度方向)上的形成范圍比靜電引導部52的該形成范圍窄，但是方形狀部54的Y軸方向(長度方向)上的形成范圍比靜電引導部52的該形成范圍寬。換言之，形成方形狀部54的一對長邊側(cè)的外緣部54a、54b間的距離，比形成靜電引導部52的一對長邊側(cè)的外緣部52a、52b間的距離小，而形成方形狀部54的一對短邊側(cè)的外緣部54c、54d間的距離，比形成靜電引導部52的一對短邊側(cè)的外緣部52c、52d間的距離大。因此，方形狀部54具有的四角的角部與靜電引導部52具有的四角的角部，配置成相互在俯視時錯開。另外，第2靜電引導部53配置成，突出部55相對于方形狀部54，圖14所示的下側(cè)的外緣部54d、55b彼此呈共面狀對齊。由此，第2靜電引導部53的方形狀部54具有的一對長邊側(cè)的外緣部54a、54b，與靜電引導部52具有的圖14所示的上側(cè)的短邊側(cè)的外緣部52c分別交叉，并且，方形狀部54具有的該圖右側(cè)的長邊側(cè)的外緣部54b與靜電引導部52具有的該圖右側(cè)的長邊側(cè)的外緣部52b交叉，另外，突出部55具有的該圖上側(cè)的外緣部55a與靜電引導部52具有的該圖左側(cè)的長邊側(cè)的外緣部52a交叉。即，靜電引導部52和第2靜電引導部53具有合計4處交叉位置CP2。在這些4處交叉位置CP2相互交叉的外緣部52a、52c、52d、54a、54b、55a所成的內(nèi)角為約270度(180度以上)，因此，在該交叉位置CP2配置在下層側(cè)的柵極絕緣膜35和保護膜37的覆蓋率局部地惡化而導致絕緣性降低。因此，在4處交叉位置CP2，在陣列基板Ilb制造過程中產(chǎn)生的靜電容易被引導。另外，4處交叉位置CP2在Y軸方向上非對稱地配置。
[0085]另一方面，在共用配線25的與接觸部32的相對部位、和構(gòu)成接觸部32的柵極配線側(cè)連接部48的與共用配線25的相對部位，如圖6所示，分別以成對的形式形成有以相互接近的方式突出的突出型靜電引導部56。利用該突出型靜電引導部56，在陣列基板Ilb的制造過程中的形成第2金屬膜38前的階段，能夠保護靜電保護電路部26和接觸部32中的任一者免受由另一者產(chǎn)生的靜電的影響。突出型靜電引導部56均由第I金屬膜34形成，形成為從其突出基端側(cè)向突出前端側(cè)逐漸變細的形狀，在俯視時呈大致三角形狀。成對的突出型靜電引導部56的突出前端部，彼此在Y軸方向上的位置大致一致，并且在X軸方向上稍微空開距離而配置成相對狀。成對的突出型靜電引導部56，可以說沿X軸方向排列配置。一對突出型靜電引導部56中的與共用配線25連接的突出型靜電引導部56，配置在與靜電引導部52相鄰的位置。突出型靜電引導部56，在Y軸方向上配置在靜電引導部52的延伸方向的大致中央位置。
[0086]通過如上所述的結(jié)構(gòu)的靜電保護部51具有的靜電引導部52和突出型靜電引導部56能夠得到如下的作用和效果。即，陣列基板Ilb的制造，通過用已知的光刻法在玻璃基板GS上從下層側(cè)起依次形成上述的各膜來進行。在反復進行該成膜時，需要將玻璃基板GS向各種制造裝置輸送，在該過程中，存在在玻璃基板GS和至此形成的膜的最外表面會因剝離帶電等而產(chǎn)生靜電的情況。特別是，在形成完成第2金屬膜38的階段，靜電保護電路部26，如圖6所示，2個二極管29、30所具有的由第2金屬膜38形成的各電極部29a、29b、30a、30b的各外緣部29al、29b1、30al、30bI與由半導體膜36形成的各半導體部29d、30d的各外緣部29d、30d分別交叉，由此，具有合計8處的各交叉位置CPl，因此，有可能在這些交叉位置CPl中的任一個交叉位置被直接施加靜電。
