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像素結(jié)構(gòu)的制作方法

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像素結(jié)構(gòu)的制作方法與工藝

本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu),特別涉及一種具有有機(jī)發(fā)光二極管的像素結(jié)構(gòu)。



背景技術(shù):

近年來(lái),由于平面顯示器的畫(huà)質(zhì)已逐漸獲得改善,并且具有體積薄、重量輕的優(yōu)點(diǎn),故已成為市場(chǎng)主流。一般而言,平面顯示器的顯示面板具有多個(gè)像素。每一像素具有一驅(qū)動(dòng)晶體管以及一發(fā)光元件。驅(qū)動(dòng)晶體管根據(jù)一圖像信號(hào),產(chǎn)生一驅(qū)動(dòng)電流。發(fā)光元件根據(jù)驅(qū)動(dòng)電流,呈現(xiàn)相對(duì)應(yīng)的亮度。

然而,因工藝的影響,不同像素的驅(qū)動(dòng)晶體管可能具有不同的臨界電壓(threshold voltage)。因此,當(dāng)不同的驅(qū)動(dòng)晶體管接收到相同的圖像信號(hào)時(shí),可能會(huì)產(chǎn)生不同的驅(qū)動(dòng)電流,而使得不同的發(fā)光元件呈現(xiàn)不同的亮度。另外,當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管的操作電壓發(fā)生漂移時(shí),也會(huì)造成不同的發(fā)光元件呈現(xiàn)不同的亮度。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu),包括一數(shù)據(jù)晶體管、一開(kāi)關(guān)晶體管、一驅(qū)動(dòng)晶體管、一補(bǔ)償晶體管、一點(diǎn)亮晶體管、一有機(jī)發(fā)光二極管以及一第一電容。數(shù)據(jù)晶體管根據(jù)一掃描信號(hào),將一數(shù)據(jù)信號(hào)傳送至一節(jié)點(diǎn)。開(kāi)關(guān)晶體管根據(jù)一第一點(diǎn)亮信號(hào),提供一第一參考信號(hào)予節(jié)點(diǎn)。驅(qū)動(dòng)晶體管的源極接收一第一操作電壓。補(bǔ)償晶體管耦接于驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與漏極之間,并接收一控制信號(hào)。點(diǎn)亮晶體管接收一第二點(diǎn)亮信號(hào),并耦接驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極。有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極耦接點(diǎn)亮晶體管,其陰極接收一第二操作電壓。第一電容耦接于節(jié)點(diǎn)與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極之間。在一重置期間,驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓電平于等于一第二參考信號(hào)。在一補(bǔ)償期間,驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓電平等于第一操作電壓與驅(qū)動(dòng)晶體管的一臨界電壓的絕對(duì)值的總和。在一點(diǎn)亮期間,驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓電平等于第二參考信號(hào)與數(shù)據(jù)信號(hào)之間的 差值再加上第一操作電壓與驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓的絕對(duì)值的總和。

本發(fā)明還提供一種電子裝置,包括一柵極驅(qū)動(dòng)電路、一源極驅(qū)動(dòng)電路以及多個(gè)像素。柵極驅(qū)動(dòng)電路提供至少一掃描信號(hào)。源極驅(qū)動(dòng)電路提供至少一數(shù)據(jù)信號(hào)。每一像素包括一數(shù)據(jù)晶體管、一開(kāi)關(guān)晶體管、一驅(qū)動(dòng)晶體管、一補(bǔ)償晶體管、一點(diǎn)亮晶體管、一有機(jī)發(fā)光二極管以及一第一電容。數(shù)據(jù)晶體管根據(jù)掃描信號(hào),將數(shù)據(jù)信號(hào)傳送至一節(jié)點(diǎn)。開(kāi)關(guān)晶體管根據(jù)一第一點(diǎn)亮信號(hào),提供一第一參考信號(hào)予節(jié)點(diǎn)。驅(qū)動(dòng)晶體管的源極接收一第一操作電壓。補(bǔ)償晶體管耦接于驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與漏極之間,并接收一控制信號(hào)。點(diǎn)亮晶體管接收一第二點(diǎn)亮信號(hào),并耦接驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極。有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極耦接點(diǎn)亮晶體管,其陰極接收一第二操作電壓。第一電容耦接于節(jié)點(diǎn)與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極之間。在一重置期間,驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓電平于等于一第二參考信號(hào)。在一補(bǔ)償期間,驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓電平等于第一操作電壓與驅(qū)動(dòng)晶體管的一臨界電壓的絕對(duì)值的總和。在一點(diǎn)亮期間,驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓電平等于第二參考信號(hào)與數(shù)據(jù)信號(hào)之間的差值再加上第一操作電壓與驅(qū)動(dòng)晶體管的一臨界電壓的絕對(duì)值的總和。

