專利名稱：改善了與測試線的連接的薄膜晶體管陣列面板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種改善了與測試線的連接的薄膜晶體管陣列面板。
背景技術：
近來，平板顯示器例如，有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器、等離子體顯示面板(PDP)和液晶顯示器(LCD)由于其可能代替笨重的陰極射線管(CRT)而倍受關注。
PDP是利用氣體放電產生的等離子體來顯示人物或圖像的裝置。OLED顯示器是通過對特定的發(fā)光有機物或者高分子材料施加電場來顯示人物或圖像的裝置。LCD裝置是通過對位于兩個面板之間的液晶層施加電場和控制電場強度以調節(jié)穿過液晶層的光的透射率來顯示圖像的裝置。
在平板顯示器中，LCD和OLED各包括下面板、上面板和多個電路元件，所述下面板配有包括開關元件和顯示信號線的像素，所述上面板配有濾色器。
當顯示信號線在制造顯示裝置的過程中斷開時，由預定的測試檢測所述斷開。這些測試包括陣列測試、直觀檢查(VI)測試、整體測試、模塊測試等。
在玻璃基板被分為分離的室之前，陣列測試用于通過施加預定電壓并檢測是否產生輸出電壓來檢測顯示信號線的斷開。在玻璃基板被分為分離的室之后，VI測試用于通過施加預定電壓觀察所述面板來檢測顯示信號線的斷開。在其上安裝驅動電路之前，整體測試用于通過施加預定電壓以觀察屏幕的顯示狀態(tài)來確定圖像質量和顯示信號線的連接狀況。通常，在將下面板和上面板結合之后施加預定電壓。在其上安裝驅動電路之后，模塊測試用于確定驅動電路的最適宜的操作。
在陣列測試和VI測試中，顯示信號線被分為幾個組來測試，整體測試和模塊測試在與真實的操作環(huán)境相似的條件下執(zhí)行。對于陣列測試和VI測試，測試線與各組連接。測試線的端部具有被稱作墊片的放大區(qū)，向墊片施加測試信號。在這種情況下，使用位于與顯示信號線和測試線不同的層中的導電層來連接顯示信號線和測試線。
然而，在顯示信號線、測試線和導電層中出現接觸不良。接觸不良可能是在制造過程中利用蝕刻劑蝕刻引起的，從而信號線與導電層斷開。期望獲得信號線和測試線之間的更好的接觸的方法。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供了一種能夠解決上述問題的薄膜晶體管陣列面板。
在一方面，本發(fā)明是一種薄膜晶體管陣列面板，其包括多條柵極線；多條數據線，與柵極線交叉；多個開關元件，分別與柵極線和數據線連接；多個像素電極，分別與開關元件連接。至少一條測試線位于柵極線或者數據線的端部附近。絕緣層覆蓋柵極線、數據線和開關元件，并具有暴露柵極線或者數據線的端部的多個第一接觸孔和暴露測試線的多個第二接觸孔。多條輔助測試線形成在絕緣層上，并且與將要形成的多個導電層公共連接，其中，導電層通過第一接觸孔和第二接觸孔將至少一條測試線與柵極線或者數據線連接。
柵極線或者數據線可分別具有擴大部分，測試線可具有與擴大部分對應的突出部分。
第一接觸孔和第二接觸孔可暴露突出部分和擴大部分的邊界線。
導電層可完全覆蓋第一接觸孔和第二接觸孔。
測試線包括第一測試線和第二測試線，這里，第一測試線通過與奇數柵極線結合的導電層可與奇數柵極線公共連接，第二測試線通常通過與偶數柵極線結合的導電層可與偶數柵極線公共連接，這里，輔助測試線包括第一輔助測試線和第二輔助測試線，第一輔助測試線將與奇數柵極線結合的導電層彼此連接，第二輔助測試線將與偶數柵極線結合的導電層彼此連接。
第一測試線和第二測試線的突出部分在相同的方向上向著柵極線的端部的突出。
可選地，第一測試線和第二測試線的突出部分在彼此相對的方向上突出。
輔助測試線與像素電極形成在相同層上。
在另一方面，本發(fā)明是一種液晶顯示器，其包括多條柵極線；多條數據線，與柵極線交叉；多個開關元件，分別與柵極線和數據線連接；多個像素電極，分別與開關元件連接。至少一條測試線位于柵極線或者數據線的端部附近。多條輔助測試線與多個導電層公共連接，其中，導電層通過第一接觸孔和第二接觸孔將至少一條測試線與柵極線或者數據線連接。