[0087]關(guān)于這一點，在本實施方式中，在至少一部分在俯視時與共用配線25重疊、并且與第I短路配線部31和共用配線25的交叉部位CPT相比相對靠近靜電保護電路部26的位置，如圖6和圖14所示，設置有具有靜電引導部52、53的靜電保護部51，因此，即使在陣列基板Ilb制造過程中產(chǎn)生了靜電的情況下，通過將該靜電引導至靜電引導部52、53，也能夠使靜電直接施加到形成靜電保護電路部26的各二極管29、30的概率降低。詳細而言，靜電引導部52，由半導體膜36形成，并且以在俯視時與由第I金屬膜34形成的共用配線25重疊的方式配置，因此，能夠使介于靜電引導部52與共用配線25之間的柵極絕緣膜35的覆蓋率局部地惡化而使絕緣性降低。由此，能夠適當?shù)貙⒃陉嚵谢錓lb的制造過程中產(chǎn)生的靜電向靜電引導部52和共用配線25中的與靜電引導部52重疊的部位引導。而且，靜電保護部51通過靜電引導部52的外緣部52a、52c、52d與由第2金屬膜38形成的第2靜電引導部53的外緣部54a、54b、55a交叉，具有合計4處的交叉位置CP2，在這些交叉位置CP2，配置在下層側(cè)的柵極絕緣膜35和保護膜37的覆蓋率局部地惡化而導致絕緣性降低。由此，能夠適當?shù)貙⒃陉嚵谢錓lb的制造過程中產(chǎn)生的靜電向4處的交叉位置CP2引導。如上所述，在陣列基板Ilb的制造過程中產(chǎn)生的靜電直接施加到靜電保護電路部26的各二極管29、30所具有的各交叉位置CPl的概率降低，由此，靜電保護電路部26難以發(fā)生與靜電破壞相伴的不良。另外，靜電保護部51所具有的靜電引導部52、53配置在與第I短路配線部31和共用配線25的交叉部位CPT相比相對靠近靜電保護電路部26的位置，因此，能夠更適當?shù)匾龑С蚋鞫O管29、30的靜電從而能夠使靜電直接施加到各二極管29、30變得更加難以發(fā)生，并且能夠使靜電難以直接施加到第I短路配線部31與共用配線25的交叉部位CPT。
[0088]如以上說明的那樣，本實施方式的陣列基板(半導體裝置)Ilb包括:基板(玻璃基板)GS ;形成在玻璃基板GS上的第I金屬膜34 ;至少形成在第I金屬膜34上的柵極絕緣膜(絕緣膜)35 ;形成在絕緣膜35上的半導體膜36 ;至少形成在半導體膜36上保護半導體膜36的保護膜37 ;形成在保護膜37上的第2金屬膜38 ;第I 二極管(半導體功能部)29，該第I 二極管29 (半導體功能部)至少具有:由第2金屬膜38形成的2個第I電極部29a、29b、由保護膜37形成且具有在與2個第I電極部29a、29b重疊的位置分別貫通形成的2個第I 二極管側(cè)開口部(半導體功能部側(cè)開口部)29cl、29c2的第I保護部(保護部)29c、由半導體膜36形成且通過2個第I 二極管側(cè)開口部29c1、29c2與2個第I電極部29a、29b分別連接并且具有在俯視時與第I電極部29a、29b的外緣部29al、29bl交叉的外緣部29dl的第I半導體部(半導體部)29d;共用配線(靜電釋放配線部)25，該共用配線(靜電釋放配線部)25由第I金屬膜34形成，配置于在俯視時與第I 二極管29相鄰的位置，沿玻璃基板GS的板面且沿與2個第I電極部29a、29b的排列方向交叉的方向延伸，并且能夠使靜電釋放；第I短路配線部(半導體功能部連接配線部)31，該第I短路配線部(半導體功能部連接配線部)31由第2金屬膜38形成，與2個第I電極部29a、29b中的一個連接，并且沿玻璃基板GS的板面且沿2個第I電極部29a、29b的排列方向延伸從而與共用配線25交叉；和靜電保護部51，該靜電保護部51至少具有靜電引導部52，該靜電引導部52由第2金屬膜38或半導體膜36形成，在俯視時至少一部分與共用配線25重疊，且配置在與共用配線25和第I短路配線部31的交叉部位CPT相比相對靠近第I 二極管29的位置，并且用于引導靜電。
[0089]這樣，第I 二極管29中，與2個第I電極部29a、29b連接的第I半導體部29d具有在俯視時與第I電極部29a、29b的外緣部29al、29bl交叉的外緣部29dl，因此，在第I半導體部29d的外緣部29dl與第I電極部29a、29b的外緣部29al、29bl的交叉位置CP1，配置在下層側(cè)的柵極絕緣膜35的覆蓋率局部地惡化而導致絕緣性降低，在該陣列基板Ilb的制造過程中產(chǎn)生的靜電有可能被施加在上述交叉位置CP1。關(guān)于這一點，在俯視時與第I 二極管29相鄰的位置，配置有由第I金屬膜34形成、沿玻璃基板GS的板面且沿與2個第I電極部29a、29b的排列方向交叉的方向延伸的共用配線25，并且以在俯視時至少一部分與該共用配線25重疊的方式配置有由第2金屬膜38或半導體膜36形成的靜電引導部52，因此，被夾在靜電引導部52與共用配線25之間的柵極絕緣膜35的覆蓋率局部地惡化而導致絕緣性降低。由此，即使在該陣列基板Ilb的制造過程中產(chǎn)生靜電，也能夠?qū)⒃撿o電引導至靜電引導部52，由此能夠使得靜電難以直接施加到第I 二極管29。而且，靜電保護部51所具有的靜電引導部52配置在與第I短路配線部31和共用配線25的交叉部位CPT相比相對靠近第I 二極管29的位置，其中，第I短路配線部31由第2金屬膜38形成，與2個第I電極部29a、29b中的一個連接，并且沿玻璃基板GS的板面且沿2個第I電極部29a、29b的排列方向延伸，因此，能夠更適當?shù)匾龑С虻贗 二極管29的靜電，由此能夠進一步抑制靜電直接施加到第I 二極管29。根據(jù)本實施方式，能夠抑制由靜電導致的不良的發(fā)生。
