有機(jī)發(fā)光顯示器相關(guān)申請的交叉引用本申請要求2015年1月21日提交的韓國專利申請No.10-2015-0009666和2014年12月31日提交的韓國專利申請No.10-2014-0194908的權(quán)益，這兩個專利申請?zhí)卮顺鲇谒心康囊砸梅绞讲⑷?，如同在本文中完全闡明。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示器。

背景技術(shù)：
已經(jīng)使用了諸如液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)和有機(jī)發(fā)光顯示器的各種顯示裝置。有機(jī)發(fā)光顯示器可以低電壓驅(qū)動，并且具有薄外形、優(yōu)異的視角和快速的響應(yīng)速度。另外，有機(jī)發(fā)光顯示器包括：數(shù)據(jù)線；掃描線；顯示面板，其具有形成在數(shù)據(jù)線和掃描線之間的交叉部分處的多個像素；掃描驅(qū)動器，其向掃描線供應(yīng)掃描信號；數(shù)據(jù)驅(qū)動器，其向數(shù)據(jù)線供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓。各像素包括：有機(jī)發(fā)光二極管；驅(qū)動晶體管，其按照柵極的電壓控制供應(yīng)到有機(jī)發(fā)光二極管的電流的量；掃描晶體管，其響應(yīng)于掃描線的掃描信號向驅(qū)動晶體管的柵極供應(yīng)數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓。然而，出現(xiàn)的問題在于，由于制造工藝的不均勻性，導(dǎo)致對于各像素而言，驅(qū)動晶體管的閾值電壓有所不同。在這種情形下，即使向各像素施加相同的數(shù)據(jù)電壓，由于像素之間的驅(qū)動晶體管的閾值電壓差異，導(dǎo)致對于各像素而言，有機(jī)發(fā)光二極管的亮度也有所不同。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
因此，本發(fā)明的一個目的是提供基本上消除了由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一個或多個問題的有機(jī)發(fā)光顯示器。本發(fā)明的另一個目的是提供通過補(bǔ)償驅(qū)動晶體管的閾值電壓而均勻地保持像素亮度的有機(jī)發(fā)光顯示器。為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如本文中實施和廣義描述的，在一個方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示器，該有機(jī)發(fā)光顯示器包括顯示面板，所述顯示面板具有與數(shù)據(jù)線和第一電力電壓線連接的像素。所述像素中的每個包括：有機(jī)發(fā)光二極管；驅(qū)動晶體管，其連接到所述有機(jī)發(fā)光二極管和所述第一電力電壓線；第一晶體管，其連接到所述數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動晶體管的柵極；第二晶體管，其被構(gòu)造成向所述驅(qū)動晶體管的源極供應(yīng)所述數(shù)據(jù)線的參考電壓；電容器，其連接到所述驅(qū)動晶體管的柵極和源極。根據(jù)下文中提供的具體實施方式，本發(fā)明的其它可應(yīng)用范圍將變得清楚。然而，應(yīng)該理解，具體實施方式和具體示例指示的是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，只是以例證方式提供的，因為通過這個具體實施方式，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的各種變化和修改將變得清楚。附圖說明附圖被包括以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并入且構(gòu)成本申請的部分，附圖示出本發(fā)明的實施方式并且與描述一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中：圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器的框圖；圖2是示出圖1的像素的示例的電路圖；圖3是示出第k個掃描信號、第k個初始化信號、第j個數(shù)據(jù)信號和驅(qū)動晶體管的柵電壓和源電壓的波形；圖4是示出按照本發(fā)明的實施方式的用于驅(qū)動像素的方法的流程圖；圖5A至圖5D是示出圖3的第一時段至第四時段內(nèi)的圖2的像素的操作的電路圖；圖6是示出圖1的像素的另一個示例的電路圖；圖7是示出被劃分成多個塊的顯示面板的示例的示圖；圖8是示出被供應(yīng)到圖7的顯示面板的掃描信號和初始化信號的波形；圖9是示出第k個掃描信號、第k個初始化信號、第j個數(shù)據(jù)信號和驅(qū)動晶體管的柵電壓和源電壓的另一個波形；圖10是示出按照本發(fā)明的另一個實施方式的用于驅(qū)動像素的方法的流程圖；圖11A至圖11F是示出圖9的第一時段至第六時段期間第二像素的操作的電路圖。具體實施方式現(xiàn)在，將詳細(xì)參照本發(fā)明的實施方式，這些實施方式的示例在附圖中示出。在任何可能的地方，在整個附圖中，將使用相同的參考標(biāo)號表示相同或類似的部件。如本文中使用的，除非另外清楚指明，否則單數(shù)形式“一”、“一個”、“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式。術(shù)語“第一”和“第二”是用于將一個元件與另一個元件區(qū)分開，并且這些元件不應(yīng)該受這些術(shù)語限制。術(shù)語“包括”、“具有”和/或“包含”當(dāng)在本文中使用時指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。術(shù)語“至少一個”包括一個或多個相關(guān)所列項的任意和全部組合。例如，“第一項、第二項和第三項中的至少一個”的含義表示從第一項、第二項和第三項中的兩個或更多個中提取的所有項的組合以及第一項、第二項或第三項。術(shù)語“上”應(yīng)該被理解為包括一個元件在另一個元件頂部上時并且此外包括當(dāng)?shù)谌O(shè)置在其間時。下文中，將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器。例如，圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器的框圖。參照圖1，有機(jī)發(fā)光顯示器包括顯示面板10、數(shù)據(jù)驅(qū)動器20、掃描驅(qū)動器30、初始化驅(qū)動器40和時序控制器50。顯示面板10包括顯示區(qū)AA和設(shè)置在顯示區(qū)AA外圍的非顯示區(qū)NDA。顯示區(qū)AA包括用于顯示圖像的像素P。