專利名稱：像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示器制造領(lǐng)域，尤其涉及一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)顯示作為新型的顯示技術(shù)，與場(chǎng)效應(yīng)薄膜晶體管(TFT)液晶顯示器(IXD)相比，AMOLED不管在視角范圍、畫質(zhì)、效能及成本上都有很多優(yōu)勢(shì)，在顯示器制造領(lǐng)域有巨大的發(fā)展?jié)摿?。AMOLED能夠發(fā)光是由驅(qū)動(dòng)TFT在飽和狀態(tài)時(shí)產(chǎn)生的電流所驅(qū)動(dòng)，因?yàn)檩斎胂嗤幕译A電壓時(shí)，不同的臨界電壓會(huì)產(chǎn)生不同的驅(qū)動(dòng)電流，造成電流的一致性很差，亮度均勻性
一直很差。如圖1所示的傳統(tǒng)的2T1C電路，電路只包含兩個(gè)TFT，Tl為開關(guān)管，DTFT為像素驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)管，掃描線Scan開啟開關(guān)管Tl，數(shù)據(jù)電壓Data對(duì)存儲(chǔ)電容C充電，發(fā)光期間開關(guān)管Tl關(guān)閉，電容上的存儲(chǔ)的電壓使驅(qū)動(dòng)管DTFT保持導(dǎo)通，導(dǎo)通電流使OLED發(fā)光。要實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定顯示，就要為OLED提供穩(wěn)定電流。電壓控制電路的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單、電容充電速度快，但是缺點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)電流的線性控制困難，原因是LTPS (低溫多晶硅)制程上使DTFT的Vth(閾值電壓)的均勻性非常差，同時(shí)Vth (閾值電壓)也有漂移，即便是同樣工藝參數(shù)制造出來的不同TFT的Vth (閾值電壓)也有較大差異，造成驅(qū)動(dòng)發(fā)光電路的發(fā)光亮度均勻性很差和亮度衰減的問題。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)以上，本發(fā)明技術(shù)方案的目的是提供一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置，用于對(duì)像素電路中的驅(qū)動(dòng)管進(jìn)行Vth均勻度的補(bǔ)償，解決發(fā)光二極管發(fā)光亮度均勻性差的問題。本發(fā)明提供一種像素電路，包括在第一電壓信號(hào)端子和第二電壓信號(hào)端子之間串聯(lián)的發(fā)光器件和用于驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)晶體管，所述像素電路還包括發(fā)光控制模塊和補(bǔ)償模塊，其中:所述發(fā)光控制模塊的輸入端與第一控制信號(hào)連接，輸出端分別與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極連接，所述發(fā)光控制模塊用于響應(yīng)所述第一控制信號(hào)，控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的狀態(tài)，使所述發(fā)光器件發(fā)光或關(guān)閉；所述補(bǔ)償模塊的輸入端與第二控制信號(hào)連接，輸出端分別與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極、源極和所述發(fā)光控制模塊連接，所述補(bǔ)償模塊用于響應(yīng)所述第二控制信號(hào)，斷開或?qū)ㄋ鲵?qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間的連接，使所述發(fā)光器件發(fā)光時(shí)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極處的電壓補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓。優(yōu)選地，所述發(fā)光控制模塊具體包括:第二開關(guān)晶體管，所述第二開關(guān)晶體管的柵極與所述第一控制信號(hào)連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極連接；
