半導(dǎo)體裝置和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在液晶顯示裝置所使用的液晶面板中，作為用于控制各像素的動(dòng)作的開關(guān)元件，呈行列狀設(shè)置有多個(gè)TFT。以往，作為TFT所使用的半導(dǎo)體膜，一般使用非晶硅等硅半導(dǎo)體，但是，近年來，提出了使用電子迀移率更高的氧化物半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體膜。將使用這樣的氧化物半導(dǎo)體的TFT作為開關(guān)元件使用的液晶顯示裝置的一個(gè)例子記載在下述專利文獻(xiàn)I中。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0004]專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開2010-230744號(hào)公報(bào)
[0006](發(fā)明要解決的技術(shù)問題)
[0007]氧化物半導(dǎo)體，因?yàn)殡娮愚|移率高，所以能夠使TFT更加小型化從而能夠使液晶面板的開口率提高，而且能夠在設(shè)置有TFT的陣列基板上設(shè)置各種電路部。然而，當(dāng)在陣列基板上形成電路部時(shí)，例如在制造過程中產(chǎn)生的靜電有可能施加到電路部，這樣時(shí)電路部有可能產(chǎn)生不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明是基于上述情況完成的，其目的在于抑制由靜電導(dǎo)致的不良的產(chǎn)生。
[0009](用于解決技術(shù)問題的手段)
[0010]本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括:基板；形成在上述基板上的第I金屬膜；至少形成在上述第I金屬膜上的絕緣膜；形成在上述絕緣膜上的半導(dǎo)體膜；至少形成在上述半導(dǎo)體膜上保護(hù)上述半導(dǎo)體膜的保護(hù)膜；形成在上述保護(hù)膜上的第2金屬膜；半導(dǎo)體功能部，該半導(dǎo)體功能部至少具有:由上述第2金屬膜形成的2個(gè)電極部、由上述保護(hù)膜形成且具有在與2個(gè)上述電極部重疊的位置分別貫通形成的2個(gè)半導(dǎo)體功能部側(cè)開口部的保護(hù)部、和由上述半導(dǎo)體膜形成且通過2個(gè)上述半導(dǎo)體功能部側(cè)開口部與2個(gè)上述電極部分別連接并且具有在俯視時(shí)與上述電極部的外緣部交叉的外緣部的半導(dǎo)體部；靜電釋放配線部，該靜電釋放配線部由上述第I金屬膜形成，配置于在俯視時(shí)與上述半導(dǎo)體功能部相鄰的位置，沿上述基板的板面且沿與2個(gè)上述電極部的排列方向交叉的方向延伸，并且能夠使靜電釋放；半導(dǎo)體功能部連接配線部，該半導(dǎo)體功能部連接配線部由上述第2金屬膜形成，與2個(gè)上述電極部中的一個(gè)連接，并且沿上述基板的板面且沿2個(gè)上述電極部的排列方向延伸從而與上述靜電釋放配線部交叉；和靜電保護(hù)部，該靜電保護(hù)部至少具有靜電引導(dǎo)部，該靜電引導(dǎo)部由上述第2金屬膜或上述半導(dǎo)體膜形成，在俯視時(shí)至少一部分與上述靜電釋放配線部重疊，且配置在與上述靜電釋放配線部和上述半導(dǎo)體功能部連接配線部的交叉部位相比相對(duì)靠近上述半導(dǎo)體功能部的位置，并且用于引導(dǎo)靜電。
