有機發(fā)光顯示器和補償其遷移率的方法
【專利說明】
[0001] 本申請要求2013年11月6日在韓國提交的專利申請No. 10-2013-0134256的權 益，該專利申請出于所有目的以引用方式并入本文，好像完全在本文中闡述一樣。
技術領域
[0002] 本發(fā)明的實施方式涉及有源矩陣有機發(fā)光顯示器，更特別地，涉及有機發(fā)光顯示 器和補償有機發(fā)光顯示器的遷移率的方法。
【背景技術】
[0003] 有源矩陣有機發(fā)光顯示器包括能夠自身發(fā)光的有機發(fā)光二極管（下文中，縮寫為 "0LED"）并且具有快速響應時間、高發(fā)光效率、高亮度、廣視角等優(yōu)點。
[0004] 用作自發(fā)光元件的OLED包括陽極、陰極、形成在陽極和陰極之間的有機化合物 層。有機化合物層包括空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、發(fā)光層EML、電子傳輸層ETL、電子 注入層EIL。當向陽極和陰極施加驅動電壓時，穿過空穴傳輸層HTL的空穴和穿過電子傳輸 層ETL的電子移動到發(fā)光層EML并且形成激子。結果，發(fā)光層EML產(chǎn)生可見光。
[0005] 有機發(fā)光顯示器將均包括OLED的像素布置成矩陣形式并且根據(jù)視頻數(shù)據(jù)的灰階 調(diào)節(jié)像素的亮度。各像素包括用于控制流入OLED的驅動電流的驅動薄膜晶體管（TFT)。優(yōu) 選地，在所有像素中，相同地設計驅動TFT的電特性（包括閾值電壓、遷移率等）。然而，實 際上，由于各種原因，導致像素的驅動TFT的電特性不均勻。驅動TFT的電特性之間的偏差 導致像素之間的亮度偏差。
[0006] 已知補償驅動TFT的電特性之間的偏差的各種補償方法。補償方法被分類為內(nèi)部 補償方法和外部補償方法。內(nèi)部補償方法自動地補償像素的電路內(nèi)部的驅動TFT的閾值電 壓之間的偏差。必須在不顧及驅動TFT的閾值電壓的情況下確定流入OLED的驅動電流，以 執(zhí)行內(nèi)部補償方法。因此，像素電路的構造非常復雜。此外，內(nèi)部補償方法不適于補償驅動 TFT的遷移率之間的偏差。
[0007] 外部補償方法測量與驅動TFT的閾值電壓（或遷移率）對應的感測電壓并且基于 感測電壓通過外部電路調(diào)制視頻數(shù)據(jù)，從而補償閾值電壓（或遷移率）之間的偏差。在外 部補償方法中，一般來說，在補償了閾值電壓之間的偏差之后，補償遷移率之間的偏差。然 而，近來，隨著顯示面板的分辨率逐漸增大，提高處理能力和批量產(chǎn)率等正變成問題。出于 這些原因，期望的是更簡單構造的像素電路。因此，應用外部補償方法的像素電路的構造需 要更簡單。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明的實施方式提供了一種有機發(fā)光顯示器和補償該有機發(fā)光顯示器的遷移 率的方法，其能夠使用利用具有更簡單結構的像素電路的外部補償方法來補償驅動薄膜晶 體管（TFT)的電特性之間的偏差。
[0009] 本發(fā)明的實施方式還提供了一種能夠提高補償能力的有機發(fā)光顯示器和補償該 有機發(fā)光顯不器的遷移率的方法。
[0010] 在一個方面，存在一種有機發(fā)光顯示器，該有機發(fā)光顯示器包括：顯示面板，其包 括多個像素，每個像素使用源跟隨方式，在所述源跟隨方式中，驅動薄膜晶體管（TFT)的源 電壓根據(jù)在驅動TFT的漏極和源極之間流動的電流而改變；選通驅動電路，其被構造成產(chǎn) 生以所述源跟隨方式操作像素的遷移率感測選通脈沖；數(shù)據(jù)驅動電路，其被構造成響應于 所述遷移率感測選通脈沖在像素中檢測與所述驅動TFT的遷移率對應的感測電壓；定時控 制器，其被構造成在所述驅動TFT的柵-源電壓大于所述驅動TFT的閾值電壓的時段中，設 置用于檢測所述感測電壓的遷移率感測時段，其中，所述遷移率感測時段被包括在產(chǎn)生處 于導通電平的所述遷移率感測選通脈沖的時段中，其中，在范圍從所述遷移率感測選通脈 沖的導通電平的起始時間點至與一幀時段的一部分對應的時間點的預定時段中，檢測感測 電壓。
【附圖說明】
[0011] 附圖被包括以提供對本發(fā)明的進一步理解，并入且構成本說明書的部分，附圖示 出本發(fā)明的實施方式并且與描述一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中：
[0012] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示器的框圖；
[0013] 圖2示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的顯示面板的像素陣列；
