半導(dǎo)體裝置和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在用于液晶顯示裝置的液晶面板中，作為用于控制各像素的動作的開關(guān)元件呈矩陣狀設(shè)置有多個TFT。在現(xiàn)有技術(shù)中，作為用于TFT的半導(dǎo)體膜，一般使用非晶硅等硅半導(dǎo)體，但是近年來作為半導(dǎo)體膜提案有使用電子迀移率更高的氧化物半導(dǎo)體的技術(shù)。在下述專利文獻(xiàn)I中記載有將使用了這樣的氧化物半導(dǎo)體的TFT作為開關(guān)元件來使用的液晶顯示裝置的一個例子。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0004]專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開2010-230744號公報
[0006](發(fā)明所要解決的問題)
[0007]氧化物半導(dǎo)體由于電子迀移率高，所以不僅能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)TFT的小型化，能夠?qū)崿F(xiàn)液晶面板的開口率的提高，而且能夠在設(shè)置有TFT的陣列基板上設(shè)置各種電路部。但是，當(dāng)在陣列基板上形成電路部時，例如會擔(dān)心在制造過程中產(chǎn)生的靜電被施加至電路部，如果這樣則有可能在電路部產(chǎn)生不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明是基于上述的情況而完成的發(fā)明，其目的在于抑制因靜電而產(chǎn)生的不良。
[0009](用于解決問題的手段)
[0010]本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置包括:基板；在上述基板上形成的第一金屬膜；至少在上述第一金屬膜上形成的絕緣膜；在上述絕緣膜上形成的半導(dǎo)體膜；至少在上述半導(dǎo)體膜上形成，保護(hù)上述半導(dǎo)體膜的保護(hù)膜；在上述保護(hù)膜上形成的第二金屬膜；半導(dǎo)體功能部，其至少具有2個電極部、保護(hù)部和半導(dǎo)體部，上述電極部由上述第二金屬膜構(gòu)成，上述保護(hù)部由上述保護(hù)膜構(gòu)成，具有在與2個上述電極部重疊的位置分別貫通形成的2個半導(dǎo)體功能部側(cè)開口部，該半導(dǎo)體部由上述半導(dǎo)體膜構(gòu)成，通過2個上述半導(dǎo)體功能部側(cè)開口部與2個上述電極部分別連接；由上述第一金屬膜構(gòu)成的信號配線部；接觸部，其至少具有信號配線側(cè)連接部、絕緣部和半導(dǎo)體功能部側(cè)連接部，上述信號配線側(cè)連接部由上述第一金屬膜構(gòu)成，形成于上述信號配線部的端部，上述絕緣部由上述保護(hù)膜和上述絕緣膜構(gòu)成，具有在與上述信號配線側(cè)連接部重疊的位置貫通形成的接觸部側(cè)開口部，上述半導(dǎo)體功能部側(cè)連接部由上述第二金屬膜構(gòu)成，與上述半導(dǎo)體功能部所具有的2個上述電極部中的任一電極部相連，并且通過上述接觸部側(cè)開口部與上述信號配線側(cè)連接部連接；和靜電保護(hù)部，其至少具有靜電引導(dǎo)部和引導(dǎo)部保護(hù)部，上述靜電引導(dǎo)部由上述半導(dǎo)體膜構(gòu)成，俯視時配置在上述半導(dǎo)體功能部與上述接觸部之間，并且用于引導(dǎo)在形成上述第二金屬膜前的階段在上述半導(dǎo)體功能部和上述接觸部中的任一方產(chǎn)生的靜電，上述引導(dǎo)部保護(hù)部由上述保護(hù)膜構(gòu)成，具有在俯視時與上述靜電引導(dǎo)部重疊的位置貫通形成的靜電引導(dǎo)開口部。