在顯示面板10上，形成數(shù)據(jù)線D1至Dm(m是大于2的正整數(shù))、掃描線S1至Sn(n是大于2的正整數(shù))和初始化線SEN1至SENn。數(shù)據(jù)線D1至Dm與掃描線S1至Sn和初始化線SEN1至SENn交叉。掃描線S1至Sn可與初始化線SEN1至SENn平行地形成。顯示面板10的各像素P可連接到數(shù)據(jù)線D1至Dm中的任一條、掃描線S1至Sn中的任一條和初始化線SEN1至SENn中的任一條。顯示面板10的各像素P可包括驅(qū)動晶體管、通過掃描線的掃描信號控制的第一晶體管、通過初始化線的初始化信號控制的第二晶體管、有機(jī)發(fā)光二極管和電容器。隨后，將參照圖2描述對像素P的詳細(xì)描述。數(shù)據(jù)驅(qū)動器20包括至少一個源驅(qū)動集成電路(下文中，被稱為“IC”)。源驅(qū)動IC連接到數(shù)據(jù)線D1至Dm并且供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓并且從時序控制器50接收數(shù)字視頻數(shù)據(jù)DATA和源時序控制信號DCS。另外，源驅(qū)動IC按照源時序控制信號DCS將數(shù)字視頻數(shù)據(jù)DATA轉(zhuǎn)換成數(shù)據(jù)電壓并且將轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)電壓供應(yīng)到數(shù)據(jù)線D1至Dm。另外，源驅(qū)動IC可將除了數(shù)據(jù)電壓之外的參考電壓和補(bǔ)償電壓供應(yīng)到數(shù)據(jù)線D1至Dm。隨后，將參照圖3和圖10詳細(xì)描述源驅(qū)動IC的補(bǔ)償電壓和數(shù)據(jù)電壓。掃描驅(qū)動器30連接到掃描線S1至Sn并且按照從時序控制器50輸入的掃描時序控制信號SCS向掃描線S1至Sn供應(yīng)掃描信號。隨后，將參照圖3、圖8和圖9詳細(xì)描述掃描驅(qū)動器30的掃描信號的供應(yīng)。初始化驅(qū)動器40連接到初始化線SEN1至SENn并且按照從時序控制器50輸入的初始化時序控制信號SENCS向初始化線SEN1至SENn供應(yīng)初始化信號。隨后，將參照圖3、圖8和圖9詳細(xì)描述初始化驅(qū)動器40的掃描信號的供應(yīng)。另外，時序控制器50從外部系統(tǒng)接收數(shù)字視頻數(shù)據(jù)DATA，并且產(chǎn)生用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器20、掃描驅(qū)動器30和初始化驅(qū)動器40的操作時序的時序控制信號。時序控制信號包括用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器20的操作時序的數(shù)據(jù)時序控制信號DCS、用于控制掃描驅(qū)動器30的操作時序的掃描時序控制信號SCS和用于控制初始化驅(qū)動器40的操作時序的初始化時序控制信號SENCS。另外，時序控制器50將數(shù)字視頻數(shù)據(jù)DATA和數(shù)據(jù)時序控制信號DCS輸出到數(shù)據(jù)驅(qū)動器20，將掃描時序控制信號SCS輸出到掃描驅(qū)動器30，并且將初始化時序控制信號SENCS輸出到初始化驅(qū)動器40。接下來，圖2是示出圖1的像素的示例的電路圖。參照圖2，像素P包括有機(jī)發(fā)光二極管OLED、驅(qū)動晶體管DT、第一晶體管ST1和第二晶體管ST2和電容器C。驅(qū)動晶體管DT連接在被供應(yīng)第一電力電壓的第一電力電壓線VDDL和有機(jī)發(fā)光二極管OLED之間。驅(qū)動晶體管DT按照柵極的電壓，控制從第一電力電壓線VDDL流向有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流。驅(qū)動晶體管DT的柵極連接到第一晶體管ST1的第一電極，其源極連接到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極電極，其漏極連接到被供應(yīng)第一電力電壓的第一電力電壓線VDDL。有機(jī)發(fā)光二極管OLED按照通過驅(qū)動晶體管DT供應(yīng)的電流來發(fā)光。有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極電極連接到驅(qū)動晶體管DT的源極，其陰極連接到被供應(yīng)比第一電力電壓低的第二電力電壓的第二電力電壓線VSSL。另外，通過第k掃描線Sk(k是滿足1≤k≤n的正整數(shù))的第k個掃描信號來導(dǎo)通第一晶體管ST1，以向驅(qū)動晶體管DT的柵極供應(yīng)第j數(shù)據(jù)線Dj(j是滿足1≤j≤m的正整數(shù))的電壓。第一晶體管T1的柵極連接到第k掃描線Sk，第一電極連接到驅(qū)動晶體管DT的柵極，第二電極連接到第j數(shù)據(jù)線Dj。通過第k初始化線SENk的第k個初始化信號來導(dǎo)通第二晶體管ST2，以向驅(qū)動晶體管DT的柵極供應(yīng)第j數(shù)據(jù)線Dj的電壓。第二晶體管T2的柵極連接到第k初始化線SENk，第一電極連接到第j數(shù)據(jù)線Dj，第二電極連接到驅(qū)動晶體管DT的源極。另外，電容器C連接到驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極，并且均勻地保持驅(qū)動晶體管的柵極和源極之間的電壓差。另外，如圖2中所示，可在有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極和陰極之間形成寄生電容Cp。在圖2中，第一晶體管ST1和第二晶體管ST2中的每個的第一電極可以是源極或漏極，第二電極可不同于第一電極。例如，如果第一電極是源極，則第二電極是漏極。在圖2中，驅(qū)動晶體管DT和第一晶體管ST1和第二晶體管ST2被形成為(但不限于)N型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。驅(qū)動晶體管DT和第一晶體管ST1和第二晶體管ST2還可被形成為P型MOSFET。在這種情形下，可適宜地校正圖3、圖8和圖9的波形，以與P型MOSFET匹配。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的像素P包括：第一晶體管ST1，其連接到第j數(shù)據(jù)線Dj和驅(qū)動晶體管DT的柵極；第二晶體管ST2，其連接到第j數(shù)據(jù)線Dj和驅(qū)動晶體管DT的源極。結(jié)果，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，可控制第一晶體管ST1和第二晶體管ST2的導(dǎo)通和供應(yīng)到第j數(shù)據(jù)線Dj的電壓，由此可感測驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓?，F(xiàn)在，將參照圖3、圖4和圖5A至圖5D詳細(xì)描述補(bǔ)償圖2中示出的像素P的驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓的方法。