通過參照附圖對本發(fā)明實施例的詳細描述，本發(fā)明將變得更加清楚，其中圖1是根據本發(fā)明示例性實施例的LCD的方框圖；圖2是根據本發(fā)明示例性實施例的LCD的像素的等效電路圖；圖3是根據本發(fā)明實施例的LCD的示意性布局圖；圖4是TFT陣列面板的示例性布局圖和圖3中所示的柵極線和數據線的交叉區(qū)的展開圖；圖5是沿著線V-V′截取的圖4中所示的TFT陣列面板的剖視圖；圖6是在根據本發(fā)明示例性實施例的LCD中的柵極線和柵極VI測試線的連接點部分A的示意性布局圖；圖7是連接處A的放大布局圖；圖8是沿著線VIII-VIII′截取的圖7中所示的TFT陣列面板的剖視圖；圖9和圖10是根據本發(fā)明其它實施例的LCD的TFT陣列面板的連接的示意圖。
具體實施例方式
下面，將參照附圖來更加充分地描述本發(fā)明，其中，示出了本發(fā)明的優(yōu)選實施例。然而本發(fā)明可以以許多不同的形式實施，而不應限于這里提到的實施例來構建。相同的標號始終表示相同的元件。
在圖中，為了清晰，夸大了層和區(qū)域的厚度。相同的標號始終表示相同的元件。應該理解，當元件例如層、區(qū)域或者基板表示為在另一個元件“上”時，它可以直接位于另一個元件上或者也可存在插入元件。
現在，將參照附圖來描述根據本發(fā)明實施例的顯示裝置。
圖1是根據本發(fā)明實施例的顯示裝置的方框圖，圖2是示出根據本發(fā)明示例性實施例的LCD的像素的結構和等效電路圖。
參照圖1，根據本發(fā)明示例性實施例的顯示裝置包括面板組件300；柵極驅動器400和數據驅動器500，與面板組件300連接；灰度電壓發(fā)生器800，與數據驅動器500連接；信號控制器600，控制上述元件。
面板組件300包括多條顯示信號線G1-Gn和D1-Dm；多個像素，與顯示信號線G1-Gn和D1-Dm連接，并且基本上以矩陣結構布置。面板組件300包括下面板100和上面板200。
顯示信號線G1-Gn和D1-Dm設置在下面板100上，并且包括傳輸柵極信號(稱作掃描信號)的柵極線G1-Gn和傳輸數據信號的數據線D1-Dm。柵極線G1-Gn基本上在第一方向上延伸并且基本上彼此平行，而數據線D1-Dm基本上在第二方向上延伸并且基本上彼此平行。第一方向和第二方向基本上彼此垂直。
每個像素包括開關元件Q，與柵極線G1-Gn之一和數據線D1-Dm之一連接；像素電路PX，與開關元件Q連接。開關元件Q設置在下面板100上并且具有三個接線端控制接線端，與柵極線G1-Gn之一連接；輸入接線端，與數據線D1-Dm之一連接；輸出接線端，與像素電路PX連接。
在有源矩陣式LCD中，面板組件300包括下面板100；上面板200；液晶(LC)層3，位于下面板100和上面板200之間；顯示信號線G1-Gn、D1-Dm和開關元件Q，設置在下面板100上，其中，所述LCD是平板顯示裝置的實例。每個像素電路PX包括與開關元件Q并聯連接的LC電容器CLC和存儲電容器CST。如果沒有必要，可省略存儲電容器CST。
LC電容器CLC包括像素電極190，在下面板100上；公共電極270，在上面板200上；LC層3，作為像素電極190和公共電極270之間的電介質。像素電極190與開關元件Q連接，公共電極270覆蓋上面板200的全部表面并且被施加公共電壓Vcom?？蛇x地，棒狀或者條狀形狀的像素電極190和公共電極270設置在下面板100上。
存儲電容器CST是LC電容器CLC的輔助電容器。存儲電容器CST包括像素電極190和分離的信號線(未示出)，所述分離的信號線設置在下面板100上并且與像素電極190交迭，絕緣體位于像素電極190和分離的信號線之間。存儲電容器CST被施加預定電壓，例如公共電壓Vcom?？蛇x地，存儲電容器CST包括像素電極190和被稱作前柵極線的相鄰柵極線，相鄰柵極線與像素電極190交迭，絕緣體位于像素電極190和前柵極線之間。
對于彩色顯示器，每個像素在所有的時間(空分)表示三原色例如紅色、綠色和藍色之一，或者在不同的時間(時分)順序表示三原色，從而獲得期望的顏色。圖2示出了空分的例子，其中，每個像素包括濾色器230，其在與像素電極190面對的上面板200的區(qū)域中表示三原色之一?？蛇x地，濾色器230可設置在下面板100上的像素電極190之上或之下。
一對用于偏振光的偏振器(未示出)附于面板組件300的下面板100和上面板200的外表面上。