第三開關(guān)晶體管，所述第三開關(guān)晶體管的柵極與所述第一控制信號(hào)連接，用于響應(yīng)所述第一控制信號(hào)，斷開或?qū)ㄋ鲵?qū)動(dòng)晶體管與所述發(fā)光器件的連接，所述第三開關(guān)晶體管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接，所述第三開關(guān)晶體管的源極與所述發(fā)光器件連接；所述補(bǔ)償模塊具體包括:串聯(lián)設(shè)置在所述第二開關(guān)晶體管的漏極和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極之間的第一電容和第二電容；第一開關(guān)晶體管，設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間，所述第一開關(guān)晶體管的柵極與所述第二控制信號(hào)連接，用于響應(yīng)所述第二控制信號(hào)，斷開或?qū)ㄋ鲵?qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間的連接。優(yōu)選地，所述補(bǔ)償模塊還包括:第五開關(guān)晶體管，所述第五開關(guān)晶體管的柵極與所述第二控制信號(hào)連接，所述第五開關(guān)晶體管的源極與參考電壓連接，所述第五開關(guān)晶體管的漏極與所述第一電容與所述第二電容之間的公共連接端連接。優(yōu)選地，所述補(bǔ)償模塊還包括:第四開關(guān)晶體管，設(shè)置于數(shù)據(jù)信號(hào)端子和所述第二開關(guān)晶體管與所述第一電容的公共連接端之間，且所述第四開關(guān)晶體管的柵極與所述第二控制信號(hào)連接，所述第四開關(guān)晶體管的漏極與所述第一電容的一端連接，所述第四開關(guān)晶體管的源極與數(shù)據(jù)信號(hào)連接。優(yōu)選地，所述參考電壓接地連接。優(yōu)選地，上述所述的像素電路:在第一階段，所述第一控制信號(hào)和所述第二控制信號(hào)輸出低電平，使所述第一開關(guān)晶體管、所述第二開關(guān)晶體管和所述第三開關(guān)晶體管均導(dǎo)通，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與漏極連接；在第二階段，所述第一控制信號(hào)輸出高電平，所述第二控制信號(hào)輸出低電平，使所述第一開關(guān)晶體管導(dǎo)通，所述第二開關(guān)晶體管和所述第三開關(guān)晶體管斷開，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與漏極保持連接；在第三階段，所述第一控制信號(hào)輸出低電平，所述第二控制信號(hào)輸出高電平，使所述第一開關(guān)晶體管斷開，所述第二開關(guān)晶體管和所述第三開關(guān)晶體管導(dǎo)通，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與漏極斷開，所述驅(qū)動(dòng)晶體管飽和，所述發(fā)光器件發(fā)光。本發(fā)明另一方面還提供一種用于驅(qū)動(dòng)如上所述像素電路的方法，所述方法包括:在第一階段，施加所述第一控制信號(hào)和所述第二控制信號(hào)，所述發(fā)光控制模塊響應(yīng)所述第一控制信號(hào)，所述補(bǔ)償模塊響應(yīng)所述第二控制信號(hào)，使所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與漏極連接；在第二階段，施加所述第一控制信號(hào)和所述第二控制信號(hào)，所述發(fā)光控制模塊響應(yīng)所述第一控制信號(hào)，所述補(bǔ)償模塊響應(yīng)所述第二控制信號(hào)，使所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與漏極保持連接；在第三階段，施加所述第一控制信號(hào)和所述第二控制信號(hào)，所述發(fā)光控制模塊響應(yīng)所述第一控制信號(hào)，所述補(bǔ)償模塊響應(yīng)所述第二控制信號(hào)，使所述驅(qū)動(dòng)晶體管飽和，所述發(fā)光器件發(fā)光。
優(yōu)選地，上述所述的方法中:所述發(fā)光控制模塊具體包括:第二開關(guān)晶體管，所述第二開關(guān)晶體管的柵極與所述第一控制信號(hào)連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極連接；第三開關(guān)晶體管，所述第三開關(guān)晶體管的柵極與所述第一控制信號(hào)連接，用于響應(yīng)所述第一控制信號(hào)，斷開或?qū)ㄋ鲵?qū)動(dòng)晶體管與所述發(fā)光器件的連接，所述第三開關(guān)晶體管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接，所述第三開關(guān)晶體管的源極與所述發(fā)光器件連接；所述補(bǔ)償模塊具體包括:串聯(lián)設(shè)置在所述第二開關(guān)晶體管的漏極和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極之間的第一電容和第二電容；第一開關(guān)晶體管，設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間，所述第一開關(guān)晶體管的柵極與所述第二控制信號(hào)連接，用于響應(yīng)所述第二控制信號(hào)，斷開或?qū)ㄋ鲵?qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間的連接；第五開關(guān)晶體管，所述第五開關(guān)晶體管的柵極與所述第二控制信號(hào)連接，所述第五開關(guān)晶體管的源極與參考電壓連接，所述第五開關(guān)晶體管的漏極與所述第一電容與所述第二電容之間的公共連接端連接；第