一種amoled像素驅(qū)動(dòng)電路及像素驅(qū)動(dòng)方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路及像素驅(qū)動(dòng)方法，AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路包括內(nèi)部像素電路與外部補(bǔ)償電路，所述內(nèi)部像素電路設(shè)有至少一子像素電路，所述子像素電路設(shè)有第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T1?1、T1?2……T1?N)、第二開關(guān)薄膜晶體管(T2?1、T2?2……T2?N)、內(nèi)部電容(C1?1、C1?2……C1?N)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)；所述外部補(bǔ)償電路設(shè)有第三開關(guān)薄膜晶體管(T3)、第四開關(guān)薄膜晶體管(T4)、第五開關(guān)薄膜晶體管(T5)、第六開關(guān)薄膜晶體管(T6)、外部電容(C2)；本發(fā)明通過使內(nèi)部像素電路的單個(gè)或子像素電路采用2T1C電路結(jié)構(gòu)，并通過外部補(bǔ)償電路補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓的不均勻性及漂移，使AMOLED長(zhǎng)時(shí)間均勻發(fā)光，并且降低功耗、提高分辨率。
【專利說明】
一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路及像素驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及AMOLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路及像素驅(qū)動(dòng)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(ActiveMatrix/Organic Light EmittingD1de，簡(jiǎn)稱AMOLED)主要采用低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)背板，但由于低溫多晶硅薄膜晶體管的晶粒大小不一，晶界排列無序，導(dǎo)致其電學(xué)特性均勻性差，因此，采用最簡(jiǎn)單的2T1C電路，即兩個(gè)薄膜晶體管和一個(gè)電容組成的電路，難以滿足AMOLED均勻發(fā)光的要求；并且由于晶界的存在，低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)的漏電流很大，這就使得像素電路必須具有足夠大的存儲(chǔ)電容以保證一幀內(nèi)顯示內(nèi)容的不失真。而大的存儲(chǔ)電容占用的面積大，使單個(gè)像素面積增加，AMOLED分辨率下降。
[0003]為提高低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPSTFT)背板的電學(xué)特性均勻性，需要對(duì)單個(gè)或子像素進(jìn)行內(nèi)部或外部補(bǔ)償?，F(xiàn)有技術(shù)中，采用內(nèi)部補(bǔ)償方式，即通過增加單個(gè)或子像素內(nèi)部的薄膜晶體管和電容數(shù)量，來改善LTPS TFT背板的電學(xué)均勻性;現(xiàn)有的AMOLED顯示屏，其單個(gè)或子像素內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)為7T1C，即七個(gè)薄膜晶體管和一個(gè)電容組成的電路，這種方式雖然使低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)背板獲得了均勻的電學(xué)特性，但是，由于子像素內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，薄膜晶體管和電容數(shù)量較多，需要占用的面積較大，即使采用頂部發(fā)光(top emiss1n)結(jié)構(gòu)，也難以滿足高分辨率(>500ppi)的顯示要求，因此，必須開發(fā)更合適的補(bǔ)償電路和補(bǔ)償方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路及像素驅(qū)動(dòng)方法，通過使內(nèi)部像素電路的單個(gè)或子像素電路采用2T1C電路結(jié)構(gòu)，并通過外部補(bǔ)償電路補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓的不均勻性及漂移，使AMOLED長(zhǎng)時(shí)間均勻發(fā)光，并且降低功耗、提高分辨率。
[0005]為解決上述問題，本發(fā)明一方面提供一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，包括內(nèi)部像素電路與外部補(bǔ)償電路；
