二乙醇銨離子、三乙醇銨離子等取代的銨鹽等。這些鏠鹽中，從二氧化硅系覆膜的固化促進(jìn)的角度考慮，優(yōu)選銨鹽，更優(yōu)選從由硝酸四曱基銨、醋酸四曱基銨、丙酸四曱基銨、馬來酸四曱基銨和^L酸四曱基銨形成的組中選擇的1種以上的銨鹽。這些銨鹽可以單獨(dú)使用1種或組合使用2種以上。相對于二氧化硅系覆膜形成用組合物中的(a)成分100質(zhì)量份，(c)成分的配合比例優(yōu)選為0.00101.0重量份，更優(yōu)選為0.00501.0質(zhì)量份，特別優(yōu)選為0.00500.50質(zhì)量份。該配合比例小于0.0010質(zhì)量份時，有固化性降低的傾向，并且，用于顯示器用途等時，防反射膜的折射率有上升的傾向。另一方面，該配合比例超過l.O質(zhì)量份時，二氧化硅系覆膜形成用組合物的保存穩(wěn)定性有降低的傾向。錢l鹽可以根據(jù)需要由水或溶劑進(jìn)行溶解或稀釋，然后添加到二氧化硅系覆膜形成用組合物中，調(diào)節(jié)成期望的濃度。另外，向二氧化硅系覆膜形成用組合物中添加鐵鹽的時機(jī)沒有特別限制。該時機(jī)例如可以是進(jìn)行(a)成分的水解的時刻、水解中、反應(yīng)結(jié)束時、蒸餾去除溶劑前后、添加酸產(chǎn)生劑的時刻等。進(jìn)而，本實(shí)施方式的二氧化硅系覆膜形成用組合物根據(jù)需要也可以含有水，優(yōu)選在不損害目標(biāo)特性的范圍內(nèi)?！?d)成分〉除了上述(a)(c)成分以外，本實(shí)施方式的二氧化硅系覆膜形成用組合物還可以含有(d)成分空隙形成劑。由此可以進(jìn)一步降低防反射膜的折射率。作為空隙形成劑的具體例，可舉出例如乙烯基醚系化合物、具有聚氧乙烯單元和/或聚氧丙烯單元等聚氧化烯單元的乙烯基系化合物或其聚合物等具有聚氧化蹄單元的化合物、乙烯基吡啶系化合物、苯乙烯系化合物、烷基酯乙烯基系化合物、(曱基)丙烯酸酯系化合物、聚酯、聚碳酸酯、聚酸酐等。其中，從聚合物的分解特性和膜的機(jī)械強(qiáng)度的角度考慮，優(yōu)選具有聚氧化烯單元的聚合物，特別優(yōu)選具有聚氧丙烯單元的聚合物。作為上述聚氧化烯單元，可舉出例如聚氧乙烯單元、聚氧丙烯單元、聚氧四亞曱基單元和聚氧丁烯單元。作為具有聚氧化烯單元的化合物，更具體地可舉出例如聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯固醇醚、聚氧乙烯羊毛脂衍生物、烷基苯酚曱醛縮合物的氧化乙烯衍生物、聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物、聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚等醚型化合物，聚氧乙烯甘油脂肪酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯和聚氧乙烯脂肪酸烷醇酰胺硫酸鹽等醚酯型化合物，聚乙二醇脂肪酸酯、乙二醇脂肪酸酯、脂肪酸單甘油酯、聚甘油脂肪酸酯、脫水山梨糖醇脂肪酸酯、丙二醇脂肪酸酯等酯型化合物，乙二醇、二甘醇、三甘醇、丙二醇、聚乙二醇和聚丙二醇等二醇型化合物等。作為(曱基)丙烯酸酯系化合物，可舉出例如丙烯酸烷基酯、曱基丙烯酸烷基酯、丙烯酸烷氧基烷基酯、曱基丙烯酸烷基酯和甲基丙烯酸烷氧基烷基酯。作為丙烯酸烷基酯，可舉出例如丙烯酸曱酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸戊酯和丙烯酸己酯等碳原子數(shù)16的丙烯酸烷基酯。作為曱基丙烯酸烷基酯，可舉出例如甲基丙烯酸曱酯、曱基丙烯酸乙酯、曱基丙烯酸正丙酯、曱基丙烯酸異丙酯、曱基丙烯酸正丁酯、曱基丙烯酸異丁酯、曱基丙烯酸戊酯和甲基丙烯酸己酯等碳原子數(shù)16的曱基丙烯酸烷基酯。作為丙烯酸烷氧基烷基酯，可舉出例如丙烯酸曱氧基曱酯和丙烯酸乙氧基乙酯等。作為甲基丙烯酸烷氧基烷基酯，可舉出曱基丙烯酸曱氧基甲酯和曱基丙烯酸乙氧基乙酯等。(甲基)丙烯酸酯系化合物也可以使用與具有羥基的化合物的共聚物。作為具有羥基的化合物，可舉出例如丙烯酸-2-羥基乙酯、丙烯酸二甘醇酯、丙烯酸-2-幾基丙酯、丙烯酸二丙二醇酯、甲基丙烯酸、曱基丙烯酸-2-羥基乙酯、曱基丙烯酸二甘醇酯、曱基丙烯酸-2-羥基丙酯和曱基丙烯酸二丙二醇酯等。作為聚酯，可舉出例如羥基羧酸的縮聚物、內(nèi)酯的開環(huán)聚合物、脂肪族多元醇和脂肪族多元羧酸的縮聚物等。作為聚碳酸酯，可舉出例如聚碳酸亞乙酯、聚碳酸亞丙酯、聚碳酸三亞曱基酯、聚碳酸四亞甲基酯、聚碳酸五亞甲基酯和聚碳酸六亞甲基酯等碳酸與烷二醇的縮聚物。作為聚酸肝，可舉出聚丙二酰氧、聚己二酰氧、聚庚二酰氧、聚辛二酰氧、聚壬二酰氧和聚癸二酰氧等二羧酸的縮聚物等。