專利名稱：硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制驅(qū)動電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制驅(qū)動電路，尤其涉及硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器的像素單元電路及其驅(qū)動特性。
背景技術(shù)：
娃基有機(jī)發(fā)光二極管(OLED-on-Silicon,Organic Light Emitting Diode onSilicon)是一種新型微顯示技術(shù)，該技術(shù)將有機(jī)發(fā)光二極管與單晶硅集成電路結(jié)合，具備兩者的組合優(yōu)勢。OLED具有低功耗、自發(fā)光、寬視角、工藝簡單、成本低、溫度適應(yīng)性好、影響速度快等優(yōu)點(diǎn)，是當(dāng)今世界上備受矚目的新型顯示技術(shù)。
微型顯示器指的是在一個尺寸小于I英寸的介質(zhì)材料(硅基材料)上制作有上百萬個甚至更多的可發(fā)光像素顯示器件。微型顯示器適用于頭盔顯示器，立體顯示器，眼鏡式顯示器等，也可以作為移動終端顯示器，目前主要用于軍事領(lǐng)域，具有非常重要的軍事價值。該微顯示技術(shù)也將在虛擬顯示、頭戴式顯示、便捷計(jì)算機(jī)、手機(jī)等領(lǐng)域與LED、LCD等形成競爭格局。微型顯示器有許多優(yōu)點(diǎn)體積小，薄型而輕巧，整機(jī)可做成便捷式，電壓低，沒有X射線輻射，沒有閃爍抖動，不產(chǎn)生靜電，不會有礙健康，功耗低。有機(jī)發(fā)光二極管材料作為剛投入市場不久的新型材料，在微顯示器設(shè)備方面的應(yīng)用非常少。在有機(jī)發(fā)光二極管微顯示技術(shù)方面，國外對本國有一定的技術(shù)封鎖。目前，大部分OLED像素驅(qū)動電路并未對OLED衰退進(jìn)行補(bǔ)償。當(dāng)OLED微顯示器長時間顯示亮度、高對比度的靜態(tài)畫面后，由于不同OLED像素衰退不同，因此發(fā)光亮度衰減存在較大差異，若更新畫面就可以觀察到殘影現(xiàn)象，原來發(fā)光亮度高的區(qū)域衰減較快，發(fā)光亮度偏暗，而原來發(fā)光亮度較低的區(qū)域衰減較慢，發(fā)光亮度偏亮。近年來，對OLED衰退補(bǔ)償?shù)难芯课嗽絹碓蕉嗟娜藚⑴c。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對已有技術(shù)存在的缺陷，提供一種娃基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制驅(qū)動電路，有效解決硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器長時間顯示亮度、高對比度的靜態(tài)畫面后，更新后觀察到殘影現(xiàn)象，從而使硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器的發(fā)光亮度均勻性顯著提高。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的構(gòu)思是硅基有機(jī)發(fā)光二極管(0LED-on-Silicon,Organic Light Emitting Diode on Silicon)的衰退特性主要是由于長時間發(fā)光亮度不均使用之后，產(chǎn)生一個大小不一的內(nèi)阻，致使用到一定程度之后產(chǎn)生殘影，但根據(jù)OLED發(fā)光特性，若能控制通過OLED的電流保持一定，長時間使用之后雖然會產(chǎn)生一個大小不一的內(nèi)阻，但是OLED的發(fā)光亮度依然趨于一致，在長時間顯示亮度、高對比度的靜態(tài)畫面后，OLED依然能保持發(fā)光亮度高均勻性。根據(jù)上述發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案
一種硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路包括，由一個像素單元電路連接一個參考電流產(chǎn)生電路構(gòu)成，其特征在于
所述像素單元電路包括第一開關(guān)晶體管Tl、第二開關(guān)晶體管T2、存儲電容Cl和驅(qū)動晶體管T3 ；
所述第一開關(guān)晶體管Tl :漏極接列驅(qū)動信號data，柵極接行驅(qū)動信號sel，源極接第二開關(guān)晶體管T2的柵極并經(jīng)存儲電容Cl連接電源Vdd，第一開關(guān)晶體管Tl在行驅(qū)動信號sel選通情況下，將列驅(qū)動信號data寫入存儲電容Cl ；
所述第二開關(guān)晶體管T2 :漏極接有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極，源級接驅(qū)動晶體管T3的漏極，通過存儲電容Cl的信息控制第二 開關(guān)晶體管T2的導(dǎo)通狀態(tài)；