接下來，圖3是示出第k掃描信號、第k初始化信號、第j數(shù)據(jù)信號和驅(qū)動晶體管的柵電壓和源電壓的波形。在圖3中，示出供應(yīng)到與圖2的像素連接的第k掃描線Sk的第k掃描信號SCANk、供應(yīng)到第k初始化線SENk的第k初始化信號SENSk、供應(yīng)到第j數(shù)據(jù)線Dj的電壓DVj、驅(qū)動晶體管DT的柵電壓Vg和源電壓Vs。參照圖3，一個幀時段可被劃分成第一時段t1至第四時段t4。第一時段t1將把驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極初始化成參考電壓Vref。第二時段t2將感測驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓。第三時段t3向驅(qū)動晶體管DT的柵極供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓，第四時段t4按照在驅(qū)動晶體管DT中流動的電流Ids從有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光。第一時段t1至第三時段t3可對應(yīng)于一個水平周期1H，如圖3中所示。在圖3中，優(yōu)選地，第二時段t2比第一時段t1和第三時段t3長。然而，第二時段t2不限于比第一時段t1和第三時段t3長。也就是說，第一時段t1至第三時段t3可被設(shè)置得相等，或者第二時段t2可被設(shè)置成比第一時段t1和第三時段t3中的每個短。第一時段t1和第三時段t3還可被設(shè)置成是相互不同的時段。另外，第一時段t1至第三時段t3可按照驅(qū)動晶體管DT和第一晶體管T1和第二晶體管T2的特征來設(shè)計。另外，數(shù)據(jù)驅(qū)動器20在第一時段t1期間向第j數(shù)據(jù)線Dj供應(yīng)參考電壓Vref。特別地，使用參考電壓Vref將驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極初始化。另外，數(shù)據(jù)驅(qū)動器20在第二時段t2期間向第j數(shù)據(jù)線Dj供應(yīng)補(bǔ)償電壓Vcomp。補(bǔ)償電壓Vcomp將補(bǔ)償驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓。如果驅(qū)動晶體管DT被形成為N型MOSFET，則補(bǔ)償電壓Vcomp可以是比參考電壓Vref高的電壓，如圖3中所示。數(shù)據(jù)驅(qū)動器20在第三時段t3期間向第j數(shù)據(jù)線Dj供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓Vdata。特別地，向驅(qū)動晶體管DT的柵極供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓Vdata，以允許有機(jī)發(fā)光二極管OLED以預(yù)定亮度發(fā)光。如果供應(yīng)到數(shù)據(jù)驅(qū)動器20的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)DATA對應(yīng)于8位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，則數(shù)據(jù)電壓Vdata可被作為256個電壓中的任一個來供應(yīng)。如果驅(qū)動晶體管DT被形成為N型MOSFET，則數(shù)據(jù)電壓Vdata可以是比補(bǔ)償電壓Vcomp高的電壓，如圖3中所示。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的像素P包括：第一晶體管ST1，其連接到第j數(shù)據(jù)線Dj和驅(qū)動晶體管DT的柵極；第二晶體管ST2，其連接到第j數(shù)據(jù)線Dj和驅(qū)動晶體管DT的源極。結(jié)果，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，可控制第一晶體管ST1和第二晶體管ST2的導(dǎo)通并且可將供應(yīng)到第j數(shù)據(jù)線Dj的電壓調(diào)節(jié)成參考電壓Vref、補(bǔ)償電壓Vcomp和數(shù)據(jù)電壓Vdata，由此可感測驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓并且還可補(bǔ)償電子遷移率。隨后，將參照圖4和圖5A至圖5D對此進(jìn)行詳細(xì)描述。掃描驅(qū)動器30可順序地向掃描線S1至Sn供應(yīng)掃描信號SCAN1至SCANn。另外，掃描驅(qū)動器30在第一時段t1至第三時段t3期間向第k掃描線Sk供應(yīng)具有柵導(dǎo)通電壓Von的第k掃描信號SCANk。掃描驅(qū)動器30還在第四時段t4期間向第k掃描線Sk供應(yīng)具有柵截止電壓Voff的第k掃描線SCANk。第k掃描信號SCANk可在在一個水平周期1H內(nèi)具有柵導(dǎo)通電壓Von。另外，初始化驅(qū)動器40可順序地向初始化線SEN1至SENn供應(yīng)初始化信號SENS1至SENSn。初始化驅(qū)動器40在第一時段t1期間向第k初始化線SENk供應(yīng)具有柵導(dǎo)通電壓Von的第k初始化信號SENSk。初始化驅(qū)動器40在第二時段t2至第四時段t4期間向第k初始化線SENk供應(yīng)具有柵截止電壓Voff的第k初始化信號SENSk。接下來，圖4是示出按照本發(fā)明的實施方式的用于驅(qū)動像素的方法的流程圖。圖5A至圖5D是示出圖3的第一時段至第四時段內(nèi)的圖2的像素P的操作的電路圖。用于補(bǔ)償像素P的驅(qū)動晶體管的閾值電壓的方法被分類成內(nèi)部補(bǔ)償方法和外部補(bǔ)償方法。內(nèi)部補(bǔ)償方法是通過感測像素P中的閾值電壓來補(bǔ)償驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓。外部補(bǔ)償方法是向像素P供應(yīng)預(yù)定電壓，按照預(yù)定電壓通過預(yù)定感測線感測像素P的驅(qū)動晶體管DT的源電極的電壓，并且通過使用感測到的電壓，補(bǔ)償將供應(yīng)到像素P的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)。在本發(fā)明的實施方式中，通過內(nèi)部補(bǔ)償方法補(bǔ)償驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓。下文中，將參照圖3、圖4和圖5A至圖5D詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的像素P的驅(qū)動方法。首先，在第一時段t1期間，將驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極初始化成參考電壓Vref。