為讓本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉出優(yōu)選實(shí)施例,并配合附圖,作詳細(xì)說(shuō)明如下:

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的電子裝置的示意圖

圖2A、3A、4~6、7A、7B為本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的可能實(shí)施例。

圖2B及2C為圖2A所示的像素P11的控制時(shí)序示意圖。

圖3B為圖3A所示的像素P11的控制時(shí)序示意圖。

具體實(shí)施方式

圖1為本發(fā)明的電子裝置的示意圖。如圖所示,電子裝置100包括一柵極驅(qū)動(dòng)電路(gate driver)110、一源極驅(qū)動(dòng)電路(source driver)120以及多個(gè)像素P11~Pmn。本發(fā)明并不限定電子裝置100的種類(lèi)。在一可能實(shí)施例中,電子裝置100為一個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、一移動(dòng)電話(huà)(cellular phone)、一數(shù)字相機(jī)、一電視、一全球定位系統(tǒng)(GPS)、一車(chē)用顯示器、一航空用顯示器、一數(shù)字相框(digital photo frame)、一筆記型計(jì)算機(jī)或是一桌上型計(jì)算機(jī)。

柵極驅(qū)動(dòng)電路110提供掃描信號(hào)Sn1~Snn。源極驅(qū)動(dòng)電路120提供數(shù)據(jù)信號(hào)SD1~SDm。像素P11~Pmn分別接收一相對(duì)應(yīng)的掃描信號(hào)以及一相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)。舉例而言,像素P11接收掃描信號(hào)Sn1與數(shù)據(jù)信號(hào)SD1。以下以其中一個(gè)像素(例如P11)為例,說(shuō)明其內(nèi)部架構(gòu)。

圖2A為像素P11的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一可能實(shí)施例。在本實(shí)施例中,像素P11包括一開(kāi)關(guān)晶體管T1、一數(shù)據(jù)晶體管T2、一補(bǔ)償晶體管T3、一點(diǎn)亮晶體管T4、一驅(qū)動(dòng)晶體管T5、一有機(jī)發(fā)光二極管OLED以及一電容C1。開(kāi)關(guān)晶體管T1與數(shù)據(jù)晶體管T2耦接于數(shù)據(jù)信號(hào)SD1與參考信號(hào)SREF1之間。在本實(shí)施例中,數(shù)據(jù)晶體管T2根據(jù)掃描信號(hào)Sn1,將數(shù)據(jù)信號(hào)SD1傳送至節(jié)點(diǎn)N。開(kāi)關(guān)晶體管T1根據(jù)一點(diǎn)亮信號(hào)SEM2,提供參考信號(hào)SREF1予節(jié)點(diǎn)N。在一可能實(shí)施例中,參考信號(hào)SREF1等于有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電壓Voled。

驅(qū)動(dòng)晶體管T5、點(diǎn)亮晶體管T4與有機(jī)發(fā)光二極管OLED耦接于操作電壓ELVDD與ELVSS之間。在一可能實(shí)施例中,操作電壓ELVDD為一正電壓電平,而操作電壓ELVSS為一負(fù)電壓電平。如圖所示,驅(qū)動(dòng)晶體管T5的源極S接收操作電壓ELVDD。點(diǎn)亮晶體管T4的源極耦接驅(qū)動(dòng)晶體管T5的漏極D,其漏極耦接有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極,其柵極接收一點(diǎn)亮信號(hào)SEM1。在一可能實(shí)施例中,點(diǎn)亮信號(hào)SEM1等于點(diǎn)亮信號(hào)SEM2。有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陰極接收操作電壓ELVSS。在其它實(shí)施例中,有機(jī)發(fā)光二極管OLED也可由無(wú)機(jī)發(fā)光二極管所取代。

補(bǔ)償晶體管T3耦接于驅(qū)動(dòng)晶體管T5的柵極G與漏極D之間,并接收一控制信號(hào)Scn。電容C1耦接于節(jié)點(diǎn)N與驅(qū)動(dòng)晶體管T5的柵極G之間。在本實(shí)施例中,晶體管T1~T5均為PMOS晶體管。在一可能實(shí)施例中,點(diǎn)亮信號(hào)SEM1、SEM2、控制信號(hào)Scn、參考信號(hào)SREF1的至少一個(gè)由柵極驅(qū)動(dòng)電路110提供,但并非用以限制本發(fā)明。在其它實(shí)施例中,參考信號(hào)SREF1由一直流電源器提供。