[0006]所述內(nèi)部像素電路設(shè)有至少一子像素電路，所述子像素電路設(shè)有第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、第二開關(guān)薄膜晶體管、內(nèi)部電容、有機(jī)發(fā)光二極管;第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極連接內(nèi)部節(jié)點(diǎn)，其漏極串接有機(jī)發(fā)光二極管電源電壓，其源極連接外部補(bǔ)償電路;第二開關(guān)薄膜晶體管的柵極連接掃描信號(hào)線，其源極連接數(shù)據(jù)信號(hào)線，其漏極連接所述內(nèi)部節(jié)點(diǎn)；內(nèi)部電容的一端連接所述內(nèi)部節(jié)點(diǎn)，另一端連接外部補(bǔ)償電路；
[0007]所述外部補(bǔ)償電路設(shè)有第三開關(guān)薄膜晶體管、第四開關(guān)薄膜晶體管、第五開關(guān)薄膜晶體管、第六開關(guān)薄膜晶體管、外部電容;第四開關(guān)薄膜晶體管的柵極連接第一在前掃描信號(hào)線，其源極與漏極分別連接外部電容的兩端，所述外部電容的兩端分別連接第一外部節(jié)點(diǎn)和第二外部節(jié)點(diǎn)；所述第一外部節(jié)點(diǎn)還連接所述內(nèi)部電容的另一端;第五開關(guān)薄膜晶體管的柵極連接第一掃描信號(hào)線，其源極接地，其漏極連接所述第一外部節(jié)點(diǎn);第三開關(guān)薄膜晶體管的柵極連接第二掃描信號(hào)線，其源極連接所述第二外部節(jié)點(diǎn)，其漏極連接所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極;第六開關(guān)薄膜晶體管(T6)的柵極連接第三掃描信號(hào)線，其源極接地，其漏極連接所述第二外部節(jié)點(diǎn)；第三掃描信號(hào)線連接所述第二開關(guān)薄膜晶體管的柵極。
[0008]進(jìn)一步地，所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、第三開關(guān)薄膜晶體管、第四開關(guān)薄膜晶體管、第五開關(guān)薄膜晶體管、第六開關(guān)薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管，所述低溫多晶硅薄膜晶體管均為P型薄膜晶體管;所述第二開關(guān)薄膜晶體管均為氧化物薄膜晶體管，所述氧化物薄膜晶體管均為N型氧化物薄膜晶體管。
[0009]本發(fā)明另一方面提供一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)方法，包括如下步驟:
[0010]S1.將第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、第二開關(guān)薄膜晶體管、內(nèi)部電容、有機(jī)發(fā)光二極管、第三開關(guān)薄膜晶體管、第四開關(guān)薄膜晶體管、第五開關(guān)薄膜晶體管、第六開關(guān)薄膜晶體管、夕卜部電容、以及第一在前掃描信號(hào)線、第一掃描信號(hào)線、第二掃描信號(hào)線、第三掃描信號(hào)線、數(shù)據(jù)信號(hào)線連接成所述AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路；
[0011]S2.外部電容重置階段:
[0012]第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、第四開關(guān)薄膜晶體管、第六開關(guān)薄膜晶體管導(dǎo)通，其他薄膜晶體管截止，將外部電容重置；
[0013]S3.外部電容儲(chǔ)存第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓Vth-drivingTFT階段:
[0014]數(shù)據(jù)信號(hào)線輸入使內(nèi)部像素電路產(chǎn)生電流的固定電壓Vlciw，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、第二開關(guān)薄膜晶體管、第三開關(guān)薄膜晶體管、第五開關(guān)薄膜晶體管導(dǎo)通，其他薄膜晶體管截止，內(nèi)部像素電路所產(chǎn)生的電流流入外部電容，對(duì)所述外部電容充電至其儲(chǔ)存的電壓Vba為
(V1w-Vth-drivingTFT );
[0015]S4.內(nèi)部電容儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)線輸入的灰階電壓階段:
[0016]數(shù)據(jù)信號(hào)線輸入灰階電壓Vdata，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、第二開關(guān)薄膜晶體管、第五開關(guān)薄膜晶體管導(dǎo)通，其他薄膜晶體管截止，內(nèi)部電容儲(chǔ)存的電壓VcA = Vdata;