在第一時段t1期間，向第k掃描線Sk供應(yīng)具有柵導(dǎo)通電壓Von的第k掃描信號SCANk，向第k初始化線SENk供應(yīng)具有柵導(dǎo)通電壓Von的第k初始化信號SNESk，向第j數(shù)據(jù)線Dj供應(yīng)參考電壓Vref。因此，在第一時段t1期間，通過具有柵導(dǎo)通電壓Von的第k掃描信號SCANk使第一晶體管ST1導(dǎo)通，由于第一晶體管ST1導(dǎo)通，導(dǎo)致向驅(qū)動晶體管DT的柵極供應(yīng)參考電壓Vref。另外，在第一時段t1期間，通過具有柵導(dǎo)通電壓Von的第k初始化信號SENk使第二晶體管ST2導(dǎo)通，因此，由于第二晶體管ST2導(dǎo)通，導(dǎo)致向驅(qū)動晶體管DT的源極供應(yīng)參考電壓Vref。也就是說，第二晶體管ST2是用于向驅(qū)動晶體管DT的源極供應(yīng)第j數(shù)據(jù)線Dj的參考電壓Vref的晶體管。因此，將驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極初始化成參考電壓Vref，如圖3和圖5A中所示(圖4的S101)。在第二時段t2期間，感測驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓。特別地，在第二時段t2期間，向第k掃描線Sk供應(yīng)具有柵導(dǎo)通電壓Von的第k掃描信號SCANk，向第k初始化線SENk供應(yīng)具有柵截止電壓Voff的第k初始化信號SENSk。另外，在第二時段t2期間，向第j數(shù)據(jù)線Dj供應(yīng)補(bǔ)償電壓Vcomp。因此，通過具有柵導(dǎo)通電壓Von的第k掃描信號SCANk導(dǎo)通第一晶體管ST1，由于第一晶體管ST1導(dǎo)通，導(dǎo)致向驅(qū)動晶體管DT的柵極供應(yīng)補(bǔ)償電壓Vcomp，通過具有柵截止電壓Voff的第k初始化信號SENk使第二晶體管ST2截止。因為驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極之間的電壓差(Vgs＝Vcomp-Vref)大于驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓Vth，所以驅(qū)動晶體管DT允許在電壓差Vgs達(dá)到閾值電壓Vth之前有電流流動。因此，驅(qū)動晶體管DT的源電壓增至“Vcomp-Vth”，如圖3和圖5B中所示。因此，在第二時段t2期間，在驅(qū)動晶體管DT的源極中感測驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓(圖4的S102)。在第三時段t3期間，向驅(qū)動晶體管DT的柵極供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓，向第k掃描線Sk供應(yīng)具有柵導(dǎo)通電壓Von的第k掃描信號SCANk，向第k初始化線SENk供應(yīng)具有柵截止電壓Voff的第k初始化信號SENSk，向第j數(shù)據(jù)線Dj供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓Vdata。因此，在第三時段t3期間，通過具有柵導(dǎo)通電壓Von的第k掃描信號SCANk使第一晶體管ST1導(dǎo)通，由于第一晶體管ST1導(dǎo)通，導(dǎo)致向驅(qū)動晶體管DT的柵極供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓Vdata，通過具有柵截止電壓Voff的第k初始化信號SENk使第二晶體管ST2截止，如圖3和圖5C中所示。同時，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，可在第三時段t3期間補(bǔ)償驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率μ。特別地，在第三時段t3期間，由于驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極之間的電壓差(Vgs＝Vdata-(Vcomp-Vth))大于驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓Vth，因此驅(qū)動晶體管DT允許在電壓差Vgs達(dá)到閾值電壓Vth之前有電流流動。然而，如圖3中所示，第三時段t3比第二時段t2短。因此，在驅(qū)動晶體管DT的源電壓Vs達(dá)到“Vdata-Vth”之前，第三時段t3終止。另外，可通過下面的等式1定義驅(qū)動晶體管DT的電流。(等式1)在等式1中，“Ids”代表驅(qū)動晶體管DT的電流，“K”代表電子遷移率，“Cox”代表絕緣膜的電容，“W”代表驅(qū)動晶體管DT的溝道寬度，“L”代表驅(qū)動晶體管DT的溝道長度。由于如等式1中表達(dá)地，驅(qū)動晶體管DT的電流與驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率K成正比，因此第三時段t3期間驅(qū)動晶體管DT的源電壓的增大量與驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率K成正比。也就是說，如果驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率K變大，則在第三時段t3期間驅(qū)動晶體管DT的源電壓Vs的增大量增大。結(jié)果，在第三時段t3期間，源電壓Vs的增大量根據(jù)驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率K而變化，由此驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極之間的電壓差Vgs變化。也就是說，在本發(fā)明的實施方式中，由于在第三時段t3期間可根據(jù)驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率K調(diào)節(jié)驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極之間的電壓差Vgs，因此可補(bǔ)償驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率K。如上所述，在第三時段t3期間，驅(qū)動晶體管的柵電壓Vg是“Vdata”，其源電壓Vs根據(jù)驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率K而增至達(dá)到“Vcomp-Vth+α”，如圖5C中所示?！唉痢笨杀欢x為第三時段t3期間源電壓Vs的增大量。因此，在第三時段t3期間，電容器C存儲“Vdata-(Vcomp-Vth+α)”，即驅(qū)動晶體管DT的柵源極之間的電壓差，如圖5C中所示(圖4的S103)。在第四時段t4期間，按照驅(qū)動晶體管DT的電流Ids產(chǎn)生有機(jī)發(fā)光二極管OLED。