所述存儲電容Cl :電容的A端接第一開關(guān)晶體管Tl的源極和第二開關(guān)晶體管T2的柵級，另一端接電源Vdd ；
所述驅(qū)動晶體管T3 :柵極接參考電流產(chǎn)生電路的參考電平Vref (D點(diǎn))，源級接電源
Vdd ；
所述硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED :陰極接負(fù)電源Vcom ;在第二開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通時，與驅(qū)動晶體管T3串聯(lián)，使硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED工作在合適發(fā)光亮度；
所述參考電流產(chǎn)生電路包括第四驅(qū)動晶體T4、第五驅(qū)動晶體管T5、第六驅(qū)動晶體管T6、第七驅(qū)動晶體管17、第八驅(qū)動晶體管T8和電流源Iref ；
所述第四驅(qū)動晶體管T4 :柵極接第三驅(qū)動晶體管T3的柵極，源級接正電源Vdd，漏極與柵極相連并接第七驅(qū)動晶體管T7的漏極；
所述第五驅(qū)動晶體管T5 :源極接地，柵極接第六驅(qū)動晶體管T6的柵極和漏極，漏極接第七驅(qū)動晶體管T7的源極；
所述第六驅(qū)動晶體管T6 :源極接地，柵極并上漏極接第八驅(qū)動晶體管T8的源極； 所述第七驅(qū)動晶體管T7 :柵極接第八驅(qū)動晶體管T8的柵極和漏極，并接在電流源的一
端;
所述第八驅(qū)動晶體管T8 :源極接第六驅(qū)動晶體管T6的漏極和柵極；
所述電流源Iref :提供電流給第八驅(qū)動晶體管T8的漏極；
所述參考電流產(chǎn)生電路為像素單元電路提供一個參考電平Vref，該電平用來驅(qū)動驅(qū)動晶體管T3控制硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED的發(fā)光亮度；當(dāng)行驅(qū)動信號sel為低電平時候，開關(guān)晶體管Tl導(dǎo)通，將列驅(qū)動信號data的數(shù)據(jù)保存在存儲電容Cl中，當(dāng)存儲電容Cl中保存的值為0，則將開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通，驅(qū)動晶體管T3驅(qū)動OLED發(fā)光，當(dāng)存儲電容Cl中保存值為I，則將開關(guān)晶體管T2關(guān)閉。所述的硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路中，所述第一開關(guān)晶體管Tl、第二開關(guān)晶體管T2和驅(qū)動晶體管T3采用金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管、多晶硅薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管、氧化鋅基薄膜晶體管和有機(jī)薄膜晶體管中的任意一種。所述的硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路中，所述像素單元電路能夠產(chǎn)生電流脈寬調(diào)制波形，用于數(shù)字驅(qū)動方式對其像素單元電路進(jìn)行控制；硅基有機(jī)發(fā)光二極管能夠支持工作電流范圍從InA到10uA，根據(jù)不同的像素驅(qū)動單元面積，在OLED兩端驅(qū)動電壓不斷變化的同時，調(diào)節(jié)電流源Iref，使OLED依然能夠工作在合適的發(fā)光亮度下，能夠調(diào)節(jié)合適的Vref值，根據(jù)設(shè)計(jì)要求完成像素驅(qū)動單元的設(shè)計(jì)；Vref為像素驅(qū)動單元提供一個驅(qū)動電壓，Vref的產(chǎn)生通過共源共柵電流鏡得到，或者外接固定電壓源或有源電流鏡得到。所述的硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路中，像素驅(qū)動單元可以通過2個開關(guān)晶體管(T1、T1’)或2個以上的開關(guān)管將data信號傳輸?shù)降诙_關(guān)管T2的柵極，即A點(diǎn)，2個開關(guān)晶體管都采用相同結(jié)構(gòu)的P型或N型晶體管，W和L可達(dá)到晶體管工藝最小尺寸。所述的硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路中，所述第二開關(guān)晶體管T2采用P型晶體管結(jié)構(gòu)，W和L可達(dá)到晶體管工藝最小尺寸。Vcom的最低值由第二開關(guān)晶體管T2的耐壓決定。