專利名稱：像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、有機(jī)發(fā)光顯示面板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、有機(jī)發(fā)光顯示面板及顯示裝置。
背景技術(shù)：
由于多媒體社會(huì)的急速進(jìn)步，半導(dǎo)體元件及顯示裝置的技術(shù)也隨之具有飛躍性的進(jìn)步。就顯示器而言，由于主動(dòng)式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic LightEmitting Diode1AMOLED)顯示器具有無視角限制、低制造成本、高應(yīng)答速度(約為液晶的百倍以上)、省電、自發(fā)光、可用于可攜式機(jī)器的直流驅(qū)動(dòng)、工作溫度范圍大以及重量輕且可隨硬件設(shè)備小型化及薄型化等等優(yōu)點(diǎn)以符合多媒體時(shí)代顯示器的特性要求。因此，主動(dòng)式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有極大的發(fā)展?jié)摿?，可望成為下一代的新型平面顯示器，從而取代液晶顯示器(Liquid Crystal Display, IXD)。目前主動(dòng)式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板主要有兩種制作方式，其一是利用低溫多晶硅(LTPS)的薄膜晶體管(TFT)工藝技術(shù)來制作，而另一則是利用非晶硅(α -Si)的薄膜晶體管(TFT)工藝技術(shù)來制作。其中，由于低溫多晶硅的薄膜晶體管工藝技術(shù)需要比較多道的掩模制造工藝而導(dǎo)致成本上升。因此，目前低溫多晶硅的薄膜晶體管工藝技術(shù)主要應(yīng)用在中小尺寸的面板上，而非晶硅的薄膜晶體管工藝技術(shù)則主要應(yīng)用在大尺寸的面板上。一般來說，采用低溫多晶硅的薄膜晶體管工藝技術(shù)所制作出來的主動(dòng)式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板，其像素電路中的薄膜晶體管的型態(tài)可以為P型或N型，但無論是選擇P型還是N型薄膜晶體管來實(shí)現(xiàn)有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管的電流不僅會(huì)隨著有機(jī)發(fā)光二極管的導(dǎo)通電壓(VolecLth)經(jīng)長時(shí)間應(yīng)力的變化而改變，而且還會(huì)隨著用以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的薄膜晶體管的臨限電壓漂移(Vth shift)而有所不同。如此一來，將會(huì)連帶影響到有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的亮度均勻性與亮度恒定性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、有機(jī)發(fā)光顯示面板及顯示裝置?？捎行岣哂袡C(jī)發(fā)光顯示面板的影像均勻性，可減緩有機(jī)發(fā)光器件的衰減速度，確保有機(jī)發(fā)光顯示面板亮度的均勻性和恒定性。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案如下:本發(fā)明實(shí)施例提供了一種像素電路，包括:驅(qū)動(dòng)晶體管、第一存儲(chǔ)電容、采集單元、寫入單元、發(fā)光單元；其中，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接電源電壓輸入端；所述第一存儲(chǔ)電容的第一端連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極；所述采集單元，分別與第一掃描信號(hào)輸入端、可控低電壓輸入端、驅(qū)動(dòng)晶體管、第一存儲(chǔ)電容的第一端、寫入單元以及發(fā)光單元連接，用于在第一掃描信號(hào)的控制下，采集所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓并將所述閾值電壓存儲(chǔ)至所述第一存儲(chǔ)電容中；所述寫入單元，分別與第二掃描信號(hào)輸入端、數(shù)據(jù)電壓輸入端、可控低電壓輸入端、第一存儲(chǔ)電容的第二端以及采集單元連接，用于在第二掃描信號(hào)的控制下，存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)電壓輸入端輸入的數(shù)據(jù)電壓；所述發(fā)光單元，分別與發(fā)光控制信號(hào)輸入端、驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極以及采集單元連接，用于在發(fā)光控制信號(hào)的控制下，由所述數(shù)據(jù)電壓和所述可控低電壓輸入端輸入的電壓驅(qū)動(dòng)發(fā)光。