另外，從對溶劑的溶解性、與硅氧烷樹脂的相溶性、膜的機(jī)械特性、膜的成型性等方面考慮，空隙形成劑的重均分子量優(yōu)選為20010000，更優(yōu)選為300~5000,進(jìn)一步優(yōu)選為400~2000。在此，重均分子量為通過凝膠滲透色譜法(GPC)進(jìn)行測定、使用標(biāo)準(zhǔn)聚苯乙烯的校準(zhǔn)曲線而換算的值。以二氧化硅系覆膜形成用組合物的總重量為基準(zhǔn)，(d)成分的配合比例優(yōu)選為0.1~10質(zhì)量％，更優(yōu)選為1~5質(zhì)量％。該配合比例小于0.1質(zhì)量％時，有空隙形成不充分的傾向。另一方面，超過10質(zhì)量％時，膜強(qiáng)度有時會降低?！雌渌煞帧翟诓粨p害本發(fā)明的目的和效果的范圍內(nèi)，本實(shí)施方式的二氧化硅系覆膜形成用組合物還可以添加表面活性劑、硅烷偶聯(lián)劑、增粘劑、無機(jī)填充劑等。并且，也可以對作為(a)成分的硅氧烷樹脂賦予空隙形成能力。另外，二氧化硅系覆膜形成用組合物中還可以含有光致酸產(chǎn)生劑或光致堿產(chǎn)生劑。為了調(diào)節(jié)二氧化硅系覆膜的膜厚，例如可以調(diào)節(jié)上述的二氧化硅系覆膜形成用組合物中的(a)成分的濃度。另外，使用旋轉(zhuǎn)涂布法時，可以通過調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)速和涂布次數(shù)來調(diào)節(jié)膜厚。調(diào)節(jié)(a)成分的濃度來控制膜厚的情況下，可以通過例如增加膜厚時提高(a)成分的濃度、減小膜厚時降低(a)成分的濃度來進(jìn)行控制。另外，采用旋轉(zhuǎn)涂布法來調(diào)節(jié)膜厚的情況下，例如增加膜厚時可以降低轉(zhuǎn)速，或者增加涂布次數(shù)。減小膜厚時，可以增加轉(zhuǎn)速，或者減少涂布次數(shù)。在溶劑除去工序中溶劑除去(干燥)溫度只要是能夠除去溶劑的溫度就沒有特別限制，根據(jù)溶劑的種類而不同。該溶劑除去溫度優(yōu)選為5035(TC，更優(yōu)選為100300°C。該溫度小于50。C時，有難以充分地除去涂膜中的溶劑的傾向；超過35(TC時，膜厚容易變得不均勻。溶劑的除去例如可以通過在熱板上放置形成了涂膜的玻璃體或者在加熱爐中放入形成了涂膜的玻璃體，以規(guī)定溫度加熱來進(jìn)行。但是，溶劑的除去方法并不限于這些。另外，根據(jù)后述的燒結(jié)強(qiáng)化工序中的各條件也可以省略溶劑除去工序。[燒結(jié)強(qiáng)化工序]在燒結(jié)強(qiáng)化工序中，至少同時進(jìn)行由溶劑除去工序得到的涂膜的燒結(jié)處理和上述玻璃體的強(qiáng)化處理。以下對采用玻璃板作為玻璃體的情況的一個實(shí)施方式進(jìn)行說明。首先，在適當(dāng)板厚的玻璃板的主面上涂布上述二氧化石圭系覆膜形成用組合物而得到涂膜，根據(jù)需要準(zhǔn)備除去了涂膜中的溶劑的層疊體。接著，將該層疊體放入加熱爐中進(jìn)行加熱。該加熱處理不僅是涂膜的燒結(jié)處理，同時也是對玻璃板進(jìn)行強(qiáng)化的一個工序。加熱溫度優(yōu)選為30080(TC左右，更優(yōu)選為400800。C左右，進(jìn)一步優(yōu)選為40070(TC左右，特別優(yōu)選為450650。C左右，尤其優(yōu)選為500600。C左右。加熱溫度低于300。C時，沒有達(dá)到玻璃的應(yīng)變點(diǎn)，難以對玻璃進(jìn)行強(qiáng)化。加熱溫度超過80(TC時，得到的防反射膜容易成為大量有機(jī)基團(tuán)脫離的狀態(tài)。因此，該防反射膜通過例如85°C、85。/。RH條件下的恒溫恒濕試驗(yàn)等可靠性試驗(yàn)容易發(fā)生劣化。為了抑制燒結(jié)強(qiáng)化工序后的層疊體產(chǎn)生翹曲，可以縮短燒結(jié)強(qiáng)化工序時的加熱時間，或者降低加熱溫度。另外，為了進(jìn)一步強(qiáng)化玻璃板，優(yōu)選在比玻璃板材料的JISR3103-1所規(guī)定的軟化點(diǎn)低15(TC的溫度至比該軟化點(diǎn)高15(TC的溫度范圍設(shè)定加熱溫度。進(jìn)而，該加熱溫度更優(yōu)選為比上述軟化點(diǎn)低iocrc的溫度至比該軟化點(diǎn)高IO(TC的溫度范圍，進(jìn)一步優(yōu)選為比上述軟化點(diǎn)低70。C的溫度至比該軟化點(diǎn)高7crc的溫度范圍，特別優(yōu)選為比上述軟化點(diǎn)低5crc的溫度至比該軟化點(diǎn)高5(TC的溫度范圍。另外，在不需要玻璃體(玻璃板)的強(qiáng)化，而特別發(fā)揮防反射效果時，上述加熱溫度可以為300500°C。加熱處理后的層疊體從加熱爐取出，立刻對其表面吹空氣來進(jìn)行冷卻。