本發(fā)明涉及一種顯示裝置，且特別涉及一種顯示區(qū)域?yàn)榉蔷匦蔚娘@示裝置。

背景技術(shù)：

一般的顯示裝置具有顯示區(qū)域與非顯示區(qū)域，顯示區(qū)域中具有像素結(jié)構(gòu)、閘極線及數(shù)據(jù)線，非顯示區(qū)域具有耦接閘極線及數(shù)據(jù)線的扇出導(dǎo)線，扇出導(dǎo)線耦接至驅(qū)動(dòng)晶片以將閘極信號及數(shù)據(jù)信號分別傳送到閘極線及數(shù)據(jù)線。因?yàn)樯瘸鰧?dǎo)線是設(shè)置在非顯示區(qū)域中，并且朝著驅(qū)動(dòng)晶片的方向集中，因此會導(dǎo)致越靠近驅(qū)動(dòng)晶片的位置，顯示邊框的寬度需容置越多扇出導(dǎo)線。近來由于顯示裝置的解析度越來越高，使得扇出導(dǎo)線的數(shù)目增加，相對地目前市場上對于窄邊框的要求是越來越高，因此如何在解析度增加的同時(shí)，可維持邊框的寬度，甚至縮小邊框的寬度，已成為急需解決的問題。特別是對于非矩形的顯示裝置(例如為智能型手表)來說，要如何達(dá)到窄邊框的要求是此領(lǐng)域技術(shù)人員所關(guān)心的議題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種顯示裝置，可以縮小顯示裝置的邊框?qū)挾取?/p>

本發(fā)明的實(shí)施例提出一種顯示裝置，其包括基板、多個(gè)像素結(jié)構(gòu)、多條閘極線及多條數(shù)據(jù)線、多條第一扇出導(dǎo)線、多條第二扇出導(dǎo)線與至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路。顯示裝置具有顯示區(qū)域與非顯示區(qū)域，顯示區(qū)域的形狀為非矩形。像素結(jié)構(gòu)設(shè)置于顯示區(qū)域內(nèi)，并且排列為多個(gè)像素行與多個(gè)像素列。閘極線及數(shù)據(jù)線設(shè)置于顯示區(qū)域內(nèi)，其中閘極線耦接像素行并且數(shù)據(jù)線耦接像素列。 第一扇出導(dǎo)線設(shè)置于非顯示區(qū)域內(nèi)并耦接閘極線。第二扇出導(dǎo)線設(shè)置于非顯示區(qū)域內(nèi)并耦接至數(shù)據(jù)線。驅(qū)動(dòng)電路耦接第一扇出導(dǎo)線與第二扇出導(dǎo)線。第一扇出導(dǎo)線與第二扇出導(dǎo)線是由至少三層不同的導(dǎo)體層形成。

在一些實(shí)施例中，至少一條第一扇出導(dǎo)線屬于第一導(dǎo)體層，至少兩條相鄰的第二扇出導(dǎo)線分別屬于第二導(dǎo)體層與第三導(dǎo)體層。第一導(dǎo)體層、第二導(dǎo)體層與第三導(dǎo)體層彼此不相同。

在一些實(shí)施例中，第一導(dǎo)體層為第一金屬層，第二導(dǎo)體層為第二金屬層，以及第三導(dǎo)體層為第三金屬層。第二金屬層形成于第一金屬層相對于基板的另一側(cè)，第三金屬層形成于第二金屬層相對于第一金屬層的另一側(cè)。

在一些實(shí)施例中，第一導(dǎo)體層為第三金屬層，第二導(dǎo)體層為第一金屬層，以及第三導(dǎo)體層為第二金屬層。第二金屬層形成于第一金屬層相對于基板的另一側(cè)，第三金屬層形成于第二金屬層相對于第一金屬層的另一側(cè)。

在一些實(shí)施例中，第一扇出導(dǎo)線的其中相鄰的兩條分別屬于第三金屬層與第四金屬層，第四金屬層形成于第三金屬層相對于第二金屬層的另一側(cè)。

在一些實(shí)施例中，每條閘極線是分別電性連接其中一個(gè)像素行，而每條數(shù)據(jù)線是分別電性連接其中一個(gè)像素列。

在一些實(shí)施例中，閘極線中相鄰的兩條是電性連接像素行的其中之一，而每條數(shù)據(jù)線是電性連接像素列的其中兩個(gè)相鄰像素列。

在一些實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路包含閘極驅(qū)動(dòng)電路與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，閘極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置在非顯示區(qū)域中。每條第一扇出導(dǎo)線電性連接至閘極驅(qū)動(dòng)電路的其中之一，第二扇出導(dǎo)線電性連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路。

在一些實(shí)施例中，部分像素結(jié)構(gòu)是同時(shí)設(shè)置在顯示區(qū)域與非顯示區(qū)域中。

在一些實(shí)施例中，至少一條第二扇出導(dǎo)線包含屬于第二金屬層的第一部分與屬于第三金屬層的第二部分。第二金屬層與第三金屬層間具有絕緣層，絕緣層具有顯露第一部分的開口。第一部分與第二部分是借由導(dǎo)電層彼此電 性連接，其中導(dǎo)電層是直接接觸第二部分并且通過開口以直接接觸第一部分。

在一些實(shí)施例中，至少一條第二扇出導(dǎo)線包含屬于第二金屬層的第一部分與屬于第三金屬層的第二部分。第二金屬層與第三金屬層間具有絕緣層，絕緣層具有顯露第一部分的開口，第二部分是通過開口以電性連接第一部分。

在一些實(shí)施例中，至少一條第二扇出導(dǎo)線包含屬于第二金屬層的第一部分與屬于第一金屬層的第二部分。第一金屬層與第二金屬層間具有絕緣層，絕緣層具有顯露第二部分的開口，第一部分與第二部分是借由導(dǎo)電層彼此電性連接，其中導(dǎo)電層是直接接觸第一部分并且通過開口以直接接觸第二部分。

在一些實(shí)施例中，至少一條第一扇出導(dǎo)線包含屬于第一金屬層的第一部分與屬于第三金屬層的第二部分。第一金屬層與第三金屬層間具有至少一個(gè)絕緣層，絕緣層具有顯露第一部分的開口。第一部分與第二部分是借由導(dǎo)電層彼此電性連接，其中導(dǎo)電層是直接接觸第二部分并且通過開口以直接接觸第一部分。

在一些實(shí)施例中，至少一條第二扇出導(dǎo)線包含屬于第二金屬層的第一部分與屬于第一金屬層的第二部分。第一金屬層與第二金屬層間具有絕緣層，絕緣層具有顯露第二部分的開口，第一部分是通過開口以電性連接第二部分。

在一些實(shí)施例中，至少一條第一扇出導(dǎo)線包含屬于第一金屬層的第一部分與屬于第三金屬層的第二部分，第一部分與第二部分間具有屬于第二金屬層的金屬墊，第一部分、金屬墊以及第二部分是堆疊設(shè)置于基板上，并且第一部分、金屬墊以及第二部分是彼此電性連接。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明的顯示裝置，可以縮小顯示裝置的邊框?qū)挾?/p>

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1是根據(jù)第一實(shí)施例繪示顯示裝置的俯視圖。

圖2繪示了圖1中顯示區(qū)域110內(nèi)的像素結(jié)構(gòu)p、閘極線gl(1)～gl(m)以及數(shù)據(jù)線dl(1)～dl(n)的放大圖。

圖3至圖5分別是三種不同實(shí)施例的第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)及第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)的立體剖面圖。

圖6是根據(jù)第二實(shí)施例繪示顯示裝置200的俯視示意圖。

圖7是根據(jù)第三實(shí)施例繪示顯示裝置300的俯視示意圖。

圖8是根據(jù)第四實(shí)施例繪示顯示裝置400的俯視示意圖。

圖9是根據(jù)第五實(shí)施例繪示顯示裝置500的俯視示意圖。

圖10是根據(jù)第六實(shí)施例繪示顯示裝置600的俯視示意圖。

圖11繪示了圖10中顯示區(qū)域110內(nèi)的像素結(jié)構(gòu)、閘極線以及數(shù)據(jù)線的放大圖。

圖12a及圖12b為具有圓形顯示區(qū)域的顯示裝置的部分示意圖。

圖13是根據(jù)第一至第六實(shí)施例繪示像素結(jié)構(gòu)p中的薄膜電晶體t的剖面圖。

圖14與圖15是根據(jù)第一至第六實(shí)施例繪示連接結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖16是根據(jù)第一至第六實(shí)施例繪示另一連接結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖17是根據(jù)第一至六實(shí)施例繪示連接結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖18是根據(jù)第一至第六實(shí)施例繪示另一連接結(jié)構(gòu)的示意圖。

