專利名稱：噴墨打印頭的鈍化的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用鈍化涂料的化學(xué)蒸汽沉淀，對(duì)帶槽噴墨打印頭部件的槽壁進(jìn)行選擇性鈍化；在另一方面，本發(fā)明涉及一種通用的真空處理部件表面的方法。
在真空中利用化學(xué)蒸汽沉淀使鈍化層(如硅氮化物)沉淀來(lái)進(jìn)行表面保護(hù)在現(xiàn)有技術(shù)中公知，如“應(yīng)用物理雜志”66，No.6，2475-2480頁(yè)。該技術(shù)大量使用于半導(dǎo)體裝置的制造中，通過(guò)使用影印石版掩模來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)那些所需要區(qū)域的涂料進(jìn)行限制。如

圖1(a)所示，在前一步驟中，在將未暴露在紫外線下的區(qū)域(以3指示)溶解后，遮蔽材料層1保持在基底2上選定的位置。然后整個(gè)基底暴露在以4指示的鈍化涂料中。圖1(b)顯示了經(jīng)涂料處理之后的基底2鈍化物5已沉積在區(qū)域3上，同時(shí)沉積在遮蔽材料上的鈍化物隨著移走遮蔽材料本身而被一起移走。上述遮蔽過(guò)程在技術(shù)中公知，并在平面硅晶片裝置的制造中效果很好。
在EP-A-0 364 136中以通用術(shù)語(yǔ)討論了帶槽噴墨打印頭的鈍化，在這兒作為參考。圖2(a)是本文檔所公開(kāi)類型的打印頭的一個(gè)部分，其垂直于槽的縱軸這些裝置包括一排形成于壓電材料板14中的槽12，板最好由鉛鋯鈦酸鹽(PZT)制成，并已沿箭頭15指示的厚度方向極化。每個(gè)槽由側(cè)壁16、底面18和頂板20所限定，并在每個(gè)側(cè)壁的表面上形成一個(gè)電極34。
如已知，比如這兒參考的EP-A-0 277 703，形成于側(cè)壁16相對(duì)表面上的電極34之間的電場(chǎng)的應(yīng)用，會(huì)導(dǎo)致側(cè)壁的壓電材料產(chǎn)生剪切變形，從而使小墨水滴從與槽相連的噴嘴中滴出。
如圖2(b)沿槽縱軸的截面圖所示，這樣一個(gè)噴嘴24可以位于每個(gè)槽12的前端，而槽又包括一個(gè)同一深度的前部36和一個(gè)深度較小的后部38，前部大致裝于槽深度的一半處，后部完全裝于底部和壁之上，以形成連接軌道。槽中電極的前部施加上述的驅(qū)動(dòng)電場(chǎng)，而后部即電極的連接軌道部分例如通過(guò)導(dǎo)線搭接等相連接，以驅(qū)動(dòng)電壓供給裝置(圖中未示)。鎳、鎳鉻物(一種鎳和鉻的合金)和鋁因?yàn)楦邆鲗?dǎo)率和適合導(dǎo)線搭接，已被證明為特別適合于作電極材料。
對(duì)這種打印頭槽壁上的電極隨后進(jìn)行鈍化是必要的，以在操作打印頭的過(guò)程中保護(hù)電極免遭槽中容納的墨的侵襲。鋁尤其需要鈍化，以抑制如果電極直接接觸墨可能發(fā)生的電解和起泡或腐蝕。當(dāng)墨是墨水或者可導(dǎo)電時(shí)，尤其需要該保護(hù)作用。
鈍化層的混合物被選定來(lái)作為電子和/或離子和/或墨水屏障，且最好安裝得向下延伸至槽的一個(gè)側(cè)壁、橫跨槽的底部、向上延伸至槽的另一個(gè)側(cè)壁并從那個(gè)側(cè)壁頂部進(jìn)入附近的槽，由此建立一個(gè)連續(xù)的沒(méi)有任何邊界的保護(hù)層，否則墨水可能滲漏下去。這兒所參考的WO95/07820公開(kāi)了尤其適合于如圖2(a)和(b)所示的“深”槽鈍化的化學(xué)蒸汽沉淀過(guò)程，其槽的外表(高/寬)比率至少為3∶1。