另外，在第四時段t4期間，向第k掃描線Sk供應(yīng)具有柵截止電壓Voff的第k掃描信號SCANk，向第k初始化線SENk供應(yīng)具有柵截止電壓Voff的第k初始化信號SENSk。因此，通過具有柵截止電壓Voff的第k掃描信號SCANk使第一晶體管ST1截止，通過具有柵截止電壓Voff的第k初始化信號SENk使第二晶體管ST2截止。另外，在第四時段t4期間，可通過電容器C均勻地保持驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極之間的電壓差(Vgs＝Vdata-(Vcomp-Vth+α))。結(jié)果，通過下面的等式2定義在有機(jī)發(fā)光二極管OLED中流動的驅(qū)動晶體管DT的電流Ids。(等式2)下面的等式3可得自等式2。(等式3)結(jié)果，驅(qū)動晶體管DT的電流Ids不取決于驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓Vth，如等式3中表達(dá)的。也就是說，補(bǔ)償驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓Vth。結(jié)果，有機(jī)發(fā)光二極管OLED按照驅(qū)動晶體管DT的電流Ids發(fā)光，驅(qū)動晶體管DT的補(bǔ)償電壓Vth被補(bǔ)償，如圖5D中所示(圖4的S104)。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，在第一時段t1期間將驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極初始化成參考電壓Vref，在第二時段t2期間向驅(qū)動晶體管DT的柵極供應(yīng)補(bǔ)償電壓Vcomp。結(jié)果，在本發(fā)明的實施方式中，在第二時段t2期間，可在驅(qū)動晶體管DT的源極中感測驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓。因此，在本發(fā)明的實施方式中，有機(jī)發(fā)光二極管OLED可按照閾值電壓Vth被補(bǔ)償?shù)尿?qū)動晶體管DT的電流Ids來發(fā)光。另外，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，在第三時段t3期間，向驅(qū)動晶體管DT的柵極供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓，源電壓Vs增大多達(dá)“α”，作為源電壓Vs增大量的“α”根據(jù)驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率而變化。結(jié)果，在本發(fā)明的實施方式中，由于在第三時段t3期間可根據(jù)驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率K調(diào)節(jié)驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極之間的電壓差Vgs，因此可補(bǔ)償驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率K。接下來，圖6是示出圖1的像素的另一個示例的電路圖。參照圖6，像素P包括有機(jī)發(fā)光二極管OLED、驅(qū)動晶體管DT、第一晶體管ST1和第二晶體管ST2和電容器C。圖6中示出的像素P的有機(jī)發(fā)光二極管OLED、驅(qū)動晶體管DT、第一晶體管ST1和電容器C與圖2中示出的像素P的有機(jī)發(fā)光二極管OLED、驅(qū)動晶體管DT、第一晶體管ST1和電容器C基本上相同。因此，省略對圖6中示出的像素P的有機(jī)發(fā)光二極管OLED、驅(qū)動晶體管DT、第一晶體管ST1和電容器C的詳細(xì)描述。通過第k初始化線SENk的第k初始化信號使第二晶體管ST2導(dǎo)通，以將驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極彼此連接。第二晶體管T2的柵極連接到第k初始化線SENk，第一電極連接到驅(qū)動晶體管DT的源極，第二電極連接到驅(qū)動晶體管DT的柵極。由于向與圖6中示出的像素P連接的第k掃描線Sk供應(yīng)的第k掃描信號SCANk、向第k初始化線SENk供應(yīng)的第k初始化信號SENSk、供應(yīng)到第j數(shù)據(jù)線Dj的電壓DVj、驅(qū)動晶體管DT的柵電壓Vg和源電壓Vs與圖3的那些基本上相同，因此將省略對其的詳細(xì)描述。另外，由于圖6中示出的像素P的驅(qū)動方法與圖4的驅(qū)動方法基本上相同，因此將省略對其的詳細(xì)描述。接下來，圖7是示出被劃分成多個塊的顯示面板的示例的示圖。在圖7中，為了方便描述，只示出顯示面板10的掃描線S1至S3p、初始化線SEN1至SEN3p、像素P、掃描驅(qū)動器30和初始化驅(qū)動器40。另外，盡管顯示面板10被劃分成圖7中的三個塊BL1、BL2和BL3，但顯示面板10可被劃分成兩個或更多個塊，而不限于圖7的示例。參照圖7，塊BL1、BL2和BL3可分別包括相同數(shù)量的像素P。更詳細(xì)地，如果顯示面板10被劃分成q個塊(q是大于2的正整數(shù))，則q塊中的每個包括與p條掃描線連接的像素P(p是大于2的正整數(shù))。此時，p可以是n(掃描線的總數(shù))/q(塊的總數(shù))。例如，如果如圖7中所示將顯示面板10劃分成三個塊BL1、BL2和BL3，則塊BL1、BL2和BL3中的每個包括與p條掃描線連接的像素P。如圖7中所示，第一塊BL1包括與第一掃描線S1至第p掃描線Sp連接的像素P，第二塊BL2包括與第p+1掃描線Sp+1至第2p掃描線S2p連接的像素P，第三塊BL3包括與第2p+1掃描線S2p+1至第3p掃描線S3p連接的像素P。接下來，圖8是示出被供應(yīng)到顯示面板的掃描信號和初始化信號的波形。在圖8中，示出供應(yīng)到圖7的第一掃描線S1至第3p掃描線S3p的第一掃描信號SCAN1至第3p掃描信號SCAN3p和供應(yīng)到第一初始化信號S1至第3p初始化信號S3p的第一初始化信號SENS1至第3p初始化信號SENS3p。參照圖8，一幀時段包括q個子幀時段。例如，如果如圖7中所示將顯示面板10劃分成三個塊BL1、BL2和BL3，則一幀時段可包括三個子幀時段SF1、SF2和SF3。掃描驅(qū)動器30在第一子幀時段SF1內(nèi)向第一掃描線S1至第p掃描線Sp供應(yīng)第一掃描信號SCAN1至第p掃描信號SCANp。初始化驅(qū)動器30還在第一子幀時段SF1內(nèi)向第一初始化線SEN1至第p初始化線SENp供應(yīng)第一初始化信號SENS1至第p初始化信號SENSp。另外，掃描驅(qū)動器30在第二子幀時段SF2內(nèi)向第p+1掃描線Sp+1至第2p掃描線S2p供應(yīng)第p+1掃描信號SCANp+1至第2p掃描信號SCAN2p，初始化驅(qū)動器30在第二子幀時段SF2內(nèi)向第p+1初始化線SENp+1至第2p初始化線SEN2p供應(yīng)第p+1初始化信號SENSp+1至第2p初始化信號SENS2p。