具體實(shí)施方式

關(guān)于本文中所使用的第一、第二、…等，并非特別指次序或順位的意思，其僅為了區(qū)別以相同技術(shù)用語描述的元件或操作。另外，關(guān)于本文中所使用 的耦接，可指兩個(gè)元件直接地或間接地作電性連接。也就是說，當(dāng)以下描述第一物件耦接至第二物件時(shí)，第一物件與第二物件之間還可設(shè)置其他的物件。

第一實(shí)施例

圖1是根據(jù)第一實(shí)施例繪示顯示裝置的俯視圖。請參照圖1，顯示裝置100具有顯示區(qū)域110與非顯示區(qū)域120，其中顯示區(qū)域110的形狀為非矩形。在此實(shí)施例中顯示裝置100是實(shí)作為手表，但在其他實(shí)施例中顯示裝置100也可以實(shí)作為其他的移動(dòng)裝置、家電、汽車的儀表板或任意形式的電子裝置，本發(fā)明并不在此限。此外，在本實(shí)例中的顯示區(qū)域110的形狀為圓形，在其他實(shí)施例中，非矩形的顯示區(qū)域的形狀可為橢圓形、三角形、梯形、心形或其他不規(guī)則形狀，但本發(fā)明的非矩形顯示區(qū)域的形狀不以此為限。在本實(shí)施例中的非顯示區(qū)域120的形狀與顯示區(qū)域110的形狀同樣為圓形，在其他實(shí)施例中，非顯示區(qū)域120的形狀也可以與顯示區(qū)域110的形狀不同。

在顯示區(qū)域110中設(shè)置有多個(gè)像素(pixel)結(jié)構(gòu)p(在圖1中，僅標(biāo)示一個(gè)像素結(jié)構(gòu)p為例)，而這些像素結(jié)構(gòu)p是設(shè)置在基板上，并且排列為多條像素行(row)r1～rm與多條像素列(column)c1～cn。顯示區(qū)域110內(nèi)包括了多條閘極線gl(1)～gl(m)以及多條數(shù)據(jù)線dl(1)～dl(n)，閘極線gl(1)～gl(m)分別電性連接像素行r1～rm中的像素結(jié)構(gòu)p，數(shù)據(jù)線dl(1)～dl(n)分別電性連接素行c1～cm中的像素結(jié)構(gòu)p。接下來請同時(shí)參照圖1及圖2，圖2繪示了圖1中顯示區(qū)域110內(nèi)的像素結(jié)構(gòu)p、閘極線gl(1)～gl(m)以及數(shù)據(jù)線dl(1)～dl(n)的放大圖。每一個(gè)像素結(jié)構(gòu)p包含薄膜電晶體t以及與該薄膜電晶體t連接的像素電極pe，其中薄膜電晶體t的閘極g與源極s分別電性連接閘極線gl(1)～gl(m)的其中之一及數(shù)據(jù)線dl(1)～dl(n)的其中之一，汲極d電性連接像素電極pe。接下來請參照圖1，在非顯示區(qū)域120中設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電路140、多條第一扇出(fan-out)導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與多條第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)。第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)的一端分別電性連接顯示區(qū)域110中的閘極線gl(1)～gl(m)，并朝驅(qū)動(dòng)電路140的區(qū)域延伸，以使第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)的另一端電性連接驅(qū)動(dòng)電路140。類似地，第二扇 出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)的一端分別電性連接顯示區(qū)域110中的數(shù)據(jù)線dl(1)～dl(n)，并朝驅(qū)動(dòng)電路140的區(qū)域延伸，以使第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(m)的另一端電性連接驅(qū)動(dòng)電路140。

如圖1所示，因?yàn)轱@示區(qū)域110的形狀為非矩形，從顯示區(qū)域110的中心點(diǎn)朝向往驅(qū)動(dòng)電路140的方向上(在本實(shí)施例中是負(fù)y軸方向)顯示區(qū)域110是逐漸縮小，并且顯示區(qū)域110中的閘極線gl(1)～gl(m)與數(shù)據(jù)線dl(1)～dl(n)是分別朝x軸方向及y軸方向延伸，因此為了將第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)及第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)向驅(qū)動(dòng)電路140的區(qū)域集中，會使得部分的第一扇出導(dǎo)線與部分的第二扇出導(dǎo)線交錯(cuò)(例如圖1左下角第一扇出導(dǎo)線fgl(1)與第二扇出導(dǎo)線fdl(1)、fdl(2)及fdl(3)交錯(cuò))。為了不使第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)短路，至少部分的第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與至少部分的第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)是屬于不同導(dǎo)體層。導(dǎo)體層的材料可以是金屬或是其他合適的導(dǎo)電材料。

此外，如圖1所示，第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)均朝驅(qū)動(dòng)電路140的區(qū)域延伸，且越往驅(qū)動(dòng)電路140的方向(在本實(shí)施例中為負(fù)y方向)，扇出導(dǎo)線的密度越高，也就是非顯示區(qū)域120需容置越多扇出導(dǎo)線，因此邊框(border)的寬度大小會被扇出導(dǎo)線(例如第一扇出導(dǎo)線及第二扇出導(dǎo)線)的節(jié)距(pitch)大小限制。

因此，若所有的第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)都形成在同一層的導(dǎo)體層或是所有的第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)都形成在同一層的導(dǎo)體層，因?yàn)楣に囍衅毓?、顯影及蝕刻的機(jī)臺能力限制，使得扇出導(dǎo)線的線寬(linewidth)與相鄰的扇出導(dǎo)線間的間距(space)無法縮小，以避免扇出導(dǎo)線斷線或相鄰的扇出導(dǎo)線短路，因此導(dǎo)致這些扇出導(dǎo)線的節(jié)距無法縮小而造成很大的邊框。因此在此實(shí)施例中，相鄰的第二扇出導(dǎo)線可以分別形成在不同的導(dǎo)體層或/及相鄰的第一扇出導(dǎo)線可以分別形成在不同的導(dǎo)體層，借此可以縮小彼此之間的間距，進(jìn)而達(dá)到窄邊框的要求。

舉例來說，以目前現(xiàn)有技術(shù)的工藝能力，若是相鄰的扇出導(dǎo)線是屬于同一金屬層(例如同屬第一金屬層或同屬第二金屬層)，則扇出導(dǎo)線的節(jié)距為7微米。若是相鄰的扇出導(dǎo)線是分別屬于不同金屬層(例如分屬第一金屬層及第二金屬層，或是分屬第二金屬層及第三金屬層)，則扇出導(dǎo)線的節(jié)距可降為4微米。

如圖1所示，在靠近驅(qū)動(dòng)電路140左側(cè)的非顯示區(qū)域120中，第一扇出導(dǎo)線fgl(1)、fgl(3)…fgl(m-1)是緊密相鄰以延伸至驅(qū)動(dòng)電路140，而在靠近驅(qū)動(dòng)電路140左側(cè)的非顯示區(qū)域120中，第一扇出導(dǎo)線fgl(2)、fgl(4)…fgl(m)是緊密相鄰以延伸至驅(qū)動(dòng)電路140，因此相鄰的兩條第一扇出導(dǎo)線(例如fgl(1)與fgl(3)、fgl(3)與fgl(5)、fgl(2)與fgl(4)、fgl(4)與fgl(6))可以分別屬于不同導(dǎo)體層。

同樣地，在靠近驅(qū)動(dòng)電路140左上側(cè)的非顯示區(qū)域120中，第二扇出導(dǎo)線fdl(1)、fdl(2)、fdl(3)、fdl(4)是緊密相鄰以延伸至驅(qū)動(dòng)電路140，而在靠近驅(qū)動(dòng)電路140右上側(cè)的非顯示區(qū)域120中，第二扇出導(dǎo)線fdl(m-2)、fdl(m-1)、fdl(m)是緊密相鄰以延伸至驅(qū)動(dòng)電路140，因此相鄰的兩條第二扇出導(dǎo)線(例如fdl(1)與fdl(2)、fdl(2)與fdl(3)、fdl(m-2)與fdl(m-1)、fdl(m-1)與fdl(m))可以分別屬于不同導(dǎo)體層。

