專(zhuān)利名稱(chēng)：負(fù)性深紫外光刻膠的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種新型負(fù)性作用深紫外(UV)光刻膠，其包含聚合物、光酸產(chǎn)生劑和交聯(lián)劑。該光刻膠特別可用于用193納米(nm)和157nm的曝光波長(zhǎng)成像。本發(fā)明還涉及一種將該新型光刻膠成像的方法。
背景技術(shù)：
光刻膠組合物用于微平版印刷工藝中用于制造微型化電子元件，例如制造計(jì)算機(jī)芯片與集成電路。一般，在這些工藝中，首先將光刻膠組合物的薄膜涂覆到襯底材料上，例如用于制備集成電路的硅片。然后烘烤經(jīng)涂覆的襯底以蒸發(fā)在光刻膠組合物中的溶劑并將涂層定影于襯底上。隨后將經(jīng)烘烤的、涂覆的襯底表面進(jìn)行成像式曝光于成像用輻射。
這種輻射曝光引起在經(jīng)涂覆的表面的曝光區(qū)域中的化學(xué)轉(zhuǎn)變?？梢?jiàn)光、紫外(UV)光、電子束和X-射線(xiàn)輻射能是目前在微平版印刷工藝中常用的成像用照射類(lèi)型。成像式曝光后，用顯影劑溶液處理經(jīng)涂覆的襯底以溶解并除去襯底的經(jīng)涂覆的表面的輻射曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域。
有兩種類(lèi)型的光刻膠組合物，負(fù)性作用的和正性作用的。當(dāng)負(fù)性作用光刻膠組合物成像式曝光于輻射下時(shí)，光刻膠組合物的曝光于輻射下的區(qū)域變得較不溶于顯影劑溶液中(例如發(fā)生交聯(lián)反應(yīng))，而光刻膠涂層的未曝光區(qū)域保持相對(duì)可溶于這樣的溶液。因此，用顯影劑處理經(jīng)曝光的負(fù)性作用光刻膠導(dǎo)致除去光刻膠涂層的未曝光區(qū)域并在涂層中形成負(fù)像，從而露出位于下方的其上沉積有光刻膠組合物的襯底表面的所需部分。在正性作用光刻膠中，顯影劑除去了曝光的部分。在制造器件過(guò)程中，有時(shí)期望使用負(fù)性作用光刻膠以在襯底上形成圖像。
光刻膠分辨率定義為在曝光與顯影后，能被光刻膠組合物以高度圖像邊緣銳度從光掩模轉(zhuǎn)印到襯底的最小特征。在現(xiàn)今許多領(lǐng)先的邊緣制造應(yīng)用中，光刻膠分辨率必須為小于0.5μm的數(shù)量級(jí)。此外，幾乎總是希望，經(jīng)顯影的光刻膠壁輪廓相對(duì)于襯底為接近垂直。在抗蝕劑涂層的顯影與未顯影的區(qū)域之間的這種分界轉(zhuǎn)換為掩模圖像到襯底上的精確圖案轉(zhuǎn)印。隨著微型化的推進(jìn)減小了器件上的臨界尺寸，這一點(diǎn)變得甚至更關(guān)鍵。
對(duì)約100nm-約300nm之間的短波長(zhǎng)敏感的光刻膠經(jīng)常用于其中要求小于半微米的幾何尺寸的情況下。高分辨率、化學(xué)放大的深紫外(100-300nm)正性和負(fù)性彩色光刻膠可用于形成具有小于1/4μm幾何尺寸的圖像。迄今為止，有三種主要的深紫外(uv)曝光技術(shù)，它們?cè)谖⑿突矫嬉呀?jīng)提供了顯著改進(jìn)，并且這些技術(shù)使用在248nm、193nm和157nm下發(fā)射輻射的激光器。對(duì)于248nm的光刻膠，典型地基于取代聚羥基苯乙烯及其共聚物，例如在US 4,491,628與US 5,350,660中描述的那些。另一方面，由于芳族化合物在193nm波長(zhǎng)下不透明，所以對(duì)于在193nm曝光的光刻膠要求非芳族聚合物。US 5,843,624和GB232,0718公開(kāi)了可用于193nm曝光的光刻膠。一般，含有脂環(huán)族烴的聚合物用于在200nm以下曝光。將脂環(huán)族烴引入聚合物中有許多理由，主要是因?yàn)樗鼈兙哂邢鄬?duì)高的碳∶氫比，這改善了抗蝕刻性，它們還在低波長(zhǎng)下提供透明性且具有相對(duì)高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。