[0090]另外，半導體膜36由氧化物半導體形成。由此，當半導體膜36采用氧化物半導體時，在制造過程中形成第2金屬膜38時容易被蝕刻，另外在成膜后也處于容易被氧化或還原的趨勢，但是在半導體膜36與第2金屬膜38之間設置有保護膜37，利用保護膜37保護半導體膜36，因此，在形成第2金屬膜38時難以被蝕刻，另外在成膜后半導體膜36難以被氧化或還原。
[0091]另外，靜電引導部52由半導體膜36形成。由此，配置在靜電引導部52的正下方的柵極絕緣膜35的覆蓋率進一步惡化，因此，能夠進一步提高靜電引導效果。另外，當靜電引導部52由半導體膜36形成時，與假設靜電引導部由第2金屬膜38構(gòu)成的情況相比，例如即使在無法充分確保下層側(cè)的共用配線25的線寬的情況下，也難以使共用配線25發(fā)生短路，因此，能夠提尚成品率。
[0092]另外，靜電保護部51具有第2靜電引導部53，該第2靜電引導部53由第2金屬膜38形成，以在俯視時至少一部分與靜電引導部52重疊的方式配置，并且具有與靜電引導部52的外緣部52a、52c、52d交叉的外緣部54a、54b、55a。由此，第2靜電引導部53具有在俯視時與靜電引導部52的外緣部52a、52c、52d交叉的外緣部54a、54b、55a，因此，在第2靜電引導部53的外緣部54a、54b、55a與靜電引導部52的外緣部52a、52c、52d的交叉位置CP2，配置在下層側(cè)的保護膜37和柵極絕緣膜35的覆蓋率局部地惡化而導致絕緣性降低，因此，能夠?qū)㈧o電引導至上述交叉位置CP2。由此，能夠進一步抑制靜電直接施加到第I 二極管29。
[0093]另外，靜電引導部52在俯視時呈方形狀，而第2靜電引導部53配置成其外緣部54a、54b、55a與靜電引導部52的外緣部52a、52c、52d至少在4個位置交叉。由此，在俯視時呈方形狀的靜電引導部52的外緣部52a、52c、52d與第2靜電引導部53的外緣部54a、54b,55a至少在4個位置交叉，因此，能夠更適當?shù)匾龑С虻贗 二極管29的靜電，由此能夠使靜電直接施加到第I 二極管29的概率進一步降低。
[0094]另外，第2靜電引導部53形成為:至少具有與靜電引導部52的4邊的各外緣部52a?52d分別平行的4個外緣部54a?54d，并且相互平行的外緣部52a、52b (52c、52d)間的距離與靜電引導部52的相互平行的外緣部54a、54b(54c、54d)間的距離不同。由此，第2靜電引導部53的俯視時的形狀簡單，因此，能夠得到在制造時成品率良好等效果。
[0095]另外，包括:第2短路配線部(第2半導體功能部連接配線部)33，該第2短路配線部(第2半導體功能部連接配線部)33由第2金屬膜38形成，且與第I 二極管29具有的2個第I電極部29a、29b中的另一個連接；第2短路配線側(cè)絕緣部(第2半導體功能部連接配線部側(cè)絕緣部)47，該第2短路配線側(cè)絕緣部(第2半導體功能部連接配線部側(cè)絕緣部)47由柵極絕緣膜35和保護膜37形成，且具有在俯視時與第2短路配線部33重疊的位置貫通形成的第2短路配線側(cè)開口部(第2半導體功能部連接配線部側(cè)開口部)47a ;和共用配線側(cè)連接部(靜電釋放配線側(cè)連接部)46，該共用配線側(cè)連接部(靜電釋放配線側(cè)連接部)46由第I金屬膜34形成，且與共用配線25連接，并且以在俯視時至少一部分與第2短路配線部33重疊的方式配置，并且通過第2短路配線側(cè)開口部47a與第2短路配線部33連接。由此，第I 二極管29所具有的2個第I電極部29a、29b中的一個與第I短路配線部31連接，另一個與第2短路配線部33連接，其中第2短路配線部33通過第2短路配線側(cè)開口部47a與連接于共用配線25的共用配線側(cè)連接部46連接，因此，在例如由于靜電而使得第I短路配線部31側(cè)的電位比共用配線25側(cè)的電位高的情況下，電流通過第I 二極管29的第I半導體部29d流到共用配線25側(cè)，由此能夠消除產(chǎn)生的電位差。