[0011]這樣，由第一金屬膜構(gòu)成的信號配線部中，在接觸部形成于端部的信號配線側(cè)連接部，通過貫通絕緣部的接觸部側(cè)開口部與由第二金屬膜構(gòu)成且與半導(dǎo)體功能部所具有的電極部中的任一電極部相連的半導(dǎo)體功能部側(cè)連接部連接，由此，來自半導(dǎo)體功能部側(cè)的信號被供給至信號配線部側(cè)。此處，在該半導(dǎo)體裝置的制造過程中，在形成第二金屬膜前的階段，在半導(dǎo)體功能部形成有貫通由保護(hù)膜構(gòu)成的保護(hù)部的半導(dǎo)體功能部側(cè)開口部，而且在接觸部形成有貫通由保護(hù)膜和絕緣膜構(gòu)成的絕緣部的接觸部側(cè)開口部，成為由半導(dǎo)體膜構(gòu)成的半導(dǎo)體部通過半導(dǎo)體功能部側(cè)開口部露出，由第一金屬膜構(gòu)成的信號配線側(cè)連接部通過接觸部側(cè)開口部露出的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，如果在半導(dǎo)體功能部和接觸部中的任一方產(chǎn)生靜電，則有可能該靜電被施加至另一側(cè)的半導(dǎo)體功能部或信號配線側(cè)連接部，在半導(dǎo)體功能部或接觸部產(chǎn)生不良。
[0012]關(guān)于這一點(diǎn)，因?yàn)榘ㄖ辽倬哂徐o電引導(dǎo)部和引導(dǎo)部保護(hù)部的靜電保護(hù)部，該靜電引導(dǎo)部由半導(dǎo)體膜構(gòu)成，俯視時配置在半導(dǎo)體功能部與接觸部之間，該引導(dǎo)部保護(hù)部由保護(hù)膜構(gòu)成，具有在俯視時與靜電引導(dǎo)部重疊的位置貫通形成的靜電引導(dǎo)開口部，所以，在該半導(dǎo)體裝置的制造過程中，在形成第二金屬膜前的階段，靜電引導(dǎo)部通過貫通引導(dǎo)部保護(hù)部的靜電引導(dǎo)開口部露出。因此，即使在形成第二金屬膜前的階段，在半導(dǎo)體功能部和接觸部中的任一方產(chǎn)生靜電的情況下，也能夠?qū)⒃撿o電通過在到達(dá)另一側(cè)的途中存在的靜電引導(dǎo)開口部向靜電引導(dǎo)部引導(dǎo)。由此，能夠使得在半導(dǎo)體功能部或接觸部不易產(chǎn)生起因于靜電的不良。
[0013]而且，因?yàn)殪o電引導(dǎo)部與半導(dǎo)體功能部的半導(dǎo)體部由相同的半導(dǎo)體膜構(gòu)成，所以在接觸部的信號配線側(cè)連接部側(cè)產(chǎn)生靜電的情況下能夠有效地引導(dǎo)該靜電，能夠更好地防止靜電被施加至半導(dǎo)體部。
[0014]作為本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置的實(shí)施方式，優(yōu)選以下的結(jié)構(gòu)。
[0015](I)上述半導(dǎo)體膜由氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成。這樣，當(dāng)令半導(dǎo)體膜為氧化物半導(dǎo)體時，在制造過程中形成第二金屬膜時蝕刻變得容易，而且存在成膜后也容易被氧化或還原的趨勢，但是因?yàn)樵诎雽?dǎo)體膜與第二金屬膜之間設(shè)置有保護(hù)膜，半導(dǎo)體膜由保護(hù)膜保護(hù)，所以在形成第二金屬膜時難以被蝕刻，而且在成膜后半導(dǎo)體膜也難以被氧化或還原。