現(xiàn)有技術(shù)中已知有使用負(fù)性作用、酸敏感性光刻膠組合物。典型地，負(fù)性光刻膠包含堿溶性聚合物、光酸產(chǎn)生劑和交聯(lián)劑。現(xiàn)有技術(shù)光刻膠組合物中多數(shù)使用芳族的聚合物粘結(jié)劑，這樣的聚合物為線(xiàn)型酚醛清漆或聚羥基苯乙烯。雖然具有良好的抗干蝕刻性，但芳族聚合物在200nm以下的波長(zhǎng)下不具有期望的透明性。因此，需要一種在200nm以下，特別是160nm以下的曝光波長(zhǎng)下為透明性，并且也具有良好的抗干蝕刻性的負(fù)性作用光刻膠。
已知氟化聚合物在193nm與157nm下是透明性的。EP 789,278、Ito等人(SPIE論文集，第4345卷，2001，第273-284頁(yè))、WO 00/67072和WO 00/17712中公開(kāi)了在光刻膠中使用時(shí)的這樣的聚合物。WO00/67072特別公開(kāi)了帶有氟化側(cè)基的非芳族的脂環(huán)族聚合物。一種這樣的聚合物是由帶有側(cè)基-(Rf)(Rf’)ORb的降冰片烯單體的聚合衍生得到，其中，Rf與Rf’是氟代烷基而Rb是氫或酸不穩(wěn)定基團(tuán)。用光活性化合物一起加工該聚合物得到正光刻膠圖像。類(lèi)似地，Ito描述了使用帶有由酸不穩(wěn)定基團(tuán)取代的六氟-2-羥基異丙基側(cè)基的全降冰片烯聚合物形成正像的可能性。Toriumi等人(SPIE論文集，第4345卷，2001，第371-378頁(yè))描述了一種使用含氟聚合物、三氟甲磺酸三苯基锍與作為交聯(lián)劑的羥甲基化合物的負(fù)性光刻膠，其中，該光刻膠具有對(duì)凝膠劑量的感光性為200mJ/cm2。該含氟聚合物的結(jié)構(gòu)未公開(kāi)。Przybilla(SPIE論文集，第1672卷，1992，第500-512頁(yè))描述了一種懸掛于苯乙烯類(lèi)聚合物的六氟-2-羥基-異丙基及其在負(fù)性光刻膠中的使用。然而由于這些聚合物含有芳族基團(tuán)，所以它們不可用于在200nm以下的波長(zhǎng)下成像。
因而，半導(dǎo)體工業(yè)中需要一種負(fù)性作用光刻膠，它能在200nm以下成像時(shí)提供良好的平版印刷性能，尤其具有良好的漂白特性與良好的光敏性。
發(fā)明概述本發(fā)明涉及一種新型負(fù)性作用光刻膠，它能用含水堿性溶液顯影，并能在200nm以下的曝光波長(zhǎng)下成像。本發(fā)明還涉及一種將此新型光刻膠成像的方法。這種新型光刻膠包含堿溶性氟化聚合物、光酸產(chǎn)生劑以及交聯(lián)劑。該聚合物具有至少一種結(jié)構(gòu)1的單元， 其中，Rf1和Rf2分別獨(dú)立地表示全氟化或部分氟化的(C1-C4)烷基；和n為1-8。
發(fā)明詳述本發(fā)明涉及一種新型負(fù)性作用光刻膠，它能用含水堿性溶液顯影，并能在200nm以下的曝光波長(zhǎng)下成像。本發(fā)明還涉及一種將該新型光刻膠成像的方法。這種新型光刻膠包含堿溶性氟化聚合物、光活性化合物以及交聯(lián)劑。該聚合物具有至少一種結(jié)構(gòu)1的單元， 其中，Rf1和Rf2分別獨(dú)立地表示全氟化或部分氟化(C1-C4)烷基；和n為1-8。優(yōu)選Rf1和Rf2兩者都是CF3，更優(yōu)選n為1。