因此，為了避免第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)短路，以及縮小扇出導(dǎo)線的布局面積，在本發(fā)明中，至少部分的第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與至少部分第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)屬于不同導(dǎo)體層，也就是至少部分的第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)是屬于一導(dǎo)體層，而至少部分第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)屬于另一導(dǎo)體層，以避免第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)短路。此外，相鄰的兩條第二扇出導(dǎo)線或/及相鄰的兩條第一扇出導(dǎo)線形成在不同的導(dǎo)體層，以縮小第二扇出導(dǎo)線或/及第一扇出導(dǎo)線的節(jié)距，進(jìn)而縮小扇出導(dǎo)線的布局面積。

舉例來說，在一些實(shí)施例中可以是每條第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)是屬于一導(dǎo)體層，每條第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)是屬于另一導(dǎo)體層，但本發(fā) 明不以此為限，在其他實(shí)施例中，也可以是部分的第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)是屬于一導(dǎo)體層，部分的第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)屬于另一導(dǎo)體層。此外，在一些實(shí)施例中，可以是第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)中每兩條相鄰的第一扇出導(dǎo)線形成在不同的導(dǎo)體層或/及第二扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)中每兩條相鄰的第二扇出導(dǎo)線形成在不同的導(dǎo)體層，但本發(fā)明不以此為限，在其他實(shí)施例中，也可以是部分的第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)中每兩條相鄰的第一扇出導(dǎo)線形成在不同的導(dǎo)體層或/及部分的第二扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)中每兩條相鄰的第二扇出導(dǎo)線形成在不同的導(dǎo)體層。所屬領(lǐng)域具有通常知識者可依據(jù)邊框?qū)挾扰c驅(qū)動(dòng)電路位置自行調(diào)整第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)的布局設(shè)計(jì)與配置。

接下來請參照圖3、圖4及圖5，圖3至圖5分別是三種不同實(shí)施例的第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)及第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)的立體剖面圖，其中立體剖面圖是對應(yīng)到非顯示區(qū)域120中第一扇出導(dǎo)線與第二扇出導(dǎo)線交錯(cuò)的位置。如圖3所示，第二扇出導(dǎo)線fdl(i-2)、fdl(i)及fdl(i+2)是屬于第一金屬層m1，第二扇出導(dǎo)線fdl(i-1)、fdl(i+1)及fdl(i+3)是屬于第二金屬層m2，第一扇出導(dǎo)線fgl(j-2)、fgl(j)及fgl(j+2)是屬于第三金屬層m3，第一扇出導(dǎo)線fgl(j-1)及fgl(j+1)是屬于第四金屬層m4，其中第一金屬層m1、第二金屬層m2、第三金屬層m3以及第四金屬層m4是依序設(shè)置在基板301上。需說明的是，第一金屬層m1與第二金屬層m2間、第二金屬層m2與第三金屬層m3間、以及第三金屬層m3與第四金屬層m4間分別具有絕緣層(圖未示)，以避免彼此間短路。此外，圖3雖僅繪示非顯示區(qū)域120中形成于基板301上的第一扇出導(dǎo)線及第二扇出導(dǎo)線，顯示區(qū)域110中的像素結(jié)構(gòu)p也同樣設(shè)置在基板301上。在圖3的實(shí)施例中，第一扇出導(dǎo)線fgl(j-2)～fgl(j+2)與第二扇出導(dǎo)線fdl(i-2)～fdl(i+3)分屬不同金屬層，以避免彼此交錯(cuò)時(shí)產(chǎn)生短路。此外，相鄰的第二扇出導(dǎo)線(例如fdl(i-2)與fdl(i-1)或是fdl(i-1)與fdl(i))是分屬不同金屬層，并且相鄰的第一扇出導(dǎo)線(例如fgl(j-2)與fgl(j-1)或是fgl(j-1)與fgl(j))是分屬不同金屬層，以縮小扇出導(dǎo)線的節(jié)距，進(jìn)而達(dá) 成窄邊框(narrowborder)的需求。

需說明的是，雖然在圖3的實(shí)施例中，相鄰的第一扇出導(dǎo)線是分別屬于第三金屬層m3及第四金屬層m4，而相鄰的第二扇出導(dǎo)線是分別屬于第一金屬層m1及第二金屬層m2，在其他實(shí)施例中，也可以變化為相鄰的第一扇出導(dǎo)線是分別屬于第一金屬層m1及第二金屬層m2，而相鄰的第二扇出導(dǎo)線是分別屬于第三金屬層m3及第四金屬層m4。

請參照圖4，第一扇出導(dǎo)線fgl(j-1)、fgl(j)及fgl(j+1)是屬于第一金屬層m1，第二扇出導(dǎo)線fdl(i-2)、fdl(i)及fdl(i+2)是屬于第二金屬層m2，第二扇出導(dǎo)線fdl(i-1)及fdl(i+1)是屬于第三金屬層m3。接下來請參照圖5，第二扇出導(dǎo)線fdl(i-2)、fdl(i)及fdl(i+2)是屬于第一金屬層m1，第二扇出導(dǎo)線fdl(i-1)、fdl(i+1)及fdl(i+3)是屬于第二金屬層m2，第一扇出導(dǎo)線fgl(j)及fgl(j+1)是屬于第三金屬層m3。在圖4及圖5的實(shí)施例中，第一扇出導(dǎo)線與第二扇出導(dǎo)線分屬不同金屬層，以避免彼此交錯(cuò)時(shí)產(chǎn)生短路。此外，相鄰的第二扇出導(dǎo)線是分屬不同金屬層，以縮小相鄰第二扇出導(dǎo)線間的間隙，進(jìn)而降低邊框的寬度。與圖3的實(shí)施例不同的是，圖4及圖5的第一扇出導(dǎo)線是屬于同一金屬層，因此相較于圖3的實(shí)施例需使用四層金屬層，圖4及圖5的實(shí)施例僅需使用三層金屬層，顯示裝置的制作成本可大幅降低。雖然圖4及圖5的第一扇出導(dǎo)線是屬于同一金屬層，但是相鄰的第二扇出導(dǎo)線是分屬不同金屬層，因此與現(xiàn)有技術(shù)中第二扇出導(dǎo)線屬于相同金屬層相較，圖4及圖5的實(shí)施例同樣可達(dá)到降低邊框?qū)挾?，并且較圖3的實(shí)施例節(jié)省成本。

需說明的是，雖然在圖4的實(shí)施例中第一扇出導(dǎo)線是屬于第一金屬層m1，相鄰的第二扇出導(dǎo)線是分別屬于第二金屬層m2及第三金屬層m3。在其他實(shí)施例中，也可以變化為第二扇出導(dǎo)線是屬于第一金屬層m1，相鄰的第一扇出導(dǎo)線是分別屬于第二金屬層m2及第三金屬層m3。

同樣地，雖然在圖5的實(shí)施例中相鄰的第二扇出導(dǎo)線是分別屬于第一金屬層m1及第二金屬層m2，第一扇出導(dǎo)線是屬于第三金屬層m3。在其他實(shí)施例中，也可以變化為相鄰的第一扇出導(dǎo)線是分別屬于第一金屬層m1及第二 金屬層m2，第二扇出導(dǎo)線是屬于第三金屬層m3。

具體來說，上述實(shí)施例是在非顯示區(qū)域120中的第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)是由至少三層不同的導(dǎo)體層形成，其中至少一條第一扇出導(dǎo)線是屬于第一導(dǎo)體層，且相鄰的兩條第二扇出導(dǎo)線是分別屬于第二導(dǎo)體層與第三導(dǎo)體層，或是至少一條第二扇出導(dǎo)線是屬于第一導(dǎo)體層，且相鄰的兩條第一扇出導(dǎo)線是分別屬于第二導(dǎo)體層與第三導(dǎo)體層，或是相鄰的兩條第一扇出導(dǎo)線是分別屬于第一導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層，且相鄰的兩條第二扇出導(dǎo)線是分別屬于第三導(dǎo)體層與第四導(dǎo)體層，其中第一導(dǎo)體層、第二導(dǎo)體層、第三導(dǎo)體層與第四導(dǎo)體層彼此不相同。這些導(dǎo)體層可以是金屬層或是其他合適的導(dǎo)體層。此外，本發(fā)明并不限制這些導(dǎo)體層的形成順序，也就是說第一導(dǎo)體層可以在第二導(dǎo)體層與第三導(dǎo)體層之間，或者第二導(dǎo)體層也可以在第一導(dǎo)體層與第三導(dǎo)體層之間，以此類推。