圖2B為圖2A所示的像素P11的控制時(shí)序示意圖。請(qǐng)配合圖2A,在一重置期間RP1,點(diǎn)亮信號(hào)SEM2為高電平,而掃描信號(hào)Sn1、控制信號(hào)Scn、點(diǎn)亮信號(hào)SEM1均為低電平,因此,開(kāi)關(guān)晶體管T1不被導(dǎo)通,而數(shù)據(jù)晶體管T2、補(bǔ)償晶體管T3、點(diǎn)亮晶體管T4及驅(qū)動(dòng)晶體管T5被導(dǎo)通。在此期間,節(jié)點(diǎn)N的電壓電平等于數(shù)據(jù)信號(hào)SD1,驅(qū)動(dòng)晶體管T5的柵極G的電壓等于有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電壓Voled。在另一實(shí)施例中,請(qǐng)參考圖2C,在重置期間RP2, 掃描信號(hào)Sn1為高電平,用以不導(dǎo)通數(shù)據(jù)晶體管T2。在此例中,節(jié)點(diǎn)N的電壓電平為一浮動(dòng)電平。

在一補(bǔ)償期間CP1,點(diǎn)亮信號(hào)SEM1與SEM2均為高電平,而掃描信號(hào)Sn1與控制信號(hào)Scn為低電平,用以不導(dǎo)通開(kāi)關(guān)晶體管T1與點(diǎn)亮晶體管T4,而導(dǎo)通數(shù)據(jù)晶體管T2、補(bǔ)償晶體管T3及驅(qū)動(dòng)晶體管T5被導(dǎo)通。因此,節(jié)點(diǎn)N的電壓電平等于數(shù)據(jù)信號(hào)SD1,而驅(qū)動(dòng)晶體管T5的柵極G的電壓電平V-G等于操作電壓ELVDD與驅(qū)動(dòng)晶體管T5的臨界電壓VTH的絕對(duì)值|VTH|的總和。換句話(huà)說(shuō),在此期間,電壓電平VG=ELVDD+|VTH|。

在一點(diǎn)亮期間EP1,掃描信號(hào)Sn1與控制信號(hào)Scn為高電平,而點(diǎn)亮信號(hào)SEM1、SEM2為低電平,用以不導(dǎo)通數(shù)據(jù)晶體管T2及補(bǔ)償晶體管T3,而導(dǎo)通開(kāi)關(guān)晶體管T1、點(diǎn)亮晶體管T4及驅(qū)動(dòng)晶體管T5。因此,節(jié)點(diǎn)N的電平等于參考信號(hào)SREF1與數(shù)據(jù)信號(hào)SD1之間的差值(即SREF1-SD1)。在此期間,驅(qū)動(dòng)晶體管T5的柵極G的電壓電平VG等于ELVDD+|VTH|+(SREF1-SD1)。在點(diǎn)亮期間,驅(qū)動(dòng)晶體管T5根據(jù)柵極G與源極S之間的壓差,產(chǎn)生一驅(qū)動(dòng)電流I,用以點(diǎn)亮有機(jī)發(fā)光二極管OLED。驅(qū)動(dòng)電流I如式(1)所示:

I=K(VGS-VTH)2………………………………(1)

將驅(qū)動(dòng)晶體管T5的柵極G與源極S在點(diǎn)亮期間的電壓電平代入式(1),并簡(jiǎn)化后可得下式:

I=K(SREF1-SD1)2

由上式可知,驅(qū)動(dòng)電流I不會(huì)受到驅(qū)動(dòng)晶體管T5的臨界電壓VTH的影響,也不會(huì)受到操作電壓ELVDD的影響。

在一可能實(shí)施例中,若開(kāi)關(guān)晶體管T1耦接到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極時(shí),在點(diǎn)亮期間,節(jié)點(diǎn)N的電平等于有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電壓電平Voled與數(shù)據(jù)信號(hào)SD1之間的差值(即Voled-SD1),而驅(qū)動(dòng)晶體管T5的柵極G的電壓電平VG等于ELVDD+|VTH|+(Voled-SD1)。將驅(qū)動(dòng)晶體管T5的柵極G的電壓電平VG代入式(1),化簡(jiǎn)后可得下式:

I=K(Voled-SD1)2;

由上式可知,驅(qū)動(dòng)電流I不會(huì)受到驅(qū)動(dòng)晶體管T5的臨界電壓VTH的影響,也不會(huì)受到操作電壓ELVDD的影響。因此,當(dāng)開(kāi)關(guān)晶體管T1耦接到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極或是接收參考信號(hào)SREF1時(shí),在點(diǎn)亮期間,驅(qū)動(dòng)電流I均不會(huì)受到驅(qū)動(dòng)晶體管T5的臨界電壓VTH或是操作電壓ELVDD的影響。