優(yōu)選的,所述采集單元包括:第二晶體管、第四晶體管以及第五晶體管；所述第二晶體管的源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極連接，所述第二晶體管的柵極與所述第一掃描信號(hào)輸入端連接，所述第二晶體管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接；所述第四晶體管的源極與所述第一存儲(chǔ)電容的第二端連接，所述第四晶體管的柵極與所述第一掃描信號(hào)輸入端連接，所述第四晶體管的漏極與所述可控低電壓輸入端連接;所述第五晶體管的柵極與所述第一掃描信號(hào)輸入端連接，所述第五晶體管的漏極與所述可控低電壓輸入端連接。優(yōu)選的，所述寫入單元包括:第三晶體管和第二存儲(chǔ)電容；所述第三晶體管的源極分別與所述第一存儲(chǔ)電容的第二端、第二存儲(chǔ)電容的第一端、第四薄膜晶體管的源極連接，所述第三晶體管的柵極與所述第二掃描信號(hào)輸入端連接，所述第三晶體管的漏極與所述數(shù)據(jù)電壓輸入端連接；所述第二存儲(chǔ)電容的第二端與所述可控低電壓輸入端連接。優(yōu)選的，所述發(fā)光單元包括:第六晶體管以及有機(jī)發(fā)光二極管；所述第六晶體管的源極分別與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極、第二晶體管的源極連接，所述第六晶體管的柵極與所述發(fā)光控制信號(hào)輸入端連接，所述第六晶體管的漏極分別與所述第五晶體管的源極、有機(jī)發(fā)光二極管的陽極連接；所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接地。優(yōu)選的，所述驅(qū)動(dòng)晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管均為P型晶體管。優(yōu)選的，所述可控低電壓輸入端接地。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種驅(qū)動(dòng)上述本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路的像素驅(qū)動(dòng)方法，包括:在數(shù)據(jù)采集階段，第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管在第一掃描信號(hào)控制下處于導(dǎo)通狀態(tài)，第三晶體管在第二掃描信號(hào)控制下處于截止?fàn)顟B(tài)，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與漏極連接，驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓存儲(chǔ)至第一存儲(chǔ)電容中，第六晶體管在發(fā)光控制信號(hào)控制下處于截止?fàn)顟B(tài)；在數(shù)據(jù)輸入階段，第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管在第一掃描信號(hào)控制下處于截止?fàn)顟B(tài)，第三晶體管在第二掃描信號(hào)控制下處于導(dǎo)通狀態(tài)，數(shù)據(jù)電壓輸入端輸入的數(shù)據(jù)電壓存儲(chǔ)至第二存儲(chǔ)電容中，第六晶體管在發(fā)光控制信號(hào)控制下處于截止?fàn)顟B(tài)；在發(fā)光階段，第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管在第一掃描信號(hào)控制下處于截止?fàn)顟B(tài)，第三晶體管在第二掃描信號(hào)控制下處于截止?fàn)顟B(tài)，第六晶體管在發(fā)光控制信號(hào)控制下處于通道狀態(tài)，有機(jī)發(fā)光二極管在在數(shù)據(jù)電壓和可控低電壓輸入端輸入的電壓的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光。優(yōu)選的，在數(shù)據(jù)采集階段，第一掃描信號(hào)為低電平，第二掃描信號(hào)為高電平，發(fā)光控制信號(hào)為高電平；在數(shù)據(jù)輸入階段，第一掃描信號(hào)為高電平，第二掃描信號(hào)為低電平，發(fā)光控制信號(hào)為高電平；在發(fā)光階段，第一掃描信號(hào)為高電平，第二掃描信號(hào)為高電平，發(fā)光控制信號(hào)為低電平。本發(fā)明實(shí)施例還提供了 一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，該有機(jī)發(fā)光顯示面板具體可以包括上述本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置具體可以包括上述本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光顯示面板。