再參照圖1，灰度電壓發(fā)生器800產生一組或者兩組與通過像素的透光率有關的灰度電壓。當產生兩組灰度電壓時，一組中的灰度電壓相對于公共電壓Vcom具有正極性，而另一組中的灰度電壓相對于公共電壓Vcom具有負極性。
柵極驅動器400與面板組件300的柵極線G1-Gn連接，并且從外部裝置合成柵極導通電壓Von和柵極截止電壓Voff，以產生向柵極線G1-Gn施加的柵極信號。柵極驅動器400是移位寄存器，所述移位寄存器包括排成線的多級。
數據驅動器500與面板組件300的數據線D1-Dm連接，并且向數據線D1-Dm施加數據電壓，所述數據電壓是從由灰度電壓發(fā)生器800提供的灰度電壓中選擇的。
信號控制器600控制柵極驅動器400和數據驅動器500。
現在，將參照圖1來詳細描述顯示裝置的操作。
信號控制器600被供給圖像信號R、G和B，并且從外部圖形控制器(未示出)輸入控制圖像信號R、G和B的顯示的控制信號。所述輸入的控制信號包括例如，垂直同步信號Vsync、水平同步信號Hsync、主時鐘MCLK和數據使能信號DE。在響應輸入控制信號產生柵極控制信號CONT1和數據控制信號CONT2并且將圖像信號R、G和B處理為適于面板組件300的運行之后，信號控制器600向柵極驅動器400提供柵極控制信號CONT1，向數據驅動器500提供已處理的圖像信號DAT和數據控制信號CONT2。
柵極控制信號CONT1包括垂直同步起始信號STV，將一幀開始的信息提供給柵極驅動器；柵極時鐘信號CPV，控制柵極導通電壓Von的輸出時間；輸出使能信號OE，限定柵極導通電壓Von的寬度。
數據控制信號CONT2包括水平同步起始信號STH，將水平周期開始的信息提供給數據驅動器500；負載信號LOAD或者TP，指示數據驅動器500向數據線D1-Dm施加適當的數據電壓；數據時鐘信號HCLK。數據控制信號CONT2還可包括反轉控制信號RVS，使數據電壓的極性反相(相對于公共電壓Vcom)。
數據驅動器500從信號控制器600接收用于像素行的已處理的圖像信號DAT，并且響應來自信號控制器600的數據控制信號CONT2將已處理的圖像信號DAT轉換為模擬數據電壓，所述數據電壓是從由灰度電壓發(fā)生器800供給的灰度電壓中選擇的。
響應來自信號控制器600的柵極控制信號CONT1，柵極驅動器400向柵極線G1-Gn施加柵極導通電壓Von，從而使與柵極線G1-Gn連接的開關元件Q導通。
在開關元件Q的導通時間(其被稱作“一個水平周期”或者“1H”，其等于水平同步信號Hsync、數據使能信號DE和柵極時鐘信號CPV的一個周期)內，數據驅動器500向對應的數據線D1-Dm施加數據電壓。通過導通的開關元件Q，數據電壓被順序提供給相應的像素。
向像素施加的數據電壓和公共電壓Vcom之差被表示為LC電容器CLC的充電電壓，即，像素電壓。液晶分子具有基于像素電壓幅值的取向，所述取向確定了穿過LC電容器CLC的光的偏振。偏振器將光的偏振轉換為光的透過率。
通過重復上述過程，所有柵極線G1-Gn在一幀期間被順序提供柵極導通電壓Von，從而向所有像素施加數據電壓。在圖1所示的LCD的情況下，當完成一幀后開始下一幀時，控制向數據驅動器500施加的反轉控制信號RVS，使得數據電壓的極性反相(“幀反轉”)?？刂品崔D控制信號RVS，使得在一幀中數據線中的數據電壓流的極性反相(例如，“行反轉”(row inversion)、“點反轉”(dot inversion))，或者使得一個數據包中的數據電壓的極性反相(例如，“列反轉(column inversion)”、“點反轉”)。
現在，參照圖3來描述圖1和圖2中所示的LCD的詳細的例子。
圖3是根據本發(fā)明實施例的LCD的示意性布局圖。
如圖3所示，面板組件300包括多條柵極線121(G1-Gn)和多條數據線171(D1-Dn)。多個柵極驅動IC芯片440和多個數據驅動IC芯片540安裝在面板組件300上。柵極驅動IC芯片440位于面板組件300的左邊緣附近，數據驅動IC芯片540位于面板組件300的頂部邊緣附近。PCB 550位于面板組件300的頂部邊緣附近，一些電路元件例如信號控制器600和灰度電壓發(fā)生器800設置在PCB 500上。面板組件300和PCB 500通過多個FPC膜511和512相互電連接和物理連接。
