本實用新型涉及LED 驅(qū)動電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于MCU的光控電源。

背景技術(shù)：

光控電源的功能：是在光暗到一定程度時，它才會有輸出。當亮到一定程度會變?yōu)榇龣C狀態(tài)。為了實現(xiàn)光控的功能，目前現(xiàn)有的方案多采用的是光敏電阻，通過光敏電阻來檢測光照強度，反饋給電源芯片來控制輸出。

用光敏電阻的這種方案，存在兩個缺點：1、光敏電阻使用壽命較短，從而影響了整個電源板的壽命；2、使用過程中，會存在有半導(dǎo)通的狀態(tài)，導(dǎo)致輸出存在小幅度的電壓波動，影響了電源的穩(wěn)定性；3、光敏電阻消耗的功率較大，影響電源的六級能效要求。因此，在這方面還需要進一步研究。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型所要解決的技術(shù)問題是，克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種低功耗的基于MCU的光控電源，本實用新型采用如下的技術(shù)方案。

基于MCU的光控電源，其特征在于，包括：整流單元、EMI濾波單元、穩(wěn)壓單元、儲能單元、MCU光控單元和開關(guān)單元。

EMI濾波單元包括：電阻R5、R7、R11、RC1，電容C6，二極管D5；穩(wěn)壓單元包括：PWM電源IC U1，電阻R2、R3、R4、R6、R9、R12、R13、R14、R15、R16、RJ1，電容C1、C2、C4、C8，電解電容EC3、EC4，二極管D2、D3、D4，MOS管Q1，光耦二極管U2A；儲能單元包括：變壓器T1A，電阻R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24、R25，電容C9、C10、C11，電解電容EC5，二極管D6，穩(wěn)壓管Q2，光耦二極管U2B；MCU光控單元包括：MCU芯片U4，電阻R1、R8、RJ2，電容C3、C5、C7，電解電容EC2，二極管D1，穩(wěn)壓管ZD1，接入點X1、X2；開關(guān)單元包括：電阻R26、R27、R28，電解電容EC6，MOS管Q3，電感LF2。

整流單元的輸入端連接上一級調(diào)光器的輸出端；EMI濾波單元的輸入端連接整流單元的輸出端；EMI濾波單元的輸出端連接儲能單元的變壓器T1A輸入繞組的一次側(cè)；穩(wěn)壓單元的電壓輸入端通過電阻R2連接上一級調(diào)光器的輸出端；穩(wěn)壓單元的輸出端連接儲能單元的變壓器T1A輸入繞組的二次側(cè)；儲能單元的輸出端連接開關(guān)單元；MCU光控單元的輸出端通過電阻R26連接開關(guān)單元的MOS管Q3的柵極。

MCU光控單元的輸入端連接12V直流電源，12V直流電源與電阻R1串聯(lián)的一端、穩(wěn)壓管ZD1的一端、電解電容EC2的一端、電容C3的一端、電容C7的一端以及接入點X1的一端一并連接到MCU芯片U4的第1引腳；電阻R8的一端、電容C5的一端以及接入點X2一并連接到MCU芯片U4的第5引腳；MOS管Q3的柵極和電阻R27的一端并聯(lián)后串聯(lián)電阻R26連接到MCU芯片U4的第6引腳；接入點X1、X2為光敏二極管的焊接點。

進一步地，整流單元包括：壓敏電阻MOV1，自恢復(fù)保險絲FUSE1，電阻RX1、RX2，電容CX1、CY1、CY2，整流橋B1以及電解電容EC1。

進一步地，所述MOS管Q1、Q3為N型MOS管。

進一步地，所述電感LF2為共模電感。

實施本實用新型的有益效果在于：采用光敏二極管取代光敏電阻的方案，由于光敏二極管的使用壽命高于光敏電阻，電源的使用壽命也相應(yīng)的提高；通過MCU芯片控制來實現(xiàn)光控，可以芯片具有濾波的效果，使輸出電壓波動較小，提高了電源的穩(wěn)定性；光敏二極管的功耗小于光敏電阻，可以提高電源的整體效率，有利于電源達到六級能效要求；綜合以上三點使電源的整體性能大大的提高。