[0017]S5.內(nèi)部電容與外部電容串接階段:
[0018]第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、第六開關(guān)薄膜晶體管導(dǎo)通，其他薄膜晶體管截止，內(nèi)部電容與外部電容串接電壓Vcb= (Vga+Vab) = (Vdata-Vlow+Vth—drivingTFT)；
[0019]S6.有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段:
[0020]第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、第三開關(guān)薄膜晶體管、第六開關(guān)薄膜晶體管導(dǎo)通，其他薄膜晶體管截止，內(nèi)部電容與外部電容串接，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管工作在飽和區(qū)，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管電流 1LED = (1/2) *y*Co X* ( W/L ) * ( Vdata-Vlow )2 O
[0021]進(jìn)一步地，在SI中，第一在前掃描信號(hào)線、第三掃描信號(hào)線提供低電平，其他信號(hào)線提供高電平；
[0022]在S2中，第一掃描信號(hào)線、第二掃描信號(hào)線、數(shù)據(jù)信號(hào)線提供低電平，其他信號(hào)線提供高電平；
[0023]在S3中，第一掃描信號(hào)線、數(shù)據(jù)信號(hào)線提供低電平，其他信號(hào)線提供高電平；
[0024]在S4中，第三掃描信號(hào)線提供低電平，其他信號(hào)線提供高電平；
[0025]在S5中，第二掃描信號(hào)線、第三掃描信號(hào)線提供低電平，其他信號(hào)線提供高電平。
[0026]本發(fā)明獲得的有益效果是:
[0027]通過使內(nèi)部像素電路的單個(gè)或子像素電路采用2T1C電路結(jié)構(gòu)，并通過外部補(bǔ)償電路補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓的不均勻性及漂移，提供穩(wěn)定的電流驅(qū)動(dòng)特性，使AMOLED長(zhǎng)時(shí)間均勻發(fā)光；
[0028]本發(fā)明采用氧化物薄膜晶體管(OxideTFT)作為開關(guān)薄膜晶體管，由于氧化物薄膜晶體管(Ox ide TFT)的漏電流比低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)低2_3個(gè)數(shù)量級(jí)，因此，將減小內(nèi)部存儲(chǔ)電容面積，從而減小單個(gè)子像素的面積，獲得降低功耗、提高AMOLED分辨率的技術(shù)效果；
[0029]本發(fā)明的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路中低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPSTFT)都采用P型薄膜晶體管，減少摻雜MASK數(shù)量，降低成本。
【附圖說明】
[0030]圖1是本發(fā)明一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031 ]圖2是圖1中AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路的控制彳目號(hào)時(shí)序不意圖；
[0032]圖3是本發(fā)明一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)方法步驟一的電流流向示意圖；
[0033]圖4是本發(fā)明一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)方法步驟二的電流流向示意圖；
[0034]圖5是本發(fā)明一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)方法步驟三的電流流向示意圖；
[0035]圖6是本發(fā)明一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)方法步驟四的電流流向示意圖；
[0036]圖7是本發(fā)明一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)方法步驟五的電流流向示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]下面將結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚的描述，附圖僅供參考和說明使用，不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明專利保護(hù)范圍的限制。