最左邊的FPC膜511包括多條數據傳輸線521和多條驅動信號線523。傳輸圖像數據的數據傳輸線521與數據驅動IC芯片540的輸入接線端連接。驅動信號線523通過位于面板組件300上的驅動信號線323和引線321傳輸用于激活驅動IC芯片540和440的電壓和控制信號。
剩余的FPC膜512包括多條驅動信號線522，所述多條驅動信號線522向與驅動信號線522電連接的數據驅動IC芯片540傳輸電壓和控制信號。
信號線521-523與PCB 550上的電路元件連接，并且從電路元件接收信號。
在其它實施例中，驅動信號線523可設置在分離的FPC膜(未示出)上。
如圖3中所示，由柵極線和數據線的交叉限定的多個像素區(qū)在面板組件300上形成顯示區(qū)D，其中，所述柵極線在第一方向上延伸，所述數據線在第二方向上延伸。阻擋光向顯示區(qū)D的外部漏出的阻光構件220(用陰影線表示)圍繞顯示區(qū)D。
雖然在顯示區(qū)D中，柵極線基本上彼此平行地延伸且數據線基本上彼此平行地延伸，但是存在柵極線彼此不平行且數據線彼此不平行處的圍繞顯示區(qū)D的扇出(fan-out)區(qū)。如圖3所示，扇出區(qū)位于其中柵極線彼此平行和數據線彼此平行的兩個區(qū)之間。在兩個區(qū)中的平行信號線之間的分隔距離不同，扇出區(qū)是調節(jié)用于以分組為基礎的信號線的分隔距離的位置。
數據驅動IC芯片540位于顯示區(qū)D的外部，并且在第一方向上順序布置。相鄰的數據驅動IC芯片540由多個互連部分541連接，從最左邊的FPC膜511傳輸到最左邊的數據驅動IC540的圖像數據接著通過互連部分541向下一個數據驅動IC 540傳輸。
多條數據VI測試線125形成在面板組件300上，兩條數據VI測試線125位于每個數據驅動IC芯片540下。每個數據VI測試線125基本上在第一方向上延伸并且包括檢測墊片(未示出)?？蛇x地，數據線與數據VI測試線125連接?？梢愿淖償祿I測試線125的數目。如圖3中所示，兩條數據VI測試線125的一條與奇數數據線D1、D3、……連接，兩條數據VI測試線125的另一條與偶數數據線D2、D4……連接。
柵極驅動IC芯片440安裝在向著顯示區(qū)D的外部的面板組件300的左邊緣附近，并在第二方向上布置。驅動信號線323位于柵極驅動IC芯片440附近，并且將最左邊的FPC膜511的驅動信號線523與最上邊的柵極驅動IC440電連接，或者驅動信號線323與柵極驅動IC芯片440電連接。柵極驅動IC芯片440可連同開關元件或者驅動信號線323一起形成在下組件100上，以使它與圖3的結構不同，可包括多個薄膜晶體管和多條信號線。
另外，多條柵極VI測試線126a和126b形成在面板組件300上，兩條柵極VI測試線126a和126b位于每個柵極驅動IC芯片440下。柵極VI測試線126a和126b的每條基本上在第二方向上延伸，并且包括檢測墊片(未示出)。柵極線以交替的方式與不同的柵極VI測試線126a和126b連接。在圖3的實施例中，兩條柵極VI測試線126a和126b的一條與奇數柵極線G1、G3、……連接，兩條柵極VI測試線126a和126b的另一條與偶數柵極線G2、G4、…….連接。
圖3中的標號“L”表示由激光輻射切開的線，其用于在制造工藝的最后步驟中單獨地將柵極線121和數據線171彼此電斷開。
如上所述，LC面板組件300包括兩個面板100和200，配有TFT的面板100和200之一被表示為“TFT陣列面板”。
現在，參照圖4至圖8和圖3來描述根據本發(fā)明實施例的LCD的示例性TFT陣列面板。
圖4是根據本發(fā)明實施例的TFT陣列面板的示例性布局圖，也是柵極線、數據線以及交叉區(qū)的展開圖，圖5是沿著線V-V′截取的圖4中所示的TFT陣列面板的剖視圖。
參照圖3至圖5，優(yōu)選地，由氧化硅(SiO2)或者氮化硅(SiNx)制成的阻擋膜111形成在透明絕緣基板110上。阻擋膜111可具有雙層結構。
