Amoled像素驅(qū)動(dòng)電路及像素驅(qū)動(dòng)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路及像素驅(qū)動(dòng)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Display，OLED)顯示裝置具有自發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間短、清晰度與對(duì)比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實(shí)現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示
目.ο
[0003]OLED顯示裝置按照驅(qū)動(dòng)方式可以分為無(wú)源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED,PM0LED)和有源矩陣型OLED (Active Matrix OLED, AM0LED)兩大類(lèi)，即直接尋址和薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)矩陣尋址兩類(lèi)。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動(dòng)顯示類(lèi)型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。
[0004]AMOLED是電流驅(qū)動(dòng)器件，當(dāng)有電流流過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管時(shí)，有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光，且發(fā)光亮度由流過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管自身的電流決定。大部分已有的集成電路(IntegratedCircuit, IC)都只傳輸電壓信號(hào)，故AMOLED的像素驅(qū)動(dòng)電路需要完成將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏餍盘?hào)的任務(wù)。傳統(tǒng)的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路通常為2T1C，即兩個(gè)薄膜晶體管加一個(gè)電容的結(jié)構(gòu)，將電壓變換為電流。
[0005]如圖1所述，傳統(tǒng)的用于AMOLED的2T1C像素驅(qū)動(dòng)電路，包括一第一薄膜晶體管T10、一第二薄膜晶體管T20、及一電容C，所述第一薄膜晶體管TlO為開(kāi)關(guān)薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管T20為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述電容C為存儲(chǔ)電容。具體地，所述第一薄膜晶體管TlO的柵極電性連接掃描信號(hào)Scan，源極電性連接數(shù)據(jù)信號(hào)Data，漏極與第二薄膜晶體管T20的柵極、及電容C的一端電性連接；所述第二薄膜晶體管T20的源極電性連接電源正電壓VDD，漏極電性連接有機(jī)發(fā)光二級(jí)管D的陽(yáng)極；有機(jī)發(fā)光二級(jí)管D的陰極電性連接電源負(fù)電壓VSS ；電容C的一端電性連接第一薄膜晶體管TlO的漏極，另一端電性連接第二薄膜晶體管T20的源極。AMOLED顯示時(shí)，掃描信號(hào)Scan控制第一薄膜晶體管TlO打開(kāi)，數(shù)據(jù)信號(hào)Data經(jīng)過(guò)第一薄膜晶體管TlO進(jìn)入到第二薄膜晶體管T20的柵極及電容C，然后第一薄膜晶體管TlO閉合，由于電容C的存儲(chǔ)作用，第二薄膜晶體管T20的柵極電壓仍可繼續(xù)保持?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)電壓，使得第二薄膜晶體管T20處于導(dǎo)通狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)第二薄膜晶體管T20進(jìn)入有機(jī)發(fā)光二級(jí)管D，驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二級(jí)管D發(fā)光。
[0006]上述傳統(tǒng)用于AMOLED的2T1C像素驅(qū)動(dòng)電路對(duì)薄膜晶體管的閾值電壓和溝道迀移率、有機(jī)發(fā)光二極管的啟動(dòng)電壓和量子效率以及供電電源的瞬變過(guò)程都很敏感。第二薄膜晶體管T20，即驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓會(huì)隨著工作時(shí)間而漂移，從而導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光二極管D的發(fā)光不穩(wěn)定；進(jìn)一步地，各個(gè)像素的第二薄膜晶體管T20，即驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓的漂移不同，漂移量或增大或減小，導(dǎo)致各個(gè)像素間的發(fā)光不均勻、亮度不一。使用這種傳統(tǒng)的不帶補(bǔ)償?shù)?T1C像素驅(qū)動(dòng)電路造成的AMOLED顯示亮度的不均勻性約為50%甚至
[0007]解決AMOLED顯示亮度不均勻的一個(gè)方法是對(duì)每一個(gè)像素加補(bǔ)償電路，補(bǔ)償意味著必須對(duì)每一個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的參數(shù)，例如閾值電壓和迀移率，進(jìn)行補(bǔ)償，使輸出電流變得與這些參數(shù)無(wú)關(guān)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，能夠有效補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管及有機(jī)發(fā)光二級(jí)管的閾值電壓變化，使AMOLED的顯示亮度較均勻，提升顯示品質(zhì)。