[0016](2)包括靜電釋放配線部，其由上述第一金屬膜構(gòu)成，通過俯視時位于上述半導(dǎo)體功能部與上述接觸部之間且配置在至少一部分與上述靜電引導(dǎo)部和上述引導(dǎo)部保護(hù)部重疊的位置，能夠?qū)⒈灰龑?dǎo)至上述靜電引導(dǎo)部的靜電釋放。這樣，如果在半導(dǎo)體功能部和接觸部中的任一方產(chǎn)生的靜電被引導(dǎo)至靜電引導(dǎo)部，則能夠?qū)㈧o電從靜電引導(dǎo)部釋放到靜電釋放配線部，因此能夠更有效地抑制由靜電導(dǎo)致的不良的產(chǎn)生。
[0017](3)包括:第二半導(dǎo)體功能部，其至少具有2個第二電極部、第二保護(hù)部和第二半導(dǎo)體部，上述第二電極部由上述第二金屬膜構(gòu)成，上述第二保護(hù)部由上述保護(hù)膜構(gòu)成，具有在與2個上述第二電極部重疊的位置分別貫通形成的2個第二半導(dǎo)體功能部側(cè)開口部，上述第二半導(dǎo)體部由上述半導(dǎo)體膜構(gòu)成，通過2個上述第二半導(dǎo)體功能部側(cè)開口部與2個上述第二電極部分別連接；第一短路配線部，其由上述第二金屬膜構(gòu)成，使2個上述電極部中的一個電極部與2個上述第二電極部中的一個第二電極部短路，且與上述半導(dǎo)體功能部側(cè)連接部相連；第二短路配線部，其由上述第二金屬膜構(gòu)成，使2個上述電極部中的另一個電極部與2個上述第二電極部中的另一個第二電極部短路；第二絕緣部，其由上述保護(hù)膜和上述絕緣膜構(gòu)成，具有在與上述第二短路配線部重疊的位置貫通形成的第二短路配線部側(cè)開口部；和靜電釋放配線側(cè)連接部，其由上述第一金屬膜構(gòu)成，以與上述靜電釋放配線部相連且俯視時至少一部分與上述第二短路配線部重疊的方式配置，并且通過上述第二短路配線部側(cè)開口部與上述第二短路配線部連接。這樣，在半導(dǎo)體功能部和第二半導(dǎo)體功能部，一個電極部與一個第二電極部通過第一短路配線部被短路，而且另一個電極部與另一個第二電極部通過第二短路配線部被短路。第一短路配線部和通過接觸部與信號配線部連接的半導(dǎo)體功能部側(cè)連接部相連，而且第二短路配線部和通過在第二絕緣部貫通形成的第二短路配線部側(cè)開口部與靜電釋放配線部相連的靜電釋放配線側(cè)連接部連接。因此，在由于靜電而使靜電釋放配線部側(cè)與信號配線部側(cè)之間產(chǎn)生大的電位差的情況下，在半導(dǎo)體功能部的半導(dǎo)體部或第二半導(dǎo)體功能部的第二半導(dǎo)體部流動電流，由此能夠消除電位差。
[0018](4)包括:第三絕緣部，其由上述保護(hù)膜和上述絕緣膜構(gòu)成，具有在與上述第一短路配線部重疊的位置貫通形成的第一短路配線部側(cè)開口部；柵極電極部，其設(shè)置在上述半導(dǎo)體功能部，由上述第一金屬膜構(gòu)成，以俯視時與2個上述電極部、上述半導(dǎo)體部和上述第一短路配線部的至少一部分重疊的方式配置，并且通過上述第一短路配線部側(cè)開口部與上述第一短路配線部連接；和第二柵極電極部，其設(shè)置于上述第二半導(dǎo)體功能部，由上述第一金屬膜構(gòu)成，以俯視時與2個上述第二電極部和上述第二半導(dǎo)體部重疊的方式配置，并且與上述靜電釋放配線側(cè)連接部相連。這樣，柵極電極部通過第一短路配線部與一個電極部和一個第二電極部短路，而且第二柵極電極部通過靜電釋放配線側(cè)連接部和第二短路配線部與另一個電極部和另一個第二電極部短路。因此，可以說半導(dǎo)體功能部和第二半導(dǎo)體功能部分別構(gòu)成晶體管型的二極管，通過使其閾值電壓例如雖然比與被輸送至信號配線部的信號相關(guān)的電壓值高但是比產(chǎn)生靜電時被施加的電壓值低，能夠僅在產(chǎn)生靜電的情況下將該靜電釋放至靜電釋放配線部。而且，因?yàn)榈诙艠O電極部為與靜電釋放配線側(cè)連接部直接相連的結(jié)構(gòu)，所以與假設(shè)第二柵極電極部采用經(jīng)第二短路配線部與靜電釋放配線側(cè)連接部連接的結(jié)構(gòu)的情況相比，對不同的金屬膜間進(jìn)行連接的接觸部位不必多，因此能夠降低在該接觸部位產(chǎn)生連接不良的可能性。