[0011]這樣，半導(dǎo)體功能部中，與2個(gè)電極部連接的半導(dǎo)體部具有在俯視時(shí)與電極部的外緣部交叉的外緣部，因此，在半導(dǎo)體部的外緣部與電極部的外緣部的交叉位置配置在下層側(cè)的絕緣膜的覆蓋率局部地惡化而導(dǎo)致絕緣性降低，在該半導(dǎo)體裝置的制造過程中產(chǎn)生的靜電有可能被施加在上述交叉位置。關(guān)于這一點(diǎn)，在俯視時(shí)與半導(dǎo)體功能部相鄰的位置，配置有由第I金屬膜形成、沿基板的板面且沿與2個(gè)電極部的排列方向交叉的方向延伸的靜電釋放配線部，并且以在俯視時(shí)至少一部分與該靜電釋放配線部重疊的方式配置有由第2金屬膜或半導(dǎo)體膜形成的靜電引導(dǎo)部，因此，被夾在靜電引導(dǎo)部與靜電釋放配線部之間的絕緣膜的覆蓋率局部地惡化而導(dǎo)致絕緣性降低。由此，即使在該半導(dǎo)體裝置的制造過程中產(chǎn)生靜電，也能夠?qū)⒃撿o電引導(dǎo)至靜電引導(dǎo)部，由此能夠使得靜電難以直接施加到半導(dǎo)體功能部。而且，靜電保護(hù)部所具有的靜電引導(dǎo)部，配置在與半導(dǎo)體功能部連接配線部和靜電釋放配線部的交叉部位相比相對(duì)靠近半導(dǎo)體功能部的位置，其中，上述半導(dǎo)體功能部連接配線部由第2金屬膜形成，與2個(gè)電極部中的一個(gè)連接，并且沿基板的板面且沿2個(gè)電極部的排列方向延伸，因此，能夠更適當(dāng)?shù)匾龑?dǎo)朝向半導(dǎo)體功能部的靜電，由此能夠進(jìn)一步抑制靜電直接施加到半導(dǎo)體功能部。
[0012]作為本發(fā)明的實(shí)施方式，優(yōu)選如下的結(jié)構(gòu)。
[0013](I)上述半導(dǎo)體膜由氧化物半導(dǎo)體形成。由此，當(dāng)半導(dǎo)體膜采用氧化物半導(dǎo)體時(shí)，在制造過程中形成第2金屬膜時(shí)容易被蝕刻，另外在成膜后也處于容易被氧化或還原的趨勢，但是在半導(dǎo)體膜與第2金屬膜之間設(shè)置有保護(hù)膜，利用保護(hù)膜保護(hù)半導(dǎo)體膜，因此，在形成第2金屬膜時(shí)難以被蝕刻，另外在成膜后半導(dǎo)體膜難以被氧化或還原。
[0014](2)上述靜電引導(dǎo)部由上述半導(dǎo)體膜形成。由此，配置在靜電引導(dǎo)部的正下方的絕緣膜的覆蓋率進(jìn)一步惡化，因此，能夠進(jìn)一步提高靜電引導(dǎo)效果。另外，當(dāng)靜電引導(dǎo)部由半導(dǎo)體膜形成時(shí)，與假設(shè)靜電引導(dǎo)部由第2金屬膜構(gòu)成的情況相比，例如即使在無法充分確保下層側(cè)的靜電釋放配線部的線寬的情況下，也能夠使靜電釋放配線部難以發(fā)生短路，因此，能夠提尚成品率。
[0015](3)上述靜電保護(hù)部具有第2靜電引導(dǎo)部，該第2靜電引導(dǎo)部由上述第2金屬膜形成，以在俯視時(shí)至少一部分與上述靜電引導(dǎo)部重疊的方式配置，并且具有與上述靜電引導(dǎo)部的外緣部交叉的外緣部。由此，第2靜電引導(dǎo)部具有在俯視時(shí)與靜電引導(dǎo)部的外緣部交叉的外緣部，因此，在第2靜電引導(dǎo)部的外緣部與靜電引導(dǎo)部的外緣部的交叉位置，配置在下層側(cè)的保護(hù)膜和絕緣膜的覆蓋率局部地惡化而導(dǎo)致絕緣性降低，因此，能夠?qū)㈧o電引導(dǎo)至上述交叉位置。由此，能夠進(jìn)一步抑制靜電直接施加到半導(dǎo)體功能部。