優(yōu)選地，由多晶硅制成的多個半導體島150形成在阻擋膜111上。每個半導體島150包括多個非本征區(qū)，含有導電雜質，其包括多個重摻雜區(qū)和多個輕摻雜區(qū)；多個本征區(qū)，含有少量的導電雜質。本征區(qū)包括溝道區(qū)154和存儲區(qū)157，高摻雜區(qū)包括相對于溝道區(qū)154和啞(dummy)區(qū)158彼此分離的源極區(qū)153和漏極區(qū)155。輕摻雜區(qū)152較窄，并且位于本征區(qū)154、157和重摻雜區(qū)153、155和158之間。具體地，位于源極區(qū)153和溝道區(qū)154之間與漏極區(qū)155和溝道區(qū)154之間的輕摻雜區(qū)152被表示為“ 輕摻雜漏極(IDD)區(qū)”。
優(yōu)選地由氮化硅(SiNx)制成的柵極絕緣層140形成在半導體島150和阻擋膜111上。
包括多條柵極線121和多條存儲電極線131的多個柵極半導體形成在絕緣基板110上。
傳輸柵極信號的柵極線121基本上在第一方向上延伸，且包括相對于柵極線121向下突出以與半導體島150的溝道區(qū)154交迭的柵極電極124。柵極電極124還與輕摻雜區(qū)152交迭。每條柵極線121還可包括擴大的端部129，該擴大的端部129具有與其它層或者外部驅動電路接觸的放大區(qū)。柵極線121可與產生柵極信號的柵極電路直接連接，所述柵極電路可一體地位于基板110上。
存儲電極線131被供給預定電壓例如公共電壓，并且包括比存儲電極線131寬的多個存儲電極133。存儲電極133與半導體島150的存儲區(qū)157交迭。
優(yōu)選地，柵極導體121和13 1由包括含Al金屬例如Al和Al合金的低電阻率材料制成。柵極導體121和131可具有包括物理性能不同的兩個膜的多層結構。優(yōu)選地，兩個膜的一個由包括含Al金屬的低電阻率金屬制成，以減小柵極導體121和131中的信號延遲或電壓降。優(yōu)選地，另一個膜由材料例如Cr、Mo、Mo合金、Ta或Ti制成，所述材料具有良好的物理性能、化學性能以及與其它材料例如氧化銦錫(ITO)或者氧化銦鋅(IZO)的良好的電接觸性能。
另外，柵極導體121和131的側面相對于基板110的表面傾斜，形成的角在大約30度至90度的范圍內。
夾層絕緣層160形成在柵極導體121和131上。優(yōu)選地，夾層絕緣層160由具有良好的平面性能的光敏有機材料制成或由通過等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)形成的低介電絕緣材料例如a-Si∶C∶O和a-Si∶O∶F制成、或者由無機材料例如氮化硅和氧化硅制成。
夾層絕緣層160和柵極絕緣層140具有分別暴露源極區(qū)153和漏極區(qū)165的多個接觸孔163和165。
包括多條數據線171和多個漏極電極175的多個數據導體形成在夾層絕緣層160上。
傳輸數據電壓的數據線171基本上在第二方向上延伸并且與柵極線121交叉。每條數據線171包括擴大部分(未示出)和通過接觸孔163與源極區(qū)153連接的多個源極電極173。
漏極電極175與源極電極173分離，并且通過接觸孔165與漏極區(qū)155連接。
優(yōu)選地，數據導體171和175由包括Cr、Mo、Ti、Ta及其合金的難熔金屬制成。優(yōu)選地，它們可具有含低電阻率膜和優(yōu)良接觸膜的多層結構。多層結構的典型例子包括Mo下膜、Al中間膜和Mo上膜，也包括Cr下膜和Al-Nd上膜與Al下膜和Mo上膜的上述結合。多層結構的另一個例子是Cr下膜和MoW上膜。
與柵極導體121、131和122相同，數據導體171和175具有相對于基板110的表面的錐形側面，所述側面相對于基板110的表面形成的角度范圍是大約30度至80度。
鈍化層180形成在數據線171、漏極電極175和夾層絕緣層160上。優(yōu)選地，鈍化層180由具有良好的平面性能的光敏有機材料制成、或者由PECVD形成的低介電絕緣材料例如a-Si∶C∶O和a-Si∶O∶F制成、或者由無機材料例如氮化硅和氧化硅制成。鈍化層180包括第一絕緣層801和第二絕緣層802，所述第一絕緣層801由無機材料制成，所述第二絕緣層802形成在第一絕緣層801上并且由有機材料制成。鈍化層180具有暴露漏極電極175的多個接觸孔185和暴露數據線171的端部的多個接觸孔(未示出)。
