Amoled像素驅(qū)動電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種AMOLED像素驅(qū)動電路。
【背景技術(shù)】
[0002]有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Display，OLED)顯示裝置具有自發(fā)光、驅(qū)動電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點，被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示
目.ο
[0003]OLED顯示裝置按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED,PM0LED)和有源矩陣型OLED (Active Matrix OLED, AM0LED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。AMOLED是電流驅(qū)動器件，當(dāng)有電流流過有機發(fā)光二極管時，有機發(fā)光二極管發(fā)光，且發(fā)光亮度由流過有發(fā)光二極管自身的電流決定。由于在AMOLED的驅(qū)動電路中，驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓會隨著工作時間而漂移，從而導(dǎo)致OLED的發(fā)光不穩(wěn)定，因此需要采用能夠補償驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓漂移的像素驅(qū)動電路。
[0004]圖1所示為一種現(xiàn)有的AMOLED像素驅(qū)動電路，包括:第二開關(guān)薄膜晶體管SW2，其柵極電性連接于第η級第二掃描控制信號gate2(n)，源極電性連接于數(shù)據(jù)信號data，漏極電性連接于鏡像薄膜晶體管MR的漏極及第二電容Cst2的一端；鏡像薄膜晶體管MR，其柵極經(jīng)由第一節(jié)點D電性連接于驅(qū)動薄膜晶體管DR的柵極，源極電性連接于第一開關(guān)薄膜晶體管SWl的源極，漏極電性連接于第二開關(guān)薄膜晶體管SW2的漏極及第二電容Cst2的一端；第一開關(guān)薄膜晶體管SW1，其柵極電性連接于第η級第一掃描控制信號gatel (η)，源極電性連接于鏡像薄膜晶體管MR的源極，漏極電性連接于第一節(jié)點D ;預(yù)充電薄膜晶體管PC，其柵極與漏極均電性連接于第η-1級第二掃描控制信號Gate2(n-1)，源極電性連接于第一節(jié)點D ;驅(qū)動薄膜晶體管DR，其柵極經(jīng)由第一節(jié)點D電性連接于鏡像薄膜晶體管MR的柵極，源極電性連接于接地端GND，漏極電性連接于有機發(fā)光二極管OLED的陰極；第一電容Cstl的一端電性連接于第一節(jié)點D，另一端電性連接于接地端GND ;第二電容Cst2的一端電性連接于第二開關(guān)薄膜晶體管SW2的漏極及鏡像薄膜晶體管MR的漏極，另一端電性連接于接地端GND ;有機發(fā)光二極管OLED的陽極電性連接于直流電源電壓VDD，陰極電性連接于驅(qū)動薄膜晶體管DR的漏極；直流電源電壓VDD提供高電位。圖2所示為對應(yīng)于圖1電路的時序圖，該電路的補償過程依次包括預(yù)充電(Pre-charge)、數(shù)據(jù)寫入(Program)、復(fù)位(Restore)、驅(qū)動發(fā)光(Drive)四個階段，在預(yù)充電階段，第一節(jié)點D的電位被抬升至第n_l級第二掃描控制信號Gate2(n-1)的高電位，驅(qū)動薄膜晶體管DR被導(dǎo)通，導(dǎo)致在預(yù)充電、數(shù)據(jù)寫入、復(fù)位三個階段中，有機發(fā)光二極管OLED始終處于發(fā)光狀態(tài)，然而，面板所需的僅為驅(qū)動發(fā)光階段里有機發(fā)光二極管OLED的發(fā)光，其余三個階段有機發(fā)光二極管OLED的發(fā)光為非必要發(fā)光。圖3所示為上述像素驅(qū)動電路中有機發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動電流模擬圖，由圖3可知，有機發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動電流Itjled在四個階段均存在，導(dǎo)致有機發(fā)光二極管OLED在四個階段均發(fā)光，但只有在驅(qū)動發(fā)光階段的發(fā)光才是正常和必要的，在驅(qū)動發(fā)光階段之前的其余三個階段內(nèi)，有機發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動電流Itjled較大，因此存在比較大的非必要發(fā)光。這種非必要發(fā)光會對OLED的壽命產(chǎn)生影響，同時也會影響面板的實際顯示效果，如降低對比度，出現(xiàn)漏光現(xiàn)象等。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種AMOLED像素驅(qū)動電路，解決現(xiàn)有的AMOLED像素驅(qū)動電路在補償驅(qū)動薄膜晶體管閾值電壓漂移過程中會產(chǎn)生非必要發(fā)光的問題，使OLED在非必要發(fā)光時間處于關(guān)閉狀態(tài)，能夠延長OLED壽命，優(yōu)化面板的實際顯示效果。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種AMOLED像素驅(qū)動電路，包括:第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第一電容、第二電容、及有機發(fā)光二極管；