氟代烷基-2-羥基-亞烷基側(cè)基賦予使聚合物可溶于含水堿性顯影劑中所必需的堿溶性。此聚合物可以是結(jié)構(gòu)1單元的均聚物或可以包含非芳族的其他單元。其他共單體的例子可以是四氟乙烯，乙烯，環(huán)烯烴，取代環(huán)烯烴，例如降冰片烯及其衍生物，馬來(lái)酸酐、氰基丙烯酸酯和氰基甲基丙烯酸酯。優(yōu)選此聚合物為均聚物，更優(yōu)選此聚合物為聚[5-(2-三氟甲基-1，1，1-三氟-2-羥丙基)-2-降冰片烯]。
由環(huán)烯烴，例如降冰片烯和四環(huán)十二碳烯衍生物合成的聚合物可以通過(guò)開(kāi)環(huán)易位聚合、自由基聚合或使用金屬有機(jī)催化劑而聚合。將本發(fā)明的這種新型聚合物聚合以得到一種具有重均分子量為約1,000-約200,000，優(yōu)選從約4,000-約20,000，更優(yōu)選從約6,000-約14,000的聚合物。此樹(shù)脂的多分散性(Mw/Mn)可以在1.5-3.0的范圍內(nèi)，其中，Mw為重均分子量而Mn為數(shù)均分子量，其中樹(shù)脂的這些分子量可以通過(guò)凝膠滲透色譜測(cè)定。
該光刻膠組合物包含至少一種光敏性化合物，它在曝光于輻射下時(shí)形成酸或堿，盡管最普遍使用酸。在正性光刻膠中，酸的產(chǎn)生典型地將聚合物解保護(hù)，使得光刻膠變得在曝光區(qū)域中為可溶性?；蛘?，酸能引起聚合物交聯(lián)致使光刻膠在曝光區(qū)域變得不可溶，而這樣的光刻膠被稱(chēng)為是負(fù)性光刻膠。任何光活性化合物或光活性化合物的混合物都可以用于該新型光刻膠。合適的產(chǎn)生酸的光敏性化合物的例子包括離子型光酸產(chǎn)生劑(PAG)，例如重氮鹽、碘鎓鹽、锍鹽，或非離子型PAG，例如重氮磺?；衔?、磺酰氧基酰亞胺和硝基芐基磺酸酯，盡管可以使用任何在輻射下能產(chǎn)生酸的光敏性化合物。鎓鹽通常以溶于有機(jī)溶劑中的形式使用，多數(shù)作為碘鎓或锍鹽形式，其例子有三氟甲磺酸二苯基碘鎓、九氟丁磺酸二苯基碘鎓、三氟甲磺酸三苯基锍、九氟丁磺酸三苯基锍等。其他可使用的受輻射時(shí)能形成酸的化合物有三嗪、噁唑、噁二唑、噻唑、取代2-吡喃酮。還優(yōu)選苯酚磺酸酯、雙磺?；淄?、雙磺?；淄榛螂p磺?；氐淄?、三(三氟甲基磺?；?甲基三苯基锍、三苯基锍雙(三氟甲基磺?；?亞胺、三(三氟甲基磺?；?甲基二苯基碘鎓、二苯基碘鎓雙(三氟甲基磺?；?亞胺及其同系物。也可使用光酸產(chǎn)生劑的混合物，而且經(jīng)常使用離子型和非離子型光酸產(chǎn)生劑的混合物。
多種交聯(lián)劑可以用于本發(fā)明的組合物中?？梢允褂迷谒岽嬖谙履苁咕酆衔锝宦?lián)的任何合適的交聯(lián)劑。這類(lèi)交聯(lián)劑的例子有蜜胺、羥甲基化合物、甘脲、羥烷基酰胺、環(huán)氧和環(huán)氧胺樹(shù)脂、封端異氰酸酯和二乙烯基單體。優(yōu)選蜜胺，如六甲氧基甲基蜜胺和六丁氧基甲基蜜胺；甘脲，如四(甲氧基甲基)甘脲和四(丁氧基甲基)甘脲；和芳族羥甲基化合物，如2，6-雙(羥甲基)-對(duì)甲酚。其他交聯(lián)劑有叔二醇，例如2，5-二甲基-2，5-己二醇、2，4-二甲基-2，4-戊二醇、頻哪醇、1-甲基環(huán)己醇、四甲基-1，3-苯二甲醇和四甲基-1，4-苯二甲醇，和多元酚，例如四甲基-1，3-苯二甲醇。
在將溶液涂覆到襯底上之前，可向光刻膠組合物中加入多種其它的添加劑，例如著色劑、非光化性染料、防條紋劑、增塑劑、粘合促進(jìn)劑、涂覆助劑、加速劑以及表面活性劑。也可以向光刻膠組合物中加入增感劑，它能將能量從一個(gè)特定波長(zhǎng)范圍轉(zhuǎn)換到不同的曝光波長(zhǎng)。也經(jīng)常向光刻膠中加入堿來(lái)防止圖像表面的t-tops。堿的例子有胺、氫氧化銨和光敏性堿。特別優(yōu)選的堿為氫氧化四丁銨、三乙醇胺、二乙醇胺、三辛胺、正辛胺、氫氧化三甲基锍、氫氧化三苯基锍、環(huán)己烷氨基磺酸雙(叔丁基苯基)碘鎓和環(huán)己烷氨基磺酸三(叔丁基苯基)锍。