應(yīng)該說(shuō)明打印頭后部38中的連接軌道必須不接觸鈍化物，以便建立軌道至驅(qū)動(dòng)電路的連接(通常是導(dǎo)線搭接)。然而，當(dāng)利用化學(xué)蒸汽沉淀來(lái)沉積鈍化層時(shí)，前述傳統(tǒng)使用的影印石版掩模技術(shù)被證明在這種情形下使用很困難具體說(shuō)，在每個(gè)槽后部的壁和底面(典型寬度為60-90微米，深度為20-25微米)上施加和去除遮蔽材料是非常復(fù)雜和困難的。如果除了后部38還需要遮蔽槽的整個(gè)深度的一部分，前部36(典型寬度為60-90微米，典型深度為300-400微米)，這些問(wèn)題變得更嚴(yán)重；屬于本申請(qǐng)人的共同未決的國(guó)際申請(qǐng)no.PCT/GB97/01083公開(kāi)的打印頭構(gòu)造中提出了這種情形，在這兒作為參考。
本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是一種處理方法，用于對(duì)深槽噴墨打印頭的槽壁進(jìn)行選擇性鈍化，而無(wú)傳統(tǒng)技術(shù)的缺點(diǎn)，并保證將鈍化涂料精確地置于噴墨打印頭槽中。
因此，本發(fā)明的第一個(gè)方面是包括一種方法，通過(guò)鈍化涂料的化學(xué)蒸汽沉淀，用于選擇性地鈍化帶槽噴墨打印頭部件的槽壁；該方法包括將所述部件安裝于一個(gè)支撐中，與其基準(zhǔn)定位點(diǎn)對(duì)齊；支撐帶有遮蔽裝置以遮蔽部件的選定區(qū)域，并將鈍化涂料沉積于槽壁的未遮蔽部分上。
利用固定于支撐上而不屬于部件本身的遮蔽裝置，可以以一種簡(jiǎn)單而有效的方式防止形成于部件中的槽的槽壁某些部分鈍化。此外，支撐上的基準(zhǔn)定位點(diǎn)可保證精確遮蔽，其允許需鈍化的部件相對(duì)于支撐因此即相對(duì)于遮蔽裝置精確地定位。
有利的是，遮蔽裝置與支撐是一體的。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)符合本發(fā)明的化學(xué)蒸汽沉淀通常導(dǎo)致加熱遮蔽裝置的表面，而這種一體式結(jié)構(gòu)使熱量容易從表面流走，流至支撐的其余部分，因此減小了遮蔽裝置可能變形而與正在鈍化的部件不對(duì)齊的趨勢(shì)。
更有利的是，部件的一個(gè)第一帶槽表面被彈性貼靠于支撐上。業(yè)已發(fā)現(xiàn)，在欲處理的部件由鉛鋯鈦酸鹽(PZT)等尺寸公差小于硅等傳統(tǒng)材料所能達(dá)到的公差的材料所組成，以及在部件厚度有顯著變化時(shí)，這個(gè)特征特別有用。在這種情形下，傳統(tǒng)的在部件兩個(gè)表面夾緊的方法將產(chǎn)生夾緊力的變動(dòng)，導(dǎo)致部件變形。只將部件的一個(gè)表面貼靠于支撐就避免了這個(gè)問(wèn)題。
部件第一帶槽表面對(duì)面的那個(gè)部件表面可有利地與流體進(jìn)行熱交換。這種無(wú)基板和相關(guān)熱衰退化合物及墊料介入的直接交換，允許更精確地控制部件溫度。
在部件和流體之間可置入一層膜。這層膜稍微阻礙了熱交換，但如果部件正在滲漏或開(kāi)始滲漏(如開(kāi)裂)時(shí)，它可維持空腔中的真空。此外，膜方便地附著于支撐上，以便將部件保持于支撐中，即便不是與支撐完全貼靠，這樣可得到一個(gè)更容易操作的組件。
本發(fā)明的第二個(gè)方面包括一種真空處理部件第一表面的方法，部件位于容納部件支撐的真空腔中，其中一層膜將部件的第二表面與熱/冷流體分隔開(kāi)，第二表面位于所述第一表面的對(duì)面；在部件和通過(guò)膜的流體間進(jìn)行熱交換；方法包括如下步驟將部件置入支撐以使得部件的第一表面與支撐貼靠，將膜附著于支撐上以便將部件保持在支撐中，以及真空處理如此位于支撐中的部件第一表面。
支撐貼靠欲處理部件的邊緣，一層膜附著于支撐上以將部件保持在支撐中，支撐的這種設(shè)計(jì)允許通過(guò)流體對(duì)部件未處理的邊進(jìn)行冷卻(或甚至加熱)，同時(shí)，如果部件正在滲漏或開(kāi)始滲漏(如開(kāi)裂)時(shí)，其可確保流體不會(huì)滲入真空腔中(這將破壞處理所需要的真空)。此外，通過(guò)利用膜將部件保持于支撐中，得到的組件比單獨(dú)的部件或松動(dòng)于支撐中的部件都要更容易操作。