另外，掃描驅(qū)動器30在第三子幀時段SF3內(nèi)向第2p+1掃描線S2p+1至第3p掃描線S3p供應(yīng)第2p+1掃描信號SCAN2p+1至第3p掃描信號SCAN3p，初始化驅(qū)動器30在第三子幀時段SF3內(nèi)向第2p+1初始化線SEN2p+1至第3p初始化線SEN3p供應(yīng)第2p+1初始化信號SENS2p+1至第3p初始化信號SENS3p。換句話講，在只向與第一塊BL1的像素連接的掃描線和初始化線供應(yīng)掃描信號和初始化信號之后，掃描驅(qū)動器30和初始化驅(qū)動器40向與第二塊BL2的像素連接的掃描線和初始化線供應(yīng)掃描信號和初始化信號。另外，在向與第二塊BL2的像素連接的掃描線和初始化線供應(yīng)掃描信號和初始化信號之后，掃描驅(qū)動器30和初始化驅(qū)動器40只向與第三塊BL3的像素連接的掃描線和初始化線供應(yīng)掃描信號和初始化信號。因此，顯示面板10的q個塊被順序地驅(qū)動，并且還是按每個塊進(jìn)行驅(qū)動。另外，q個子幀時段中的每個包括閾值電壓感測時段ST和數(shù)據(jù)電壓供應(yīng)時段DP。閾值電壓感測時段ST將感測塊的各像素P的驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓，數(shù)據(jù)電壓供應(yīng)時段DP將向塊的像素P供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓。將參照圖9詳細(xì)描述閾值電壓感測時段ST和數(shù)據(jù)電壓供應(yīng)時段DP。特別地，圖9是示出第k個掃描信號、第k個初始化信號、第j個數(shù)據(jù)信號和驅(qū)動晶體管的柵電壓和源電壓的另一個波形。在圖9中，示出向與圖2的像素P連接的第k掃描線Sk供應(yīng)的第k掃描信號SCANk、向第k初始化線SENk供應(yīng)的第k初始化信號SENSk、供應(yīng)到第j數(shù)據(jù)線Dj的電壓DVj、驅(qū)動晶體管DT的柵電壓Vg和源電壓Vs。參照圖8和圖9，子幀時段SF1、SF2和SF3中的每個包括閾值電壓感測時段ST和數(shù)據(jù)電壓供應(yīng)時段DP。閾值電壓感測時段ST可包括第一時段t1至第三時段t3，數(shù)據(jù)電壓供應(yīng)時段DP可包括第四時段t4至第六時段t6。第一時段t1將把驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極初始化成參考電壓Vref，第二時段t2將感測驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓。另外，第三時段t3將向驅(qū)動晶體管DT的柵極供應(yīng)截止電壓Vt，第四時段t4將保持驅(qū)動晶體管DT的柵-源電壓之間的電壓差Vgs。另外，第五時段t5將向驅(qū)動晶體管DT的柵極供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓Vdata，第六時段t6將允許有機(jī)發(fā)光二極管OLED按照驅(qū)動晶體管DT的電流發(fā)光。優(yōu)選地，第二時段t2比第一時段t1、第三時段t3和第五時段t5中的每個長。同時，由于在子幀時段SF1、SF2和SF3中的每個內(nèi)順序地供應(yīng)p個掃描信號，因此p個掃描信號的第四時段t4的長度互不相同。另外，數(shù)據(jù)驅(qū)動器20在第一時段t1期間向第j數(shù)據(jù)線Dj供應(yīng)參考電壓Vref，其中，參考電壓Vref將初始化驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極。數(shù)據(jù)驅(qū)動器20在第二時段t2期間向第j數(shù)據(jù)線Dj供應(yīng)補(bǔ)償電壓Vcomp，其中，補(bǔ)償電壓Vcomp將補(bǔ)償驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓。如果驅(qū)動晶體管DT被形成為N型MOSFET，則補(bǔ)償電壓Vcomp可以是比參考電壓Vref高的電壓，如圖9中所示。另外，數(shù)據(jù)驅(qū)動器20在第三時段t3和第四時段t4期間向第j數(shù)據(jù)線Dj供應(yīng)截止電壓Vt。截止電壓Vt使驅(qū)動晶體管DT截止。如果驅(qū)動晶體管DT被形成為N型MOSFET，則截止電壓Vt可以是比補(bǔ)償電壓Vcomp低的電壓，如圖9中所示。另外，截止電壓Vt可被設(shè)置成與參考電壓Vref相同的電壓。數(shù)據(jù)電壓Vdata還被供應(yīng)到驅(qū)動晶體管DT的柵極，以允許有機(jī)發(fā)光二極管OLED以預(yù)定亮度發(fā)光。如果驅(qū)動晶體管DT被形成為N型MOSFET，則數(shù)據(jù)電壓Vdata可以是比補(bǔ)償電壓Vcomp高的電壓，如圖9中所示。如圖9中所示，掃描驅(qū)動器30在第一時段t1至第四時段t4期間同時向掃描線同時供應(yīng)掃描信號，并且在第五時段t5期間向掃描線順序供應(yīng)掃描信號。掃描驅(qū)動器30還在第一時段t1至第三時段t3和第五時段t5期間向第k掃描線Sk供應(yīng)具有柵導(dǎo)通電壓Von的第k掃描信號SCANk，并且在第四時段t4和第六時段t6期間向第k掃描線Sk供應(yīng)具有柵截止電壓Voff的第k掃描信號SCANk。另外，如圖9中所示，初始化驅(qū)動器40在第一時段t1至第六時段t6期間向初始化線SEN1至SENn供應(yīng)初始化信號SENS1至SENSn，并且在第一時段t1期間向第k初始化線SENk供應(yīng)具有柵導(dǎo)通電壓Von的第k初始化信號SENSk。初始化驅(qū)動器40還在第二時段t2至第六時段t6期間向第k初始化線SENk供應(yīng)具有柵截止電壓Voff的第k初始化信號SENSk。同時，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，如果如圖3中所示地執(zhí)行順序驅(qū)動，則在一個水平周期1H中包括用于初始化驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極的第一時段t1、用于感測驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓的第二時段t2、用于向驅(qū)動晶體管DT供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓的第三時段t3。因此，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，如果如圖3中所示地執(zhí)行順序驅(qū)動，則存在的問題在于，當(dāng)進(jìn)行120Hz或更高的高速驅(qū)動時，用于初始化、感測閾值電壓和供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓的時段是不足的。