玻璃板的強(qiáng)化基于玻璃板的表面和內(nèi)部間的應(yīng)力差異來進(jìn)行。該玻璃板的強(qiáng)化例如通過重復(fù)玻璃板的加熱處理-冷卻處理的循環(huán)來進(jìn)行。涂布有本實(shí)施方式的二氧化硅系覆膜形成用組合物的面與玻璃板內(nèi)部相比，熱膨脹率會存在特別大的差異。因此，利用通常的玻璃板的強(qiáng)化處理，玻璃板自身可能會發(fā)生翹曲。從而，這種情況下，通過在涂布有二氧化硅系覆膜形成用組合物的面和未涂布的面上改變對玻璃板表面吹送的空氣的量、改變各面的冷卻速度，可以避免翹曲等變形。更具體而言，首先，一邊將應(yīng)燒結(jié)處理和強(qiáng)化處理的層疊體用搬運(yùn)輥水平地搬運(yùn)到輥底爐式加熱爐內(nèi)，一邊加熱至以用于加熱玻璃板的充分溫度例如500600°C。隨后，從輥底爐式加熱爐取出的層疊體被移送至在冷卻爐內(nèi)上下對向配置的風(fēng)吸出口間。接著，從這些風(fēng)吸出口對層疊體表面吹風(fēng)(例如空氣流)，冷卻至玻璃板的溫度達(dá)到應(yīng)變點(diǎn)以下(通常的鈉鈣玻璃的情況為520°C以下、優(yōu)選480。C以下)。吹送的空氣流的溫度例如可以為2540(TC,空氣流的吹送壓力可以為0.110kgf/cm2。風(fēng)吹出口或冷卻爐壁優(yōu)選采用進(jìn)行了鏡面加工的SUS304等材質(zhì)而使輻射率為0.1以下。由此，可以抑制福射引起的玻璃板的冷卻，從而更容易通過空氣流控制玻璃板表面的冷卻熱傳遞率。與通常相比可以增加玻璃板表面的冷卻熱傳遞率來進(jìn)行冷卻的話，可以在200900秒鐘左右的時間進(jìn)行加熱處理-冷卻處理這樣1個循環(huán)。上述燒結(jié)強(qiáng)化工序中涂膜的燒結(jié)處理和玻璃板的強(qiáng)化處理利用了輥底爐式加熱爐來進(jìn)行，但燒結(jié)處理和強(qiáng)化處理并不限于上述方法。例如也可以是利用燃?xì)鉅t式加熱爐，一邊水平地搬運(yùn)層疊體一邊進(jìn)行加熱，在層疊體從燃?xì)鉅t式加熱爐的出口出去后立刻冷卻層疊體的方法?；蛘撸部梢圆捎靡贿呌玫醣鄣踝盈B體進(jìn)行拍3:運(yùn)一邊在加熱爐內(nèi)加熱，在層疊體從該加熱爐的出口出去后立刻冷卻層疊體的方法。玻璃板內(nèi)部的中心部的拉伸應(yīng)力和玻璃板表面的壓縮應(yīng)力依賴于玻璃板內(nèi)部的中心部溫度經(jīng)過玻璃的固化溫度(通常的鈉鈣玻璃的情況為560570。C)而變化時的玻璃板表面和中心部的溫度差(溫度分布)。從而，玻璃板的強(qiáng)化處理時的各條件(加熱溫度、加熱時間等)可根據(jù)期望的玻璃板的強(qiáng)化度、即上述#>伸應(yīng)力和壓縮應(yīng)力來確定。本實(shí)施方式中，由于主要以上述的二氧化硅系覆膜形成用組合物為防反射膜原料，可以形成折射率為1.3左右的防反射膜。另外，本實(shí)施方式中針對玻璃體為板狀的玻璃板的情況進(jìn)行了說明，但玻璃體的形狀并不限于板狀。玻璃體的形狀只要是適于光學(xué)部件、透鏡、棱鏡、光盤、照相機(jī)鏡頭、眼鏡、液晶屏、等離子顯示器、布勞恩管、顯示器、機(jī)器儀表罩、太陽能電池、太陽能電池板(太陽能電池組件)、太陽光收集器、窗玻璃、車輛用玻璃及展覽窗玻璃等用途的形狀即可。因此，例如可以是透鏡狀、圓筒狀等。本發(fā)明的防反射膜特別適宜用作在太陽能電池組件的覆蓋玻璃上、建材用玻璃上、汽車用玻璃上、顯示器用玻璃上形成的防反射膜。接著，參照附圖針對將本實(shí)施方式的防反射膜及其形成方法應(yīng)用于制造太陽能電池組件的情況進(jìn)行說明。圖1為表示在白板強(qiáng)化玻璃上形成本實(shí)施方式的防反射膜而得到的層疊體的截面示意圖。圖1所示的層疊體100具備白板強(qiáng)化玻璃57和在其表面上形成的防反射膜(二氧化硅系覆膜)60。該層疊體100通過采用白板玻璃作為上述的防反射膜形成方法中的玻璃板來制作。該層疊體用作后述的太陽能電池組件的表面透明部件。圖3為主要表示本實(shí)施方式的硅太陽能電池(以下簡稱為"太陽能電池")的表面?zhèn)?a)和背面?zhèn)?b)的電極配置的平面示意圖。在太陽能電池的表面?zhèn)?a)設(shè)置有防反射膜4,用于抑制光反射，盡可能多地在p型硅襯底1上釆入太陽光。另外，在表面?zhèn)?a)配置了用于收集在硅襯底1中局部產(chǎn)生的電能的表面銀電極(柵電極)7以及用于向外部取出收集的電能的表面銀電極(匯流電極)IO。為了遮擋入射的太陽光，在提高發(fā)電效率的方面優(yōu)選盡可能減小表面電極的電極總面積。從而，在太陽能電池的表面?zhèn)?a)，表面銀電極(柵電極)7如圖所示優(yōu)選為梳子形，表面銀電極(匯流電極)IO如圖所示優(yōu)選為帶狀。另外，從成本和性能的角度考慮，表面電極材料優(yōu)選以銀為主成分。