在部件形成部分晶片時(shí)，上述設(shè)計(jì)特別有利。這些晶片很難操作，尤其是壓電活性材料的晶片，特別是鉛鋯鈦酸鹽(PZT)。
在后附的權(quán)利要求、描述和附圖中將展示本發(fā)明的其他有利的實(shí)施例。
現(xiàn)在將通過(guò)參考附圖的例子來(lái)描述本發(fā)明，其中圖3(a)是符合本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的設(shè)備的截面圖；圖3(b)是圖3(a)相應(yīng)的平面圖；圖3(c)是圖3(a)中A向的詳細(xì)視圖；圖4(a)是沿打印頭槽的方向的截面圖，打印頭按照本發(fā)明制造；圖4(b)是打印頭槽壁的截面圖，沿圖4(a)中C-C線；圖5是本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的截面圖。
參考圖3(a)，說(shuō)明了一個(gè)PZT晶片100，沿厚度方向極化。晶片的上表面180上形成了好幾套符合WO95/18717(在這兒作為參考)的平行槽210、220，以便通過(guò)將晶片切成穿過(guò)槽的小片來(lái)形成更大量的單獨(dú)打印頭，其步驟將隨后討論。如上所述，槽壁上形成了電極(圖中未示)。
晶片100安裝于由含銀的硅樹(shù)脂組成的導(dǎo)熱墊料120中，硅樹(shù)脂在現(xiàn)有技術(shù)中已知；通過(guò)在兩者間插入一層薄的熱衰退化合物(圖中未示)，導(dǎo)熱墊料又安裝于一塊導(dǎo)熱(如碳或鋁等金屬)板130中。由板能夠夾入傳統(tǒng)真空處理設(shè)備(一個(gè)環(huán)形夾緊圈和一個(gè)O形密封圈，分別以140和150來(lái)指示)來(lái)定板130的尺寸；如160所指示，冷卻流體(通常是裝于空腔165中的氦)流過(guò)板的底面。
遮蔽裝置170貼靠晶片上表面180，并通過(guò)確保遮蔽裝置和板精確對(duì)齊、因此確保鈍化層精確置于晶片上的裝置來(lái)附著于板130上。在示例中，裝置包括凸出于板130的第一和第二銷釘175，利用孔和狹槽(圖中未示)定位于遮蔽裝置170中?？椎闹睆脚c相應(yīng)的銷釘直徑相匹配，以確保遮蔽裝置和板的精確對(duì)齊，同時(shí)第二銷釘位于的狹槽還用于鈍化過(guò)程中遮蔽裝置的熱膨脹。
硅樹(shù)脂墊料120彈性地支撐晶片的下表面190，以彌補(bǔ)晶片厚度上的任何變化，并避免由于不均勻夾緊力而造成的晶片變形。
遮蔽裝置可由任何真空相容的導(dǎo)熱材料制成，如碳、不銹鋼和鋁。圖4a例子中的遮蔽裝置由約2毫米厚的鋁制成，其覆蓋著晶片。
翻到圖3(b)，參考號(hào)250指示著安裝于板130上的基準(zhǔn)點(diǎn)特征(示例中為金屬銷釘)，晶片通過(guò)其對(duì)齊。如上述WO95/18717中的解釋，這些基準(zhǔn)點(diǎn)特征和晶片上相應(yīng)的定位點(diǎn)(圖中未示)用于鋸晶片上的槽這個(gè)前一制造步驟中，并允許在隨后制造步驟中正確放置形成于晶片中的槽。示于圖3(b)中的兩個(gè)銷釘250最好與晶片上兩個(gè)相應(yīng)的定位點(diǎn)對(duì)齊，這樣允許部件準(zhǔn)確地相對(duì)于支撐(從而相對(duì)于遮蔽裝置)在兩個(gè)互相垂直的方向定位。
在圖3(b)中，舉例來(lái)說(shuō)，在晶片上形成了兩套槽210、220。在隨后的制造步驟中，這些槽的集合將沿211和221線分別切開(kāi)，以各自形成四排示于圖3b中類型的打印頭。為了每排打印頭都有各自不被鈍化的后部42，以允許與電極電鍍進(jìn)行電力連接，有必要精確地遮蔽晶片的邊緣230和中央240。