附圖說明

附圖1為本實用新型的電路原理圖。

具體實施方式

基于MCU的光控電源，包括：整流單元1、EMI濾波單元2、穩(wěn)壓單元3、儲能單元4、MCU光控單元5和開關(guān)單元6。

EMI濾波單元2包括：電阻R5、R7、R11、RC1，電容C6，二極管D5；穩(wěn)壓單元3包括：PWM電源IC U1，電阻R2、R3、R4、R6、R9、R12、R13、R14、R15、R16、RJ1，電容C1、C2、C4、C8，電解電容EC3、EC4，二極管D2、D3、D4，MOS管Q1，光耦二極管U2A；儲能單元4包括：變壓器T1A，電阻R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24、R25，電容C9、C10、C11，電解電容EC5，二極管D6，穩(wěn)壓管Q2，光耦二極管U2B；MCU光控單元5包括：MCU芯片U4，電阻R1、R8、RJ2，電容C3、C5、C7，電解電容EC2，二極管D1，穩(wěn)壓管ZD1，接入點X1、X2；開關(guān)單元6包括：電阻R26、R27、R28，電解電容EC6，MOS管Q3，電感LF2。

整流單元1的輸入端連接上一級調(diào)光器的輸出端；EMI濾波單元2的輸入端連接整流單元1的輸出端；EMI濾波單元2的輸出端連接儲能單元4的變壓器T1A輸入繞組的一次側(cè)；穩(wěn)壓單元3的電壓輸入端通過電阻R2連接上一級調(diào)光器的輸出端；穩(wěn)壓單元3的輸出端連接儲能單元4的變壓器T1A輸入繞組的二次側(cè)；儲能單元4的輸出端連接開關(guān)單元6；MCU光控單元5的輸出端通過電阻R26連接開關(guān)單元6的MOS管Q3的柵極。

MCU光控單元5的輸入端連接12V直流電源，12V直流電源與電阻R1串聯(lián)的一端、穩(wěn)壓管ZD1的一端、電解電容EC2的一端、電容C3的一端、電容C7的一端以及接入點X1的一端一并連接到MCU芯片U4的第1引腳；電阻R8的一端、電容C5的一端以及接入點X2一并連接到MCU芯片U4的第5引腳；MOS管Q3的柵極和電阻R27的一端并聯(lián)后串聯(lián)電阻R26連接到MCU芯片U4的第6引腳；接入點X1、X2為光敏二極管的焊接點。

進一步地，整流單元1包括：壓敏電阻MOV1，自恢復(fù)保險絲FUSE1，電阻RX1、RX2，電容CX1、CY1、CY2，整流橋B1以及電解電容EC1。

進一步地，所述MOS管Q1、Q3為N型MOS管。

進一步地，所述電感LF2為共模電感。

在加入MCU芯片U4的情況下，就需要有穩(wěn)定的電壓給MCU芯片U4供電，12V直流電源通過電阻R1降壓，以及穩(wěn)壓管ZD1提供穩(wěn)定的電壓給MCU芯片U4供電，MCU芯片U4在檢測電阻R8兩端的電壓，來控制MOS管Q3的導(dǎo)通與斷開，進而控制輸出。

在接入點X1、X2位置焊接上光敏二極管，當光照強度超過設(shè)定值時，光敏二極管兩端電流增大導(dǎo)致電阻R8兩端的電壓升高；MCU芯片U4檢測到電阻R8兩端電壓高于設(shè)定電壓時，MCU芯片U4的第6腳輸出低電平，使MOS管Q3斷開，進而輸出斷開；當光照強度低于設(shè)定的值時，光敏二極管兩端電流減小或截止導(dǎo)致電阻R8兩端的電壓降低；MCU芯片U4檢測到電阻R8兩端電壓低于設(shè)定電壓時，MCU芯片U4第6腳輸出高電平，使MOS管Q3導(dǎo)通，進而輸出導(dǎo)通。

采用光敏二極管取代光敏電阻的方案，由于光敏二極管的使用壽命高于光敏電阻，電源的使用壽命也相應(yīng)的提高；通過MCU芯片控制來實現(xiàn)光控，可以芯片具有濾波的效果，使輸出電壓波動較小，提高了電源的穩(wěn)定性；光敏二極管的功耗小于光敏電阻，可以提高電源的整體效率，有利于電源達到六級能效要求；綜合以上三點使電源的整體性能大大的提高。

以上所述僅是本實用新型的較佳實施方式，故凡依本實用新型專利申請范圍所述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾，均包括于本實用新型專利申請范圍內(nèi)。