在太陽能電池的背面?zhèn)?b),為了減少在背面?zhèn)犬a(chǎn)生的電阻抗引起的損失，在整個背面設(shè)置了背面鋁電極8，并配置了背面4艮電極(匯流電極)ll用于集電。如后面所述，背面鋁電極8形成在電極燒結(jié)時改善發(fā)電能力的BSF(背面區(qū)域，BackSurfaceField)層即p+層9(在圖3中未圖示)。圖4為表示本實(shí)施方式的硅太陽能電池的制造工序(a)(g)的工藝截面圖。(f)所示的截面相當(dāng)于圖3(a)所示的A-A線處的截面的一部分。另外，現(xiàn)在產(chǎn)量最多的太陽能電池多為采用多晶硅襯底或單晶硅襯底的結(jié)晶系太陽能電池，多數(shù)采用厚度幾百微米厚的p型硅襯底。下述說明以p型結(jié)晶系太陽能電池為例進(jìn)行說明。圖4的(a)工序中準(zhǔn)備p型硅襯底1。在(b)工序中，例如采用數(shù)質(zhì)量％20質(zhì)量°/。濃度的氫氧化鈉、碳酸鈉，將由鑄錠進(jìn)行切割時產(chǎn)生的硅襯底1表面的損傷層除去1020|im厚的程度。隨后，以向同樣的堿低濃度溶液添加了IPA(異丙醇)的溶液進(jìn)行各向異性蝕刻，形成紋理面2使得硅結(jié)晶的(111)面露出于表面。接著，在(c)工序中，例如在氧氯化磷(POCl3)、氮和氧的混合氣體氛圍中、在800卯0。C進(jìn)行數(shù)十分鐘的加熱處理。這樣，在硅襯底l表面?zhèn)鹊募y理面2上形成具有均一厚度的n型層3。在紋理面2上同樣形成的n型層3的片電阻為3080Q/□范圍時，可以得到良好的太陽能電池的電特性，因此優(yōu)選。此時，n型層形成于硅襯底1的整個面后，僅保留表面?zhèn)鹊膎型層3，選擇性地除去形成于背面?zhèn)群蛡?cè)面的n型層。在除去這些n型層時，為了不連表面?zhèn)鹊膎型層3都被除去，首先，例如用絲網(wǎng)印刷法在表面?zhèn)鹊膎型層3上附著高分子抗蝕劑漿料，使其干燥得到抗蝕劑膜。隨后，將形成有n型層和抗蝕劑膜的硅襯底1在20質(zhì)量％氫氧化鉀溶液中浸漬幾分鐘。這樣，可以除去形成于背面?zhèn)群蛡?cè)面的n型層，接著用有機(jī)溶劑除去抗蝕劑膜。接著，在(d)工序中，在n型層3表面以同樣厚度形成包括硅氧化膜、硅氮化膜或氧化鈦膜的防反射膜4。這里，該防反射膜4可以是本發(fā)明的防反射膜，但在此以采用以往公知的防反射膜的情況進(jìn)行說明。例如防反射膜4為以往公知的硅氧化膜時，通過等離子CVD法、以SiH4氣體和NH3氣體為原料、30(TC以上、減壓條件下進(jìn)行成膜。此時，折射率為2.02.2左右，最佳防反射膜厚度為7090nm。另外，應(yīng)當(dāng)注意的是這樣形成的防反射膜為絕緣體，僅僅在其上簡單地形成表面電極時，并不能作為太陽能電池來發(fā)揮作用。接著，在(e)工序中，以絲網(wǎng)印刷法對形成表面?zhèn)鹊臇烹姌O7和匯流電極10用的表面電極用銀漿料5進(jìn)行附著干燥。此時，表面電極用銀漿料5形成于防反射膜4上。接著，也在背面?zhèn)扰c表面?zhèn)韧瑯拥赜∷?、干燥用于形成背面鋁電極8和背面銀電極11用的背面電極用鋁漿料6。進(jìn)而，雖然未進(jìn)行圖示，但還印刷、干燥用于形成背面?zhèn)葏R流電極的銀漿料。隨后，在(f)工序中，在600900。C同時對上述各漿料進(jìn)行幾分鐘燒成。這樣，在表面?zhèn)扔捎谠阢y漿料5中包含的玻璃材料的作用，防反射膜4熔融的期間，銀材料與硅接觸并再次凝固。由此可以確保柵電極7和n型層3的導(dǎo)通。這里，將這種工藝稱為燒穿法(firethroughmethod)。背面電^1用鋁漿料6通過上述燒成不僅形成背面鋁電極8，而且與硅襯底1反應(yīng)而在背面鋁電極8的硅襯底1側(cè)形成p+層9。由此得到太陽能電池51。另外，為了提高銀電極的耐濕性，也存在將太陽能電池51在200250°C的鉛.錫共晶焊料熔融槽中進(jìn)行浸漬處理，在匯流電極10上被覆鉛焊料的情況。圖5為簡要說明對多個太陽能電池彼此進(jìn)行布線連接的方式的示意圖。(a)表示單獨(dú)的太陽能電池的表面?zhèn)龋?b)表示單獨(dú)的太陽能電池的背面?zhèn)龋?c)表示對多個太陽能電池彼此進(jìn)行布線連接時的正面。為了相互連接如上所述得到的多個太陽能電池51,首先，在表面、背面的匯流電極IO、11上分別通過焊接形成片狀電極52a、52b。在表面?zhèn)?a),通過焊接，在表面銀電極(匯流電極)10上的整個面形成表面?zhèn)扔闷瑺铍姌O52a。此時，片狀電極52a呈現(xiàn)應(yīng)與相鄰的太陽能電池連接的部分從太陽能電池的端部向側(cè)方突出的狀態(tài)。在背面?zhèn)?b),通過焊接，在背面銀電極(匯流電極)11上的整個面形成背面用片狀電極52b。