從以上所述可以看出，本發(fā)明提供的像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、有機(jī)發(fā)光顯示面板及顯示裝置，通過設(shè)置驅(qū)動(dòng)晶體管、第一存儲(chǔ)電容、采集單元、寫入單元、發(fā)光單元；其中，采集單元用于在第一掃描信號(hào)的控制下，采集所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓并將所述閾值電壓存儲(chǔ)至所述第一存儲(chǔ)電容中；所述寫入單元，用于在第二掃描信號(hào)的控制下，存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)電壓輸入端輸入的數(shù)據(jù)電壓；所述發(fā)光單元用于在發(fā)光控制信號(hào)的控制下，由數(shù)據(jù)電壓和可控低電壓輸入端輸入的電壓驅(qū)動(dòng)發(fā)光，從而可使有機(jī)發(fā)光器件不受驅(qū)動(dòng)晶體管的臨限電壓漂移的影響，可有效提高有機(jī)發(fā)光顯示面板的影像均勻性，可減緩有機(jī)發(fā)光器件的衰減速度，確保有機(jī)發(fā)光顯示面板亮度的均勻性和恒定性。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路結(jié)構(gòu)示意圖一；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路結(jié)構(gòu)示意圖二 ；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路驅(qū)動(dòng)方法流程示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)序圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路結(jié)構(gòu)示意圖三。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。除非另作定義，此處使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本發(fā)明專利申請(qǐng)說明書以及權(quán)利要求書中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個(gè)”或者“一”等類似詞語也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個(gè)?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也相應(yīng)地改變。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種像素電路，如附圖1所示，該像素電路具體可以包括:驅(qū)動(dòng)晶體管Tl、第一存儲(chǔ)電容Cl、采集單元11、寫入單元12、發(fā)光單元13 ;其中，驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源極連接電源電壓Vdd輸入端；第一存儲(chǔ)電容Cl的第一端連接驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極；米集單兀11，分別與第一掃描信號(hào)Scanl輸入端、可控低電壓Vref輸入端、驅(qū)動(dòng)晶體管Tl、第一存儲(chǔ)電容Cl的第一端、寫入單兀12以及發(fā)光單兀13連接,用于在第一掃描信號(hào)Scanl的控制下，采集驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的閾值電壓并將所述閾值電壓Vth存儲(chǔ)至第一存儲(chǔ)電容Cl中；寫入單元12，分別與第二掃描信號(hào)Scan2輸入端、數(shù)據(jù)電壓Vdata輸入端、可控低電壓Vref輸入端、第一存儲(chǔ)電容Cl的第二端以及采集單元11連接，用于在第二掃描信號(hào)Scan2的控制下,存儲(chǔ)數(shù)據(jù)電壓Vdata輸入端輸入的數(shù)據(jù)電壓Vdata ；發(fā)光單元13，分別與發(fā)光控制信號(hào)Em輸入端、驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的漏極以及采集單元11連接，用于在發(fā)光控制信號(hào)Em的控制下，由數(shù)據(jù)電壓Vdata和所述可控低電壓Vref輸入端輸入的電壓驅(qū)動(dòng)發(fā)光。本發(fā)明實(shí)施例所提供的像素單元，可有效提高有機(jī)發(fā)光顯示面板的影像均勻性，可減緩有機(jī)發(fā)光器件的衰減速度，確保有機(jī)發(fā)光顯示面板亮度的均勻性和恒定性。在一可選具體實(shí)施例中，如附圖2所示，采集單元11具體可以包括:第二晶體管T2、第四晶體管T4以及第五晶體管T5 ；其中:所述第二晶體管T2的源極與驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的漏極連接，第二晶體管T2的柵極與第一掃描信號(hào)Scanl輸入端連接，第二晶體管T2的漏極與驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極連接(即驅(qū)動(dòng)晶體管Tl、第一存儲(chǔ)電容Cl、第二薄膜晶體管T2連接于節(jié)點(diǎn)A)；所述第四晶體管T4的源極與第一存儲(chǔ)電容Cl的第二端連接，第四晶體管T4的柵極與第一掃描信號(hào)Scanl輸入端連接,第四晶體管T4的漏極與可控低電壓Vref輸入端連接;第五晶體管T5的柵極與第一掃描信號(hào)Scanl輸入端連接,第五晶體管T5的漏極與可控低電壓Vref輸入端連接。在一可選實(shí)施例中，如附圖2所示，寫入單元12具體可以包括:第三晶體管T3和第二存儲(chǔ)電容C2 ；其中:第三晶體管T3的源極分別與所述第一存儲(chǔ)電容Cl的第二端、第二存儲(chǔ)電容C2的第一端(即第三晶體管T3、第一存儲(chǔ)電容Cl、第二存儲(chǔ)電容C2連接于節(jié)點(diǎn)B)、第四薄膜晶體管T4的源極連接，第三晶體管T3的柵極與第二掃描信號(hào)Scan2輸入端連接，第三晶體管T3的漏極與數(shù)據(jù)電壓Vdata輸入端連接；第二存儲(chǔ)電容C2的第二端與可控低電壓Vref輸入端連接。