[0007]所述第六薄膜晶體管的柵極電性連接于第η級第二掃描控制信號，源極電性連接于數(shù)據(jù)信號，漏極電性連接于第三薄膜晶體管的漏極及第一電容的一端；
[0008]所述第三薄膜晶體管的柵極經(jīng)由第一節(jié)點電性連接于第四薄膜晶體管的柵極，源極電性連接于第一薄膜晶體管的源極，漏極電性連接于第六薄膜晶體管的漏極及第一電容的一端;
[0009]所述第一薄膜晶體管的柵極電性連接于第η級第一掃描控制信號，源極電性連接于第三薄膜晶體管的源極，漏極電性連接于第一節(jié)點；
[0010]所述第五薄膜晶體管的柵極與漏極均電性連接于第η-1級第二掃描控制信號，源極電性連接于第一節(jié)點；
[0011]所述第二薄膜晶體管的柵極電性連接于發(fā)光控制信號，源極電性連接于直流電源電壓，漏極電性連接于有機發(fā)光二極管的陽極；
[0012]所述第四薄膜晶體管的柵極電性連接于第一節(jié)點，源極電性連接于接地端，漏極電性連接于有機發(fā)光二極管的陰極；
[0013]所述第一電容的一端電性連接于第六薄膜晶體管的漏極及第三薄膜晶體管的漏極，另一端電性連接于接地端；
[0014]所述第二電容的一端電性連接于第一節(jié)點，另一端電性連接于接地端；
[0015]所述有機發(fā)光二極管的陽極電性連接于第二薄膜晶體管的漏極，陰極電性連接于第四薄膜晶體管的漏極；
[0016]所述直流電源電壓提供直流高電位；
[0017]所述發(fā)光控制信號按照時序提供高、低交替電位，控制所述有機發(fā)光二極管是否發(fā)光。
[0018]所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、與第六薄膜晶體管均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。
[0019]所述第η級第二掃描控制信號、第η級第一掃描控制信號、第級第二掃描控制信號、及發(fā)光控制信號相組合，先后對應(yīng)于預(yù)充電階段、數(shù)據(jù)寫入階段、復(fù)位階段、及驅(qū)動發(fā)光階段；
[0020]所述發(fā)光控制信號在預(yù)充電階段、數(shù)據(jù)寫入階段、及復(fù)位階段均提供低電位，控制所述有機發(fā)光二極管不發(fā)光；在驅(qū)動發(fā)光階段提供高電位，控制所述有機發(fā)光二極管發(fā)光。[0021 ] 在所述預(yù)充電階段，所述第η級第二掃描控制信號為低電位，第η級第一掃描控制信號為低電位，第η-1級第二掃描控制信號為高電位；
[0022]在所述數(shù)據(jù)寫入階段，所述第η級第二掃描控制信號為高電位，第η級第一掃描控制信號為高電位，第η-1級第二掃描控制信號為低電位；
[0023]在所述復(fù)位階段，所述第η級第二掃描控制信號為高電位，第η級第一掃描控制信號為低電位，第η-1級第二掃描控制信號為低電位；
[0024]在所述驅(qū)動發(fā)光階段，所述第η級第二掃描控制信號為低電位，第η級第一掃描控制信號為低電位，第η-1級第二掃描控制信號為低電位。
[0025]在所述數(shù)據(jù)寫入階段，所述數(shù)據(jù)信號為高電位；在所述復(fù)位階段，所述數(shù)據(jù)信號為低電位。
[0026]本發(fā)明還提供另一種AMOLED像素驅(qū)動電路，包括:第一薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第一電容、第二電容、及有機發(fā)光二極管；
[0027]所述第六薄膜晶體管的柵極電性連接于第η級第二掃描控制信號，源極電性連接于數(shù)據(jù)信號，漏極電性連接于第三薄膜晶體管的漏極及第一電容的一端；
[0028]所述第三薄膜晶體管的柵極經(jīng)由第一節(jié)點電性連接于第四薄膜晶體管的柵極，源極電性連接于第一薄膜晶體管的源極，漏極電性連接于第六薄膜晶體管的漏極及第一電容的一端;
[0029]所述第一薄膜晶體管的柵極電性連接于第η級第一掃描控制信號，源極電性連接于第三薄膜晶體管的源極，漏極電性連接于第一節(jié)點；
[0030]所述第五薄膜晶體管的柵極與漏極均電性連接于第η-1級第二掃描控制信號，源極電性連接于第一節(jié)點；
[0031]所述第四薄膜晶體管的柵極電性連接于第一節(jié)點，源極電性連接于接地端，漏極電性連接于有機發(fā)光二極管的陰極；
[0032]所述第一電容的一端電性連接