為了解決該問題，在本發(fā)明的實施方式中，顯示面板10被劃分成多個塊BL1、BL2和BL3，針對各塊，順序地驅(qū)動和同時地驅(qū)動這多個塊BL1、BL2和BL3。結(jié)果，在本發(fā)明的實施方式中，如圖8中所示，針對各塊，同時地執(zhí)行初始化驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極和感測驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓，由此用于初始化驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極的第一時段t1、用于感測驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓的第二時段t2、用于向驅(qū)動晶體管DT供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓的第三時段t3可增加至超過如圖3中進(jìn)行順序驅(qū)動時的時段。因此，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，即使進(jìn)行120Hz或更高的高速驅(qū)動時，也可以得到足夠的用于初始化、感測閾值電壓和供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓的時段。接下來，圖10是示出按照本發(fā)明的另一個實施方式的用于驅(qū)動像素的方法的流程圖。下文中，將參照圖9至圖11詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的像素的驅(qū)動方法。首先，在第一時段t1期間，將驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極初始化成參考電壓Vref，如圖9和圖11A中所示。由于圖10中示出的第一時段t1期間像素P的操作與參照圖4描述的第一時段t1期間像素P的操作基本上相同，因此省略對其的詳細(xì)描述(圖10的S201)。第二，在第二時段t2期間，感測驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓，如圖9和圖11B中所示。由于圖10中示出的第二時段t2期間像素P的操作與參照圖4描述的第二時段t2期間像素P的操作基本上相同，因此省略對其的詳細(xì)描述(圖10的S202)。第三，在第三時段t3期間，向驅(qū)動晶體管DT的柵極供應(yīng)截止電壓Vt，向第k掃描線Sk供應(yīng)具有柵導(dǎo)通電壓Von的第k掃描信號SCANk。在第三時段t3期間，向第k初始化線SENk供應(yīng)具有柵截止電壓Voff的第k初始化信號SENSk，向第j數(shù)據(jù)線Dj供應(yīng)截止電壓Vt。因此，在第三時段t3期間，通過具有柵導(dǎo)通電壓Von的第k掃描信號SCANk使第一晶體管ST1導(dǎo)通。由于第一晶體管ST1導(dǎo)通，導(dǎo)致向驅(qū)動晶體管DT的柵極供應(yīng)截止電壓Vt。另外，在第三時段t3期間，通過具有柵截止電壓Voff的第k初始化信號SENk使第二晶體管ST2截止。同時，在第三時段t3期間，如圖9和圖11C中所示，驅(qū)動晶體管DT的柵電壓Vg是“Vt”，其源電壓Vs降至“Vcomp-Vth-β”，因為通過電容器C反映驅(qū)動晶體管DT的柵極的電壓變化。另外，通過下面的等式4定義β。(等式4)在等式4中，“Vcomp”意味著補(bǔ)償電壓，“Vt”意味著截止電壓，“CCc”意味著電容器C的電容，“CCcp”意味著寄生電容器Cp的電容(圖10的S203)。在第四時段t4期間，保持驅(qū)動晶體管DT的源極的電壓Vs，向第k掃描線Sk供應(yīng)具有柵截止電壓Voff的第k掃描信號SCANk，向第k初始化線SENk供應(yīng)具有柵截止電壓Voff的第k初始化信號SENSk，向第j數(shù)據(jù)線Dj供應(yīng)截止電壓Vt。另外，在第四時段t4期間，通過具有柵截止電壓Voff的第k掃描信號SCANk使第一晶體管ST1截止，通過具有柵截止電壓Voff的第k初始化信號SENk使第二晶體管ST2截止，驅(qū)動晶體管DT的柵極的電壓Vg保持在第三時段t3期間供應(yīng)的截止電壓Vt。因此，在第四時段t4期間，驅(qū)動晶體管DT繼第三時段t3之后保持截止?fàn)顟B(tài)。同時，由于在子幀時段SF1、SF2和SF3中的每個的數(shù)據(jù)電壓供應(yīng)時段DP內(nèi)順序供應(yīng)p個掃描信號，因此這p個掃描信號的第四時段t4的長度互不相同。也就是說，第四時段t4的長度可根據(jù)各塊處連接像素的掃描線而有所不同。如果在第三時段t3和第四時段t4期間不使驅(qū)動晶體管DT截止的情況下以與第二時段t2相同的方式保持驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極之間的電壓差Vgs，則微電流可流過驅(qū)動晶體管DT。因此，如果在第四時段t4期間不使驅(qū)動晶體管DT截止，則可出現(xiàn)的問題在于，由于流過驅(qū)動晶體管DT的微電流，導(dǎo)致源電極的電壓Vs變化。然而，在本發(fā)明的實施方式中，因為在第四時段t4期間使驅(qū)動晶體管DT截止，所以驅(qū)動晶體管DT的源極的電壓Vs可原樣保持。因此，在第四時段t4期間，如圖9和圖11D中所示，驅(qū)動晶體管DT的源極的電壓Vs保持“Vcomp-Vth-β”(圖10的S204)。接下來，在第五時段t5期間，向驅(qū)動晶體管DT的柵極供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓，向第k掃描線Sk供應(yīng)具有柵導(dǎo)通電壓Von的第k掃描信號SCANk，向第k初始化線SENk供應(yīng)具有柵截止電壓Voff的第k初始化信號SENSk，向第j數(shù)據(jù)線Dj供應(yīng)截止電壓Vt。因此，在第五時段t5期間，通過具有柵導(dǎo)通電壓Von的第k掃描信號SCANk使第一晶體管ST1導(dǎo)通，由于第一晶體管ST1導(dǎo)通，導(dǎo)致向驅(qū)動晶體管DT的柵極供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓Vdata，通過具有柵截止電壓Voff的第k初始化信號SENk使第二晶體管ST2截止。同時，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，在第五時段t5期間，可補(bǔ)償驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率μ。在第五時段t5期間，由于驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極之間的電壓差(Vgs＝Vdata-(Vcomp-Vth-β"))大于驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓Vth，因此驅(qū)動晶體管DT允許在電壓差Vgs達(dá)到閾值電壓Vth之前有電流流動。