[0038]本發(fā)明提供一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，包括內(nèi)部像素電路與外部補(bǔ)償電路，如圖1所示，內(nèi)部像素電路在顯示區(qū)域外圍通過水平掃描線串接外部補(bǔ)償電路，虛線左下方為外部補(bǔ)償電路，采用4T1C電路結(jié)構(gòu);虛線右上方為內(nèi)部像素電路，采用2T1C電路結(jié)構(gòu)；
[0039]所述內(nèi)部像素電路設(shè)有至少一子像素電路，圖1中示出了兩個(gè)子像素電路，還可以設(shè)置多個(gè)子像素電路，所述子像素電路設(shè)有第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T1-^IV2……Th、第二開關(guān)薄膜晶體管T2-^IV2……T2-N、內(nèi)部電容CkXh……C1-N、有機(jī)發(fā)光二極管OLED;第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TnIV2……T1-N的柵極連接內(nèi)部節(jié)點(diǎn)G1X2……Gn，其漏極串接有機(jī)發(fā)光二極管OLED電源電壓VDD，其源極連接外部補(bǔ)償電路;第二開關(guān)薄膜晶體管T2-^iv2……IVn的柵極連接掃描信號(hào)線，其源極連接數(shù)據(jù)信號(hào)線Data line，其漏極連接所述內(nèi)部節(jié)點(diǎn)G1X2……Gn;內(nèi)部電容CuXn……C1-N的一端連接所述內(nèi)部節(jié)點(diǎn)G^G2……Gn，另一端連接外部補(bǔ)償電路；
[0040]所述外部補(bǔ)償電路設(shè)有第三開關(guān)薄膜晶體管T3、第四開關(guān)薄膜晶體管T4、第五開關(guān)薄膜晶體管Τ5、第六開關(guān)薄膜晶體管Τ6、外部電容C2;第四開關(guān)薄膜晶體管T4的柵極連接第一在前掃描信號(hào)線308111(11-1)，其源極與漏極分別連接外部電容(:2的兩端，所述外部電容(:2的兩端分別連接第一外部節(jié)點(diǎn)A和第二外部節(jié)點(diǎn)B;所述第一外部節(jié)點(diǎn)A還連接所述內(nèi)部電容C1-1、C1-2......C1-N的另一端；第五開關(guān)薄膜晶體管T5的柵極連接第一掃描信號(hào)線Scan I
U)，其源極接地Vss，其漏極連接所述第一外部節(jié)點(diǎn)A;第三開關(guān)薄膜晶體管T3的柵極連接第二掃描信號(hào)線Scan2(n)，其源極連接所述第二外部節(jié)點(diǎn)B，其漏極連接所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管ThJh……T1-N的源極;第六開關(guān)薄膜晶體管T6的柵極連接第三掃描信號(hào)線Scan3(η)，其源極接地Vss，其漏極連接所述第二外部節(jié)點(diǎn)B;第三掃描信號(hào)線(Scan3(n))連接所述第二開關(guān)薄膜晶體管(T2-l、T2-2......Τ2-Ν)的柵極。
[0041 ]在本實(shí)施例的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路中，有機(jī)發(fā)光二極管OLED位于第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Th'Th……T1-N的漏極端，則有機(jī)發(fā)光二極管OLED自身跨壓的變化(如由于材料降解等引起的變化)不會(huì)引起源極端的電位變化，也就不會(huì)對(duì)流過其電流1LED造成影響。
[0042]本發(fā)明的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路利用外部補(bǔ)償電路儲(chǔ)存驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓，將單個(gè)或子像素內(nèi)部補(bǔ)償轉(zhuǎn)化為外部補(bǔ)償方式，降低了背板制作難度，避免閾值電壓V th-drivingTFT的不均勾性及其不穩(wěn)定性對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管電流I ClLED造成影響。
[0043]在本實(shí)施例中，所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1-^IV2……IVn、第三開關(guān)薄膜晶體管T3、第四開關(guān)薄膜晶體管T4、第五開關(guān)薄膜晶體管T5、第六開關(guān)薄膜晶體管T6為低溫多晶硅薄膜晶體管LTPS TFT，為了便于低溫多晶硅薄膜晶體管制備，減少M(fèi)ASK數(shù)量，降低成本，本電路中低溫多晶硅薄膜晶體管均為P型薄膜晶體管;所述第二開關(guān)薄膜晶體管T2-^IV2……IVn均為氧化物薄膜晶體管，所述氧化物薄膜晶體管均為N型氧化物薄膜晶體管。
[0044]其中，氧化物薄膜晶體管OxideTFT的漏電流極低，使得存儲(chǔ)電容在顯示的一幀時(shí)間內(nèi)，經(jīng)氧化物薄膜晶體管Oxide TFT損失的電量極少，只需要很小的電容容量即可滿足正常顯示的需求。