在一可選實(shí)施例中，如附圖2所示，發(fā)光單元13具體可以包括:第六晶體管T6以及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)；第六晶體管T6的源極可分別與驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的漏極、第二晶體管T2的源極連接(即驅(qū)動(dòng)晶體管Tl、第二晶體管T2、第六晶體管T6連接于節(jié)點(diǎn)C)，第六晶體管T6的柵極可與發(fā)光控制信號(hào)Em輸入端連接，第六晶體管T6的漏極可分別與第五晶體管T5的源極、有機(jī)發(fā)光二極管的陽極連接(即第五薄膜晶體管T5、第六薄膜晶體管T6、有機(jī)發(fā)光二極管連接于節(jié)點(diǎn)D)；有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接地。上述本發(fā)明實(shí)施例所涉及的晶體管，例如驅(qū)動(dòng)晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5和第六晶體管T6，具體可為P型晶體管，且上述晶體管中的源、漏極可互換。本發(fā)明實(shí)施例還可提供了一種像素驅(qū)動(dòng)方法，如附圖3所示，該方法具體可以包括:步驟31，在數(shù)據(jù)采集階段，第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4在第一掃描信號(hào)Scanl控制下處于導(dǎo)通狀態(tài),第三晶體管T3在第二掃描信號(hào)Scan2控制下處于截止?fàn)顟B(tài)，驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極與漏極連接，驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的閾值電壓Vth存儲(chǔ)至第一存儲(chǔ)電容Cl中，第六晶體管T6在發(fā)光控制信號(hào)Em控制下處于截止?fàn)顟B(tài)；步驟32，在數(shù)據(jù)輸入階段，第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4在第一掃描信號(hào)Scanl控制下處于截止?fàn)顟B(tài),第三晶體管T3在第二掃描信號(hào)Scan2控制下處于導(dǎo)通狀態(tài)，數(shù)據(jù)電壓Vdata輸入端輸入的數(shù)據(jù)電壓Vdata存儲(chǔ)至第二存儲(chǔ)電容C2中，第六晶體管T6在發(fā)光控制信號(hào)Em控制下處于截止?fàn)顟B(tài)；步驟33，在發(fā)光階段，第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4在第一掃描信號(hào)Scanl控制下處于截止?fàn)顟B(tài),第三晶體管T3在第二掃描信號(hào)Scan2控制下處于截止?fàn)顟B(tài)，第六晶體管T6在發(fā)光控制信號(hào)Em控制下處于通道狀態(tài)，有機(jī)發(fā)光二極管在在數(shù)據(jù)電壓Vdata和可控低電壓Vref輸入端輸入的電壓的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光。下面，以應(yīng)用于如附圖2所示的像素電路為例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)方法的具體實(shí)現(xiàn)過程進(jìn)行詳細(xì)的說明。且此實(shí)施例中所適用的信號(hào)時(shí)序圖可如附圖4所示。即在數(shù)據(jù)米集階段Pl,第一掃描信號(hào)Scanl輸入端輸入低電平，第二掃描信號(hào)Scan2輸入端輸入高電平，發(fā)光控制信號(hào)Em輸入端輸入高電平；在數(shù)據(jù)輸入階段P2,第一掃描信號(hào)Scanl輸入端輸入高電平,第二掃描信號(hào)Scan2輸入端輸入低電平，發(fā)光控制信號(hào)Em輸入端輸入高電平；在發(fā)光階段P3,第一掃描信號(hào)Scanl輸入端輸入高電平,第二掃描信號(hào)Scan2輸入端輸入高電平，發(fā)光控制信號(hào)Em輸入端輸入低電平。具體的:在第一個(gè)階段Pl時(shí)，由于第一掃描信號(hào)Scanl為低電平，采集單元12包括的第二晶體管T2、第四晶體管T4、第五晶體管T5皆會(huì)被導(dǎo)通(turned-on)。基此，第二儲(chǔ)存電容C2會(huì)被重置，并將可控低電壓Vref儲(chǔ)存在節(jié)點(diǎn)D，且發(fā)光單元14中包括的有機(jī)發(fā)光二極管的陽極電位為可控低電壓Vref，不處于正偏壓的狀態(tài)，可減緩有機(jī)發(fā)光二極管衰減的速率，可提高有機(jī)發(fā)光顯示面板的使用壽命。