像素單元驅(qū)動(dòng)裝置、方法和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶面板像素驅(qū)動(dòng)裝置及其驅(qū)動(dòng)方法、以及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor-Liquid CrystalDisplay，簡(jiǎn)稱TFT-1XD)是當(dāng)前主流的平板顯示器。低溫多晶娃(Low Temperature Poly-Silicon ；LTPS)技術(shù)是新一代的薄膜晶體管顯示器，具有更高的分辨率和更佳的畫面顯示品質(zhì)。薄膜晶體管液晶顯示器的基本結(jié)構(gòu)包括由兩塊基板組合而成的液晶面板。通過給基板施加電場(chǎng)，形成一定的液晶電容以控制液晶轉(zhuǎn)向。為了防止由于長(zhǎng)時(shí)間使用單向電場(chǎng)等導(dǎo)致的圖像劣化，需要不斷地反轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)電壓相對(duì)公共電壓的極性。小尺寸液晶顯示器為減小功耗，通常采用列反轉(zhuǎn)模式。與點(diǎn)反轉(zhuǎn)相比，列反轉(zhuǎn)在垂直串?dāng)_等方面明顯較差。
[0003]圖1示出了傳統(tǒng)像素單元驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，面板組件包括:多個(gè)掃描信號(hào)線Gl-Gn和多個(gè)數(shù)據(jù)線Dl-Dm以及與所述掃描信號(hào)線和所述數(shù)據(jù)線相連的像素單元。所述掃描信號(hào)線和所述數(shù)據(jù)線與所述像素單元的開關(guān)元件交叉連接并且以矩陣形式排列，從而構(gòu)成了像素單元驅(qū)動(dòng)電路。一般低溫多晶硅(LTPS)陣列的像素開關(guān)元件為NMOS管，其驅(qū)動(dòng)方法如圖1所示，柵極輸出電壓僅有兩種值，一為打開電壓(高電平)，一為關(guān)閉電壓(低電平)。在每一幀T畫面下，Gl在輸出高電平tl時(shí)，像素開關(guān)元件接通，Gl行像素Dl-Dn充電；G1輸出低電平t2時(shí)，像素開關(guān)元件關(guān)斷，Gl行像素Dl-Dn保持；G1輸出低電平的同時(shí)，G2行輸出高電平，可以依次類推G2-Gm行工作模式。然而，當(dāng)Gl行像素Dl-Dn充電時(shí)，數(shù)據(jù)線Dl-Dn上的數(shù)據(jù)信號(hào)將貫穿Gl-Gm行的像素Dl_Dn。雖然薄膜晶體管不導(dǎo)通，但是數(shù)據(jù)線與像素電極之間的電容耦合作用也會(huì)影響到G2-Gm行的像素Dl-Dn的保持狀態(tài)，從而引起顯示畫面的垂直串?dāng)_。而且，當(dāng)分辨率更高時(shí)，上述問題會(huì)更為嚴(yán)重。
[0004]圖2示出了像素單元基本結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖2所示，每個(gè)像素單元包括與掃描信號(hào)線Gl-Gn之一和數(shù)據(jù)線Dl-Dm之一連接的開關(guān)元件Q。一般情況下開關(guān)元件可以采用NMOS晶體管，也可以采用PMOS晶體管。
[0005]圖1和圖2所示的傳統(tǒng)像素單元中需要不斷地反轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)電壓相對(duì)于公共電壓的極性，所采用的列反轉(zhuǎn)在垂直串?dāng)_等方面明顯較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了克服列反轉(zhuǎn)的垂直串?dāng)_，本發(fā)明提出了一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路和方法。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提出了一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路，用于對(duì)像素單元的發(fā)光元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路包括:
[0008]多個(gè)掃描信號(hào)線，用于提供掃描信號(hào)；
[0009]多個(gè)數(shù)據(jù)線，用于提供數(shù)據(jù)信號(hào)，
[0010]其中所述掃描信號(hào)線和所述數(shù)據(jù)線與所述像素單元的開關(guān)元件交叉連接以形成矩陣形式的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，相鄰的開關(guān)元件交替地采用極性相反的開關(guān)元件，并且與所述開關(guān)元件相連的掃描信號(hào)線交替地采用相應(yīng)的高低電平。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提出了一種像素單元驅(qū)動(dòng)方法，用于對(duì)像素單元的發(fā)光元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，所述像素單元驅(qū)動(dòng)方法包括:將所述掃描信號(hào)線和所述數(shù)據(jù)線與所述像素單元的開關(guān)元件交叉連接以形成矩陣形式的像素單元驅(qū)動(dòng)電路；以及用高低電平交替地驅(qū)動(dòng)極性相反的開關(guān)元件。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，提出了一種顯示裝置，包括如上所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路。
[0013]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，通過面板設(shè)計(jì)掃描信號(hào)線奇偶行交替采用NMOS管、PMOS管開關(guān)像素元件，并且每行開關(guān)像素元件與相鄰的掃描信號(hào)線相連，即掃描信號(hào)線和數(shù)據(jù)線連接的開關(guān)像素元件水平(垂直)交替采用NMOS管PMOS管，結(jié)合掃描時(shí)序，可通過高低電平分時(shí)掃描技術(shù)，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)線和像素電極之間的電壓差在正和負(fù)之間交替改變，改善數(shù)據(jù)線和像素電極之間的寄生電容而引起產(chǎn)生的垂直串?dāng)_。
【附圖說明】
[0014]圖1示出了傳統(tǒng)像素單元驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖2示出了像素單元的基本結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖3示出了本發(fā)明實(shí)施例的一種像素驅(qū)動(dòng)單元的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖4示出了本發(fā)明實(shí)施例的另一種像素驅(qū)動(dòng)單元的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖5從數(shù)據(jù)線電壓的角度描述了現(xiàn)有的像素單元驅(qū)動(dòng)電路的操作示意圖。
[0019]圖6從數(shù)據(jù)線電壓的角度描述了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的像素單元驅(qū)動(dòng)電路的操作示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0021]本發(fā)明所有實(shí)施例中采用的開關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管均可以為薄膜晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管或其他特性相同的器件。優(yōu)選地，本發(fā)明實(shí)施例中使用的薄膜晶體管可以是氧化物半導(dǎo)體晶體管。由于這里采用的開關(guān)晶體管的源極、漏極是對(duì)稱的，所以其源極、漏極可以互換。在本發(fā)明實(shí)施例中，為區(qū)分晶體管除柵極之外的兩極，將其中一個(gè)電極稱為源極，另一電極稱為漏極。
[0022]圖3示出了本發(fā)明實(shí)施例的一種像素驅(qū)動(dòng)單元的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，在所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路中，掃描信號(hào)線Gl-Gn水平方向相互平行，數(shù)據(jù)線Dl-Dm垂直方向相互平行。掃描信號(hào)線Gl-Gn與交替地采用NMOS晶體管和PMOS管的開關(guān)元件相連。在這里，相鄰開關(guān)元件交替的間隔為一行和一列。具體地，奇數(shù)行的掃描信號(hào)線與一種極性的開關(guān)元件相連，偶數(shù)行的掃描信號(hào)線與另一種極性的開關(guān)元件相連。當(dāng)然，開關(guān)元件交替的間隔也可以是兩行、三行等等和兩列、三列等等。另外，每