四開關(guān)晶體管，設(shè)置于數(shù)據(jù)信號(hào)端子和所述第二開關(guān)晶體管與所述第一電容的公共連接端之間，且所述第四開關(guān)晶體管的柵極與所述第二控制信號(hào)連接，所述第四開關(guān)晶體管的漏極與所述第一電容的一端連接，所述第四開關(guān)晶體管的源極與數(shù)據(jù)信號(hào)連接；其中，在所述第一階段，所述第一開關(guān)晶體管、所述第二開關(guān)晶體管、所述第三開關(guān)晶體管、所述第四開關(guān)晶體管和所述第五開關(guān)晶體管均導(dǎo)通；在所述第二階段，所述第一開關(guān)晶體管、所述第四開關(guān)晶體管和所述第五開關(guān)晶體管導(dǎo)通，所述第二開關(guān)晶體管和所述第三開關(guān)晶體管斷開；在所述第三階段，所述第一開關(guān)晶體管、所述第四開關(guān)晶體管和所述第五開關(guān)晶體管斷開，所述第二開關(guān)晶體管和所述第三開關(guān)晶體管導(dǎo)通。優(yōu)選地，上述所述的方法，在所述第一階段，所述第一控制信號(hào)和所述第二控制信號(hào)輸出低電平，所述數(shù)據(jù)信號(hào)輸出低電平；在所述第二階段，所述第一控制信號(hào)輸出高電平，所述第二控制信號(hào)輸出低電平，所述數(shù)據(jù)信號(hào)輸出高電平；在所述第三階段，所述第一控制信號(hào)輸出低電平，所述第二控制信號(hào)輸出高電平，所述數(shù)據(jù)信號(hào)輸出低電平。本發(fā)明另一方面還提供一種顯示裝置，包括如上任一項(xiàng)所述的像素電路。本發(fā)明具體實(shí)施例上述技術(shù)方案中的至少一個(gè)具有以下有益效果:所述像素電路通過控制所輸入的第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)，使用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光的驅(qū)動(dòng)晶體管在不同階段具有不同狀態(tài)，使驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth能夠通過驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極處的A點(diǎn)電壓反映，在發(fā)光器件的發(fā)光時(shí)，采用第二電容C2補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth，從而保證發(fā)光器件發(fā)光亮度的均勻性。
圖1表示現(xiàn)有技術(shù)像素電路的連接示意圖2表示本發(fā)明具體實(shí)施例所述像素電路的實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖；圖3表示本發(fā)明實(shí)施例的像素電路的時(shí)序圖；圖4表示本發(fā)明具體實(shí)施例所述像素電路在第一階段的等效電路圖；圖5表示本發(fā)明具體實(shí)施例所述像素電路在第二階段的等效電路圖；圖6表示本發(fā)明具體實(shí)施例所述像素電路在第三階段的等效電路圖；圖7表示本發(fā)明具體實(shí)施例所述像素電路的原理示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。如圖7所示，本發(fā)明具體實(shí)施例所述像素電路，包括第一電壓信號(hào)端子Vdd和第二電壓信號(hào)端子Vss之間串聯(lián)的發(fā)光器件OLED和用于驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT，所述像素電路還包括發(fā)光控制模塊和補(bǔ)償模塊，其中:所述發(fā)光控制模塊的輸入端與第一控制信號(hào)連接，輸出端分別與所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源極和漏極連接，所述發(fā)光控制模塊用于響應(yīng)所述第一控制信號(hào)，控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的狀態(tài)，使所述發(fā)光器件發(fā)光或關(guān)閉；所述補(bǔ)償模塊的輸入端與第二控制信號(hào)連接，輸出端分別與所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極、源極和所述發(fā)光控制模塊連接，所述補(bǔ)償模塊用于響應(yīng)所述第二控制信號(hào)，斷開或?qū)ㄋ鲵?qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間的連接，使所述發(fā)光器件OLED發(fā)光時(shí)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極處的電壓補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓。其中，所述發(fā)光控制模塊具體包括:第二開關(guān)晶體管，所述第二開關(guān)晶體管的柵極與所述第一控制信號(hào)連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極連接；第三開關(guān)晶體管，所述第三開關(guān)晶體管的柵極與所述第一控制信號(hào)連接，用于響應(yīng)所述第一控制信號(hào)，斷開或?qū)ㄋ鲵?qū)動(dòng)晶體管與所述發(fā)光器件的連接，所述第三開關(guān)晶體管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接，所述第三開關(guān)晶體管的源極與所述發(fā)光器件連接；所述補(bǔ)償模塊具體包括:串聯(lián)串聯(lián)設(shè)置在所述第二開關(guān)晶體管的漏極和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極之間的第一電容和第二電容；第一開關(guān)晶體管，設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間，所述第一開關(guān)晶體管的柵極與所述第二控制信號(hào)連接，用于響應(yīng)所述第二控制信號(hào)，斷開或?qū)ㄋ鲵?qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間的連接；第五開關(guān)晶體管，所述第五開關(guān)晶體管的柵極與所述第二控制信號(hào)連接，所述第五開關(guān)晶體管的源極與參考電壓連接，所述第五開關(guān)晶體管的漏極與所述第一電容與所述第二電容之間的公共連接端連接；第四開關(guān)晶體管，設(shè)置于數(shù)據(jù)信號(hào)端子和所述第二開關(guān)晶體管與所述第一電容的公共連接端之間，且所述第四開關(guān)晶體管的柵極與所述第二控制信號(hào)連接，所述第四開關(guān)晶體管的漏極與所述第一電容的一端連接，所述第四開關(guān)晶體管的源極與數(shù)據(jù)信號(hào)連接。
本發(fā)明具體實(shí)施例所述一種像素電路，通過依次串聯(lián)設(shè)置在所述第一電壓信號(hào)端子和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極之間的第二開關(guān)晶體管、第一電容和第二電容，所述第二開關(guān)晶體管的柵極與第一控制信號(hào)連接，用于響應(yīng)所述第一控制信號(hào)，斷開或?qū)ㄋ鲵?qū)動(dòng)晶體管的柵極與漏極之間的連接；通過設(shè)置在所述第二電壓信號(hào)端子和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極之間的第三開關(guān)晶體管，所述第三開關(guān)晶體管的柵極與所述第一控制信號(hào)連接，用于響應(yīng)所述第一控制信號(hào)，斷開或?qū)ㄋ鲵?qū)動(dòng)晶體管與所述發(fā)光器件的連接；通過設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間的第一開關(guān)晶體管，所述第一開關(guān)晶體管的柵極與第二控制信號(hào)連接，用于響應(yīng)所述第二控制信號(hào)，斷開或?qū)ㄋ鲵?qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間的連接。所述像素電路通過控制所輸入的第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)，使用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光的驅(qū)動(dòng)晶體管在不同階段具有不同狀態(tài)，使驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth能夠通過驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極處的A點(diǎn)電壓反映，在發(fā)光器件的發(fā)光時(shí)，采用第二電容C2補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth，從而保證發(fā)光器件發(fā)光亮度的均勻性。優(yōu)選地，所述第三參考電壓接地連接。此外，所述發(fā)光器件串接在所述第二電壓信號(hào)端子與所述第三開關(guān)晶體管之間。以下將對(duì)本發(fā)明所述像素電路的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)描述。如圖2所示為本發(fā)明所述像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖。參閱圖2所示,本實(shí)施例的像素電路結(jié)構(gòu)含有6個(gè)TFT (Thin Film Transistor，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和2個(gè)電容C，其中，6個(gè)TFT皆為P溝道晶體管，其中Tl T5為開關(guān)晶體管，DTFT為驅(qū)動(dòng)晶體管。以下說明中，對(duì)于Tl至T5以及驅(qū)動(dòng)晶體管來說，參考電流的流動(dòng)方向定義源、漏極，電流的流入極作為漏極，流出極作為源極。此外本實(shí)施例使用了兩個(gè)控制信號(hào)，一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata，三個(gè)電壓信號(hào) VDD、Vss、Vkef。