多個像素電極190形成在鈍化層180或者夾層絕緣層160上，優(yōu)選地，所述多個像素電極190由至少一種透明導體例如ITO或者IZO和具有反射模式或半透明模式的不透明反射導體例如Al或Ag制成。
像素電極190位于顯示區(qū)D中，并且通過接觸孔185與漏極電極175物理連接和電連接，以使像素電極190通過漏極電極175從漏極區(qū)155接收數據電壓。
返回參照圖2，被供給數據電壓的像素電極190與另一個面板200上的公共電極270一起產生電場，這樣確定了位于面板之間的液晶層3中的液晶分子的取向，或者在位于面板之間的發(fā)光元件(未示出)中產生電流。
如上所述，像素電極190和公共電極形成液晶電容器，包括存儲電極137的存儲電極線131、像素電極190和與像素電極190連接的漏極區(qū)155一起形成存儲電容器。
具體地，當鈍化層180由低介電絕緣體制成時，像素電極190可與柵極線121和數據線171交迭，從而增加開口率。
如上所述，根據本發(fā)明實施例的TFT陣列面板100具有顯示區(qū)D外部的端部129和179(見圖3)，以使柵極線121和數據線171與柵極驅動IC芯片440和數據驅動IC芯片540電連接，端部129和179與測試線125、126a和126b分組連接。現在，參照圖6至圖8還有圖3來描述柵極VI測試線126a、126b和柵極線121的端部129的連接部分的結構。
圖6是在根據本發(fā)明實施例的柵極線和柵極VI測試線的連接部分A的示意性布局圖，圖7是圖6中所示的連接部分A的放大布局圖，圖8是沿著線VIII-VIII′截取的圖7中所示的TFT陣列面板的剖視圖。
參照圖6，柵極線121的端部129與柵極VI測試線126a和126b連接。兩條測試線126a和126b的一條通過端部129與奇數柵極線121連接，另一條測試線126b與偶數柵極線121連接。
詳細地，阻擋膜111和柵極絕緣層140向著絕緣基板110上的連接部分延伸，第一柵極VI測試線126a、第二柵極VI測試線126b和柵極線121的端部129形成在阻擋膜111和柵極絕緣層140上。
柵極線121的端部129在第一方向上延伸并且具有較寬的擴大部分123。
第一柵極VI測試線126a和第二柵極VI測試線126b基本上在第二方向上延伸，并且與柵極線121分離。第一柵極VI測試線126a包括向奇數柵極線121的端部129突出的突出部分，第二柵極VI測試線126b包括向偶數柵極線121的端部129突出的突出部分。雖然第一柵極VI測試線126a、第二柵極VI測試線126b的突出部分在相同的方向上突出，但是在許多實施例中，可以在彼此相對的方向上突出。
第一夾層絕緣層801和第二夾層絕緣層802順序形成在第一柵極VI測試線126a、第二柵極VI測試線126b、暴露的柵極絕緣層140、柵極線121的端部129上。
第一夾層絕緣層801和第二夾層絕緣層802具有分別暴露柵極線121的端部129和第一柵極VI測試線126a的突出部分、第二柵極VI測試線126b的突出部分的多個接觸孔188a、188b、189a和189b。優(yōu)選地，接觸孔188a、188b、189a和189b暴露柵極線121的端部129的邊界線和第一柵極VI測試線126a、第二柵極VI測試線126b的突出部分。
多個第一導電層89a和第二導電層89b形成在與像素電極190相同層的第二夾層絕緣層802上。
多個第一導電層89a通過第一輔助測試線89a彼此連接，并且它們通過接觸孔189a和188a將奇數柵極線121的端部129和第一柵極VI測試線126a電接觸和物理連接。第一導電層89a形成第一輔助測試線89a′的突出部分，第一導電層89a完全覆蓋接觸孔189a和188a。
多個第二導電層89b通過第二輔助測試線89b′彼此連接，并且通過接觸孔189b和188b將偶數柵極線121的端部129和第二柵極VI測試線126b電連接和物理連接。第二導電層89b形成第二輔助測試線89b′的突出部分，第二導電層89b完全覆蓋接觸孔189b和188b。
在本發(fā)明中，多個各第一導電層89a和第二導電層89b與第一輔助測試線89a′和第二輔助測試線89b′公共連接，從而完全覆蓋接觸孔188a、189a、188b和189b，以保護并且防止第一柵極VI測試線126a和第二柵極VI測試線126b斷開。因此，防止了由蝕刻液導致的腐蝕或者接觸不良，從而提高了連接的可靠性。