基于光刻膠組合物的總重量計(jì)，典型的本發(fā)明光刻膠組合物可以包含最高至約50wt％的固體分。基于光刻膠組合物的總固體分含量計(jì)，固體分可以包含1-15wt％的光酸產(chǎn)生劑、40-80wt％的聚合物和5-30wt％的交聯(lián)劑。
固體組分溶于溶劑中。對(duì)這類(lèi)光刻膠組合物合適的溶劑可以包括丙二醇單烷基醚、丙二醇烷基(如甲基)醚乙酸酯、2-庚酮、3-甲氧基-3-甲基丁醇、乙酸丁酯、苯甲醚、二甲苯、二甘醇二甲醚、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、二甘醇單乙醚、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單甲醚乙酸酯、甲乙酮，單氧代一元羧酸酯，例如羥基乙酸甲酯、羥基乙酸乙酯、羥基乙酸丁酯、甲氧基乙酸甲酯、甲氧基乙酸乙酯、甲氧基乙酸丁酯、乙氧基乙酸甲酯、乙氧基乙酸乙酯、丙酸乙氧基乙酯、3-氧代丙酸甲酯、3-氧代丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、2-氧代丙酸甲酯、2-氧代丙酸乙酯、2-羥基丙酸乙酯(乳酸乙酯)、3-羥基丙酸乙酯、2-氧代丙酸丙酯、2-乙氧基丙酸甲酯或2-甲氧基丙酸丙酯，或這些溶劑中一種或多種溶劑的混合物。當(dāng)然，在襯底上涂覆光刻膠溶液并隨后干燥后，基本上除去了溶劑。
制備的光刻膠溶液能通過(guò)光刻膠領(lǐng)域中使用的任何常規(guī)方法施用到襯底上，包括浸漬、噴霧、渦轉(zhuǎn)和旋涂。例如旋涂時(shí)，如果給定旋涂法所用的旋涂設(shè)備類(lèi)型和允許的時(shí)間量，則為提供所需厚度的涂層，可以相對(duì)于固體分含量的百分?jǐn)?shù)來(lái)調(diào)節(jié)光刻膠溶液。合適的襯底包括硅、鋁、聚合物樹(shù)脂、二氧化硅、摻雜二氧化硅、氮化硅、鉭、銅、多晶硅、陶瓷、鋁/銅混合物；砷化鎵和其他這樣的第III/V族的化合物。
通過(guò)所述方法制備的光刻膠涂料特別適合于施用到熱生長(zhǎng)的硅/二氧化硅涂覆的晶片，例如在生產(chǎn)微處理器和其他微型化集成電路元件中使用的那些。也可使用鋁/氧化鋁晶片。襯底也可涂覆有抗反射涂層以防止來(lái)自反射性襯底的反射。
然后將光刻膠組合物溶液涂覆到襯底上，并熱處理該襯底。選擇加熱處理是為了減少光刻膠中殘留溶劑的濃度，而基本不引起光敏組分的熱降解。一般，期望使溶劑的濃度最小化，而且此第一次加熱處理要進(jìn)行到基本上所有溶劑已蒸發(fā)為止，并有厚度在1μm數(shù)量級(jí)的光刻膠組合物薄涂層保留在襯底上。熱處理要進(jìn)行直到溶劑去除的變化速率變得相對(duì)不顯著為止。溫度與時(shí)間的選擇取決于使用者所需的光刻膠的性能，以及使用的設(shè)備和商業(yè)上需要的涂覆時(shí)間。然后可以將經(jīng)涂覆的襯底在光化輻射下，以利用合適的掩模、底片、鏤花模板、模板等產(chǎn)生的任何所需圖案曝光。然后在顯影前對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光后第二次烘烤或熱處理。
通常要通過(guò)浸漬在一種堿性顯影溶液中或通過(guò)一種噴霧顯影方法，將曝光的經(jīng)負(fù)性作用光刻膠涂覆的襯底顯影以除去未曝光區(qū)域。對(duì)溶液優(yōu)選加以攪拌，例如通過(guò)氮?dú)鈹噭?dòng)。允許襯底留在顯影劑中直到所有或基本上所有的光刻膠涂層已從未曝光區(qū)域溶解下來(lái)為止。顯影劑可以包括氫氧化銨或堿金屬氫氧化物的水溶液。優(yōu)選的氫氧化物為氫氧化四甲銨。從顯影溶液中取出經(jīng)涂覆的晶片后，可以進(jìn)行一次非必要的顯影后熱處理或烘烤，以增加涂層的粘合和對(duì)蝕刻溶液及其他物質(zhì)的化學(xué)抵抗力。顯影后熱處理可以包括在涂層的軟化點(diǎn)以下在爐中烘烤涂層和襯底。本發(fā)明的光刻膠組合物耐酸-堿蝕刻溶液并耐干蝕，并且能對(duì)襯底的未曝光的光刻膠涂層區(qū)域提供有效的保護(hù)。