[0019](5)包括:第三絕緣部，其由上述保護(hù)膜和上述絕緣膜構(gòu)成，具有在與上述第一短路配線部重疊的位置貫通形成的第一短路配線部側(cè)開口部；柵極電極部，其設(shè)置于上述半導(dǎo)體功能部，由上述第一金屬膜構(gòu)成，以俯視時與2個上述電極部、上述半導(dǎo)體部和上述第一短路配線部重疊的方式配置，并且通過上述第一短路配線部側(cè)開口部與上述第一短路配線部連接；第四絕緣部，其由上述保護(hù)膜和上述絕緣膜構(gòu)成，具有在與上述第二短路配線部重疊的位置貫通形成的第二的第二短路配線部側(cè)開口部；和第二柵極電極部，其設(shè)置于上述第二半導(dǎo)體功能部，由上述第一金屬膜構(gòu)成，以俯視時與2個上述第二電極部、上述第二半導(dǎo)體部和上述第二短路配線部重疊的方式配置，并且通過上述第二的第二短路配線部側(cè)開口部與上述第二短路配線部連接。這樣，柵極電極部通過第一短路配線部與一個電極部和一個第二電極部短路，而且第二柵極電極部通過第二短路配線部與另一個電極部和另一個第二電極部短路。因此，可以說半導(dǎo)體功能部和第二半導(dǎo)體功能部分別構(gòu)成晶體管型的二極管，通過其閾值電壓例如雖然比與被輸送至信號配線部的信號相關(guān)的電壓值高但是比產(chǎn)生靜電時被施加的電壓值低，能夠僅在產(chǎn)生靜電的情況下將該靜電釋放至靜電釋放配線部。而且，因?yàn)榈诙艠O電極部經(jīng)第二短路配線部間接地與靜電釋放配線側(cè)連接部連接，所以與假設(shè)第二柵極電極部采用與靜電釋放配線側(cè)連接部直接相連的結(jié)構(gòu)的情況相比，在形成第二金屬膜前的階段靜電被引導(dǎo)至靜電引導(dǎo)部時，不易由于被引導(dǎo)的靜電而在半導(dǎo)體功能部和第二半導(dǎo)體功能部產(chǎn)生不良。
[0020](6)包括:第二半導(dǎo)體功能部，其至少具有2個第二電極部、第二保護(hù)部和第二半導(dǎo)體部，并且在將2個上述第二電極部的排列方向設(shè)為第一方向時，沿上述基板的板面且在與上述第一方向正交的第二方向相對于上述半導(dǎo)體功能部排列配置，其中，上述第二電極部由上述第二金屬膜構(gòu)成，上述第二保護(hù)部由上述保護(hù)膜構(gòu)成，具有在與2個上述第二電極部重疊的位置分別貫通形成的2個第二半導(dǎo)體功能部側(cè)開口部，上述第二半導(dǎo)體部由上述半導(dǎo)體膜構(gòu)成，通過2個上述第二半導(dǎo)體功能部側(cè)開口部與2個上述第二電極部分別連接；第一短路配線部，其由上述第二金屬膜構(gòu)成，使2個上述電極部中的一個電極部與2個上述第二電極部中的一個第二電極部短路，且與上述半導(dǎo)體功能部側(cè)連接部相連；和第二短路配線部，其由上述第二金屬膜構(gòu)成，使2個上述電極部中的另一個電極部與2個上述第二電極部中的另一個第二電極部短路，上述半導(dǎo)體功能部、上述第二半導(dǎo)體功能部、上述接觸部、上述信號配線部、上述靜電保護(hù)部、上述第一短路配線部和上述第二短路配線部沿上述第二方向排列配置有多組，上述第二短路配線部與在上述第二方向構(gòu)成相鄰的組的上述第一短路配線部短路。這樣，在半導(dǎo)體功能部和第二半導(dǎo)體功能部，一個電極部與一個第二電極部通過第一短路配線部被短路，而且另一個電極部與另一個第二電極部通過第二短路配線部被短路。第一短路配線部和與信號配線部連接的半導(dǎo)體功能部側(cè)連接部相連，而且第二短路配線部與在第二方向構(gòu)成相鄰的組的第一短路配線部短路。