在其它實(shí)施例中,在點(diǎn)亮期間EP1,點(diǎn)亮晶體管T4的導(dǎo)通時(shí)間點(diǎn)稍微晚于驅(qū)動(dòng)晶體管T5的導(dǎo)通時(shí)間點(diǎn),以避免耦合效應(yīng)(coupling)。

圖3A為本發(fā)明的像素P11的另一可能實(shí)施例。圖3A相似圖2A,不同之處在于圖3A多了一重置模塊310,用以提供參考信號(hào)SREF2予驅(qū)動(dòng)晶體管T5的漏極。在一可能實(shí)施例中,參考信號(hào)SREF2小于操作電壓ELVSS。另外,在本實(shí)施例中,開(kāi)關(guān)晶體管T1的漏極耦接有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極,但并非用以限制本發(fā)明。在其它實(shí)施例中,開(kāi)關(guān)晶體管T1的漏極接收一參考信號(hào)SREF1。在此例中,參考信號(hào)SREF1大于參考信號(hào)SREF2。在一可能實(shí)施例中,參考信號(hào)SREF1與SREF2由一直流電源器所提供。

重置模塊310包括一重置晶體管T6,用以提供一參考信號(hào)SREF2。在本實(shí)施例中,重置晶體管T6的控制端SC1接收一重置信號(hào)SRST,其第一端SD1耦接驅(qū)動(dòng)晶體管T5的漏極D,其第二端SD2接收參考信號(hào)SREF2。當(dāng)重置信號(hào)SRST為低電平時(shí),重置晶體管T6提供參考信號(hào)SREF2給驅(qū)動(dòng)晶體管T5的漏極D。在一可能實(shí)施例中,參考信號(hào)SREF2等于有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電壓電平Voled

圖3B為圖3A的像素P11的控制時(shí)序示意圖。請(qǐng)配合圖3A,在一重置期間RP2,點(diǎn)亮信號(hào)SEM1、SEM2為高電平,而掃描信號(hào)Sn1、控制信號(hào)Scn、重置信號(hào)SRST為低電平,因此,開(kāi)關(guān)晶體管T1與點(diǎn)亮晶體管T4不被導(dǎo)通,而數(shù)據(jù)晶體管T2、補(bǔ)償晶體管T3、驅(qū)動(dòng)晶體管T5及重置晶體管T6被導(dǎo)通。此時(shí),節(jié)點(diǎn)N的電壓電平等于數(shù)據(jù)信號(hào)SD1,并且驅(qū)動(dòng)晶體管T5的柵極G的電壓等于參考信號(hào)SREF2

在一補(bǔ)償期間CP2,點(diǎn)亮信號(hào)SEM1、SEM2與重置信號(hào)SRST為高電平,而掃描信號(hào)Sn1以及控制信號(hào)Scn為低電平。因此,開(kāi)關(guān)晶體管T1、點(diǎn)亮晶體管T4及重置晶體管T6不被導(dǎo)通,并且數(shù)據(jù)晶體管T2、補(bǔ)償晶體管T3及驅(qū)動(dòng)晶體管T5被導(dǎo)通。在此期間,節(jié)點(diǎn)N的電壓電平等于數(shù)據(jù)信號(hào)SD1,并且驅(qū)動(dòng)晶體管T5的柵極G的電壓等于操作電壓ELVDD與臨界電壓VTH的絕對(duì)值的總和(即ELVDD+|VTH|)。

在一點(diǎn)亮期間EP2,掃描信號(hào)Sn1、控制信號(hào)Scn與重置信號(hào)SRST為高電平,而點(diǎn)亮信號(hào)SEM1、SEM2為低電平,因此,數(shù)據(jù)晶體管T2、補(bǔ)償晶體管T3及重置晶體管T6不被導(dǎo)通,并且開(kāi)關(guān)晶體管T1、點(diǎn)亮晶體管T4及驅(qū)動(dòng)晶體管T5被導(dǎo)通。此時(shí),節(jié)點(diǎn)N的電壓電平等于有機(jī)發(fā)光二極管OLED的 電壓Voled與數(shù)據(jù)信號(hào)SD1的差值(即Voled-SD1),并且驅(qū)動(dòng)晶體管T5的柵極G的電壓等于操作電壓ELVDD與臨界電壓VTH的絕對(duì)值的總和(即ELVDD+|VTH|)加上有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電壓Voled與數(shù)據(jù)信號(hào)SD1的差值,即VG=ELVDD+|VTH|+(Voled-SD1)。由于掃描信號(hào)Sn1與控制信號(hào)Scn的電平相同,故可利用掃描信號(hào)Sn1控制補(bǔ)償晶體管T3。