[0009]本發(fā)明的目的還在于提供一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)方法，能夠?qū)︱?qū)動(dòng)薄膜晶體管及有機(jī)發(fā)光二級(jí)管的閾值電壓變化進(jìn)行有效補(bǔ)償，使AMOLED的顯示亮度較均勻，提升顯示品質(zhì)。
[0010]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，包括:第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第一電容、第二電容、及有機(jī)發(fā)光二極管；所述第一薄膜晶體管為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述第五薄膜晶體管為開(kāi)關(guān)薄膜晶體管，所述第一電容為耦合電容，所述第二電容為存儲(chǔ)電容；
[0011]所述第五薄膜晶體管的柵極電性連接于掃描信號(hào)，源極電性連接于數(shù)據(jù)信號(hào)，漏極電性連接于第一節(jié)點(diǎn)；
[0012]所述第四薄膜晶體管的柵極電性連接于第一控制信號(hào)，源極電性連接于第一節(jié)點(diǎn)，漏極電性連接于第二節(jié)點(diǎn)；
[0013]所述第六薄膜晶體管的柵極電性連接于第二控制信號(hào)，源極電性連接于第二節(jié)點(diǎn)，漏極電性連接于第二電容的一端及參考電壓；
[0014]所述第三薄膜晶體管的柵極電性連接于第一控制信號(hào)，源極電性連接于第二薄膜晶體管的漏極及第一薄膜晶體管的漏極，漏極電性連接于第三節(jié)點(diǎn)；
[0015]所述第二薄膜晶體管的柵極電性連接于第三控制信號(hào)，源極電性連接于電源正電壓，漏極電性連接于第三薄膜晶體管的源極及第一薄膜晶體管的漏極；
[0016]所述第一薄膜晶體管的柵極電性連接于第三節(jié)點(diǎn)，漏極電性連接于第二薄膜晶體管的漏極及第三薄膜晶體管的源極，源極電性連接于第四節(jié)點(diǎn)；
[0017]所述第一電容的一端電性連接于第二節(jié)點(diǎn)，另一端電性連接于第三節(jié)點(diǎn)；
[0018]所述第二電容的一端電性連接于第六晶體管的漏極，另一端電性連接于第一節(jié)占.V，
[0019]所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極電性連接于第四節(jié)點(diǎn)，陰極電性連接于電源負(fù)電壓。
[0020]所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。
[0021]所述第一控制信號(hào)、第二控制信號(hào)、與第三控制信號(hào)均通過(guò)外部時(shí)序控制器提供。
[0022]所述第一控制信號(hào)、第二控制信號(hào)與第三控制信號(hào)相組合，先后對(duì)應(yīng)于一數(shù)據(jù)信號(hào)寫(xiě)入階段、一全局補(bǔ)償階段、一放電階段、及一發(fā)光階段；
[0023]在所述數(shù)據(jù)信號(hào)寫(xiě)入階段，所述第一控制信號(hào)為低電位，所述第二控制信號(hào)為高電位，所述第三控制信號(hào)為高電位；
[0024]在所述全局補(bǔ)償階段，所述第一控制信號(hào)為高電位，所述第二控制信號(hào)為低電位，所述第三控制信號(hào)為高電位；
[0025]在所述放電階段，所述第一控制信號(hào)為高電位，所述第二控制信號(hào)為低電位，所述第三控制信號(hào)為低電位；
[0026]在所述發(fā)光階段，所述第一控制信號(hào)為低電位，所述第二控制信號(hào)為高電位，所述第三控制信號(hào)為高電位。
[0027]所述掃描信號(hào)在所述數(shù)據(jù)信號(hào)寫(xiě)入階段內(nèi)為脈沖信號(hào)，在所述全局補(bǔ)償階段、放電階段、與發(fā)光階段階段內(nèi)均為低電位。
[0028]所述參考電壓為一恒定電壓。
[0029]本發(fā)明還提供一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)方法，包括如下步驟:
[0030]步驟S1、提供一 AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路；
[0031]所述AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路包括:第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第一電容、第二電容、及有機(jī)發(fā)光二極管；所述第一薄膜晶體管為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述第五薄膜晶體管為開(kāi)關(guān)薄膜晶體管，所述第一電容為耦合電容，所述第二電容為存儲(chǔ)電容；
[0032]所述第五薄膜晶體管的柵極電性連接于掃描信號(hào)，源極電性連接于數(shù)據(jù)信號(hào)，漏極電性連接于第一節(jié)點(diǎn)；
[0033]所述第四薄膜晶體管的柵極電性連接于第一控制信號(hào)，源極電性連接于第一節(jié)點(diǎn)，漏極電性連接于第二節(jié)點(diǎn)；
[0034]所述第六薄膜晶體管的柵極電性連接于第二控制信號(hào)，源極電性連接于第二節(jié)點(diǎn)，漏極電性連接于第二電容的一端及參考電壓；
[0035]所述第三薄膜晶體管的柵極電性連接于第一控制信號(hào)，源極電性連接于第二薄膜晶體管的漏極及第一薄膜晶體管的漏極，漏極電性連接于第三節(jié)點(diǎn)；
[0036]所述第二薄膜晶體管的柵極電性連接于第三控制信號(hào)，源極電性連接于電源正電壓，漏極電性連接于第三薄膜晶體管的源極及第一薄膜晶體管的漏極；
[0037]所述第一薄膜晶體管的柵極電性連接于第三節(jié)點(diǎn)，漏極電性連接于第二薄膜晶體管的漏極及第三薄膜晶體管的源極，源極電性連接于第四節(jié)點(diǎn)；
[0038]所述第一電容的一端電性連接于第二節(jié)點(diǎn)，另一端電性連接于第三節(jié)點(diǎn)；
[0039]所述第二電容的一端電性連接于第六晶體管的漏極，另一端電性連接于第一節(jié)占.V，
[0040]所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極電性連接于第四節(jié)點(diǎn)，陰極電性連接于電源負(fù)電壓；
[0041]步驟S2、進(jìn)入掃描階段；
[0042]所