以下的具體實(shí)施例將就本發(fā)明的組合物的制備和使用方法作出詳細(xì)的解釋。但這些實(shí)施例并無(wú)意于以任何方式限制或限定本發(fā)明的范圍，也不應(yīng)認(rèn)為是在提供必須唯一利用以實(shí)踐本發(fā)明的條件、參數(shù)或數(shù)值。除非另外指出，所有份數(shù)和百分?jǐn)?shù)按重量計(jì)。
實(shí)施例實(shí)施例1
將0.988g聚[5-(2-三氟甲基-1，1，1-三氟-2-羥丙基)-2-降冰片烯](Mw＝8,300，Mw/Mm＝1.69)、0.247g四甲氧基甘脲、0.013g三氟甲磺酸三苯基锍、0.122g 1wt％的氫氧化四丁銨的丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)溶液和0.012g 10wt％的表面活性劑FC 4430(氟代脂肪族聚合酯，3M Corporation，St.Paul Minnesota提供)的PGMEA溶液，溶解于8.62g PGMEA以得到一種光刻膠溶液。將此溶液使用0.2μm的過(guò)濾器過(guò)濾并如下加工。分開(kāi)地，通過(guò)向硅襯底上旋涂底部抗反射涂料溶液AZEXP ArF-1C(從Clariant Corp.，Somerville，NJ購(gòu)得)并在175℃烘烤60秒，制備一種經(jīng)底部抗反射涂覆的(B.A.R.C)硅襯底。B.A.R.C膜的厚度保持在39nm。然后將光刻膠溶液涂覆在經(jīng)B.A.R.C涂覆的硅襯底上。調(diào)解旋涂速度使得光刻膠膜厚度為330nm。將抗蝕劑膜在95℃下烘烤60秒。然后使用石英二元掩模上的鉻將其在193nm的ISI微型步進(jìn)投影曝光機(jī)(數(shù)值孔徑為0.6和相干性為0.7)上曝光。曝光后，將晶片在150℃下曝光后烘烤60秒。使用2.38wt％的氫氧化四甲銨水溶液進(jìn)行顯影60秒。然后在掃描電鏡上觀察到線(xiàn)條和空白圖案。該光刻膠具有感光性為58mJ/cm2和線(xiàn)性分辨率為0.18m。
實(shí)施例2將0.892g聚[5-(2-三氟甲基-1，1，1-三氟-2-羥丙基)-2-降冰片烯](Mw＝8,300，Mw/Mn＝1.69)、0.223g四甲氧基甘脲、0.023g三氟甲磺酸三苯基锍、0.217g 1wt％的氫氧化四丁銨的PGMEA溶液和0.011g 10wt％的FC 4430的PGMEA溶液，溶解于7.75g PGMEA中。將此溶液使用0.2μm的過(guò)濾器過(guò)濾并按類(lèi)似于實(shí)施例1中描述的方式加工，除了將抗蝕劑膜在110℃下烘烤60秒、在150℃曝光后烘烤60秒和進(jìn)行顯影120秒之外。
該配方具有感光性為26mJ/cm2和線(xiàn)性分辨率為0.13μm。
實(shí)施例3
將0.979g聚[5-(2-三氟甲基-1，1，1-三氟-2-羥丙基)-2-降冰片烯](Mw＝8,730，Mw/Mn＝1.84)、0.245g四甲氧基甘脲、0.0252g三氟甲磺酸三苯基锍、0.137g 1wt％的三乙醇胺的PGMEA溶液和0.012g 10wt％的FC 4430的PGMEA溶液，溶解于8.60g PGMEA中。將此溶液使用0.2μm的過(guò)濾器過(guò)濾并按類(lèi)似于實(shí)施例1中描述的方式加工，除了將光刻膠膜在115℃烘烤60秒、在130℃曝光后烘烤60秒和進(jìn)行顯影60秒之外。
該配方具有感光性為20mJ/cm2和線(xiàn)性分辨率為0.08μm。