因此，在信號配線部被施加靜電的情況下，能夠?qū)⒃撿o電釋放至通過第二短路配線部和構(gòu)成相鄰的組的第一短路配線部連接的、構(gòu)成相鄰的組的信號配線部，因此能夠抑制伴隨靜電而產(chǎn)生不良。而且，因?yàn)榈诙搪放渚€部不與靜電釋放配線側(cè)連接部連接，所以與假設(shè)第二短路配線部采用與靜電釋放配線側(cè)連接部連接的結(jié)構(gòu)的情況相比，在形成第二金屬膜前的階段靜電被引導(dǎo)至靜電引導(dǎo)部時，不易由于被引導(dǎo)的靜電而在半導(dǎo)體功能部和第二半導(dǎo)體功能部產(chǎn)生不良。
[0021](7)在構(gòu)成上述接觸部的上述信號配線側(cè)連接部與上述靜電釋放配線部的相對部位，分別形成有以相互接近的方式突出的第二靜電引導(dǎo)部。這樣，即使在形成第二金屬膜前的階段在半導(dǎo)體功能部和接觸部中的任一方產(chǎn)生靜電的情況下，也能夠?qū)⒃撿o電引導(dǎo)至存在于到達(dá)另一側(cè)的途中的第二靜電引導(dǎo)部。由此，能夠在半導(dǎo)體功能部或接觸部使得起因于靜電的不良更加難以產(chǎn)生。
[0022](8)在上述靜電釋放配線部形成的上述第二靜電引導(dǎo)部配置在與上述靜電引導(dǎo)部相鄰的位置。這樣，因?yàn)樵陟o電釋放配線部形成的上述第二靜電引導(dǎo)部配置在與靜電引導(dǎo)部相鄰的位置，所以與假設(shè)兩者不彼此相鄰而分離地配置的情況相比，能夠更好地將在形成第二金屬膜之前的階段產(chǎn)生的靜電引導(dǎo)至靜電引導(dǎo)部和第二靜電引導(dǎo)部中的任一靜電引導(dǎo)部。
[0023](9)在上述靜電保護(hù)部，上述靜電引導(dǎo)開口部沿上述基板的板面且沿與2個上述第二靜電引導(dǎo)部的排列方向正交的方向，以跨越上述第二靜電引導(dǎo)部的方式排列配置有多個。這樣，靜電有引導(dǎo)開口部沿基板的板面且沿與2個第二靜電引導(dǎo)部的排列方向正交的方向，以跨越第二靜電引導(dǎo)部的方式排列配置有多個，因此能夠更好地將在形成第二金屬膜之前的階段產(chǎn)生的靜電引導(dǎo)至靜電引導(dǎo)部和第二靜電引導(dǎo)部中的任一靜電引導(dǎo)部。
[0024](10)上述靜電保護(hù)部包括引導(dǎo)部連接部，上述引導(dǎo)部連接部由上述第二金屬膜構(gòu)成，以俯視時與上述靜電引導(dǎo)部重疊的方式配置，并且通過上述靜電引導(dǎo)開口部與上述靜電引導(dǎo)部連接。這樣，引導(dǎo)部連接部通過靜電引導(dǎo)開口部與由半導(dǎo)體膜構(gòu)成的靜電引導(dǎo)部連接，因此可以說具有和電極部通過半導(dǎo)體功能部側(cè)開口部與由半導(dǎo)體膜構(gòu)成的半導(dǎo)體部連接的半導(dǎo)體功能部相同的連接結(jié)構(gòu)。因此，假設(shè)在將引導(dǎo)部連接部除去的情況下，在該半導(dǎo)體裝置的制造過程中，與在形成第二金屬膜時由半導(dǎo)體膜構(gòu)成的靜電引導(dǎo)部變得容易被蝕刻相比，能夠使得這樣的問題不易產(chǎn)生。
[0025]本發(fā)明的第二半導(dǎo)體裝置包括:基板；在上述基板上形成的第一金屬膜；至少在上述第一金屬膜上形成的絕緣膜；在上述絕緣膜上形成的半導(dǎo)體膜；至少在上述半導(dǎo)體膜上形成，保護(hù)上述半導(dǎo)體膜的保護(hù)膜；在上述保護(hù)膜上形成的第二金屬膜；半導(dǎo)體功能部，其至少具有2個電極部、保護(hù)部和半導(dǎo)體部，上述電極部由上述第二金屬膜構(gòu)成，上述保護(hù)部由上述保護(hù)膜構(gòu)成，具有在與2個上述電極部重疊的位置分別貫通形成的2個半導