在背面?zhèn)?b)與表面?zhèn)?a)不同，片狀電極52b不從太陽能電池的端部向側(cè)方突出。相互連接多個太陽能電池的片狀電極可以采用一般公知的電極，例如可以使用在銅箔上涂布焊料的電極。另外，片狀電極中的銅箔的厚度為0.10.2mm左右，電極寬度為1.05.0mm左右，焊料涂層的厚度為2040pm左右。接著，如正面(c)所示，將從太陽能電池51的端部向側(cè)方突出的表面?zhèn)扔闷瑺铍姌O52a焊接到相鄰的太陽能電池51的背面?zhèn)扔闷瑺铍姌O52b上，相互連接多個太陽能電池51?？紤]到太陽能電池51的厚度，表面?zhèn)扔闷瑺铍姌O52a的突出部分如(c)所示可以彎成曲柄狀。此時，表面?zhèn)扔闷瑺铍姌O52a的曲柄狀加工優(yōu)選在向表面銀電極(匯流電極)IO焊接前進(jìn)行。圖6表示對采用圖5所示的多個太陽能電池51制作的太陽能電池組件進(jìn)行透視的斜視示意圖。另外，圖7為表示圖6的B-B線處的截面中太陽能電池的一片的截面的截面示意圖。對于太陽能電池組件600中多個太陽能電池51的相互連接為，太陽能電池51的受光面?zhèn)?表面?zhèn)?成為負(fù)電極，背面?zhèn)瘸蔀檎姌O。從而，將組件600內(nèi)的全部太陽能電池串聯(lián)連接時，最終形成將正電極的正輸出電極接片55和負(fù)電極的負(fù)輸出電極接片56引出到組件外部的結(jié)構(gòu)。圖6中以圖5的正面(c)所示的連接方式連接4片太陽能電池，進(jìn)而該4片太陽能電池通過橫向片狀布線54連接。這里，將多個太陽能電池彼此連接的圖6這樣的連接狀態(tài)稱為陣列。由于太陽能電池組件600需要長期可靠性，如圖6和圖7所示，在太陽能電池陣列的表面?zhèn)扰渲每赏高^太陽光并且具有防止雨水侵入、吸收落下物等的沖擊的功能的表面透明基材即白板強(qiáng)化玻璃57。進(jìn)而，在其上形成上述的本實(shí)施方式的防反射膜60。這些白板強(qiáng)化玻璃57和防反射膜60構(gòu)成上述的層疊體100。在背面?zhèn)刃纬膳渲昧四退詢?yōu)異的背片53的結(jié)構(gòu)。作為背片53,可以適宜采用具有由常見的PVF(聚氟乙烯)樹脂夾持Al膜等金屬箔的層疊結(jié)構(gòu)的薄膜。在太陽能電池51和白板強(qiáng)化玻璃57、背片53間的間隙中填充有太陽能電池密封材料58。太陽能電池密封材料58采用例如稱為EVA(乙烯-醋酸乙烯酯共聚物)這樣的光透過性高的熱固化型樹脂。該太陽能電池密封材料58在填充間隙的同時具有相互粘接白板強(qiáng)化玻璃57(層疊體100)、太陽能電池51和背片53的功能。依次說明這種太陽能電池組件的制作工序。首先，在與如上所述得到的層疊體100的防反射膜60相反的一側(cè)放置片狀的太陽能電池密封材料58。進(jìn)而，在其上依次層疊相互連接成陣列狀的太陽能電池51、片狀的太陽能電池密封材料58及背片53。將該層疊后的層疊體加熱至150。C左右，通過進(jìn)一步進(jìn)行作為脫泡工序的層壓，太陽能電池密封材料58幾乎完全地填充間隙，得到圖6和7所示結(jié)構(gòu)的太陽能電池組件600。以上說明了本發(fā)明的適宜的實(shí)施方式，但本發(fā)明并不限于該實(shí)施方式。實(shí)施例(制造例1)首先，將515.5g四乙氧基硅烷和402.0g甲基三乙氧基硅烷溶解到1854.5g二甘醇二曱醚中，向溶解后的溶液中添加1.3g的2.38%硝酸四曱基銨水溶液(pH二3.6)。接著，在攪拌下用30分鐘滴加271.7g調(diào)節(jié)為0.644質(zhì)量％的硝酸。滴加結(jié)束后反應(yīng)3小時，然后在減壓下、溫水浴中蒸餾除去生成的乙醇和二甘醇二曱醚的一部分，得到1681.9g濃縮的聚硅氧烷溶液。向1681.9g該聚硅氧烷溶液中添加128.7g二甘醇二曱醚、88.1g聚丙二醇(7WKU:y于社制造、商品名"PPG725")和100.0g乙醇，在室溫(25°C)攪拌溶解30分鐘，得到作為二氧化硅系覆膜形成用組合物的聚硅氧烷溶液。通過GPC法測定該聚硅氧烷的重均分子量，為870。(制造例2)首先，加入137.5g四乙氧基硅烷和107.2g甲基三乙氧基硅烷，再向其中添加483.9g二甘醇二甲醚，在常溫下以200轉(zhuǎn)的速度邊攪拌邊溶解。在攪拌下用30分鐘向其中滴加將0.47g的60%硝酸溶解到71.98g水中后的水溶液。滴加結(jié)束后反應(yīng)3小時，得到聚硅氧烷溶液。將該聚硅氧烷溶液在減壓下放入7585。C的溫水浴中，從該聚硅氧烷溶液中蒸餾除去生成的乙醇和溶劑二甘醇二曱醚的一部分，得到530.1g濃縮的聚硅氧烷溶液。通過GPC法測定該聚硅氧烷的重均分子量，為1110。這里，用作空隙形成材料的聚丙二醇在35(TC的重量減少率為99.9%。