需說明的是，在圖1的實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路140包括了閘極驅(qū)動(dòng)電路與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路。閘極驅(qū)動(dòng)電路與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路是設(shè)置于同一個(gè)晶片中，或是閘極驅(qū)動(dòng)電路與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路是制作于顯示裝置100的薄膜電晶體陣列基板上。舉例來說，閘極驅(qū)動(dòng)電路與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路中的電晶體可以是與像素結(jié)構(gòu)p中的薄膜電晶體t同時(shí)借由低溫多晶硅工藝制作于薄膜電晶體陣列基板上。此外，圖1雖僅繪示一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路140，但本發(fā)明不限定驅(qū)動(dòng)電路140的個(gè)數(shù)。

第二實(shí)施例

接下來請參照圖6，圖6是根據(jù)第二實(shí)施例繪示顯示裝置200的俯視示意圖。圖6與圖1的差別在于圖6的非顯示區(qū)域120設(shè)置有多個(gè)接合接腳130，接合接腳130是電性連接第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)。驅(qū)動(dòng)電路140則是設(shè)置在可撓式(flexible)電路板150上(例如卷帶承載封裝(tapecarrierpackage，tcp)或晶粒軟模封裝(chiponfilm，cof)，并且可撓式電路板150的一側(cè)具有多個(gè)第一接合引腳(圖未示)以電性連接至多個(gè)接合接腳130，另一側(cè)則具有多個(gè)第二接合引腳160以電性連接至電路板(圖未示)?？蓳鲜诫娐钒?50具有多條連接導(dǎo)線(圖未示)以將驅(qū)動(dòng)電路 140電性連接至第一接合引腳及第二接合引腳160，進(jìn)而使得驅(qū)動(dòng)電路140電性連接至接合接腳130以及電路板，使得驅(qū)動(dòng)電路140可提供閘極信號及數(shù)據(jù)信號至顯示區(qū)域110中的像素結(jié)構(gòu)p。在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路140包括了閘極驅(qū)動(dòng)電路與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，并且閘極驅(qū)動(dòng)電路與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路是設(shè)置于同一個(gè)晶片中。

如同第一實(shí)施例，在本實(shí)施例中，至少部分的第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與至少部分的第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)屬于不同導(dǎo)體層，并且相鄰的第二扇出導(dǎo)線或/及相鄰的第一扇出導(dǎo)線形成在不同的導(dǎo)體層，也就是第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)是由至少三層不同的導(dǎo)體層形成。

此外，與第一實(shí)施例類似，圖6雖僅繪示一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路140，但本發(fā)明不限定驅(qū)動(dòng)電路140的個(gè)數(shù)。

第三實(shí)施例

接下來請參照圖7，圖7是根據(jù)第三實(shí)施例繪示顯示裝置300的俯視示意圖。圖7與圖1的差別在于圖7的實(shí)施例在非顯示區(qū)域120中設(shè)置有閘極驅(qū)動(dòng)電路141與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路142，其余部分與圖1的實(shí)施例類似，在此不再贅述。在非顯示區(qū)域120中設(shè)置有多條第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與多條第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)，其中每條第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)都耦接至閘極線gl(1)～gl(m)的其中之一與閘極驅(qū)動(dòng)電路141，而每條第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)都耦接至數(shù)據(jù)線dl(1)～dl(n)的其中之一與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路142。閘極驅(qū)動(dòng)電路141與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路142可以分別實(shí)作為閘極驅(qū)動(dòng)晶片與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)晶片，或是其中之一實(shí)作為晶片，而另一驅(qū)動(dòng)電路則是制作于顯示裝置300的薄膜電晶體陣列基板上，或是閘極驅(qū)動(dòng)電路141與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路142皆是制作于顯示裝置300的薄膜電晶體陣列基板上。此外，圖7雖僅繪示一個(gè)閘極驅(qū)動(dòng)電路141與一個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路142，但本發(fā)明不限定閘極驅(qū)動(dòng)電路141與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路142的個(gè)數(shù)。

如同第一實(shí)施例，在本實(shí)施例中，至少部分的第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與至少部分的第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)屬于不同導(dǎo)體層，并且相鄰的第二扇出導(dǎo)線或/及相鄰的第一扇出導(dǎo)線形成在不同的導(dǎo)體層，也就是第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)是由至少三層不同的導(dǎo)體層形成。

此外，與第二實(shí)施例類似，在其他實(shí)施例中，閘極驅(qū)動(dòng)電路141與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路142可共同設(shè)置在可撓式電路板上或是分別設(shè)置在不同的可撓式電路板上，而非顯示區(qū)域120設(shè)置有多個(gè)接合接腳，所述多個(gè)接合接腳是電性連接第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)。閘極驅(qū)動(dòng)電路141與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路142是借由可撓式電路板的接合引腳電性連接至非顯示區(qū)域120中的接合接腳，進(jìn)而使得閘極驅(qū)動(dòng)電路141與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路142可分別提供閘極信號及數(shù)據(jù)信號至顯示區(qū)域110中的像素結(jié)構(gòu)p。

第四實(shí)施例

接下來請參照圖8，圖8是根據(jù)第四實(shí)施例繪示顯示裝置400的俯視示意圖。圖8與圖7的差別在于圖7的實(shí)施例中，閘極驅(qū)動(dòng)電路141與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路142是設(shè)置于顯示區(qū)域110下方的非顯示區(qū)域120中，而在圖8的實(shí)施例中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路142是設(shè)置于顯示區(qū)域110下方的非顯示區(qū)域120中，閘極驅(qū)動(dòng)電路141則是設(shè)置在顯示區(qū)域110左側(cè)的非顯示區(qū)域120中。與圖7的實(shí)施例相較，因?yàn)殚l極線gl(1)～gl(m)是朝x軸方向延伸，而圖7的閘極驅(qū)動(dòng)電路141是設(shè)置在顯示區(qū)域110的下方，因此圖7的第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)是電性連接閘極線gl(1)～gl(m)后再往下彎折向閘極驅(qū)動(dòng)電路141的區(qū)域集中，且在越接近閘極驅(qū)動(dòng)電路141的非顯示區(qū)域120中，會有多條平行相鄰的第一扇出導(dǎo)線(例如在圖7中靠近閘極驅(qū)動(dòng)電路141處具有m條緊密相鄰的第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m))以耦接至閘極驅(qū)動(dòng)電路141，導(dǎo)致圖7的非顯示區(qū)域120需具有較大的寬度。而圖8的閘極驅(qū)動(dòng)電路141是設(shè)置在顯示區(qū)域110左側(cè)的非顯示區(qū)域120中，且閘極線gl(1)～gl(m)是沿著x軸方向延伸，因此第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)可分別由閘極驅(qū)動(dòng)電 路141的相對兩側(cè)延伸至閘極驅(qū)動(dòng)電路141(舉例來說，第一閘極導(dǎo)線fgl(1)、fgl(2)由閘極驅(qū)動(dòng)電路141的一側(cè)延伸至閘極驅(qū)動(dòng)電路141，而第一閘極導(dǎo)線fgl(m-1)、fgl(m)由閘極驅(qū)動(dòng)電路141的一側(cè)延伸至閘極驅(qū)動(dòng)電路141)，因此相較于圖7的實(shí)施例，圖8的實(shí)施例更容易達(dá)成窄邊框的需求。

如同圖7的實(shí)施例，圖8的閘極驅(qū)動(dòng)電路141與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路142可以分別實(shí)作為閘極驅(qū)動(dòng)晶片與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)晶片，或是其中之一實(shí)作為晶片，而另一驅(qū)動(dòng)電路則是制作于顯示裝置400的薄膜電晶體陣列基板上，或是閘極驅(qū)動(dòng)電路141與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路142皆制作于顯示裝置400的薄膜電晶體陣列基板上。

此外，與第二實(shí)施例類似，在其他實(shí)施例中，閘極驅(qū)動(dòng)電路141可設(shè)置在可撓式電路板上，而數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路142設(shè)置在非顯示區(qū)域120中，或是閘極驅(qū)動(dòng)電路141可設(shè)置在非顯示區(qū)域120中，而數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路142設(shè)置在可撓式電路板上，或是閘極驅(qū)動(dòng)電路141設(shè)置在一可撓式電路板上，而數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路142設(shè)置在另一可撓式電路板上。