實(shí)施例4將1.982g聚[5-(2-三氟甲基-1，1，1-三氟-2-羥丙基)-2-降冰片烯](Mw＝8,300，Mw/Mn＝1.69)、0.0668g四甲基-1，3-苯二甲醇、0.178g九氟丁磺酸三苯基锍和0.012g 10wt％的FC4430的PGMEA溶液，溶解于18g PGMEA中。將此溶液使用0.2μm的過(guò)濾器過(guò)濾并按類(lèi)似于實(shí)施例1中描述的方式加工，除了將抗蝕劑膜在90℃下烘烤60秒、在110℃曝光后烘烤60秒和進(jìn)行顯影60秒之外。
該配方具有感光性為15mJ/cm2和線(xiàn)性分辨率為0.20μm。
權(quán)利要求
1.一種負(fù)性光刻膠組合物，其包含a)包含至少一種結(jié)構(gòu)1單元的堿溶性聚合物， 其中，Rf1和Rf2分別獨(dú)立地表示全氟化或部分氟化的烷基，并且n為1-8；b)單一的光酸產(chǎn)生劑或光酸產(chǎn)生劑的混合物；和c)交聯(lián)劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的光刻膠組合物，其中，所述聚合物包含其他種單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的光刻膠組合物，其中，所述其他種單元選自四氟乙烯、乙烯、環(huán)烯烴、取代環(huán)烯烴、馬來(lái)酸酐、氰基丙烯酸酯和氰基甲基丙烯酸酯。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的光刻膠組合物，其中，所述聚合物為聚[5-(2-三氟甲基-1，1，1-三氟-2-羥丙基)-2-降冰片烯]。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的光刻膠組合物，其中，所述聚合物中n為1。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的光刻膠組合物，其另外包含堿。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的光刻膠組合物，其中，所述堿選自氫氧化四丁銨、三乙醇胺、二乙醇胺、三辛胺、正辛胺、氫氧化三甲基锍、氫氧化三苯基锍、環(huán)己烷氨基磺酸雙(叔丁基苯基)碘鎓和環(huán)己烷氨基磺酸三(叔丁基苯基)锍。
8.一種將負(fù)性光刻膠成像的方法，其包括如下步驟a)由權(quán)利要求1的光刻膠組合物在襯底上形成光刻膠涂層；b)成像式曝光此光刻膠涂層；c)曝光后烘烤此光刻膠涂層；和d)用含水堿性溶液將此光刻膠涂層顯影。
9.權(quán)利要求8的方法，其中，成像式曝光波長(zhǎng)為200nm以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中，含水堿性溶液包含氫氧化四甲銨。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中，含水堿性溶液另外包含表面活性劑。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種能在含水堿性溶液中顯影并包含氟化聚合物、光活性化合物和交聯(lián)劑的新型負(fù)性作用深紫外光刻膠。該光刻膠組合物特別可用于用193nm和157nm的曝光波長(zhǎng)形成圖案。
文檔編號(hào)G03F7/038GK1615458SQ03802066
公開(kāi)日2005年5月11日 申請(qǐng)日期2003年1月3日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月9日
發(fā)明者工藤隆范, M·潘德曼納班, R·R·達(dá)默爾, M·A·圖卡伊 申請(qǐng)人:科萊恩金融(Bvi)有限公司