圖4為本發(fā)明的像素的另一可能實(shí)施例。圖4相似圖3A,不同之處在于,圖4的重置模塊410耦接驅(qū)動(dòng)晶體管T5的柵極G。在本實(shí)施例中,開(kāi)關(guān)晶體管T1的漏極接收參考信號(hào)SREF1,但并非用以限制本發(fā)明。在其它實(shí)施例中,開(kāi)關(guān)晶體管T1的漏極耦接有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極。另外,參考信號(hào)SREF2可能等于有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電壓電平Voled或是小于操作電壓ELVSS。由于圖4的控制方式與圖3A相似,故不再贅述。

圖5為本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的另一可能實(shí)施例。圖5相似圖3A,不同之處在于,圖5的重置模塊510包括重置晶體管T6與T7。重置晶體管T6的控制端SC1接收一重置信號(hào)SRST,其第一端SD1耦接驅(qū)動(dòng)晶體管T5的漏極D,其第二端SD2耦接有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極。重置晶體管T7的控制端SC2接收重置信號(hào)SRST,其第三端SD3耦接重置晶體管T6的第二端SD2,其第四端SD4接收參考信號(hào)SREF2。

由于圖5的像素結(jié)構(gòu)的控制時(shí)序與圖3B相同,故不再贅述。在本實(shí)施例中,在一重置期間,重置晶體管T6與T7被導(dǎo)通,因此,重置模塊510提供參考信號(hào)SREF2予驅(qū)動(dòng)晶體管T5的漏極D與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極。在一可能實(shí)施例中,參考信號(hào)SREF1小于操作電壓ELVSS。因此,可增加有機(jī)發(fā)光二極管OLED的壽命。

在補(bǔ)償及點(diǎn)亮期間,重置晶體管T6與T7均不被導(dǎo)通。另外,在本實(shí)施例中,開(kāi)關(guān)晶體管T1的漏極接收參考信號(hào)SREF1,但并非用以限制本發(fā)明。在其它實(shí)施例中,開(kāi)關(guān)晶體管T1的漏極耦接有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極。

圖6為本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的另一可能實(shí)施例。圖6相似圖5,不同之處在于,圖6的重置模塊610耦接驅(qū)動(dòng)晶體管T5的柵極G。由于重置模塊610的動(dòng)作方式與重置模塊510相同,故不再贅述。在本實(shí)施例中,開(kāi)關(guān)晶體管T1的漏極接收參考信號(hào)SREF1,但并非用以限制本發(fā)明。在其它實(shí)施例中,開(kāi)關(guān)晶體管T1的漏極耦接有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極。

圖7A及圖7B為本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的其它實(shí)施例。圖7A相似圖2A,不 同之處在于,圖7A多了電容C2。如圖所示,電容C2耦接于驅(qū)動(dòng)晶體管T5的柵極G與源極S之間,但并非用以限制本發(fā)明。在其它實(shí)施例中(如圖7B所示),電容C2耦接在節(jié)點(diǎn)N與驅(qū)動(dòng)晶體管T5的源極S之間。

在圖7A與圖7B中,開(kāi)關(guān)晶體管T1的漏極接收參考信號(hào)SREF1,但并非用以限制本發(fā)明。在另一實(shí)施例中,開(kāi)關(guān)晶體管T1的漏極耦接有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極。在其它實(shí)施例中,圖3A、4、5及6所示的重置模塊310、410、510及610的任何一個(gè)均可應(yīng)用在圖7A與7B中。同樣地,圖7A或7B所示的電容C2也可應(yīng)用在圖2A、3A、4~6的像素結(jié)構(gòu)中。

除非另作定義,在此所有詞匯(包含技術(shù)與科學(xué)詞匯)均屬本發(fā)明所屬領(lǐng)域技術(shù)人員的一般理解。此外,除非明白表示,詞匯于一般字典中的定義應(yīng)解釋為與其相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的文章中意義一致,而不應(yīng)解釋為理想狀態(tài)或過(guò)分正式的語(yǔ)態(tài)。

雖然本發(fā)明已以?xún)?yōu)選實(shí)施例公開(kāi)如上,然其并非用以限定本發(fā)明,本領(lǐng)域技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求書(shū)界定范圍為準(zhǔn)。

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