如同第一實(shí)施例，在本實(shí)施例中，至少部分的第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與至少部分的第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)屬于不同導(dǎo)體層，并且相鄰的第二扇出導(dǎo)線或/及相鄰的第一扇出導(dǎo)線形成在不同的導(dǎo)體層，也就是第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)是由至少三層不同的導(dǎo)體層形成。

第五實(shí)施例

接下來請參照圖9，圖9是根據(jù)第五實(shí)施例繪示顯示裝置500的俯視示意圖。在圖9的實(shí)施例中，非顯示區(qū)域120中設(shè)置有閘極驅(qū)動(dòng)電路210(1)～210(m)與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路220，其中閘極驅(qū)動(dòng)電路210(1)～210(m)包含薄膜電晶體，且閘極驅(qū)動(dòng)電路210(1)～210(m)中的薄膜電晶體是與像素結(jié)構(gòu)p中的薄膜電晶體t同時(shí)制作于薄膜電晶體陣列基板上。閘極驅(qū)動(dòng)電路210(1)～210(m)也稱為整合閘極驅(qū)動(dòng)器(integratedgatedriver，igd)或陣列基板列驅(qū)動(dòng)(gatedriveron array，goa)。每個(gè)閘極驅(qū)動(dòng)電路210(1)～210(m)分別包含移位暫存器(shiftregister)電路，且閘極驅(qū)動(dòng)電路210(1)、210(3)…210(m-1)與閘極驅(qū)動(dòng)電路212(2)、210(4)…210(m)分別設(shè)置于顯示區(qū)域110的相對兩側(cè)。閘極驅(qū)動(dòng)電路210(1)、210(3)…210(m-1)是分別借由奇數(shù)第一扇出導(dǎo)線fgl(1)、fgl(3)…fgl(m-1)電性連接至顯示區(qū)域110中的奇數(shù)閘極線gl(1)、gl(3)…gl(m-1)，而閘極驅(qū)動(dòng)電路210(2)、210(4)…210(m)是分別借由偶數(shù)第一扇出導(dǎo)線fgl(2)、fgl(4)…fgl(m)電性連接至顯示區(qū)域110中的偶數(shù)閘極線gl(2)、gl(2)…gl(m)。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路220是設(shè)置于顯示區(qū)域110下方的非顯示區(qū)域120中，顯示區(qū)域110中的數(shù)據(jù)線dl(1)～dl(n)是分別借由第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)電性連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路220。然而，本發(fā)明并不限制閘極驅(qū)動(dòng)電路210(1)～210(m)與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路220的個(gè)數(shù)與設(shè)置位置。舉例來說，在圖9的實(shí)施例中，閘極驅(qū)動(dòng)電路210(1)、210(3)…210(m-1)與閘極驅(qū)動(dòng)電路210(2)、210(4)…210(m)是分別設(shè)置于顯示區(qū)域110的相對兩側(cè)，在其他實(shí)施例中，閘極驅(qū)動(dòng)電路210(1)～210(m)也可以是設(shè)置在顯示區(qū)域110的一側(cè)。

在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路220可以實(shí)作為數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)晶片或是制作于顯示裝置500的薄膜電晶體陣列基板上，而閘極驅(qū)動(dòng)電路210(1)～210(m)則是制作于顯示裝置500的薄膜電晶體陣列基板上。舉例來說，閘極驅(qū)動(dòng)電路210(1)～210(m)包含薄膜電晶體，而閘極驅(qū)動(dòng)電路210(1)～210(m)的薄膜電晶體可以是與像素結(jié)構(gòu)p中的薄膜電晶體t同時(shí)借由非晶硅(amorphoussilicon)工藝或是低溫多晶硅工藝制作于薄膜電晶體陣列基板上。

在本實(shí)施例中，至少部分的第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與至少部分的第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)屬于不同導(dǎo)體層，以避免交錯(cuò)的第一扇出導(dǎo)線與第二扇出導(dǎo)線彼此短路。此外，相鄰第二扇出導(dǎo)線是分屬不同導(dǎo)體層，以降低邊框?qū)挾?，也就是第一扇出?dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)是由至少三層不同的導(dǎo)體層形成。

在本實(shí)施例中，因?yàn)殚l極線gl(1)～gl(m)是朝著x軸方向延伸，而閘極驅(qū)動(dòng)電路210(1)～210(m)是分別設(shè)置在非顯示區(qū)域120中對應(yīng)閘極線 gl(1)～gl(m)的位置，因此第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)是朝著x軸方向分別延伸至閘極驅(qū)動(dòng)電路210(1)～210(m)，使得第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)的節(jié)距不會影響邊框?qū)挾取Ｒ虼?，在本?shí)施例中，第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)優(yōu)選是同屬同一導(dǎo)體層，以節(jié)省顯示裝置500的制作成本。但本發(fā)明不以此為限，相鄰的第一扇出導(dǎo)線也可以是分屬不同導(dǎo)體層。

此外，在其他實(shí)施例中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路220可設(shè)置在可撓式電路板上，借由可撓式電路板的接合引腳電性連接至非顯示區(qū)域120中的接合接腳，進(jìn)而數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路220可提供數(shù)據(jù)信號至顯示區(qū)域110中的像素結(jié)構(gòu)p。

第六實(shí)施例

接下來請參照圖10，圖10是根據(jù)第六實(shí)施例繪示顯示裝置600的俯視示意圖。在圖10的實(shí)施例中，顯示區(qū)域110中設(shè)置有多個(gè)像素結(jié)構(gòu)p(在圖10中，僅標(biāo)示三個(gè)像素結(jié)構(gòu)p為例)，而這些像素結(jié)構(gòu)排列為多個(gè)像素行r1～rm與像素列c1～cn。顯示區(qū)域110內(nèi)包括了多條閘極線gl(1,1)、gl(1,2)、gl(2,1)、gl(2,2)...gl(m,1)、gl(m,2)以及多條數(shù)據(jù)線dl(1,2)～dl(n-1,n)。圖10的實(shí)施例與圖9的實(shí)施例不同處在于，每個(gè)像素行耦接兩條閘極線，而每兩個(gè)像素列共用同一條數(shù)據(jù)線，其余部分與圖9類似，在此不再贅述。舉例來說，閘極線gl(1,1)、gl(1,2)耦接像素行r1，閘極線gl(2,1)、gl(2,2)耦接像素行r2，而像素列c1、c2共用數(shù)據(jù)線dl(1,2)，像素列c3、c4共用數(shù)據(jù)線dl(3,4)。需說明的是，因?yàn)橄噜彅?shù)據(jù)線間具有兩列像素列，因此圖10中相鄰數(shù)據(jù)線間的虛線是用來標(biāo)示兩列像素列間的邊界。舉例來說，數(shù)據(jù)線dl(1,2)與dl(3,4)間的虛線是用來標(biāo)示像素列c2及c3的邊界。接下來請同時(shí)參照圖10及圖11，圖11繪示了圖10中顯示區(qū)域110內(nèi)的像素結(jié)構(gòu)、閘極線以及數(shù)據(jù)線的放大圖。每個(gè)像素結(jié)構(gòu)p包含薄膜電晶體t以及與該薄膜電晶體t連接的像素電極pe，其中薄膜電晶體t的閘極g與源極s分別電性連接閘極線gl(1,1)～gl(m,2)的其中之一及數(shù)據(jù)線dl(1,2)～dl(n,n-1)的其中之一。舉例來說，閘極線gl(1,1)、gl(2,1)、gl(3,1)分別是耦接至像素行r1、r2、r3中奇數(shù)個(gè)薄膜電晶體t的閘極g，而閘極線gl(1,2)、gl(2,2)、gl(3,2) 分別是耦接至像素行r1、r2、r3中偶數(shù)個(gè)薄膜電晶體t的閘極g，而數(shù)據(jù)線dl(1,2)是耦接至像素列c1、c2中薄膜電晶體t的源極s，數(shù)據(jù)線dl(3,4)是耦接至像素列c3、c4中薄膜電晶體t的源極s。在圖10及圖11的實(shí)施例中是采用雙閘極(doublegate)的設(shè)計(jì)，也就是說每個(gè)像素行是耦接至兩條閘極線，而兩個(gè)像素列是共用一條數(shù)據(jù)線。與現(xiàn)有技術(shù)中每個(gè)像素行與每個(gè)像素列分別耦接一條閘極線與一條數(shù)據(jù)線相較，圖10與圖11中雙閘極的設(shè)計(jì)雖然增加閘極線的數(shù)目，但可以減少數(shù)據(jù)線的數(shù)目。如圖10所示，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路320是設(shè)置于顯示區(qū)域110下方的非顯示區(qū)域120中，閘極驅(qū)動(dòng)電路311(1)～311(m)、312(1)～312(m)則是設(shè)置在顯示區(qū)域110相對兩側(cè)的非顯示區(qū)域120中。每個(gè)閘極驅(qū)動(dòng)電路311(1)～311(m)、312(1)～312(m)分別包含移位暫存器電路，其中閘極驅(qū)動(dòng)電路311(1)～311(m)是分別借由第一扇出導(dǎo)線fgl(1,1)、fgl(2,1)…fgl(m,1)電性連接閘極線gl(1,1)、gl(2,1)...gl(m,1)，而閘極驅(qū)動(dòng)電路312(1)～312(m)是分別借由第一扇出導(dǎo)線fgl(1,2)、fgl(2,2)…fgl(m,2)電性連接閘極線gl(1,2)、gl(2,2)...gl(m,2)。第二扇出導(dǎo)線fdl(1,2)～fdl(n-1,n)的一端是分別電性連接至數(shù)據(jù)線dl(1,2)～dl(n-1,n)，另一端則是電性連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路320。