[0014] 圖3示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的定時控制器、數(shù)據(jù)驅動電路和像素的連接結構 連同外部補償像素的詳細構造；
[0015] 圖4示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的當感測驅動薄膜晶體管（TFT)的電特性時TFT 的柵電壓和源電壓的電勢變化；
[0016] 圖5示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的遷移率感測選通脈沖、遷移率感測時段、閾值 電壓感測選通脈沖和閾值電壓感測時段之間的比較；
[0017] 圖6示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的圖像顯示時段和在圖像顯示時段之前和之后 的非顯示時段；
[0018] 圖7和圖8示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的提供另外改善補償能力及其結果的方 法；以及
[0019] 圖9示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于圖像顯示驅動的圖像顯示選通脈沖、數(shù)據(jù) 電壓等的定時圖。
【具體實施方式】
[0020] 現(xiàn)在，將詳細參照本發(fā)明的實施方式，在附圖中示出實施方式的示例。在任何可能 的地方，在附圖中將始終使用相同的參考標號表示相同或類似的部件。應該注意，如果確定 已知技術會誤導本發(fā)明的實施方式，則將省略對已知技術的詳細描述。
[0021] 將參照圖1至圖9描述本發(fā)明的示例性實施方式。
[0022] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示器的框圖。圖2示出顯示面 板的像素陣列。
[0023] 如圖1和圖2中所示，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的有機發(fā)光顯示器包括顯示面板10、 數(shù)據(jù)驅動電路12、選通驅動電路13和定時控制器11。
[0024] 顯示面板10包括：多條數(shù)據(jù)線14和感測線15 ;多條選通線16,其與數(shù)據(jù)線14和 感測線15交叉；多個像素 P，以矩陣形式分別布置在數(shù)據(jù)線14、感測線15和選通線16的交 叉處。
[0025] 各像素 P連接到數(shù)據(jù)線141至14m中的一條、感測線151至15m中的一條和選通 線161至16η中的一條。各像素 P通過數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)電壓，通過選通線接收選通脈沖，通 過感測線輸出感測電壓。即，在圖2中示出的像素陣列中，像素 P響應于選通脈沖基于水平 行U1至L#n中的每條順序進行操作，選通脈沖是以行順序方式從選通線 161至16η接收 的。啟動操作的同一水平行上的像素 P從數(shù)據(jù)線141至14m接收數(shù)據(jù)電壓并且將感測電壓 輸出到感測線151至15m。
[0026] 各像素從發(fā)電機（未示出）接收高電勢驅動電壓EVDD和低電勢驅動電壓EVSS。 各像素 P包括有機發(fā)光二極管（OLED)、驅動薄膜晶體管（TFT)、第一開關TFT和第二開關 TFT、用于進行外部補償?shù)拇鎯﹄娙萜?。各像?P的特征在于，第一開關TFT和第二開關TFT 響應于相同的選通脈沖同時導通，從而減少信號線的數(shù)量。構成像素 P的TFT可被實現(xiàn)為 P型或η型。另外，構成像素 P的TFT的半導體層可包含非晶硅、多晶硅、或氧化物。
[0027] 在用于感測驅動TFT的電特性（包括閾值電壓、遷移率等）的感測驅動過程中，數(shù) 據(jù)驅動電路12將通過感測線15從顯示面板10接收的感測電壓轉換成數(shù)字值并且將數(shù)字 感測電壓供應到定時控制器11。在用于進行圖像顯示的圖像顯示驅動過程中，數(shù)據(jù)驅動電 路12基于數(shù)據(jù)控制信號DDC將從定時控制器11接收的數(shù)字補償數(shù)據(jù)MDATA轉換成模擬數(shù) 據(jù)電壓并且將模擬數(shù)據(jù)電壓供應到數(shù)據(jù)線14。
[0028] 選通驅動電路13基于選通控制信號⑶C產(chǎn)生選通脈沖。選通脈沖包括均具有不 同寬度的閾值電壓感測選通脈沖、遷移率感測選通脈沖和圖像顯示選通脈沖。遷移率感測 選通脈沖的寬度可比閾值電壓感測選通脈沖的寬度小得多。在閾值電壓的感測驅動過程 中，選通驅動電路13可