[0096]另外，包括第2 二極管(第2半導體功能部)30，該第2 二極管(第2半導體功能部)30至少具有:由第2金屬膜38形成的2個第2電極部；由保護膜37形成且具有在與2個第2電極部30a、30b重疊的位置分別貫通形成的2個第2 二極管側(cè)開口部(第2半導體功能部側(cè)開口部)30cl、30c2的第2保護部(第2保護部)30c ;和由半導體膜36形成且通過2個第2 二極管側(cè)開口部30cl、30c2與2個第2電極部30a、30b分別連接的第2半導體部(第2半導體部)30d，第I短路配線部31使2個第I電極部29a、29b中的一個與2個第2電極部30a、30b中的一個短路，而第2短路配線部33使2個第I電極部29a、29b中的另一個與2個第2電極部30a、30b中的另一個短路。由此，第I 二極管29和第2 二極管30，一個第I電極部29a和一個第2電極部30a通過第I短路配線部31短路，而另一個第I電極部29b和另一個第2電極部30b通過第2短路配線部33短路。因此，在由于靜電而在共用配線25側(cè)與第I短路配線部31側(cè)之間產(chǎn)生了大的電位差的情況下，電流流過第I 二極管29的第I半導體部29d或第2 二極管30的第2半導體部30d，由此能夠消除電位差。
[0097]另外，包括:第I柵極電極部側(cè)絕緣部(柵極電極部側(cè)絕緣部)43，該第I柵極電極部側(cè)絕緣部(柵極電極部側(cè)絕緣部)43由保護膜37和柵極絕緣膜35形成，且具有在與第I短路配線部31重疊的位置貫通形成的第I柵極電極部側(cè)開口部(柵極電極部側(cè)開口部)43a ;第I柵極電極部(柵極電極部)29e，該第I柵極電極部(柵極電極部)29e設置于第I 二極管29，由第I金屬膜34形成，且以在俯視時與2個第I電極部29a、29b、第I半導體部29d和第I短路配線部31的至少一部分重疊的方式配置，并且通過第I柵極電極部側(cè)開口部43a與第I短路配線部31連接；第2柵極電極部側(cè)絕緣部(第2柵極電極部側(cè)絕緣部)45，該第2柵極電極部側(cè)絕緣部(第2柵極電極部側(cè)絕緣部)45由保護膜37和柵極絕緣膜35形成，且具有在與第I短路配線部31重疊的位置貫通形成的第2柵極電極部側(cè)開口部(第2柵極電極部側(cè)開口部)45a ;和第2柵極電極部(第2柵極電極部)30e，該第2柵極電極部(第2柵極電極部)30e設置于第2 二極管30，由第I金屬膜34形成，且以在俯視時與2個第2電極部30a、30b、第2半導體部30d和第2短路配線部33的至少一部分重疊的方式配置，并且通過第2柵極電極部側(cè)開口部45a與第2短路配線部33連接。由此，第I柵極電極部29e通過第I短路配線部31與一個第I電極部29a以及一個第2電極部30a短路，而第2柵極電極部30e通過第2短路配線部33與另一個第I電極部29b以及另一個第2電極部30b短路。因此，第I 二極管29和第2 二極管30可以說分別構(gòu)成晶體管型的二極管，通過使其閾值電壓例如比信號配線部輸送的信號的電壓值高，而比產(chǎn)生靜電時被施加的電壓值低，能夠僅在產(chǎn)生了靜電的情況下使該靜電釋放到共用配線25。而且，第2柵極電極部30e通過第2短路配線部33間接地與共用配線側(cè)連接部46連接，因此，與假設第2柵極電極部30e與共用配線側(cè)連接部46直接連接的結(jié)構(gòu)的情況相比，在靜電被引導至靜電引導部52時，難以由于被引導的靜電而使第I 二極管29和第2 二極管30發(fā)生不良。
[0098]另外，包括柵極配線(信號配線部)19和接觸部32，上述柵極配線(信號配線部)19由第I金屬膜34形成，且配置在相對于共用配線25與第I 二極管29側(cè)相反的一偵牝上述接觸部32至少具有:柵極配線側(cè)連接部(信號配線側(cè)連接部)48，該柵極配線側(cè)連接部(信號配線側(cè)連接部)48由第I金屬膜34形成，且形成在柵極配線19的