與圖9的實(shí)施例類似，因?yàn)殚l極線gl(1,1)～gl(m,2)是朝著x軸方向延伸，而每個(gè)閘極驅(qū)動(dòng)電路311(1)～311(m)以及312(1)～312(m)是分別設(shè)置非顯示區(qū)域120中對應(yīng)閘極線gl(1,1)～gl(m,2)的位置，第一扇出導(dǎo)線fgl(1,1)～fgl(m,2)是朝著x軸方向延伸即可分別電性連接至閘極驅(qū)動(dòng)電路311(1)～311(m)以及312(1)～312(m)。因此本實(shí)施例中雙閘極的設(shè)計(jì)雖然會增加閘極線的數(shù)目，但不會導(dǎo)致邊框?qū)挾鹊脑黾?。此外，因?yàn)檫吙驅(qū)挾仁怯缮瘸鰧?dǎo)線的數(shù)目與節(jié)距決定，而雙閘極的設(shè)計(jì)會將數(shù)據(jù)線的數(shù)目減半，因此相較于圖9的實(shí)施例，本實(shí)施例可進(jìn)一步將邊框?qū)挾冉档汀?/p>

與圖9的實(shí)施例類似，在本實(shí)施例中，至少部分的第一扇出導(dǎo)線fgl(1,1)～fgl(m,2)與至少部分的第二扇出導(dǎo)線fdl(1,2)～fdl(n-1,n)屬于不同導(dǎo)體層，以避免交錯(cuò)的第一扇出導(dǎo)線與第二扇出導(dǎo)線彼此短路。相鄰第二 扇出導(dǎo)線是分屬不同導(dǎo)體層，以降低邊框?qū)挾?，也就是第一扇出?dǎo)線fgl(1)～fgl(m)與第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)是由至少三層不同的導(dǎo)體層形成。此外，在本實(shí)施例中，第一扇出導(dǎo)線fgl(1,1)～fgl(m,2)優(yōu)選是同屬同一導(dǎo)體層，以節(jié)省顯示裝置600的制作成本。但本發(fā)明不以此為限，相鄰的第一扇出導(dǎo)線也可以是分屬不同導(dǎo)體層。

此外，在其他實(shí)施例中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路320可設(shè)置在可撓式電路板上，借由可撓式電路板的接合引腳電性連接至非顯示區(qū)域120中的接合接腳，進(jìn)而數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路320可提供數(shù)據(jù)信號至顯示區(qū)域110中的像素結(jié)構(gòu)p。

本實(shí)施例的雙閘極的設(shè)計(jì)也可以應(yīng)用在第一至第五實(shí)施例中，也就是將顯示區(qū)域110的像素結(jié)構(gòu)、閘極線與數(shù)據(jù)線及非顯示區(qū)域120中的第一扇出導(dǎo)線與第二扇出導(dǎo)線置換為如本實(shí)施例的雙閘極設(shè)計(jì)，在此不再贅述。

需說明的是，在本發(fā)明中，因?yàn)轱@示區(qū)域的形狀為非矩形，而像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)為矩形，因此當(dāng)像素結(jié)構(gòu)排列在非矩形的顯示區(qū)域中時(shí)，最外側(cè)的像素結(jié)構(gòu)通常無法沿著顯示區(qū)域的輪廓排列。舉例來說，請參照圖12a及圖12b，圖12a及圖12b為具有圓形顯示區(qū)域110的顯示裝置的部分示意圖。如圖12a所示，紅色/綠色/藍(lán)色像素結(jié)構(gòu)r/g/b未完全填滿顯示區(qū)域110，而圖12b中的紅色/綠色/藍(lán)色像素結(jié)構(gòu)r/g/b則填滿顯示區(qū)域110，并且超出顯示區(qū)域110的輪廓，因此有部分像素結(jié)構(gòu)是同時(shí)設(shè)置在顯示區(qū)域110與非顯示區(qū)域120中。因?yàn)榉秋@示區(qū)域120通常具有遮蔽層(例如黑色矩陣層(blackmatrix，bm))，因此圖12b中顯示裝置的顯示區(qū)域110的形狀仍為圓形。本發(fā)明并不限定像素結(jié)構(gòu)的排列方式，也就是像素結(jié)構(gòu)未完全填滿顯示區(qū)域或是像素結(jié)構(gòu)填滿顯示區(qū)域且超出顯示區(qū)域的輪廓均在本發(fā)明的涵蓋范圍內(nèi)。此外，本發(fā)明不限定像素結(jié)構(gòu)的形狀，在其他實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)也可以是六角形、平行四邊形或其他合適的形狀。

接下來請參照圖13，圖13是根據(jù)第一至第六實(shí)施例繪示像素結(jié)構(gòu)p中的薄膜電晶體t的剖面圖。如圖13所示，第一金屬層m1是形成于基板301上，第一金屬層m1包括了薄膜電晶體t的閘極g。絕緣層303是形成于第一金 屬層m1上。半導(dǎo)體層304是形成于絕緣層303上，半導(dǎo)體層304是以作為薄膜電晶體t的通道。第二金屬層m2是形成于半導(dǎo)體層304上，第二金屬層m2包括了薄膜電晶體t的源極s與汲極d。換言之，第一金屬層m1是形成于第二金屬層m2與基板301之間。

請同時(shí)參照圖1與圖13，在顯示區(qū)域110中薄膜電晶體的閘極g是屬于第一金屬層m1，且閘極線gl(1)～gl(m)也是屬于第一金屬層m1，然而由于在非顯示區(qū)域120中的第一扇出導(dǎo)線fgl(1)～fgl(m)不一定在第一金屬層(例如圖3及圖5)，因此需要連接結(jié)構(gòu)來電性連接不同的金屬層。類似地，顯示區(qū)域110中薄膜電晶體的源極s是屬于第二金屬層m2，且數(shù)據(jù)線dl(1)～dl(n)也是屬于第二金屬層m2，但在非顯示區(qū)域120中的第二扇出導(dǎo)線fdl(1)～fdl(n)不一定在第二金屬層m2(例如圖3至圖5)，因此也需要連接結(jié)構(gòu)來電性連接不同的金屬層。以下將分多個(gè)實(shí)施例來說明不同實(shí)施例的連接結(jié)構(gòu)。

請參照圖14，圖14是根據(jù)第一至第六實(shí)施例繪示連接結(jié)構(gòu)的示意圖。其中第一扇出導(dǎo)線及第二扇出導(dǎo)線是搭配圖5的實(shí)施實(shí)施例，也就是第一扇出導(dǎo)線是屬于第三金屬層m3，而相鄰的第二扇出導(dǎo)線是分別屬于第一金屬層m1與第二金屬層m2。在圖14中共有三種不同的連接結(jié)構(gòu)，以下將一一說明。