根據(jù)第二開關(guān)晶體管T2的工藝，Vcom的調(diào)節(jié)范圍可以從-IOV到0V。正電壓Vdd的調(diào)節(jié)范圍可在3V到IOV左右。所述的硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路中，所述第三驅(qū) 動晶體管T3采用P型晶體管結(jié)構(gòu)，寬長比的不同選擇影響了 OLED的輸出電流，也影響了OLED衰退補(bǔ)償特性。寬長比的取值范圍可從0.05到5。寬長比值越小，OLED的輸出電流越小，衰退補(bǔ)償特性越好。所述的硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路中，所述電容Cl采用多晶-絕緣體-多晶PIP電容、金屬-絕緣體-金屬M(fèi)IM電容、金屬-氧化物-金屬M(fèi)OM電容或深溝道電容中任意一種。存儲電容Cl的取值范圍為30ff到120ff，由設(shè)計(jì)像素驅(qū)動單元面積、灰度級和開關(guān)管Tl的長度L決定。所述的硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路中，①參考電流產(chǎn)生電路為像素驅(qū)動單元提供一個參考電平Vref驅(qū)動OLED工作，該參考電平的產(chǎn)生由一個共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)產(chǎn)生，共源共柵電流鏡作為像素驅(qū)動單元的外部輸入，為像素驅(qū)動單元的第三驅(qū)動管T3提供一個精確的參考電壓Vref ;②該參考電流產(chǎn)生電路也可直接通過固定電壓源控制該參考電流產(chǎn)生電路也可由有源電流鏡、自偏置低壓共源共柵電流鏡或其他電流鏡結(jié)構(gòu)替代，得到一個能夠使OLED工作在合適發(fā)光亮度的像素驅(qū)動電壓Vref0本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較，具有如下突出實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著優(yōu)點(diǎn)
第一，本發(fā)明能夠產(chǎn)生電流脈寬調(diào)制波形。第二，本發(fā)明的像素單元電路對OLED衰退有補(bǔ)償效果，在OLED長時間高對比度靜態(tài)使用之后，能過使屏幕的亮暗均勻度一致化更好。第三，本發(fā)明的像素單元電路同時采用了驅(qū)動管和放電回路，可以進(jìn)一步減小信號上升時間與下降時間，加快掃描電路頻率，支持更聞的分辨率和灰度。第四，本發(fā)明的像素單元電路的晶體管都采用P型晶體管，方便了版圖的設(shè)計(jì)規(guī)劃。第五，在32bit數(shù)據(jù)位寬和IOOMhz傳輸時鐘下，支持1280 X 1024 X RGB和4096級灰度。


圖I是本發(fā)明硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路的原理圖。
圖2是像素單元電路雙管驅(qū)動結(jié)構(gòu)。圖3、圖4和圖5是參考電流產(chǎn)生電路的電流鏡多種結(jié)構(gòu)。圖6是參考電流產(chǎn)生電路通過固定電壓源控制。 圖7是圖I的信號時序圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例及附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。實(shí)施例一
如圖I所示，本硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路包括像素單元電路(I)連接參考電流產(chǎn)生電路(2 )。所述像素單元電路(I)包括第一開關(guān)晶體管Tl、第二開關(guān)晶體管T2、存儲電容Cl和驅(qū)動晶體管T3 ；
所述第一開關(guān)晶體管Tl :漏極接列驅(qū)動信號data，柵極接行驅(qū)動信號sel，源極接第二開關(guān)晶體管T2的柵極并經(jīng)存儲電容Cl連接電源Vdd，第一開關(guān)晶體管Tl在行驅(qū)動信號sel選通情況下，將列驅(qū)動信號data寫入存儲電容Cl ；
所述第二開關(guān)晶體管T2 :漏極接有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極，源級接驅(qū)動晶體管T3的漏極，通過存儲電容Cl的信息控制第二開關(guān)晶體管T2的導(dǎo)通狀態(tài)；
所述存儲電容Cl :電容的A端接第一開關(guān)晶體管Tl的源極和第二開關(guān)晶體管T2的柵級，另一端接電源Vdd ；
所述驅(qū)動晶體管T3 :柵極接參考電流產(chǎn)生電路的參考電平Vref (D點(diǎn))，源級接電源
Vdd ；