如圖2所示，在第一電壓信號(hào)端子Vdd和第二電壓信號(hào)端子Vss之間串聯(lián)發(fā)光器件OLED和用于驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件OLED的驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT，在第一電壓信號(hào)端子和DTFT的柵極之間依次串接T2、C1和C2，在DTFT的柵極和源極之間串接有Tl，在OLED和DTFT的源極之間串接有T3，在T2與Cl的公共連接端與數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata之間串接有T4，在Cl與C2的公共連接端與參考電壓Vkef之間串接有T5。其中，T2、T3的柵極分別用于接收第一控制信號(hào)，響應(yīng)該第一控制信號(hào)，斷開或?qū)?；?、Τ4和Τ5的柵極分別用于接收第二控制信號(hào)，響應(yīng)該第二控制信號(hào)，斷開或?qū)?，本發(fā)明具體實(shí)施例中，Τ4和Τ5的柵極連接，并同時(shí)與第二控制信號(hào)連接。下面結(jié)合圖3所示的時(shí)序圖，對(duì)圖2所示的像素電路結(jié)構(gòu)的工作流程進(jìn)行詳細(xì)介紹:I)時(shí)序圖所示的第①階段，為像素復(fù)位階段:第一控制信號(hào)為低電平，第第二控制信號(hào)為低電平，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata為低電平。參閱圖4所示該第①階段此時(shí)的等效電路，此時(shí)Tl至Τ5均導(dǎo)通。此時(shí)由于Tl導(dǎo)通，DTFT處于二極管鏈接狀態(tài)。此時(shí)DTFT的漏極電壓為VDD+Vth。在第①階段最后，A點(diǎn)電位達(dá)到VDD+Vth，B點(diǎn)電位為VKEF，C點(diǎn)電位為VDD。本發(fā)明具體實(shí)施例中，第三電壓信號(hào)端子Vkef接地連接，因此Vkef為零。2)時(shí)序圖所示的第②階段，為數(shù)據(jù)寫入階段:此時(shí)第一控制信號(hào)處于高電電平、第二控制信號(hào)處于低電平、數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata為高電平。參閱圖5所示第②階段的等效電路，此時(shí)T1、T4和T5導(dǎo)通，Τ2、Τ3斷開。由于串接于DTFT的柵極與源極之間的Tl導(dǎo)通，因此DTFT繼續(xù)保持二極管連接狀態(tài)，A點(diǎn)電位保持不變；由于Τ5導(dǎo)通，因此Cl與C2的公共連接端B處的電位Vkef為零；由于Τ2斷開，Τ4導(dǎo)通，因此Τ2與Cl的公共連接端C處的電位為Vdata, Cl和C2均處于充電狀態(tài)。3)時(shí)序圖所示的第③階段，為發(fā)光階段:此時(shí)第一控制信號(hào)處于低電平、第二控制信號(hào)處于高電平，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata為低電平。參閱圖6所示的該第③階段的等效電路圖，此時(shí)Τ1、Τ4和Τ5斷開，Τ2和Τ3導(dǎo)通。由于Τ2導(dǎo)通，因此Τ2與Cl的公共連接端C處的電位變?yōu)閂DD，由于T5斷開，Cl和C2共用一個(gè)電極，B點(diǎn)電位提高至VKEF+VDD-Vdata，同時(shí)A點(diǎn)電位提高至2VDD+Vth-Vdata。此時(shí)，對(duì)于DTFT而言，柵極與源極之間的電壓差Vgs=VDD+Vth-Vdata，DTFT此時(shí)處于飽和狀態(tài)，為發(fā)光器件OLED充電，所輸出電流為:
權(quán)利要求
1.一種像素電路，包括在第一電壓信號(hào)端子和第二電壓信號(hào)端子之間串聯(lián)的發(fā)光器件和用于驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)晶體管，其特征在于，所述像素電路還包括發(fā)光控制模塊和補(bǔ)償模塊，其中: 所述發(fā)光控制模塊的輸入端與第一控制信號(hào)連接，輸出端分別與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極連接，所述發(fā)光控制模塊用于響應(yīng)所述第一控制信號(hào)，控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的狀態(tài)，使所述發(fā)光器件發(fā)光或關(guān)閉； 所述補(bǔ)償模塊的輸入端與第二控制信號(hào)連接，輸出端分別與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極、源極和所述發(fā)光控制模塊連接，所述補(bǔ)償模塊用于響應(yīng)所述第二控制信號(hào)，斷開或?qū)ㄋ鲵?qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間的連接，使所述發(fā)光器件發(fā)光時(shí)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極處的電壓補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述發(fā)光控制模塊具體包括: 