圖9是根據本發(fā)明另一個實施例的LCD的TFT陣列面板中的連接結構的布局圖。
參照圖9，根據本發(fā)明本實施例的TFT陣列面板的主要結構與圖7和圖8中的結構相同。即，柵極線121的端部129在第一方向上延伸，并且具有寬的擴大部分123。第一柵極VI測試線126a和第二柵極VI測試線126b基本上在第二方向上延伸，并且與柵極線121分離。第一柵極VI測試線126a包括向奇數柵極線121的端部129突出的突出部分，第二柵極VI測試線126b包括向偶數柵極線121的端部129突出的突出部分。第一夾層絕緣層801和第二夾層絕緣層802順序形成在柵極線121的端部129、第一柵極VI測試線126a和第二柵極VI測試線126b以及暴露的柵極絕緣層140上。
第一夾層絕緣層801和第二夾層絕緣層802具有分別暴露柵極線121的端部129的擴大部分、第一柵極VI測試線126a和第二柵極VI測試線126b的突出部分的多個接觸孔188a、189a、188b和189b。多個第一導電層89a和第二導電層89b形成在第二夾層絕緣層802上，并且分別形成第一輔助測試線89a′的突出部分和第二輔助測試線89b′的突出部分。
然而，與圖7和圖8中所示的不同，第一柵極VI測試線126a具有凹進的突出部分，即，具有在遠離柵極線的方向上突出的突出部分。
圖10是根據本發(fā)明又一個實施例的LCD的TFT陣列面板中的連接的結構的布局圖。
參照圖10，根據本發(fā)明本實施例的TFT陣列面板的主要結構與圖7和圖8中的結構相同。
然而，在圖10中示出的實施例中沒有使用第一輔助測試線和第二輔助測試線，因此，將柵極線121的端部129與第一柵極VI測試線126a和第二柵極VI測試線126b連接的多個各導電層89a和89b彼此分離。
可使用上述連接結構將數據線171和數據VI測試線125連接，輔助導電層可被添加到第一輔助測試線89a′和第二輔助測試線89b′的端部或者與數據線171在相同層中的柵極線121的端部129。
另外，上述發(fā)明可適用于其它平板顯示裝置例如OLED顯示器。
在本發(fā)明中，測試線的突出部分位于向著信號線的相同方向上，或者將測試線與信號線連接的導電層彼此連接，從而防止了測試線或者測試線和信號線的斷開。因此，提高了連接的可靠性，將連接的接觸電阻最小化，改善了LCD的性能。
盡管上面已經詳細描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但是應該清楚地理解，本發(fā)明領域內的技術人員會清楚的這里教導的基本發(fā)明構思的許多改變和修改將仍然落入由權利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍內。
本發(fā)明申請要求2004年11月8日提交的韓國專利申請?zhí)枮榈?0-2004-0090375號的優(yōu)先權，其內容通過引用完全地包含于此。
權利要求
1.一種薄膜晶體管陣列面板，包括多條柵極線；多條數據線，與所述柵極線交叉；多個開關元件，分別與所述柵極線和所述數據線連接；多個像素電極，分別與所述開關元件連接；至少一條測試線，位于所述柵極線或者所述數據線的端部附近；絕緣層，覆蓋所述柵極線、所述數據線和所述開關元件，并且具有暴露所述柵極線的所述端部或者所述數據線的所述端部的多個第一接觸孔和暴露所述測試線的多個第二接觸孔；多條輔助測試線，形成在所述絕緣層上，并且與多個導電層公共連接，其中，所述導電層通過所述第一接觸孔和所述第二接觸孔將至少一條測試線與所述柵極線或者所述數據線連接。
2.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述柵極線或者所述數據線分別具有擴大部分，所述測試線具有與所述擴大部分對應的突出部分。
3.如權利要求2所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述第一接觸孔和所述第二接觸孔暴露所述突出部分和所述擴大部分的邊界線。
4.如權利要求3所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述導電層完全覆蓋所述第一接觸孔和所述第二接觸孔。