所述硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED :陰極接負(fù)電源Vcom ;在第二開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通時，與驅(qū)動晶體管T3串聯(lián)，使硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED工作在合適發(fā)光亮度；
所述參考電流產(chǎn)生電路(2)包括第四驅(qū)動晶體T4、第五驅(qū)動晶體管T5、第六驅(qū)動晶體管T6、第七驅(qū)動晶體管17、第八驅(qū)動晶體管T8和電流源；
所述第四驅(qū)動晶體管T4 :柵極接第三驅(qū)動晶體管T3的柵極，源級接正電源Vdd，漏極與柵極相連并接第七驅(qū)動晶體管T7的漏極；
所述第五驅(qū)動晶體管T5 :源極接地，柵極接第六驅(qū)動晶體管T6的柵極和漏極，漏極接第七驅(qū)動晶體管T7的源極；
所述第六驅(qū)動晶體管T6 :源極接地，柵極并上漏極接第八驅(qū)動晶體管T8的源極； 所述第七驅(qū)動晶體管T7 :柵極接第八驅(qū)動晶體管T8的柵極和漏極，并接在電流源的一
端;
所述第八驅(qū)動晶體管T8 :源極接第六驅(qū)動晶體管T6的漏極和柵極；
所述電流源提供電流給第八驅(qū)動晶體管T8的漏極；
所述參考電流產(chǎn)生電路(2)為像素單元電路提供一個參考電平Vref，該電平用來驅(qū)動驅(qū)動晶體管T3控制硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED的發(fā)光亮度。；
所述的硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路中，所述第一開關(guān)晶體管Tl、第二開關(guān)晶體管T2和驅(qū)動晶體管T3采用金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管、多晶硅薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管、氧化鋅基薄膜晶體管和有機(jī)薄膜晶體管中的任意一種。所述的硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法，當(dāng)行驅(qū)動信號sel為低電平時候，開關(guān)晶體管Tl導(dǎo)通，將列驅(qū)動信號data的數(shù)據(jù)保存在存儲電容Cl中，當(dāng)存儲電容Cl中保存的值為0，則將開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通，驅(qū)動晶體管T3驅(qū)動OLED發(fā)光，當(dāng)存儲電容Cl中保存值為I，則將開關(guān)晶體管T2關(guān)閉。實(shí)施例二
本實(shí)施例與實(shí)施例一基本相同，特別之處如下
所述的硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路中，所述像素單元電路能夠產(chǎn)生電流脈寬調(diào)制波形，用于數(shù)字驅(qū)動方式對其像素單元電路進(jìn)行控制；硅基有機(jī)發(fā)光二極管能夠支持工作電流范圍從InA到10uA，根據(jù)不同的像素驅(qū)動單元面積，在OLED兩端驅(qū)動電壓不斷變化的同時，調(diào)節(jié)電流源Iref，使OLED依然能夠工作在合適的發(fā)光亮度下，能夠調(diào)節(jié)合適的Vref值，根據(jù)設(shè)計(jì)要求完成像素驅(qū)動單元的設(shè)計(jì)；Vref為像素驅(qū)動單元提供一個驅(qū)動電壓，Vref的產(chǎn)生通過共源共柵電流鏡得到，或者外接固定電壓源或有源電流鏡得到。如圖2所示，所述硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器驅(qū)動電路還可采用像素驅(qū)動單元能通過2個開關(guān)管(Tl、Tl’)或2個以上的開關(guān)管將data信號傳輸?shù)介_關(guān)管(T2)的柵極即(A點(diǎn))，2個開關(guān)管都采用相同結(jié)構(gòu)的P型或N型晶體管，W和L可達(dá)到晶體管工藝最小尺寸。所述的硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路中，所述第二開關(guān)晶體管T2采用P型晶體管結(jié)構(gòu)，W和L可達(dá)到晶體管工藝最小尺寸。Vcom的最低值由第二開關(guān)晶體管T2的耐壓決定。根據(jù)第二開關(guān)晶體管T2的工藝，Vcom的調(diào)節(jié)范圍可以從-IOV到0V。正電壓Vdd的調(diào)節(jié)范圍可在3V到IOV左右。所述的硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路中，所述第三驅(qū)動晶體管T3采用P型晶體管結(jié)構(gòu)，寬長比的不同選擇影響了 OLED的輸出電流，也影響了OLED衰退補(bǔ)償特性。寬長比的取值范圍可從O. 05到5。寬長比值越小，OLED的輸出電流越小，衰退補(bǔ)償特性越好。所述的硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路中，所述電容Cl采用多晶-絕緣體-多晶PIP電容、金屬-絕緣體-金屬M(fèi)IM電容、金屬-氧化物-金屬M(fèi)OM電容或深溝道電容中任意一種。存儲電容Cl的取值范圍為30ff到120ff，由設(shè)計(jì)像素驅(qū)動單元面積、灰度級和開關(guān)管Tl的長度L決定。實(shí)施例三