[0016](4)上述靜電引導(dǎo)部在俯視時(shí)呈方形狀，而上述第2靜電引導(dǎo)部配置成其外緣部與上述靜電引導(dǎo)部的外緣部至少在4個(gè)位置交叉。由此，在俯視時(shí)呈方形狀的靜電引導(dǎo)部的外緣部與第2靜電引導(dǎo)部的外緣部至少在4個(gè)位置交叉，因此，能夠更適當(dāng)?shù)匾龑?dǎo)朝向半導(dǎo)體功能部的靜電，由此能夠使靜電直接施加到半導(dǎo)體功能部的概率進(jìn)一步降低。
[0017](5)上述第2靜電引導(dǎo)部形成為:至少具有與上述靜電引導(dǎo)部的4邊的各外緣部分別平行的4個(gè)外緣部，并且相互平行的外緣部間的距離與上述靜電引導(dǎo)部的相互平行的外緣部間的距離不同。由此，第2靜電引導(dǎo)部的俯視時(shí)的形狀簡單，因此，能夠得到在制造時(shí)成品率良好等效果。
[0018](6)上述半導(dǎo)體裝置包括:第2半導(dǎo)體功能部連接配線部，該第2半導(dǎo)體功能部連接配線部由上述第2金屬膜形成，且與上述半導(dǎo)體功能部具有的2個(gè)上述電極部中的另一個(gè)連接；第2半導(dǎo)體功能部連接配線部側(cè)絕緣部，該第2半導(dǎo)體功能部連接配線部側(cè)絕緣部由上述絕緣膜和上述保護(hù)膜形成，且具有在俯視時(shí)與上述第2半導(dǎo)體功能部連接配線部重疊的位置貫通形成的第2半導(dǎo)體功能部連接配線部側(cè)開口部；和靜電釋放配線側(cè)連接部，該靜電釋放配線側(cè)連接部由上述第I金屬膜形成，且與上述靜電釋放配線部連接，并且以在俯視時(shí)至少一部分與上述第2半導(dǎo)體功能部連接配線部重疊的方式配置，并且通過上述第2半導(dǎo)體功能部連接配線部側(cè)開口部與上述第2半導(dǎo)體功能部連接配線部連接。由此，半導(dǎo)體功能部所具有的2個(gè)電極部中的一個(gè)與半導(dǎo)體功能部連接配線部連接，另一個(gè)與第2半導(dǎo)體功能部連接配線部連接，其中第2半導(dǎo)體功能部連接配線部通過第2半導(dǎo)體功能部連接配線部側(cè)開口部與連接于靜電釋放配線部的靜電釋放配線側(cè)連接部連接，因此，在例如由于靜電而使得半導(dǎo)體功能部連接配線部側(cè)的電位比靜電釋放配線部側(cè)的電位高的情況下，電流通過半導(dǎo)體功能部的半導(dǎo)體部流到靜電釋放配線部側(cè)，由此能夠消除產(chǎn)生的電位差。
[0019](7)上述半導(dǎo)體裝置包括第2半導(dǎo)體功能部，該第2半導(dǎo)體功能部至少具有:由上述第2金屬膜形成的2個(gè)第2電極部；由上述保護(hù)膜形成且具有在與2個(gè)上述第2電極部重疊的位置分別貫通形成的2個(gè)第2半導(dǎo)體功能部側(cè)開口部的第2保護(hù)部；和由上述半導(dǎo)體膜形成且通過2個(gè)上述第2半導(dǎo)體功能部側(cè)開口部與2個(gè)上述第2電極部分別連接的第2半導(dǎo)體部，上述半導(dǎo)體功能部連接配線部使2個(gè)上述電極部中的一個(gè)與2個(gè)上述第2電極部中的一個(gè)短路，而上述第2半導(dǎo)體功能部連接配線部使2個(gè)上述電極部中的另一個(gè)與2個(gè)上述第2電極部中的另一個(gè)短路。由此，半導(dǎo)體功能部和第2半導(dǎo)體功能部，一個(gè)電極部和一個(gè)第2電極部通過半導(dǎo)體功能部連接配線部短路，而另一個(gè)電極部和另一個(gè)第2電極部通過第2半導(dǎo)體功能部連接配線部短路。因此，在由于靜電而在靜電釋放配線部側(cè)與半導(dǎo)體功能部連接配線部側(cè)之間產(chǎn)生了大的電位差的情況下，電流流過半導(dǎo)體功能部的半導(dǎo)體部或第2半導(dǎo)體功能部的第2半導(dǎo)體部，由此能夠消除電位差。