接著，添加464.4g濃縮的聚硅氧烷溶液、還有20.34g作為空隙形成劑的聚丙二醇(7少K]J、乂于社制造、商品名"PPG725")、396.1g二甘醇二曱醚、14.6g的2.38%硝酸四曱基銨水溶液(pH=3.6)以及4.5g稀釋至1Q/。的馬來酸水溶液，在室溫(25°C)攪拌溶解30分鐘，制作二氧化硅系覆膜形成用組合物。這里，用作空隙形成材料的聚丙二醇在350'C的重量減少率為99.9%。(制造例3)首先，向?qū)?54.6g四乙氧基硅烷和120.6g曱基三乙氧基硅烷溶解到543.3g環(huán)己酮的溶液中，在攪拌下用30分鐘滴加溶解了0.525g的70%硝酸的80.98g水。滴加結(jié)束后反應(yīng)5小時，然后在減壓下、溫水浴中蒸餾除去生成的乙醇和環(huán)己酮的一部分，得到583.7g濃縮的聚硅氧烷溶液。通過GPC法測定該聚硅氧烷的重均分子量，為1350。接著，向553.9g濃縮的聚硅氧烷溶液中添加24.86g作為空隙形成材料的聚丙二醇(7WKU、乂于社制造、商品名"PPG725")、498.7g環(huán)己酮、17.89g的2.38。/。硝酸四曱基銨水溶液(pH二3.6)以及5.5g稀釋至1%的馬來酸水溶液，在室溫(25°C)攪拌溶解30分鐘，制作二氧化硅系覆膜形成用組合物。這里，用作空隙形成材料的聚丙二醇在35(TC的重量減少率為99.9%。(實(shí)施例13)對制造例1~3中得到的各二氧化硅系覆膜形成用組合物調(diào)節(jié)濃度，使得其涂膜厚度在固化后為175±10nm。接著，在硅晶片和白板玻璃上分別噴涂二氧化硅系覆膜形成用組合物，得到在硅晶片或白板玻璃上形成有涂膜的層疊體。用熱板在250。C對得到的層疊體加熱3分鐘，除去涂膜中的溶劑后，投入事先調(diào)節(jié)至630。C的石英管爐中，在爐內(nèi)靜置30分鐘。接著，從石英管爐中取出層疊體，吹送室溫的壓縮空氣進(jìn)行冷卻。由此得到在硅晶片或白板強(qiáng)化玻璃上形成有防反射膜的層疊體。這里，對應(yīng)于制造例13的二氧化硅系覆膜形成用組合物分別形成實(shí)施例13的層疊體或防反射膜。針對在硅晶片上形成的防反射膜，使用橢圓偏振儀測定在63化m的折射率。結(jié)果示于表l中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>另夕卜，針對與圖1的層疊體100的情況同樣形成于白板強(qiáng)化玻璃上的實(shí)施例1的防反射膜，通過橢圓偏振儀測定從與層疊體100的防反射膜60側(cè)相同的側(cè)照射光時反射率的波長依務(wù)性。結(jié)果示于表2中。虛線a表示層疊體100的反射率，實(shí)線b表示僅白板強(qiáng)化玻璃57的反射率。根據(jù)該圖2,在硅系太陽能電池具有靈壽文度的整個波長區(qū)域，與僅有白板強(qiáng)化玻璃57的情況相比，在白板強(qiáng)化玻璃57上形成有防反射膜60的情況反射率低1%左右。使用實(shí)施例1的層疊體(防反射膜/白板強(qiáng)化玻璃)，與上述同樣地制作與圖7所示結(jié)構(gòu)相同的太陽能電池組件。另外，作為比較例1的太陽能電池組件，除了替代層疊體(防反射膜/白板強(qiáng)化玻璃)而僅采用白板強(qiáng)化玻璃(旭硝子抹式會社制造、太陽能電池覆蓋玻璃)以外，與實(shí)施例1同樣地制作太陽能電池組件。針對這些太陽能電池組件，測定了釋放電壓(Voc)、電流密度(Jsc)、曲線因子(FF)和轉(zhuǎn)換效率(Eff)。結(jié)果示于表2中。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>通過形成本發(fā)明的防反射膜(二氧化硅系覆膜)，與沒有形成防反射膜的情況相比，電流密度增加約0.65mA/cm2，轉(zhuǎn)換效率(Eff)以絕對評價計(jì)提高0.3%。這與圖2所示的評價結(jié)果的傾向一致。(實(shí)施例4)在白板玻璃上滴加制造例2中得到的二氧化硅系覆膜形成用組合物后，以下述條件通過旋轉(zhuǎn)涂布器進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布，從而在白板玻璃上形成涂膜，得到層疊體。旋轉(zhuǎn)條件設(shè)定為預(yù)旋轉(zhuǎn)1000rpm旋轉(zhuǎn)10秒鐘、本旋轉(zhuǎn)2000rpm旋轉(zhuǎn)30秒鐘的條件。用熱板在250。C對得到的層疊體加熱5分鐘，除去涂膜中的溶劑。隨后，將除去溶劑后的層疊體分別投入事先將爐內(nèi)溫度調(diào)節(jié)到50crc、6oo°c、7oo°c的半導(dǎo)體制造用縱型擴(kuò)散爐(光洋廿一乇、>7亍厶乂、社制造、商品名>-TF，，)中，在爐內(nèi)靜置3分鐘。接著，從半導(dǎo)體制造用縱型擴(kuò)散爐取出靜置后的層疊體，吹送室溫的壓縮空氣進(jìn)行冷卻。由此得到在白板強(qiáng)化玻璃上形成有防反射膜的層疊體。