[0045]外部補(bǔ)償電路中的薄膜晶體管均采用低溫多晶硅薄膜晶體管LTPSTFT，降低功耗、減小邊框?qū)挾取?br>[0046]在本實(shí)施例中，低溫多晶硅薄膜晶體管LTPSTFT和氧化物薄膜晶體管Oxide TFT聯(lián)合使用，降低AMOLED功耗、增加AMOLED分辨率。其中，Oxide TFT做為開關(guān)管，減小了存儲(chǔ)電容面積和漏電流;LTPS TFT做為驅(qū)動(dòng)管，提供穩(wěn)定的電流驅(qū)動(dòng)特性。
[0047]在本實(shí)施例中，低溫多晶硅薄膜晶體管LTPSTFT全部為P型薄膜晶體管，減少了MASK使用數(shù)量，降低了背板制作成本。
[0048]本發(fā)明還提供一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)方法，包括如下步驟:
[0049]S1.將第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TnIV2……Tm、第二開關(guān)薄膜晶體管T2-^IV2……T2-N、內(nèi)部電容Cu、C1-2……C1-N、有機(jī)發(fā)光二極管OLED、第三開關(guān)薄膜晶體管T3、第四開關(guān)薄膜晶體管T4、第五開關(guān)薄膜晶體管T5、第六開關(guān)薄膜晶體管T6、外部電容&、以及第一在前掃描信號(hào)線Scanl(η-1)、第一掃描信號(hào)線Scanl(n)、第二掃描信號(hào)線Scan2(n)、第三掃描信號(hào)線Scan3(n)、數(shù)據(jù)信號(hào)線Data line連接成所述AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路；
[0050]S2.外部電容C2重置階段:
[0051 ]如圖3所不，第一在前掃描信號(hào)線Scanl (n-1)、第三掃描信號(hào)線Scan3(η)提供低電平，第一掃描信號(hào)線Scan I (η)、第二掃描信號(hào)線Scan2 (η)、數(shù)據(jù)信號(hào)線Data I ine提供高電平，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1-^IV2……IVn、第四開關(guān)薄膜晶體管T4、第六開關(guān)薄膜晶體管T6導(dǎo)通，第二開關(guān)薄膜晶體管T2-^IV2……IVn、第三開關(guān)薄膜晶體管Τ3、第五開關(guān)薄膜晶體管T5截止，將外部電容C道置;使電路做補(bǔ)償時(shí)不會(huì)受到上一畫面電壓影響，每次補(bǔ)償都能以相同狀態(tài)開發(fā)，以第n-1條掃描線作為控制第η條掃描線上第四開關(guān)薄膜晶體管T4的信號(hào)線，使重置的動(dòng)作在每一條掃描線信號(hào)到達(dá)前完成。
[0052]S3.外部電容&儲(chǔ)存第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TnIV2……T1-N的閾值電壓Vth-driving TFT階段:如圖4所示，第一在前掃描信號(hào)線Scanl(n-l)、第三掃描信號(hào)線Scan3(n)提供高電平，第一掃描信號(hào)線Scanl (η)、第二掃描信號(hào)線Scan2(n)、數(shù)據(jù)信號(hào)線Data line提供低電平，其中數(shù)據(jù)信號(hào)線Data line輸入使內(nèi)部像素電路產(chǎn)生電流的固定電壓V1ot，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Tla與Tlb、第二開關(guān)薄膜晶體管T2a與T2b、第三開關(guān)薄膜晶體管T3、第五開關(guān)薄膜晶體管T5導(dǎo)通，第四開關(guān)薄膜晶體管T4、第六開關(guān)薄膜晶體管T6截止，內(nèi)部像素電路所產(chǎn)生的電流流入外部電容C2，對(duì)所述外部電容C2充電，當(dāng)外部電容C2不斷充電，B點(diǎn)電位不斷上升，直到B點(diǎn)電位為Vlow-Vth-driving TFT，像素內(nèi)電路無電流產(chǎn)生，停止對(duì)外部電容C2充電。此時(shí)，外部電容C2所儲(chǔ)存的電壓Vba為V1w-Vth-driving tft；
[0053]S4.內(nèi)部電容CnCn..…C1-N儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)線輸入的灰階電壓階段:
[0054]如圖5所不，第一在前掃描信號(hào)線ScanI (n-1)、第二掃描信號(hào)線Scan2 (η)、第三掃描信號(hào)線Scan3(η)提供高電平，第一掃描信號(hào)線Scanl (η)、數(shù)據(jù)信號(hào)線Data I ine提供低電平，數(shù)據(jù)信號(hào)線Data I ine輸入灰階電壓Vdata，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Τι-ι、Τι-2.….T1-N、第二開關(guān)薄膜晶體管T2-^IV2……IVn、第五開關(guān)薄膜晶體管T5導(dǎo)通，第三開關(guān)薄膜晶體管Τ3、第四開關(guān)薄膜晶體管T4、第六開關(guān)薄膜晶體管T6截止，由于T3斷開，所以不會(huì)有電流通過0LED，內(nèi)部電容C1-UC1-2……Cl-N儲(chǔ)存的電壓Vga=Vdata;