[0020](8)上述半導(dǎo)體裝置包括:柵極電極部側(cè)絕緣部，該柵極電極部側(cè)絕緣部由上述保護(hù)膜和上述絕緣膜形成，且具有在與上述半導(dǎo)體功能部連接配線部重疊的位置貫通形成的柵極電極部側(cè)開口部；柵極電極部，該柵極電極部設(shè)置于上述半導(dǎo)體功能部，由上述第I金屬膜形成，且以在俯視時(shí)與2個(gè)上述電極部、上述半導(dǎo)體部和上述半導(dǎo)體功能部連接配線部的至少一部分重疊的方式配置，并且通過上述柵極電極部側(cè)開口部與上述半導(dǎo)體功能部連接配線部連接；第2柵極電極部側(cè)絕緣部，該第2柵極電極部側(cè)絕緣部由上述保護(hù)膜和上述絕緣膜形成，且具有在與上述半導(dǎo)體功能部連接配線部重疊的位置貫通形成的第2柵極電極部側(cè)開口部；和第2柵極電極部，該第2柵極電極部設(shè)置于上述第2半導(dǎo)體功能部，由上述第I金屬膜形成，且以在俯視時(shí)與2個(gè)上述第2電極部、上述第2半導(dǎo)體部和上述第2半導(dǎo)體功能部連接配線部的至少一部分重疊的方式配置，并且通過上述第2柵極電極部側(cè)開口部與上述第2半導(dǎo)體功能部連接配線部連接。由此，柵極電極部通過半導(dǎo)體功能部連接配線部與一個(gè)電極部以及一個(gè)第2電極部短路，而第2柵極電極部通過第2半導(dǎo)體功能部連接配線部與另一個(gè)電極部以及另一個(gè)第2電極部短路。因此，半導(dǎo)體功能部和第2半導(dǎo)體功能部可以說分別構(gòu)成晶體管型的二極管，通過使其閾值電壓例如比信號(hào)配線部輸送的信號(hào)的電壓值高，而比產(chǎn)生靜電時(shí)被施加的電壓值低，能夠僅在產(chǎn)生了靜電的情況下使該靜電釋放到靜電釋放配線部。而且，第2柵極電極部通過第2半導(dǎo)體功能部連接配線部間接地與靜電釋放配線側(cè)連接部連接，因此，與假設(shè)第2柵極電極部與靜電釋放配線側(cè)連接部直接連接的結(jié)構(gòu)的情況相比，在靜電被引導(dǎo)至靜電引導(dǎo)部時(shí)，難以由于被引導(dǎo)的靜電而使半導(dǎo)體功能部和第2半導(dǎo)體功能部產(chǎn)生不良。
[0021](9)上述半導(dǎo)體裝置包括信號(hào)配線部和接觸部，上述信號(hào)配線部由上述第I金屬膜形成，且配置在相對(duì)于上述靜電釋放配線部與上述半導(dǎo)體功能部側(cè)相反的一側(cè)，上述接觸部至少具有:信號(hào)配線側(cè)連接部，該信號(hào)配線側(cè)連接部由上述第I金屬膜形成，且形成在上述信號(hào)配線部的端部；接觸部側(cè)絕緣部，該接觸部側(cè)絕緣部由上述保護(hù)膜和上述絕緣膜形成，且具有在與上述信號(hào)配線側(cè)連接部重疊的位置貫通形成的接觸部側(cè)開口部；和半導(dǎo)體功能部側(cè)連接部，該半導(dǎo)體功能部側(cè)連接部由上述第2金屬膜形成，且形成在上述半導(dǎo)體功能部連接配線部的端部，在俯視時(shí)與上述信號(hào)配線側(cè)連接部重疊，并且通過上述接觸部側(cè)開口部與上述信號(hào)配線側(cè)連接部連接。由此，由第I金屬膜形成的信號(hào)配線部中，在接觸部形成在端部的信號(hào)配線側(cè)連接部通過貫通接觸部側(cè)絕緣部的接觸部側(cè)開口部與半導(dǎo)體功能部側(cè)連接部連接，其中該半導(dǎo)體功能部側(cè)連接部由第2金屬膜形成，且形成在與半導(dǎo)體功能部具有的電極部的任一個(gè)連接的半導(dǎo)體功能部連接配線部的端部，由此，來自半導(dǎo)體功能部側(cè)的信號(hào)被供給到信號(hào)配線部側(cè)。