(dǎo)體功能部側(cè)開口部，上述半導(dǎo)體部由上述半導(dǎo)體膜構(gòu)成，通過2個上述半導(dǎo)體功能部側(cè)開口部與2個上述電極部分別連接；由上述第一金屬膜構(gòu)成的信號配線部；接觸部，其至少具有信號配線側(cè)連接部、絕緣部和半導(dǎo)體功能部側(cè)連接部，上述信號配線側(cè)連接部由上述第一金屬膜構(gòu)成，形成于上述信號配線部的端部，上述絕緣部由上述保護(hù)膜和上述絕緣膜構(gòu)成，具有在與上述信號配線側(cè)連接部重疊的位置貫通形成的接觸部側(cè)開口部，上述半導(dǎo)體功能部側(cè)連接部由上述第二金屬膜構(gòu)成，與上述半導(dǎo)體功能部所具有的2個上述電極部中的任一電極部相連，并且通過上述接觸部側(cè)開口部與上述信號配線側(cè)連接部連接；和靜電保護(hù)部，其至少具有靜電引導(dǎo)部和引導(dǎo)部保護(hù)部，上述靜電引導(dǎo)部由上述第一金屬膜構(gòu)成，俯視時配置在上述半導(dǎo)體功能部與上述接觸部之間，并且用于引導(dǎo)在形成上述第二金屬膜前的階段在上述半導(dǎo)體功能部和上述接觸部中的任一方產(chǎn)生的靜電，上述引導(dǎo)部保護(hù)部由上述保護(hù)膜和上述絕緣膜構(gòu)成，具有在俯視時與上述靜電引導(dǎo)部重疊的位置貫通形成的靜電引導(dǎo)開口部。
[0026]這樣，在由第一金屬膜構(gòu)成的信號配線部，在接觸部形成于端部的信號配線側(cè)連接部通過貫通絕緣部的接觸部側(cè)開口部與由第二金屬膜構(gòu)成，與半導(dǎo)體功能部所具有的電極部中的任一電極部相連的半導(dǎo)體功能部側(cè)連接部連接，由此，來自半導(dǎo)體功能部側(cè)的信號被供給至信號配線部側(cè)。此處，在該半導(dǎo)體裝置的制造過程中，在形成第二金屬膜前的階段，在半導(dǎo)體功能部形成有貫通由保護(hù)膜構(gòu)成的保護(hù)部的半導(dǎo)體功能部側(cè)開口部，而且在接觸部形成有貫通由保護(hù)膜和絕緣膜構(gòu)成的絕緣部的接觸部側(cè)開口部，成為由半導(dǎo)體膜構(gòu)成的半導(dǎo)體部通過半導(dǎo)體功能部側(cè)開口部露出、由第一金屬膜構(gòu)成的信號配線側(cè)連接部通過接觸部側(cè)開口部露出的狀態(tài)。在該狀態(tài)，如果在半導(dǎo)體功能部和接觸部中的任一方產(chǎn)生靜電，則要擔(dān)心該靜電被施加至另一側(cè)的半導(dǎo)體功能部或信號配線側(cè)連接部，在半導(dǎo)體功能部或接觸部產(chǎn)生不良。
[0027]關(guān)于這一點(diǎn)，因?yàn)榘ㄖ辽倬哂徐o電引導(dǎo)部和引導(dǎo)部保護(hù)部的靜電保護(hù)部，該靜電引導(dǎo)部由第一金屬膜構(gòu)成，俯視時配置在半導(dǎo)體功能部與接觸部之間，該引導(dǎo)部保護(hù)部由保護(hù)膜和絕緣膜構(gòu)成，具有在俯視時與靜電引導(dǎo)部重疊的位置貫通形成的靜電引導(dǎo)開口部，所以，在該半導(dǎo)體裝置的制造過程中，在形成第二金屬膜前的階段，靜電引導(dǎo)部通過貫通引導(dǎo)部保護(hù)部的靜電引導(dǎo)開口部露出。因此，即使在形成第二金屬膜前的階段，在半導(dǎo)體功能部和接觸部中的任一方產(chǎn)生靜電的情況下，也能夠?qū)⒃撿o電通過在到達(dá)另一側(cè)的途中存在的靜電引導(dǎo)開口部向靜電引導(dǎo)部引導(dǎo)。由此，能夠使得在半導(dǎo)體功能部或接觸部不易產(chǎn)生起因于靜電的不良。
[0028]而且，靜電引導(dǎo)部與接觸部的信號配線側(cè)連接部由相同的第一金屬膜構(gòu)成，所以在半導(dǎo)