第二開關(guān)晶體管，所述第二開關(guān)晶體管的柵極與所述第一控制信號(hào)連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極連接； 第三開關(guān)晶體管，所述第三開關(guān)晶體管的柵極與所述第一控制信號(hào)連接，用于響應(yīng)所述第一控制信號(hào)，斷開或?qū)ㄋ鲵?qū)動(dòng)晶體管與所述發(fā)光器件的連接，所述第三開關(guān)晶體管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接，所述第三開關(guān)晶體管的源極與所述發(fā)光器件連接; 所述補(bǔ)償模塊具體包括: 串聯(lián)設(shè)置在所述第二開關(guān)晶體管的漏極和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極之間的第一電容和第二電容； 第一開關(guān)晶體管，設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間，所述第一開關(guān)晶體管的柵極與所述第二控制信號(hào)連接，用于響應(yīng)所述第二控制信號(hào)，斷開或?qū)ㄋ鲵?qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間的連接。
3.如權(quán)利要求2所述的像素電路，其特征在于，所述補(bǔ)償模塊還包括: 第五開關(guān)晶體管，所述第五開關(guān)晶體管的柵極與所述第二控制信號(hào)連接，所述第五開關(guān)晶體管的源極與參考電壓連接，所述第五開關(guān)晶體管的漏極與所述第一電容與所述第二電容之間的公共連接端連接。
4.如權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，所述補(bǔ)償模塊還包括: 第四開關(guān)晶體管，設(shè)置于數(shù)據(jù)信號(hào)端子和所述第二開關(guān)晶體管與所述第一電容的公共連接端之間，且所述第四開關(guān)晶體管的柵極與所述第二控制信號(hào)連接，所述第四開關(guān)晶體管的漏極與所述第一電容的一端連接，所述第四開關(guān)晶體管的源極與數(shù)據(jù)信號(hào)連接。
5.如權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，所述參考電壓接地連接。
6.如權(quán)利要求2所述的像素電路，其特征在于: 在第一階段，所述第一控制信號(hào)和所述第二控制信號(hào)輸出低電平，使所述第一開關(guān)晶體管、所述第二開關(guān)晶體管和所述第三開關(guān)晶體管均導(dǎo)通，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與漏極連接； 在第二階段，所述第一控 制信號(hào)輸出高電平，所述第二控制信號(hào)輸出低電平，使所述第一開關(guān)晶體管導(dǎo)通，所述第二開關(guān)晶體管和所述第三開關(guān)晶體管斷開，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與漏極保持連接；在第三階段，所述第一控制信號(hào)輸出低電平，所述第二控制信號(hào)輸出高電平，使所述第一開關(guān)晶體管斷開，所述第二開關(guān)晶體管和所述第三開關(guān)晶體管導(dǎo)通，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與漏極斷開，所述驅(qū)動(dòng)晶體管飽和，所述發(fā)光器件發(fā)光。
7.一種用于驅(qū)動(dòng)如權(quán)利要求1所述像素電路的方法，其特征在于，所述方法包括: 在第一階段，施加所述第一控制信號(hào)和所述第二控制信號(hào)，所述發(fā)光控制模塊響應(yīng)所述第一控制信號(hào)，所述補(bǔ)償模塊響應(yīng)所述第二控制信號(hào)，使所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與漏極連接； 在第二階段，施加所述第一控制信號(hào)和所述第二控制信號(hào)，所述發(fā)光控制模塊響應(yīng)所述第一控制信號(hào)，所述補(bǔ)償模塊響應(yīng)所述第二控制信號(hào)，使所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與漏極保持連接； 在第三階段，施加所述第一控制信號(hào)和所述第二控制信號(hào)，所述發(fā)光控制模塊響應(yīng)所述第一控制信號(hào)，所述補(bǔ)償模塊響應(yīng)所述第二控制信號(hào)，使所述驅(qū)動(dòng)晶體管飽和，所述發(fā)光器件發(fā)光。