這里，擴(kuò)散爐的加熱如下進(jìn)行。首先，使兼具爐蓋功能的可動平臺上升，形成爐關(guān)閉的狀態(tài)。接著，在關(guān)閉狀態(tài)下加熱爐到規(guī)定溫度。另夕卜，作為準(zhǔn)備工作，在石英制的固定器中裝填半導(dǎo)體用硅晶片，在其上放置上述層疊體。爐達(dá)到規(guī)定溫度后，下降可動平臺，在可動平臺上迅速放置準(zhǔn)備好的石英固定器。隨后，再次上升可動平臺，形成爐關(guān)閉的狀態(tài)。該狀態(tài)下保持3分鐘后，下降可動平臺，將層疊體取出到爐外。針對通過在各爐內(nèi)溫度下加熱而在白板強(qiáng)化玻璃上形成有防反射膜的層疊體，通過橢圓偏振儀測定從該防反射膜側(cè)照射光時反射率的波長依存性。結(jié)果示于圖8中。圖中(xl)、(x2)、(x3)分別表示在500。C、600°C、700。C的爐內(nèi)溫度下加熱的情況。另外，(x4)表示僅有白板強(qiáng)化玻璃(旭硝子抹式會社制造、太陽能電池覆蓋玻璃)的情況。根據(jù)該圖8可以知道，在硅系太陽能電池具有靈敏度的整個波長區(qū)域，與僅有白板強(qiáng)化玻璃的情況相比，在白板強(qiáng)化玻璃上形成有防反射膜的情況反射率低。(實(shí)施例5)在白板玻璃上滴加制造例2中得到的二氧化硅系覆膜形成用組合物后，以下述條件通過旋轉(zhuǎn)涂布器進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布，從而在白板玻璃上形成涂膜，得到層疊體。旋轉(zhuǎn)條件設(shè)定為預(yù)旋轉(zhuǎn)1000rpm旋轉(zhuǎn)10秒鐘、本旋轉(zhuǎn)2000rpm旋轉(zhuǎn)30秒鐘的條件。用熱板在25(TC對得到的層疊體加熱5分鐘，除去涂膜中的溶劑。隨后，將除去溶劑后的層疊體投入爐內(nèi)為室溫的上述半導(dǎo)體制造用縱型擴(kuò)散爐，升溫至規(guī)定溫度(300。C、40(TC、50(TC或60(TC)，于該溫度在爐內(nèi)靜置10分鐘。接著，從半導(dǎo)體制造用縱型擴(kuò)散爐取出靜置后的層疊體，吹送室溫的壓縮空氣進(jìn)行冷卻。由此得到在白板強(qiáng)化玻璃上形成有防反射膜的層疊體。這里，如下進(jìn)行加熱。在石英制的固定器中裝填半導(dǎo)體用硅晶片，在其上放置上述層疊體。接著，將石英固定器連同層疊體一起放置在兼具爐蓋功能的可動平臺上。接著，上升可動平臺，形成爐關(guān)閉的狀態(tài)。接著，用20分鐘將爐內(nèi)溫度從室溫升至規(guī)定溫度，在該溫度保持10分鐘后，用20分鐘將爐內(nèi)溫度降至200。C左右。隨后，下降可動平臺，將層疊體取出到爐外。針對通過在各爐內(nèi)溫度下加熱而在白板強(qiáng)化玻璃上形成有防反射膜的層疊體，通過橢圓偏振儀測定從該防反射膜側(cè)照射光時反射率的波長依存性。結(jié)果示于圖9中。圖中(yl)、(y2)、(y3)、(y4)分別表示在300°C、400°C、500°C、60(TC的爐內(nèi)溫度下加熱的情況。另外，(y5)表示僅有白板強(qiáng)化玻璃(旭硝子抹式會社制造、太陽能電池覆蓋玻璃)的情況。根據(jù)該圖9可以知道，在硅系太陽能電池具有靈敏度的整個波長區(qū)域，與僅有白板強(qiáng)化玻璃的情況相比，在白板強(qiáng)化玻璃上形成有防反射膜的情況反射率低。(實(shí)施例6)在白板玻璃上滴加制造例3中得到的二氧化硅系覆膜形成用組合物后，以下述條件通過旋轉(zhuǎn)涂布器進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布，從而在白板玻璃上形成涂膜，得到層疊體。旋轉(zhuǎn)條件設(shè)定為預(yù)旋轉(zhuǎn)1000rpm旋轉(zhuǎn)10秒鐘、本旋轉(zhuǎn)2000rpm旋轉(zhuǎn)30秒鐘的條件。用熱板在25(TC對得到的層疊體加熱5分鐘，除去涂膜中的溶劑。隨后，將除去溶劑后的層疊體分別投入事先將爐內(nèi)溫度調(diào)節(jié)到500°C、60(TC、700°C的半導(dǎo)體制造用縱型擴(kuò)散爐(光洋寸一乇^7亍厶X社制造、商品名TF")中，在爐內(nèi)靜置3分鐘。接著，從半導(dǎo)體制造用縱型擴(kuò)散爐取出靜置后的層疊體，吹送室溫的壓縮空氣進(jìn)行冷卻。由此得到在白板強(qiáng)化玻璃上形成有防反射膜的層疊體。這里，擴(kuò)散爐的加熱如下進(jìn)行。首先，使兼具爐蓋功能的可動平臺上升，形成爐關(guān)閉的狀態(tài)。接著，在關(guān)閉狀態(tài)下加熱爐到規(guī)定溫度。另外，作為準(zhǔn)備工作，在石英制的固定器中裝填半導(dǎo)體用硅晶片，在其上放置上述層疊體。爐達(dá)到規(guī)定溫度后，下降可動平臺，在可動平臺上迅速放置準(zhǔn)備好的石英固定器。