[0022](10)在構(gòu)成上述接觸部的上述信號(hào)配線側(cè)連接部與上述靜電釋放配線部的相對(duì)部位，分別形成有以相互接近的方式突出從而能夠引導(dǎo)靜電的突出型靜電引導(dǎo)部。由此，在該半導(dǎo)體裝置的制造過程中，在半導(dǎo)體功能部和接觸部的任一個(gè)側(cè)產(chǎn)生了靜電的情況下，也能夠?qū)⒃撿o電向存在于至另一個(gè)側(cè)的途中的突出型靜電引導(dǎo)部引導(dǎo)。由此，能夠使得半導(dǎo)體功能部或接觸部更難以發(fā)生由靜電導(dǎo)致的不良。
[0023](11)上述半導(dǎo)體裝置包括:柵極電極部側(cè)絕緣部，該柵極電極部側(cè)絕緣部由上述保護(hù)膜和上述絕緣膜形成，且具有在與上述半導(dǎo)體功能部連接配線部重疊的位置貫通形成的柵極電極部側(cè)開口部；柵極電極部，該柵極電極部設(shè)置于上述半導(dǎo)體功能部，由上述第I金屬膜形成，且以在俯視時(shí)與2個(gè)上述電極部、上述半導(dǎo)體部和上述半導(dǎo)體功能部連接配線部的至少一部分重疊的方式配置，并且通過上述柵極電極部側(cè)開口部與上述半導(dǎo)體功能部連接配線部連接；和柵極非重疊型靜電引導(dǎo)部，該柵極非重疊型靜電引導(dǎo)部與上述半導(dǎo)體部連接，且在俯視時(shí)與上述柵極電極部不重疊的位置具有與2個(gè)上述電極部中的另一個(gè)電極部的外緣部在俯視時(shí)交叉的外緣部。由此，當(dāng)半導(dǎo)體功能部所具有的2個(gè)電極部中的另一個(gè)電極部的外緣部與由半導(dǎo)體膜形成的柵極非重疊型靜電引導(dǎo)部的外緣部在俯視時(shí)交叉時(shí)，在其交叉位置配置在下層側(cè)的保護(hù)膜和絕緣膜的覆蓋率局部地惡化而導(dǎo)致絕緣性降低，因此，能夠?qū)㈧o電引導(dǎo)至上述交叉位置。而且，另一個(gè)電極部的外緣部與柵極非重疊型靜電引導(dǎo)部的外緣部的交叉位置，處于在俯視時(shí)與柵極電極部不重疊的位置，因此，即使在上述交叉位置施加靜電，也能夠避免另一個(gè)電極部與柵極電極部短路。
[0024]而且，為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的顯示裝置包括:上述的半導(dǎo)體裝置；以與上述半導(dǎo)體裝置相對(duì)的方式配置的對(duì)置基板；配置在上述半導(dǎo)體裝置與上述對(duì)置基板之間的液晶層；和設(shè)置在上述半導(dǎo)體裝置并且至少與上述半導(dǎo)體功能部連接的開關(guān)元件。
[0025]根據(jù)這樣的顯示裝置，上述的半導(dǎo)體裝置由靜電導(dǎo)致的不良的發(fā)生受到抑制，因此，工作可靠性等優(yōu)異。
[0026](發(fā)明效果)
[0027]根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制由靜電導(dǎo)致的不良的發(fā)生。
【附圖說明】
[0028]圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的安裝有驅(qū)動(dòng)器的液晶面板、柔性基板和控制電路基板的連接結(jié)構(gòu)的概略平面圖。
[0029]圖2是表示液晶顯示裝置的沿長邊方向的截面結(jié)構(gòu)的概略截面圖。
[0030]圖3是表示液晶面板的截面結(jié)構(gòu)的概略截面圖。