[0055]S5.內(nèi)部電容C1-!、&—2……C1-N與外部電容C2串接階段:
[0056]如圖6所示，為了使內(nèi)部電容&與外部電容&做正確串接，達(dá)到補(bǔ)償閾值電壓作用，并避免在開關(guān)切換時(shí)對(duì)電路操作造成不利影響，第一在前掃描信號(hào)線Scanl(n-l)、第一掃描信號(hào)線30&111(11)、第二掃描信號(hào)線3(^112(11)、數(shù)據(jù)信號(hào)線0&丨& line提供高電平，第三掃描信號(hào)線Scan3(n)提供低電平，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Τι-ι、Τι-2......Τι-ν、第六開關(guān)薄膜晶體管T6導(dǎo)通，第二開關(guān)薄膜晶體管IVhIV2……IVn、第三開關(guān)薄膜晶體管Τ3、第四開關(guān)薄膜晶體管T4、第五開關(guān)薄膜晶體管T5截止，由于第三開關(guān)薄膜晶體管T3斷開，此階段有機(jī)發(fā)光二極管OLED不會(huì)有電流通過，內(nèi)部電容C1-!、C1-2……C1-N與外部電容C2串接電壓Vcb = ( Vga+Vab )
—(Vdata_Vlow+Vth-drivingTFT );
[0057]S6.有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光階段:
[0058]如圖7所示，第一在前掃描信號(hào)線Scanl(n-l)、第一掃描信號(hào)線Scanl(n)、數(shù)據(jù)信號(hào)線Data line提供高電平，第二掃描信號(hào)線Scan2(n)、第三掃描信號(hào)線Scan3(n)提供低電平，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1-^IV2……IVn、第三開關(guān)薄膜晶體管T3、第六開關(guān)薄膜晶體管T6導(dǎo)通，第二開關(guān)薄膜晶體管IVhIV2……T2-N、第四開關(guān)薄膜晶體管T4、第五開關(guān)薄膜晶體管T5截止，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1-^IV2……IVn、第三開關(guān)薄膜晶體管T3、第六開關(guān)薄膜晶體管T6導(dǎo)通，其他薄膜晶體管截止，此時(shí)電路操作類似2T1C結(jié)構(gòu)的操作模式，內(nèi)部電容Cm、Cl-2……C1-N與外部電容C2串接，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1-^IV2……T1-N工作在飽和區(qū)，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1-^IV2……T1-N電流的計(jì)算公式為:
[0059 ] 1LED =(1/2) *μ*(:0Χ* ( W/L ) * ( Vgs-V th-drivingTFT ) 2[0060 ] =(l/2)*y*Cox*(ff/L)*( Vc-Vs-Vth-drivingTFT )2[0061 ] = ( I /2 )( W/L) * ( VcB-Vs-Vth-drivingTFT) 2[0062 ] =(1/2) *y*CoX* ( W/L ) * ( Vdata-Vlow+Vth-drivingTFT-Vth-drivingTFT ) 2[0063 ] =(1/2) *y*Cox* (ff/L) * (Vdata-V1w)2。
[0064]從上述實(shí)施例的第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1-^IV2……T1-N電流計(jì)算公式中可以看到，流過AMOLED電流只與Vdata、Vlciw有關(guān)，和閾值電壓Vth-driving TFT無關(guān)，補(bǔ)償了閾值電壓Vth-driving TFT對(duì)驅(qū)動(dòng)電流的影響，另外，AMOLED與第一驅(qū)動(dòng)晶體管漏極連接，使AMOLED由于材料降解等引起的自身跨壓變化不會(huì)引起第一驅(qū)動(dòng)晶體管源極電位變化，即不會(huì)對(duì)電流Icod造成影響;氧化物薄膜晶體管的漏電流極低，使存儲(chǔ)電容在顯示的一幀時(shí)間內(nèi)，在氧化物薄膜晶體管上損失的電量極少，只需要很小的電容容量即可滿足正常顯示的需求，本發(fā)明采用氧化物薄膜晶體管作為開關(guān)薄膜晶體管，極大地減少了經(jīng)過開關(guān)管的漏電流，從而減少存儲(chǔ)電容面積，降低功耗，同時(shí)減小了單個(gè)子像素面積，進(jìn)一步提高AMOLED的分辨率；在顯示區(qū)域外圍每一條掃描線處設(shè)外部補(bǔ)償電路，解決了因低溫多晶硅薄膜晶體管的閾值電壓不均勻性造成的AMOLED發(fā)光亮度不均勻問題，還極大地減少了單個(gè)子像素內(nèi)部的薄膜晶體管數(shù)量和電容數(shù)量，使單個(gè)子像素電路為最簡(jiǎn)單的2T1C結(jié)構(gòu)，提高了 AMOLED的分辨率。