隨后，再次上升可動平臺，形成爐關(guān)閉的狀態(tài)。該狀態(tài)下保持3分鐘后，下降可動平臺，將層疊體取出到爐外。針對通過在各爐內(nèi)溫度下加熱而在白板強(qiáng)化玻璃上形成有防反射膜的層果示于圖10中。圖中(zl)、(z2)、(z3)分別表示在500°C、600°C、70(TC的爐內(nèi)溫度下加熱的情況。另外，(z4)表示僅有白板強(qiáng)化玻璃(旭硝子株式會社制造、太陽能電池覆蓋玻璃)的情況。根據(jù)該圖IO可以知道，在硅系太陽能電池具有靈敏度的整個波長區(qū)域，與僅有白板強(qiáng)化玻璃的情況相比，在白板強(qiáng)化玻璃上形成有防反射膜的情況反射率低。(實(shí)施例7)在白板玻璃上滴加制造例3中得到的二氧化硅系覆膜形成用組合物后，以下述條件通過旋轉(zhuǎn)涂布器進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布，從而在白板玻璃上形成涂膜，得到層疊體。旋轉(zhuǎn)條件設(shè)定為預(yù)旋轉(zhuǎn)1000rpm旋轉(zhuǎn)10秒鐘、本旋轉(zhuǎn)2000rpm旋轉(zhuǎn)30秒鐘的條件。用熱板在250。C對得到的層疊體加熱5分鐘，除去涂膜中的溶劑。隨后，將除去溶劑后的層疊體投入爐內(nèi)為室溫的上述半導(dǎo)體制造用縱型擴(kuò)散爐，升溫至規(guī)定溫度(300。C、400°C、500。C或60(TC)，于該溫度在爐內(nèi)靜置10分鐘。接著，從半導(dǎo)體制造用縱型擴(kuò)散爐取出靜置后的層疊體，吹送室溫的壓縮空氣進(jìn)行冷卻。由此得到在白板強(qiáng)化玻璃上形成有防反射膜的層疊體。這里，如下進(jìn)行加熱。在石英制的固定器中裝填半導(dǎo)體用硅晶片，在其上放置上述層疊體。接著，將石英固定器連同層疊體一起放置在兼具爐蓋功能的可動平臺上。接著，上升可動平臺，形成爐關(guān)閉的狀態(tài)。接著，用加分鐘將爐內(nèi)溫度從室溫升至規(guī)定溫度，于該溫度保持10分鐘后，用20分鐘將爐內(nèi)溫度降至200。C左右。隨后，下降可動平臺，將層疊體取出到爐外。針對通過在各爐內(nèi)溫度下加熱而在白板強(qiáng)化玻璃上形成有防反射膜的層疊體，通過橢圓偏振儀測定從該防反射膜側(cè)照射光時反射率的波長依存性。結(jié)果示于圖11中。圖中(wl)、(w2)、(w3)、(w4)分別表示在300。C、400°C、5(XTC、600。C的爐內(nèi)溫度下加熱的情況。另外，(w5)表示僅有白板強(qiáng)化玻璃(旭硝子抹式會社制造、太陽能電池覆蓋玻璃)的情況。根據(jù)該圖11可以知道，在硅系太陽能電池具有靈敏度的整個波長區(qū)域，與僅有白板強(qiáng)化玻璃的情況相比，在白板強(qiáng)化玻璃上形成有防反射膜的情況反射率低。產(chǎn)業(yè)上利用的可能性根據(jù)本發(fā)明，可以提供以充分低的成本形成防反射膜的防反射膜形成方法。權(quán)利要求1.一種防反射膜的形成方法，具有同時進(jìn)行在玻璃體表面上形成的包含防反射膜前體的涂膜的燒結(jié)處理和所述玻璃體的強(qiáng)化處理的工序。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防反射膜的形成方法，其中，所述燒結(jié)處理和所述強(qiáng)化處理在30080(TC進(jìn)行。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防反射膜的形成方法，其中，所述防反射膜為二氧化硅系覆膜。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防反射膜的形成方法，其中，所述防反射膜為多孔質(zhì)的二氧化硅系覆膜。5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的防反射膜的形成方法，其中，所述防反射膜通過將二氧化硅系覆膜形成用組合物涂布到所述玻璃體的表面上并干燥而得到，所述二氧化硅系覆膜形成用組合物含有(a)成分硅氧烷樹脂、(b)成分可溶解(a)成分的溶劑和(c)成分固化促進(jìn)催化劑。全文摘要本發(fā)明提供一種防反射膜的形成方法，其具有同時進(jìn)行在玻璃體表面上形成的包含防反射膜前體的涂膜的燒結(jié)處理和所述玻璃體的強(qiáng)化處理的工序。由此，能夠以充分低的成本形成防反射膜。文檔編號G02B1/11GK101194187SQ20068002039公開日2008年6月4日申請日期2006年6月9日優(yōu)先權(quán)日2005年6月9日發(fā)明者岡庭香,森川浩昭,櫻井治彰,阿部浩一申請人:日立化成工業(yè)株式會社;三菱電機(jī)株式會社