驅(qū)動(dòng)晶體管Tl因采集晶體管即第二晶體管T2的導(dǎo)通，呈二極體連接，而把驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的閾值電壓Vth儲(chǔ)存在第一儲(chǔ)存電容Cl中，此時(shí)節(jié)點(diǎn)A的電位為Vdd-1 Vth I。在第二個(gè)階段P2時(shí)，由于第二掃描信號(hào)Scan2為低電平，寫入晶體管即第三晶體管T3被導(dǎo)通(turned-on)?；?，數(shù)據(jù)電壓Vdata會(huì)被儲(chǔ)存在第二存儲(chǔ)電容C2中，節(jié)點(diǎn)B的電位變?yōu)閿?shù)據(jù)電壓Vdata (數(shù)據(jù)電壓Vdata為負(fù)值)，因第一儲(chǔ)存電容Cl的升壓效應(yīng)，節(jié)點(diǎn)A的電位會(huì)有相同的電位提升，即節(jié)點(diǎn)A的電位=Vdd-| Vth I +Vdata-Vref。此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管 Tl 的柵源電壓 Vsg=Vdd- (Vdd-1 Vth I+Vdata-Vref) = I Vth 1-Vdata+Vref。在第三個(gè)階段P3時(shí)，由于發(fā)光控制信號(hào)Em為低電平，發(fā)光控制晶體管即第六晶體管T6被導(dǎo)通(turned-on)。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的Vsg電壓沒有發(fā)生變化，如此一來，在發(fā)
光階段P3，驅(qū)動(dòng)晶體管Tl管所產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電流I_D可以表示為如下方程式:
權(quán)利要求
1.一種像素電路，其特征在于，包括:驅(qū)動(dòng)晶體管、第一存儲(chǔ)電容、采集單元、寫入單元、發(fā)光單元；其中， 所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接電源電壓輸入端； 所述第一存儲(chǔ)電容的第一端連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極； 所述采集單元，分別與第一掃描信號(hào)輸入端、可控低電壓輸入端、驅(qū)動(dòng)晶體管、第一存儲(chǔ)電容的第一端、寫入單元以及發(fā)光單元連接，用于在第一掃描信號(hào)的控制下，采集所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓并將所述閾值電壓存儲(chǔ)至所述第一存儲(chǔ)電容中； 所述寫入單元，分別與第二掃描信號(hào)輸入端、數(shù)據(jù)電壓輸入端、可控低電壓輸入端、第一存儲(chǔ)電容的第二端以及采集單元連接，用于在第二掃描信號(hào)的控制下，存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)電壓輸入端輸入的數(shù)據(jù)電壓； 所述發(fā)光單元，分別與發(fā)光控制信號(hào)輸入端、驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極以及采集單元連接，用于在發(fā)光控制信號(hào)的控制下，由所述數(shù)據(jù)電壓和所述可控低電壓輸入端輸入的電壓驅(qū)動(dòng)發(fā)光。
2.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述采集單元包括: 第二晶體管、第四晶體管以及第五晶體管； 所述第二晶體管的源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極連接，所述第二晶體管的柵極與所述第一掃描信號(hào)輸入端連接，所述第二晶體管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接； 所述第四晶體管的源極與所述第一存儲(chǔ)電容的第二端連接，所述第四晶體管的柵極與所述第一掃描信號(hào)輸入端連接，所述第四晶體管的漏極與所述可控低電壓輸入端連接；所述第五晶體管的柵極與所述第一掃描信號(hào)輸入端連接，所述第五晶體管的漏極與所述可控低電壓輸入端連接。
3.如權(quán)利要求2所述的像素電路，其特征在于，所述寫入單元包括: 第三晶體管和第二存儲(chǔ)電容； 所述第三晶體管的源極分別與所述第一存儲(chǔ)電容的第二端、第二存儲(chǔ)電容的第一端、第四薄膜晶體管的源極連接，所述第三晶體管的柵極與所述第二掃描信號(hào)輸入端連接，所述第三晶體管的漏極與所述數(shù)據(jù)電壓輸入端連接； 所述第二存儲(chǔ)電容的第二端與所述可控低電壓輸入端連接。
4.如權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，所述發(fā)光單元包括: 第六晶體管以及有機(jī)發(fā)光二極管； 所述第六晶體管的源極分別與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極、第二晶體管的源極連接，所述第六晶體管的柵極與所述發(fā)光控制信號(hào)輸入端連接，所述第六晶體管的漏極分別與所述第五晶體管的源極、有機(jī)發(fā)光二極管的陽極連接； 所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接地。