5.如權利要求4所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述測試線包括第一測試線和第二測試線，其中，所述第一測試線通過與所述奇數柵極線結合的所述導電層與奇數柵極線公共連接，所述第二測試線通過與所述偶數柵極線結合的所述導電層與偶數柵極線公共連接，其中，所述輔助測試線包括第一輔助測試線和第二輔助測試線，所述第一輔助測試線將與所述奇數柵極線結合的所述導電層彼此連接，所述第二輔助測試線將與所述偶數柵極線結合的所述導電層彼此連接。
6.如權利要求5所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述第一測試線和所述第二測試線的突出部分在向著所述柵極線的所述端部的相同的方向上突出。
7.如權利要求5所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述第一測試線和所述第二測試線的所述突出部分在彼此相對的方向上突出。
8.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述輔助測試線與所述像素電極形成在相同層上。
9.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述測試線與所述柵極線形成在相同層上。
10.一種液晶顯示器，包括多條柵極線；多條數據線，與所述柵極線交叉；多個開關元件，分別與所述柵極線和所述數據線連接；多個像素電極，分別與所述開關元件連接；至少一條測試線，位于所述柵極線或者所述數據線的端部附近；多條輔助測試線，形成在所述絕緣層上，并且與多個導電層公共連接，其中，所述導電層通過所述第一接觸孔和所述第二接觸孔將至少一條測試線與所述柵極線或者所述數據線連接。
11.如權利要求10所述的液晶顯示器，其中，所述柵極線或者所述數據線分別具有擴大部分，所述測試線具有與所述擴大部分對應的突出部分。
12.如權利要求11所述的液晶顯示器，其中，所述測試線包括第一測試線和第二測試線，其中，所述第一測試線通過與所述奇數柵極線對應的所述導電層和奇數柵極線公共連接，所述第二測試線通過與所述偶數柵極線對應的所述導電層和偶數柵極線公共連接，其中，所述輔助測試線包括第一輔助測試線和第二輔助測試線，所述第一輔助測試線將與所述奇數柵極線結合的所述導電層彼此連接，所述第二輔助測試線將與所述偶數柵極線結合的所述導電層彼此連接。
13.如權利要求12所述的液晶顯示器，其中，所述第一測試線和所述第二測試線的突出部分在向著所述柵極線的所述端部的相同的方向上突出。
14.如權利要求12所述的液晶顯示器，其中，所述第一測試線和所述第二測試線的所述突出部分在彼此相對的方向上突出。
15.如權利要求10所述的液晶顯示器，其中，所述輔助測試線與所述像素電極形成在相同層上。
16.如權利要求10所述的液晶顯示器，其中，所述測試線與所述柵極線形成在相同層上。
17.如權利要求10所述的液晶顯示器，還包括絕緣層，所述絕緣層具有暴露所述柵極線或者所述數據線的所述端部的多個第一接觸孔和暴露所述測試線的多個第二接觸孔，其中，所述第一接觸孔和所述第二接觸孔暴露所述擴大部分和所述突出部分的邊界線。
18.如權利要求17所述的液晶顯示器，其中，所述導電層完全覆蓋所述第一接觸孔和所述第二接觸孔。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種改善了顯示信號線和測試線之間接觸的薄膜晶體管(TFT)陣列面板。TFT陣列面板包括柵極線和數據線，彼此交叉；開關元件，與柵極線和數據線連接；至少一條測試線，位于柵極線或者數據線的端部附近。絕緣層覆蓋柵極線、數據線和開關元件，并且具有暴露柵極線或者數據線的端部的第一接觸孔和暴露測試線的第二接觸孔。輔助測試線形成在絕緣層上，并且與導電層公共連接，其中，導電層通過第一接觸孔和第二接觸孔將至少一條測試線與柵極線或者數據線連接。
文檔編號G02F1/1368GK1773357SQ20051011568
公開日2006年5月17日 申請日期2005年11月8日 優(yōu)先權日2004年11月8日
發(fā)明者樸政遇 申請人:三星電子株式會社