[0031]圖4是表示陣列基板的顯示部的TFT的截面結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0032]圖5是概略地表示構(gòu)成液晶面板的陣列基板的配線結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0033]圖6是表示陣列基板的靜電保護(hù)電路部、共用配線、靜電保護(hù)部和接觸部的平面圖。
[0034]圖7是圖6的vi1-vii線截面圖。
[0035]圖8是圖6的vii1-viii線截面圖。
[0036]圖9是圖6的ix-1x線截面圖。
[0037]圖10是圖6的x-x線截面圖。
[0038]圖11是圖6的x1-xi線截面圖。
[0039]圖12是圖6的xi1-xii線截面圖。
[0040]圖13是概略地表示靜電保護(hù)電路部所具有的靜電保護(hù)電路的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。
[0041]圖14是表示靜電保護(hù)部的放大平面圖。
[0042]圖15是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的陣列基板的靜電保護(hù)電路部、共用配線、靜電保護(hù)部和接觸部的平面圖。
[0043]圖16是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的陣列基板的靜電保護(hù)電路部、共用配線、靜電保護(hù)部和接觸部的平面圖。
[0044]圖17是圖16的xvi1-xvii線截面圖。
[0045]圖18是表示形成第2金屬膜之前的階段的陣列基板的靜電保護(hù)電路部、共用配線、靜電保護(hù)部和接觸部的平面圖。
[0046]圖19是圖18的xix-xix線截面圖。
[0047]圖20是表示本發(fā)明的實(shí)施方式4的陣列基板的靜電保護(hù)電路部、共用配線、靜電保護(hù)部和接觸部的平面圖。
[0048]圖21是圖20的xx1-xxi線截面圖。
[0049]圖22是表示本發(fā)明的實(shí)施方式5的陣列基板的靜電保護(hù)電路部、共用配線、靜電保護(hù)部和接觸部的平面圖。
[0050]圖23是表示本發(fā)明的實(shí)施方式6的陣列基板的靜電保護(hù)電路部、共用配線、靜電保護(hù)部和接觸部的平面圖。
[0051]圖24是圖23的xxiv-xxiv線截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0052]<實(shí)施方式I >
[0053]利用圖1至圖14對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式I進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，對(duì)液晶顯示裝置10進(jìn)行例示。此外，在各圖的一部分表示出了 X軸、Y軸和Z軸，以各軸方向成為各圖中所示的方向的方式繪制。另外，關(guān)于上下方向，以圖2等為基準(zhǔn)，并且以該圖上側(cè)為正面?zhèn)惹乙栽搱D下側(cè)為背面?zhèn)取?br>[0054]液晶顯示裝置10，如圖1和圖2所示，包括:具有能夠顯示圖像的顯示部AA和顯示部AA外的非顯示部NAA的液晶面板(顯示裝置)11 ;驅(qū)動(dòng)液晶面板11的驅(qū)動(dòng)器(面板驅(qū)動(dòng)部)21 ;從外部對(duì)驅(qū)動(dòng)器21供給各種輸入信號(hào)的控制電路基板(外部的信號(hào)供給源)12 ;將液晶面板11和外部的控制電路基板12電連接的柔性基板(外部連接部件)13 ;和作為對(duì)液晶面板11供給光的外部光源的背光源裝置(照明裝置)14。另外，液晶顯示裝置10還包括用于收