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于: 所述發(fā)光控制模塊具體包括: 第二開關(guān)晶體管，所述第二開關(guān)晶 體管的柵極與所述第一控制信號(hào)連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極連接； 第三開關(guān)晶體管，所述第三開關(guān)晶體管的柵極與所述第一控制信號(hào)連接，用于響應(yīng)所述第一控制信號(hào)，斷開或?qū)ㄋ鲵?qū)動(dòng)晶體管與所述發(fā)光器件的連接，所述第三開關(guān)晶體管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接，所述第三開關(guān)晶體管的源極與所述發(fā)光器件連接; 所述補(bǔ)償模塊具體包括: 串聯(lián)設(shè)置在所述第二開關(guān)晶體管的漏極和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極之間的第一電容和第二電容； 第一開關(guān)晶體管，設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間，所述第一開關(guān)晶體管的柵極與所述第二控制信號(hào)連接，用于響應(yīng)所述第二控制信號(hào)，斷開或?qū)ㄋ鲵?qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間的連接； 第五開關(guān)晶體管，所述第五開關(guān)晶體管的柵極與所述第二控制信號(hào)連接，所述第五開關(guān)晶體管的源極與參考電壓連接，所述第五開關(guān)晶體管的漏極與所述第一電容與所述第二電容之間的公共連接端連接； 第四開關(guān)晶體管，設(shè)置于數(shù)據(jù)信號(hào)端子和所述第二開關(guān)晶體管與所述第一電容的公共連接端之間，且所述第四開關(guān)晶體管的柵極與所述第二控制信號(hào)連接，所述第四開關(guān)晶體管的漏極與所述第一電容的一端連接，所述第四開關(guān)晶體管的源極與數(shù)據(jù)信號(hào)連接； 其中，在所述第一階段，所述第一開關(guān)晶體管、所述第二開關(guān)晶體管、所述第三開關(guān)晶體管、所述第四開關(guān)晶體管和所述第五開關(guān)晶體管均導(dǎo)通； 在所述第二階段，所述第一開關(guān)晶體管、所述第四開關(guān)晶體管和所述第五開關(guān)晶體管導(dǎo)通，所述第二開關(guān)晶體管和所述第三開關(guān)晶體管斷開； 在所述第三階段，所述第一開關(guān)晶體管、所述第四開關(guān)晶體管和所述第五開關(guān)晶體管斷開，所述第二開關(guān)晶體管和所述第三開關(guān)晶體管導(dǎo)通。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在所述第一階段，所述第一控制信號(hào)和所述第二控制信號(hào)輸出低電平，所述數(shù)據(jù)信號(hào)輸出低電平；在所述第二階段，所述第一控制信號(hào)輸出高電平，所述第二控制信號(hào)輸出低電平，所述數(shù)據(jù)信號(hào)輸出高電平；在所述第三階段，所述第一控制信號(hào)輸出低電平，所述第二控制信號(hào)輸出高電平，所述數(shù)據(jù)信號(hào)輸出低電平。
10.一種顯示裝置 ，包括如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的像素電路。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置。所述像素電路包括在第一電壓信號(hào)端子和第二電壓信號(hào)端子之間串聯(lián)的發(fā)光器件和驅(qū)動(dòng)晶體管，還包括發(fā)光控制模塊和補(bǔ)償模塊；發(fā)光控制模塊的輸入端與第一控制信號(hào)連接，輸出端分別與驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極連接，用于響應(yīng)第一控制信號(hào)，控制驅(qū)動(dòng)晶體管的狀態(tài)，使發(fā)光器件發(fā)光或關(guān)閉；補(bǔ)償模塊的輸入端與第二控制信號(hào)連接，輸出端分別與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極、源極和發(fā)光控制模塊連接，用于響應(yīng)第二控制信號(hào)，斷開或?qū)?qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間的連接，使發(fā)光器件發(fā)光時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極處的電壓補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓。通過以上方案，本發(fā)明能夠解決發(fā)光二極管發(fā)光亮度均勻性差的問題。
文檔編號(hào)G09G3/32GK103198793SQ201310108949
公開日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2013年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月29日
發(fā)明者金泰逵, 孫拓 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司