首先，顯示區(qū)域110內(nèi)具有閘極線601，非顯示區(qū)域120內(nèi)具有第一扇出導(dǎo)線602。第一扇出導(dǎo)線602具有第一部分606及第二部分607，其中第一部分606是屬于第一金屬層m1并耦接至同屬第一金屬層m1的閘極線601，而第二部分607是屬于第三金屬層m3。連接結(jié)構(gòu)603是設(shè)置于第一扇出導(dǎo)線602上，用以將第一部分606電性連接至第二部分607。結(jié)構(gòu)604所繪示的是連接結(jié)構(gòu)603沿著切線605所繪示的剖面。具體來說，第一金屬層m1是在基板301上，并且在第一金屬層m1上具有第一絕緣層611，此第一絕緣層611具有開口612以顯露第一部分606。第一絕緣層611上具有第二絕緣層613，第二絕緣層613具有開口614，開口614是對應(yīng)于開口612。第三金屬層m3是形成于第二絕緣層613上，第三金屬層m3包括了第一扇出導(dǎo)線602的第二部 分607。第三金屬層m3上具有導(dǎo)電層615，其電性連接至第二部分607，并通過開口614與開口612來電性連接至第一部分606，也就是導(dǎo)電層615橋接第一部分606及第二部分607。如此一來，在第一金屬層m1的第一部分606會電性連接至第三金屬層m3的第二部分607。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層615的材料包括透明導(dǎo)電材料例如氧化銦錫(indiumtinoxide；ito)、氧化銦鋅(indiumzincoxide；izo)或其他導(dǎo)電材料。

第二，在顯示區(qū)域110內(nèi)具有數(shù)據(jù)線621，在非顯示區(qū)域中120中具有第二扇出導(dǎo)線622。第二扇出導(dǎo)線622具有第一部分626及第二部分627，其中第一部分626是屬于第二金屬層m2并耦接至同屬第二金屬層m2的數(shù)據(jù)線621，而第二部分627是屬于第一金屬層m1。連接結(jié)構(gòu)623是設(shè)置在第二扇出導(dǎo)線622上，用以將第一部分626電性連接至第二部分627。結(jié)構(gòu)624所繪示的是連接結(jié)構(gòu)623沿著切線625的剖面。具體來說，在結(jié)構(gòu)624中，第一絕緣層611具有開口628以顯露第二部分627。第二金屬層m2形成于第一絕緣層611之上，而第二絕緣層613形成于第二金屬層m2之上。第二絕緣層613具有開口629、630，開口629是對應(yīng)于開口628，而開口630是用以顯露第一部分626。導(dǎo)電層615會通過開口630電性連接至第一部分626，并且通過開口629、628電性連接至第二部分627。如此一來，屬于第二金屬層m2的第一部分626會電性連接至屬于第一金屬層m1的第二部分627。

第三，顯示區(qū)域110中還具有數(shù)據(jù)線631，其是相鄰于數(shù)據(jù)線621。在非顯示區(qū)域120中還具有第二扇出導(dǎo)線632，其是相鄰于第二扇出導(dǎo)線622。第二扇出導(dǎo)線632具有第一部分636及第二部分637，其中第一部分636與第二部分637都是屬于第二金屬層m2，并且第一部分636是耦接至同屬第二金屬層m2的數(shù)據(jù)線631。連接結(jié)構(gòu)633是設(shè)置于第二扇出導(dǎo)線632上，用以將第一部分636電性連接至第二部分637。結(jié)構(gòu)634所繪示的是連接結(jié)構(gòu)633沿著切線635的剖面。具體來說，在結(jié)構(gòu)634中，第二絕緣層613具有開口641與開口642，分別顯露出第二部分637與第一部分636。導(dǎo)電層615通過開口641電性連接至第二部分637，并通過開口642電性連接至第一部分636。值 得注意的是，雖然數(shù)據(jù)線631及第二扇出導(dǎo)線632都是屬于第二金屬層m2，但因?yàn)榕c第二扇出導(dǎo)線632相鄰的第二扇出導(dǎo)線622上設(shè)置有借由導(dǎo)電層615橋接不同金屬層的連接結(jié)構(gòu)623，因此在第二扇出導(dǎo)線632上是通過導(dǎo)電層615來電性連接同屬第二金屬層m2的第一部分636及第二部分637，以達(dá)到阻抗匹配。

本實(shí)施例的制作流程可為依序在基板上形成第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層以及透明導(dǎo)電層，其中第一金屬層與第二金屬層除了用來形成閘極線、數(shù)據(jù)線及扇出導(dǎo)線外，也同時(shí)形成薄膜電晶體的閘極及汲/源極，而透明導(dǎo)電層除了用來橋接不同金屬層外，也同時(shí)形成顯示裝置的共同電極(commonelectrode)或像素電極。

需說明的是，在一些實(shí)施例中，如圖15所示，也可以將屬于第二金屬層m2的數(shù)據(jù)線631直接連接同屬第二金屬層m2的第二扇出導(dǎo)線632，無需設(shè)置連接結(jié)構(gòu)633。

接下來請參照圖16，圖16是根據(jù)第一至第六實(shí)施例繪示另一連接結(jié)構(gòu)的示意圖，其中第一扇出導(dǎo)線及第二扇出導(dǎo)線是搭配圖5的實(shí)施實(shí)施例。與圖14不同的是，圖14中的連接結(jié)構(gòu)603是借由導(dǎo)電層615橋接不同金屬層m1、m3，連接結(jié)構(gòu)623是借由導(dǎo)電層615橋接不同金屬層m1、m2，而圖16中的連接結(jié)構(gòu)則是借由將金屬層填入絕緣層的開口中，以電性連接不同的金屬層，其余與圖14的實(shí)施例類似，在此僅描述圖16與圖14不同之處。

第一扇出導(dǎo)線602具有第一部分704及第二部分705，其中第一部分704屬于第一金屬層m1并耦接至同屬第一金屬層m1的閘極線601，而第二部分705是屬于第三金屬層m3。連接結(jié)構(gòu)701是設(shè)置于第一扇出導(dǎo)線602上。結(jié)構(gòu)702所繪示的是連接結(jié)構(gòu)701沿著切線702的剖面。具體來說，第一絕緣層611具有開口711以顯露出第一部分704。第一導(dǎo)電層713通過開口711電性連接至第一部分704。金屬墊712屬于第二金屬層m2，金屬墊712形成于第一導(dǎo)電層713之上以電性連接至第一導(dǎo)電層713。第一導(dǎo)電層713是為了在圖案化第二金屬層m2以形成金屬墊712時(shí)，用以保護(hù)第一部分704，但在一 些實(shí)施例中也可省略第一導(dǎo)電層713，本發(fā)明并不在此限。第二絕緣層613形成于金屬墊712之上并具有開口714，開口714是對應(yīng)于開口711。第二部分705是通過開口714電性連接至金屬墊712，進(jìn)而電性連接至第一導(dǎo)電層713與第一部分704。也就是第一部分704、金屬墊712以及第二部分705是堆疊設(shè)置于基板301上，并且第一部分704、金屬墊712以及第二部分705是彼此電性連接。在一些實(shí)施例中，第三金屬層m3上還有第二導(dǎo)電層715，用以覆蓋第二部分705。第一導(dǎo)電層713與第二導(dǎo)電層715的材料包括透明導(dǎo)電材料氧化銦錫、氧化銦鋅(indiumzincoxide；izo)或其他導(dǎo)電材料，第二導(dǎo)電層715是用以保護(hù)第二部分705，但在一些實(shí)施例中也可省略第二導(dǎo)電層715，本發(fā)明并不在此限。

第二扇出導(dǎo)線622具有屬于第二金屬層m2的第一部分724以及屬于第一金屬層m1的第二部分725，其中第一部分724是用以耦接至同屬第二金屬層m2的數(shù)據(jù)線621。第二扇出導(dǎo)線622上設(shè)置有連接結(jié)構(gòu)721，用以電性連接第一部分724與第二部分725。結(jié)構(gòu)722所繪示的是連接結(jié)構(gòu)721沿著切線723的剖面。在結(jié)構(gòu)722中，第一絕緣層611具有開口731，用以顯露第二部分725，而第一部分724則是通過開口731電性連接至第二部分725。

在本實(shí)施例中，因?yàn)檫B接結(jié)構(gòu)721是借由第一絕緣層611的開口731使得不同金屬層彼此直接連接，因此相較于圖14中借由導(dǎo)電層615電性連接不同金屬層的連接結(jié)構(gòu)623，連接結(jié)構(gòu)721的阻值極小。因?yàn)檫B接結(jié)構(gòu)721的阻值極小，因此僅需將第二金屬層m2的數(shù)據(jù)線631及第二扇出導(dǎo)線632直接連接，而無需在第二扇出導(dǎo)線632設(shè)置額外的連接結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施例的制作流程可為依序在基板上形成第一金屬層、第一透明導(dǎo)電層、第二金屬層、第三金屬層以及第二透明導(dǎo)電層，其中第一金屬層與第二金屬層除了用來形成閘極線、數(shù)據(jù)線及扇出導(dǎo)線外，也同時(shí)形成薄膜電晶體的閘極及汲/源極，第一透明導(dǎo)電層除了用來在連接結(jié)構(gòu)中電性連接第一金屬層及第二金屬層外，也同時(shí)形成顯示裝置的像素電極，而第二透明導(dǎo)電層除了用來保護(hù)部分第一扇出導(dǎo)線外，也同時(shí)形成顯示裝置的共同電極。