[0065]如上述實(shí)施例為本發(fā)明較佳的實(shí)施方式，但本發(fā)明的實(shí)施方式并不受上述實(shí)施例的限制，其他的任何未背離本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡(jiǎn)化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:包括內(nèi)部像素電路與外部補(bǔ)償電路； 所述內(nèi)部像素電路設(shè)有至少一子像素電路，所述子像素電路設(shè)有第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl—l、Tl—2......Tl—N)、第二開關(guān)薄膜晶體管(Τ2—1、T2—2......Τ2—N)、內(nèi)部電容(Cl—1、Cl—2......Cl—N)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED);第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T1-^IV2……T1-N)的柵極連接內(nèi)部節(jié)點(diǎn)(G^G2……Gn)，其漏極串接有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)電源電壓(VDD)，其源極連接外部補(bǔ)償電路；第二開關(guān)薄膜晶體管(IVhIV2……T2-N)的柵極連接掃描信號(hào)線，其源極連接數(shù)據(jù)信號(hào)線(Data line)，其漏極連接所述內(nèi)部節(jié)點(diǎn)(G1、G2……Gn);內(nèi)部電容(ChCh……Cu)的一端連接所述內(nèi)部節(jié)點(diǎn)(G^G2……Gn)，另一端連接外部補(bǔ)償電路； 所述外部補(bǔ)償電路設(shè)有第三開關(guān)薄膜晶體管(T3)、第四開關(guān)薄膜晶體管(T4)、第五開關(guān)薄膜晶體管(T5)、第六開關(guān)薄膜晶體管(T6)、外部電容(C2);第四開關(guān)薄膜晶體管(T4)的柵極連接第一在前掃描信號(hào)線(Scanl(n-l))，其源極與漏極分別連接外部電容(C2)的兩端，所述外部電容(C2)的兩端分別連接第一外部節(jié)點(diǎn)(A)和第二外部節(jié)點(diǎn)(B);所述第一外部節(jié)點(diǎn)(A)還連接所述內(nèi)部電容(Cn Xh……C1-N)的另一端;第五開關(guān)薄膜晶體管(T5)的柵極連接第一掃描信號(hào)線(Scanl(n))，其源極接地(Vss)，其漏極連接所述第一外部節(jié)點(diǎn)(A);第三開關(guān)薄膜晶體管(T3)的柵極連接第二掃描信號(hào)線(Scan2(n))，其源極連接所述第二外部節(jié)點(diǎn)(B)，其漏極連接所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T1-^IV2……Th)的源極;第六開關(guān)薄膜晶體管(T6)的柵極連接第三掃描信號(hào)線(Scan3(n))，其源極接地(Vss)，其漏極連接所述第二外部節(jié)點(diǎn)(B);第三掃描信號(hào)線(Scan3(n))連接所述第二開關(guān)薄膜晶體管(T2-^IV2……T2一N)的柵極。2.如權(quán)利要求1所述的一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T1-^IV2……T1-N)、第三開關(guān)薄膜晶體管(T3)、第四開關(guān)薄膜晶體管(T4)、第五開關(guān)薄膜晶體管(T5)、第六開關(guān)薄膜晶體管(T6)為低溫多晶硅薄膜晶體管，所述低溫多晶硅薄膜晶體管均為P型薄膜晶體管;所述第二開關(guān)薄膜晶體管(IVhIV2……IVn)均為氧化物薄膜晶體管，所述氧化物薄膜晶體管均為N型氧化物薄膜晶體管。3.一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，包括如下步驟: 51.將第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TnIV2……Tm)、第二開關(guān)薄膜晶體管(IVhIV2……T2-N)、內(nèi)部電容(ChXh……C1-N)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、第三開關(guān)薄膜晶體管(T3)、第四開關(guān)薄膜晶體管(T4)、第五開關(guān)薄膜晶體管(T5)、第六開關(guān)薄膜晶體管(T6)、外部電容(C2)、以及第一在前掃描信號(hào)線(Scanl (η-1))、第一掃描信號(hào)線(Scanl(η))、第二掃描信號(hào)線(Scan2(n))、第三掃描信號(hào)線(Scan3(n))、數(shù)據(jù)信號(hào)線(Data Iine)連接成所述AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路； 52.