5.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的像素電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管均為P型晶體管。
6.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述可控低電壓輸入端接地。
7.—種驅(qū)動(dòng)如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述像素電路的像素驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，包括: 在數(shù)據(jù)采集階段，第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管在第一掃描信號(hào)控制下處于導(dǎo)通狀態(tài)，第三晶體管在第二掃描信號(hào)控制下處于截止?fàn)顟B(tài)，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與漏極連接，驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓存儲(chǔ)至第一存儲(chǔ)電容中，第六晶體管在發(fā)光控制信號(hào)控制下處于截止?fàn)顟B(tài)； 在數(shù)據(jù)輸入階段，第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管在第一掃描信號(hào)控制下處于截止?fàn)顟B(tài)，第三晶體管在第二掃描信號(hào)控制下處于導(dǎo)通狀態(tài)，數(shù)據(jù)電壓輸入端輸入的數(shù)據(jù)電壓存儲(chǔ)至第二存儲(chǔ)電容中，第六晶體管在發(fā)光控制信號(hào)控制下處于截止?fàn)顟B(tài)； 在發(fā)光階段，第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管在第一掃描信號(hào)控制下處于截止?fàn)顟B(tài)，第三晶體管在第二掃描信號(hào)控制下處于截止?fàn)顟B(tài)，第六晶體管在發(fā)光控制信號(hào)控制下處于通道狀態(tài)，有機(jī)發(fā)光二極管在在數(shù)據(jù)電壓和可控低電壓輸入端輸入的電壓的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光。
8.如權(quán)利要求7所述的像素驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，在數(shù)據(jù)采集階段，第一掃描信號(hào)為低電平，第二掃描信號(hào)為高電平，發(fā)光控制信號(hào)為高電平； 在數(shù)據(jù)輸入階段，第一掃描信號(hào)為高電平，第二掃描信號(hào)為低電平，發(fā)光控制信號(hào)為高電平； 在發(fā)光階段，第一掃描信號(hào)為高電平，第二掃描信號(hào)為高電平，發(fā)光控制信號(hào)為低電平。
9.一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，其特征在于，包括所述權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)的像素電路。
10.一種顯示裝置 ， 其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、有機(jī)發(fā)光顯示面板及顯示裝置，通過設(shè)置驅(qū)動(dòng)晶體管、第一存儲(chǔ)電容、采集單元、寫入單元、發(fā)光單元；其中，采集單元用于在第一掃描信號(hào)的控制下，采集所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓并將所述閾值電壓存儲(chǔ)至所述第一存儲(chǔ)電容中；所述寫入單元，用于在第二掃描信號(hào)的控制下，存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)電壓輸入端輸入的數(shù)據(jù)電壓；所述發(fā)光單元用于在發(fā)光控制信號(hào)的控制下，由數(shù)據(jù)電壓和可控低電壓輸入端輸入的電壓驅(qū)動(dòng)發(fā)光，從而可使有機(jī)發(fā)光器件不受驅(qū)動(dòng)晶體管的臨限電壓漂移的影響，可有效提高有機(jī)發(fā)光顯示面板的影像均勻性，可減緩有機(jī)發(fā)光器件的衰減速度，確保有機(jī)發(fā)光顯示面板亮度的均勻性和恒定性。
文檔編號(hào)G09G3/32GK103198794SQ20131010938
公開日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2013年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月29日
發(fā)明者尹靜文, 吳仲遠(yuǎn) 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司