請參照圖17，圖17是根據(jù)第一至第六實(shí)施例繪示連接結(jié)構(gòu)的示意圖，其中第一扇出導(dǎo)線及第二扇出導(dǎo)線是搭配圖4的實(shí)施實(shí)施例，也就是第一扇出導(dǎo)線是屬于第一金屬層m1，而相鄰的第二扇出導(dǎo)線是分別屬于第二金屬層m2與第三金屬層m3。

在本實(shí)施例中，顯示區(qū)域110內(nèi)的數(shù)據(jù)線1031是相鄰于數(shù)據(jù)線1011，而非顯示區(qū)域120內(nèi)的第二扇出導(dǎo)線1032是相鄰于第二扇出導(dǎo)線1012，其中數(shù)據(jù)線1031、1011及第二扇出導(dǎo)線1012是屬于第二金屬層m2，而至少部分第二扇出導(dǎo)線1032是屬于第三金屬層m3。第二扇出導(dǎo)線1032具有屬于第二金屬層m2的第一部分1036與屬于第三金屬層m3的第二部分1037，其中第一部分1036是耦接至同屬第二金屬層m2的數(shù)據(jù)線1031。連接結(jié)構(gòu)1033是設(shè)置于第二扇出導(dǎo)線1032上，用以將第一部分1036電性連接至第二部分1037。結(jié)構(gòu)1034所繪示的是連接結(jié)構(gòu)1033沿著切線1035的剖面。具體來說，在結(jié)構(gòu)1034中，第一絕緣層1021是形成于基板301之上。第二金屬層m2是形成于第一絕緣層1021之上。第二絕緣層1022是形成于第二金屬層m2之上，第二絕緣層1022具有開口1041以顯露出第一部分1036。第三金屬層m3是形成于第二絕緣層1022之上。導(dǎo)電層1025是電性連接至第二部分1037，并且通過開口1041電性連接至第一部分1036。導(dǎo)電層1025的材料包括透明導(dǎo)電材料氧化銦錫、氧化銦鋅(indiumzincoxide；izo)或其他導(dǎo)電材料。

與圖14的實(shí)施例類似，數(shù)據(jù)線1011與第二扇出導(dǎo)線1012都屬于第二金屬層m2，然而為了阻抗的匹配，連接結(jié)構(gòu)1013依然設(shè)置于第二扇出導(dǎo)線1012上。第二扇出導(dǎo)線1012具有同屬于第二金屬層m2的第一部分1016與第二部分1017，其中第一部分1016是耦接至同屬第二金屬層m2的數(shù)據(jù)線1011。連接結(jié)構(gòu)1013是用以將第一部分1016耦接至第二部分1017。結(jié)構(gòu)1014所繪示的是連接結(jié)構(gòu)1013沿著切線1015的剖面圖，具體來說，在結(jié)構(gòu)1014中，第一絕緣層1021是形成于基板301上。第二金屬層m2是形成于第一絕緣層1021上，第二金屬層m2包括了第一部分1016與第二部分1017。第二絕緣層1022是形成于第二金屬層m2之上，第二絕緣層1022具有開口1023與開口1024， 其中開口1023顯露出第二部分1017，開口1024顯露出第一部分1016。導(dǎo)電層1025是形成于第二絕緣層1022之上，通過開口1023電性連接至第二部分1017，并且通過開口1024電性連接至第一部分1016。

在本實(shí)施例中，閘極線1001與第一扇出導(dǎo)線1002同屬于第一金屬層m1，并不需要設(shè)置連接結(jié)構(gòu)。

與圖15的實(shí)施例類似，在其他實(shí)施例中，也可以將屬于第二金屬層m2的數(shù)據(jù)線1011直接連接同屬第二金屬層m2的第二扇出導(dǎo)線1012，無需設(shè)置連接結(jié)構(gòu)1013。

接下來請參照圖18，圖18是根據(jù)第一至第六實(shí)施例繪示另一連接結(jié)構(gòu)的示意圖，其中第一扇出導(dǎo)線及第二扇出導(dǎo)線是搭配圖4的實(shí)施實(shí)施例。與圖17不同的是，圖17中的連接結(jié)構(gòu)1033是借由導(dǎo)電層1025橋接不同金屬層m2、m3，而圖18中的連接結(jié)構(gòu)則是借由將金屬層填入絕緣層的開口中，以電性連接不同的金屬層，其余部分與圖17的實(shí)施例類似，在此僅描述圖18與圖17不同之處。

第二扇出導(dǎo)線1032上設(shè)置有連接結(jié)構(gòu)1101，第二扇出導(dǎo)線1032具有屬于第二金屬層m2的第一部分1104與屬于第三金屬層m3的第二部分1105，其中第一部分1104耦接至數(shù)據(jù)線1031。結(jié)構(gòu)1102所繪示的是連接結(jié)構(gòu)1101沿著切線1103的剖面。具體來說，在結(jié)構(gòu)1102中，第一絕緣層1021是形成于基板301上，第二金屬層m2是形成于第一絕緣層1021上。第二絕緣層1022形成于第二金屬層m2上并具有開口1106，其中開口1106顯露第一部分1104。第三金屬層m3是形成于第二絕緣層1022之上，其中第二部分1105通過開口1106電性連接至第一部分1104。導(dǎo)電層1025會覆蓋第二部分1105，借此保護(hù)第二部分1105。但在一些實(shí)施例中也可省略導(dǎo)電層1025，本發(fā)明并不在此限。

在本實(shí)施例中，因?yàn)檫B接結(jié)構(gòu)1101是借由第二絕緣層1022的開口1106使得不同金屬層m2及m3彼此直接連接，因此相較于圖17中借由導(dǎo)電層1025 電性連接不同金屬層的連接結(jié)構(gòu)1033，連接結(jié)構(gòu)1101的阻值極小。因?yàn)檫B接結(jié)構(gòu)1101的阻值極小，因此僅需將同屬第二金屬層m2的數(shù)據(jù)線1011及第二扇出導(dǎo)線1012直接連接，而無需在第二扇出導(dǎo)線1012設(shè)置額外的連接結(jié)構(gòu)。

需說明的是，在圖3的實(shí)施例中，第二扇出導(dǎo)線fdl(i-2)、fdl(i)及fdl(i+2)是屬于第一金屬層m1，第二扇出導(dǎo)線fdl(i-1)、fdl(i+1)及fdl(i+3)是屬于第二金屬層m2，第一扇出導(dǎo)線fgl(j-2)、fgl(j)及fgl(j+2)是屬于第三金屬層m3，第一扇出導(dǎo)線fgl(j-1)及fgl(j+1)是屬于第四金屬層m4，因此在第二扇出導(dǎo)線fdl(i-2)、fdl(i)及fdl(i+2)上也設(shè)置有連接結(jié)構(gòu)以電性連接第一金屬層m1及第二金屬層m2，而第一扇出導(dǎo)線fgl(j-2)、fgl(j)及fgl(j+2)上設(shè)置有連接結(jié)構(gòu)以電性連接第一金屬層m1及第三金屬層m3，并且第一扇出導(dǎo)線fgl(j-1)及fgl(j+1)設(shè)置有連接結(jié)構(gòu)以電性連接第一金屬層m1及第四金屬層m4。本領(lǐng)域具有通常知識者當(dāng)可根據(jù)圖14至圖18的教示加以潤飾而設(shè)計(jì)出適用于圖3的連接結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明實(shí)施例提出的顯示裝置中，由于非顯示區(qū)域內(nèi)的第一扇出導(dǎo)線與第二扇出導(dǎo)線是由至少三個(gè)不同的導(dǎo)體層形成，因此可以避免第一扇出導(dǎo)線與第二扇出導(dǎo)線短路，并且縮短第二扇出導(dǎo)線及/或第一扇出導(dǎo)線的節(jié)距，進(jìn)而縮小顯示裝置的邊框。

雖然本發(fā)明已經(jīng)以實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許變動(dòng)與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。