外部電容(C2)重置階段: 第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T1-^IV2……Tm)、第四開關(guān)薄膜晶體管(T4)、第六開關(guān)薄膜晶體管(T6)導(dǎo)通，其他薄膜晶體管截止，將外部電容(C2)重置； 53.外部電容(C2)儲(chǔ)存第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl-l、Tl-2......Tl-N)的閾值電壓Vth-driving TFT階段: 數(shù)據(jù)信號(hào)線(Data line)輸入使內(nèi)部像素電路產(chǎn)生電流的固定電壓(V1ot)，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Tl-l、Tl-2......Tl-N)、第二開關(guān)薄膜晶體管(T2-l、T2-2......Τ2-Ν)、第三開關(guān)薄膜晶體管(Τ3)、第五開關(guān)薄膜晶體管(T5)導(dǎo)通，其他薄膜晶體管截止，內(nèi)部像素電路所產(chǎn)生的電流流入外部電容(C2)，對(duì)所述外部電容(C2)充電至其儲(chǔ)存的電壓Vba為(V1wVth-driving tft)； 54.內(nèi)部電容(C1-1、C1-2......C1-N)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)線輸入的灰階電壓階段: 數(shù)據(jù)信號(hào)線(Data I ine)輸入灰階電壓Vdata，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T1-1、T1-2......Τι-ν)、第二開關(guān)薄膜晶體管(IVhIV2……T2-N)、第五開關(guān)薄膜晶體管(T5)導(dǎo)通，其他薄膜晶體管截止，內(nèi)部電容(Ch、C1-2……C1-N)儲(chǔ)存的電壓Vga=Vdata ； 55.內(nèi)部電容(CnCn……C1-N)與外部電容(C2)串接階段:第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T1-^IV2……Tm)、第六開關(guān)薄膜晶體管(T6)導(dǎo)通，其他薄膜晶體管截止，內(nèi)部電容(C1-1、C1-2……C1-N)與外部電容(C2)串接電壓Vcb = ( Vga+Vab ) = (Vdata- Vi?+Vth-driving TFT)； 56.有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)發(fā)光階段: 第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T1-^IV2……Tm)、第三開關(guān)薄膜晶體管(T3)、第六開關(guān)薄膜晶體管(T6)導(dǎo)通，其他薄膜晶體管截止，內(nèi)部電容(CnCn……C1-N)與外部電容(C2)串接，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TnIV2……T1-N)工作在飽和區(qū)，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TnIV2……Th)電流 I ClLED = (1/2) *y*Co X* ( W/L ) * ( Vdata-Vlow ) 2 ο4.如權(quán)利要求3所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于， 在SI中，第一在前掃描信號(hào)線(Scanl(n-l))、第三掃描信號(hào)線(Scan3(n))提供低電平，其他信號(hào)線提供高電平； 在S2中，第一掃描信號(hào)線(303111(11))、第二掃描信號(hào)線(303112(11))、數(shù)據(jù)信號(hào)線(Dataline)提供低電平，其他信號(hào)線提供高電平； 在S3中，第一掃描信號(hào)線(Scanl (η))、數(shù)據(jù)信號(hào)線(Data I ine)提供低電平，其他信號(hào)線提供高電平； 在S4中，第三掃描信號(hào)線(Scan3(n))提供低電平，其他信號(hào)線提供高電平； 在S5中，第二掃描信號(hào)線(Scan2(n))、第三掃描信號(hào)線(Scan3(n))提供低電平，其他信號(hào)線提供高電平。
【文檔編號(hào)】G09G3/3233GK105895022SQ201610229276
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年4月13日
【發(fā)明人】何劍, 蘇君海, 李建華
【申請(qǐng)人】信利（惠州）智能顯示有限公司