本實(shí)施例與實(shí)施例一基本相同，特別之處如下
如圖3、圖4、圖5和圖6所示，所述的硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路中，①參考電流產(chǎn)生電路為像素驅(qū)動單元提供一個參考電平Vref驅(qū)動OLED工作，該參考電平的產(chǎn)生由一個共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)產(chǎn)生，共源共柵電流鏡作為像素驅(qū)動單元的外部輸入，為像素驅(qū)動單元的第三驅(qū)動管T3提供一個精確的參考電壓Vref ;②該參考電流產(chǎn)生電路也可直接通過固定電壓源控制該參考電流產(chǎn)生電路也可由有源電流鏡、自偏置低壓共源共柵電流鏡或其他電流鏡結(jié)構(gòu)替代，得到一個能夠使OLED工作在合適發(fā)光亮度的像素驅(qū)動電壓Vref。當(dāng)然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員，還可以對本發(fā)明的硅基有機(jī)發(fā)光二極管像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)以及驅(qū)動方式作適當(dāng)變更，例如變更像素電路各個開關(guān)晶體管的種類(P型或者N型)，將各個晶體管的源級和漏極的電連接關(guān)系互換等。如上所述便可較好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。上述實(shí)例僅為本發(fā)明較佳的實(shí)施方式，但本發(fā)明的實(shí)施方式并 不受上述實(shí)施例的限制，其他任何未背離本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路，由一個像素單元電路(I)連接一個參考電流產(chǎn)生電路(2)構(gòu)成，其特征在于 所述像素單元電路(I)包括第一開關(guān)晶體管Tl、第二開關(guān)晶體管T2、存儲電容Cl和驅(qū)動晶體管T3 ； 所述第一開關(guān)晶體管Tl :漏極接列驅(qū)動信號data，柵極接行驅(qū)動信號sel，源極接第二開關(guān)晶體管T2的柵極并經(jīng)存儲電容Cl連接電源Vdd ;第一開關(guān)晶體管Tl在行驅(qū)動信號sel選通情況下，將列驅(qū)動信號data寫入存儲電容Cl ； 所述第二開關(guān)晶體管T2 :漏極接有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極，源級接驅(qū)動晶體管T3的漏極，通過存儲電容Cl的信息控制第二開關(guān)晶體管T2的導(dǎo)通狀態(tài)； 所述存儲電容Cl :電容的A端接第一開關(guān)晶體管Tl的源極和第二開關(guān)晶體管T2的柵級，另一端接電源Vdd ； 所述驅(qū)動晶體管T3:柵極接參考電流產(chǎn)生電路的參考電平Vref (D點(diǎn))，源級接電源Vdd ； 所述硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED :陰極接負(fù)電源Vcom ;在第二開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通時，與驅(qū)動晶體管T3串聯(lián)，使硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED工作在合適發(fā)光亮度； 所述參考電流產(chǎn)生電路(2)包括第四驅(qū)動晶體T4、第五驅(qū)動晶體管T5、第六驅(qū)動晶體管T6、第七驅(qū)動晶體管T7、第八驅(qū)動晶體管T8和電流源Iref ； 所述第四驅(qū)動晶體管T4 :柵極接第三驅(qū)動晶體管T3的柵極，源級接正電源Vdd，漏極與柵極相連并接第七驅(qū)動晶體管T7的漏極； 所述第五驅(qū)動晶體管T5 :源極接地，柵極接第六驅(qū)動晶體管T6的柵極和漏極，漏極接第七驅(qū)動晶體管T7的源極； 所述第六驅(qū)動晶體管T6 :源極接地，柵極并上漏極接第八驅(qū)動晶體管T8的源極； 所述第七驅(qū)動晶體管T7 :柵極接第八驅(qū)動晶體管T8的柵極和漏極，并接在電流源的一端; 所述第八驅(qū)動晶體管T8 :源極接第六驅(qū)動晶體管T6的漏極和柵極； 所述電流源Iref :提供電流給第八驅(qū)動晶體管T8的漏極； 所述參考電流產(chǎn)生電路(2)為像素單元電路提供一個參考電平Vref，該參考電平Vref用來驅(qū)動驅(qū)動晶體管T3控制硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED的發(fā)光亮度；當(dāng)行驅(qū)動信號sel為低電平時候，開關(guān)晶體管Tl導(dǎo)通，將列驅(qū)動信號data的數(shù)據(jù)保存在存儲電容Cl中，當(dāng)存儲電容Cl中保存的值為0，則將開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通，驅(qū)動晶體管T3驅(qū)動OLED發(fā)光，當(dāng)存儲電容Cl中保存值為I，則將開關(guān)晶體管T2關(guān)閉。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路，其特征在于所述第一開關(guān)晶體管Tl、第二開關(guān)晶體管T2和驅(qū)動晶體管T3采用金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管、多晶硅薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管、氧化鋅基薄膜晶體管和有機(jī)薄膜晶體管中的任意一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路，其特征在于像素驅(qū)動單元能通過2個開關(guān)晶體管(Tl、Tl’)或2個以上的開關(guān)管將data信號傳輸?shù)降诙_關(guān)晶體管T2的柵極，即A點(diǎn)，2個開關(guān)晶體管都采用相同結(jié)構(gòu)的P型或N型晶體管，W和L可達(dá)到晶體管工藝最小尺寸。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路，其特征在于第二開關(guān)晶體管T2采用P型晶體管結(jié)構(gòu)，W和L可達(dá)到晶體管工藝最小尺寸；Vcom的最低值由第二開關(guān)晶體管T2的耐壓決定；根據(jù)第二開關(guān)晶體管T2的工藝，Vcom的調(diào)節(jié)范圍可以從-IOV到OV ;正電壓Vdd的調(diào)節(jié)范圍可在3V到IOV左右。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路，其特征在于第三驅(qū)動晶體管T3采用P型晶體管結(jié)構(gòu)，寬長比的不同選擇影響OLED的輸出電流，也影響了 OLED衰退補(bǔ)償特性，寬長比的取值范圍可從0. 05到5 ;寬長比值越小，OLED的輸出電流越小，衰退補(bǔ)償特性越好。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制像素驅(qū)動電路，其特征在于所述電容Cl采用多晶-絕緣體-多晶PIP電容、金屬-絕緣體-金屬M(fèi)IM電容、金屬-氧化物-金屬M(fèi)OM電容或深溝道電容中任意一種；存儲電容Cl的取值范圍為30ff 到 120ffo
全文摘要
本發(fā)明涉及一種硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器電流脈寬調(diào)制驅(qū)動電路。它由像素單元電路連接參考電流產(chǎn)生電路構(gòu)成。該像素驅(qū)動電路包括驅(qū)動晶體管、2個開關(guān)晶體管、存儲電容、有機(jī)發(fā)光二極管。其中，第一開關(guān)晶體管的漏極接列驅(qū)動信號，柵極接行驅(qū)動信號，源極接第二開關(guān)晶體管的柵極，第一開關(guān)晶體管在行驅(qū)動信號選通情況下，將列驅(qū)動信號寫入存儲電容，第二開關(guān)晶體管的漏極接有機(jī)發(fā)光二極管的陽極，源級接驅(qū)動晶體管的漏極，通過存儲電容的信息控制第二開關(guān)晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)，驅(qū)動晶體管的柵極接參考電流產(chǎn)生電路的參考電壓，源級接正電源，參考電壓為像素驅(qū)動單元提供一個穩(wěn)定精確的外部輸入電壓。
文檔編號G09G3/32GK102956197SQ201210414879
公開日2013年3月6日 申請日期2012年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月26日
發(fā)明者季淵, 儲楚, 冉峰, 徐美華, 沈偉星 申請人:上海大學(xué)