然而，第五時段t5比第二時段t2短，因此，在驅(qū)動晶體管DT的源電壓Vs達(dá)到“Vdata-Vth”之前，第五時段t5終止。由于如等式1中表達(dá)地，驅(qū)動晶體管DT的電流與驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率K成正比，因此第五時段t5期間驅(qū)動晶體管DT的源電壓Vs的增大量與驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率K成正比。也就是說，如果驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率K變大，則驅(qū)動晶體管DT的源電壓Vs的增大量比第五時段t5期間增大得更多。結(jié)果，在第五時段t5期間，源電壓Vs的增大量根據(jù)驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率K而變化，由此驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極之間的電壓差Vgs變化。也就是說，在本發(fā)明的實施方式中，由于可根據(jù)第五時段t5期間驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率K調(diào)節(jié)驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極之間的電壓差Vgs，因此可補(bǔ)償驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率K。同時，在第五時段t5期間，如圖9和圖11E中所示，驅(qū)動晶體管的柵電壓Vg是“Vdata”，其源電壓Vs增大至達(dá)到“Vcomp-Vth-β+α”。此時，“α”可被定義為第五時段t5期間源電壓Vs的增大量。因此，在第五時段t5期間，電容器C存儲“Vdata-(Vcomp-Vth-β+α)”，即驅(qū)動晶體管DT的柵源極之間的電壓差Vgs(圖10的S205)。另外，在第六時段t6期間，有機(jī)發(fā)光二極管OLED按照驅(qū)動晶體管DT的電流Ids發(fā)光，向第k掃描線Sk供應(yīng)具有柵截止電壓Voff的第k掃描信號SCANk，向第k初始化線SENk供應(yīng)具有柵截止電壓Voff的第k初始化信號SENSk。另外，在第六時段t6期間，通過具有柵截止電壓Voff的第k掃描信號SCANk使第一晶體管ST1截止，通過具有柵截止電壓Voff的第k初始化信號SENk使第二晶體管ST2截止，可通過電容器C均勻地保持驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極之間的電壓差(Vgs＝Vdata-(Vcomp-Vth-β+α))。結(jié)果，可通過下面的等式5定義在有機(jī)發(fā)光二極管OLED中流動的驅(qū)動晶體管DT的電流Ids。(等式5)下面的等式6可得自等式5。(等式6)結(jié)果，驅(qū)動晶體管DT的電流Ids不取決于驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓Vth，如等式6中表達(dá)的。也就是說，補(bǔ)償驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓Vth。結(jié)果，有機(jī)發(fā)光二極管OLED按照驅(qū)動晶體管DT的電流Ids發(fā)光，驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓Vth被補(bǔ)償，如圖11F中所示(圖10的S206)。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，在第一時段t1期間將驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極初始化成參考電壓Vref，在第二時段t2期間向驅(qū)動晶體管DT的柵極供應(yīng)補(bǔ)償電壓Vcomp。在這種情形下，由于在第二時段t2期間驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極之間的電壓差Vgs大于閾值電壓，因此驅(qū)動晶體管使得在柵極和源極之間的電壓差Vgs達(dá)到閾值電壓之前有電流流動。結(jié)果，在本發(fā)明的實施方式中，在第二時段t2期間，能在驅(qū)動晶體管DT的源極中感測驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓。因此，在本發(fā)明的實施方式中，有機(jī)發(fā)光二極管OLED可按照被補(bǔ)償閾值電壓Vth的驅(qū)動晶體管DT的電流Ids發(fā)光。另外，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，在第五時段t5期間，向驅(qū)動晶體管DT的柵極供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓，源電壓Vs增大多達(dá)“α”。此時，作為源電壓Vs增大量的“α”根據(jù)驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率而變化。結(jié)果，在本發(fā)明的實施方式中，由于在第五時段t5期間可根據(jù)驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率K調(diào)節(jié)驅(qū)動晶體管DT的柵極和源極之間的電壓差Vgs，因此可補(bǔ)償驅(qū)動晶體管DT的電子遷移率K。同時，由于向與圖6中示出的像素P連接的第k掃描線Sk供應(yīng)的第k掃描信號SCANk、向第k初始化線SENk供應(yīng)的第k初始化信號SENSk、供應(yīng)到第j數(shù)據(jù)線Dj的電壓DVj、驅(qū)動晶體管DT的柵電壓Vg和源電壓Vs與圖9的那些基本上相同，因此省略對其的詳細(xì)描述。另外，由于圖6中示出的像素P的驅(qū)動方法與圖10的驅(qū)動方法基本上相同，因此省略對其的詳細(xì)描述。另外，因為第二晶體管向驅(qū)動晶體管的源極供應(yīng)數(shù)據(jù)線的參考電壓，所以本發(fā)明可有利地去除所需的單獨(dú)參考線。也就是說，可增大開口率并且可降低制造成本，因為不需要用于供應(yīng)參考電壓的單獨(dú)參考線。本發(fā)明有利地使用現(xiàn)有數(shù)據(jù)線供應(yīng)參考電壓。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該清楚，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可在本發(fā)明中進(jìn)行各種修改和變形。因此，本發(fā)明旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求書的范圍及其等同物內(nèi)的本發(fā)明的修改形式和變形形式。