有利的是，一方面通過(guò)位于遮蔽裝置170和板130間的對(duì)齊裝置175，另一方面通過(guò)位于板130和與槽一起形成的晶片130之間的對(duì)齊裝置250，遮蔽裝置相對(duì)于槽精確定位變得容易了。
圖3(c)顯示了遮蔽裝置和槽沿圖3(a)中A向的細(xì)節(jié)，如上述，深槽噴墨打印頭槽壁的鈍化最好用WO95/07820中所述過(guò)程來(lái)進(jìn)行，其特征是來(lái)自供給源的鈍化分子到達(dá)晶片表面的路徑不是成直線，而是多重分散的。
因此，遮蔽裝置的邊緣最好如171所示成一角度(典型為60°)，以免阻礙分子以一不垂直的角度接近基底的路徑，如203所示。遮蔽斜面171的頂邊173最好接近于晶片表面或與晶片表面接觸，以使鈍化物(其可能沿對(duì)面的路徑204)進(jìn)入如205所示的遮蔽裝置底部的數(shù)量最少。如果需要的話，可通過(guò)將頂邊173延伸超出槽中的點(diǎn)202來(lái)進(jìn)一步彌補(bǔ)后一個(gè)問(wèn)題—頂邊173的一般延伸量等于槽的深度，而鈍化層被設(shè)計(jì)為終止于點(diǎn)202。
此外或作為上述的另一種選擇，根據(jù)前述未決的PCT專利申請(qǐng)no.PCT/GB97/01083，部分槽壁可以在應(yīng)用電極前選擇性地進(jìn)行鈍化。如圖4(a)所示，這樣一個(gè)打印頭帶有全部深度槽的一個(gè)部分(N)，其一個(gè)側(cè)面向墨水供給窗27張開(kāi)(因此，其不是槽“工作”長(zhǎng)度L的一部分)；其與圖2(b)中傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的差異在于在電極34和槽壁16的壓電材料間插入了一鈍化材料層40，層40的絕緣常數(shù)要低于槽壁壓電材料的絕緣常數(shù)。
如槽壁部分的截面圖4(b)明顯所示，在兩鈍化層(電容C2)之間串聯(lián)夾入了壓電材料(電容C1)，結(jié)果壓電材料的總電容將小于槽壁壓電材料單獨(dú)的電容，因?yàn)榭上雀潘阋幌?，總電容?/C總＝1/C2+2/C1給出。因此，打印頭的總電容負(fù)載降低了。
如圖4(a)可見(jiàn)，該技術(shù)也能夠應(yīng)用于連接軌道的區(qū)域C以及過(guò)渡區(qū)域R。為了更有效，預(yù)鈍化層40最好須相對(duì)于電極和墨水入口而精確地置于槽中。這可通過(guò)使用符合本發(fā)明的合適遮蔽裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)。
圖5說(shuō)明了本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，對(duì)于參考圖3(a)-(c)已討論過(guò)的那些特征，其參考號(hào)是相同的。在上表面180上形成若干組槽210、220的晶片100位于一個(gè)盒310中，盒310處于一個(gè)整體式的遮蔽裝置/支撐結(jié)構(gòu)300中，晶片上表面180與結(jié)構(gòu)300在至少部分遮蔽邊230處貼靠。一層不透氣的膜320延伸越過(guò)晶片100和結(jié)構(gòu)300的后部—這樣可將晶片保持在盒310中—然后膜延伸至結(jié)構(gòu)的邊緣，利用傳統(tǒng)真空處理裝置的O形圈150(包括環(huán)形夾緊圈140)來(lái)密封，因此可將整個(gè)支撐與冷卻氣體隔開(kāi)。
其后，在位于被夾緊的支撐下面的空腔165中可以以傳統(tǒng)方式流通冷卻(或加熱)氣體160，在晶片100與可能通過(guò)膜320的冷卻氣體160之間的熱交換要顯著大于圖4a、b的設(shè)計(jì)中晶片與可能通過(guò)熱衰退化合物、硅樹(shù)脂墊料和鋁板間的熱交換。
本發(fā)明尤其適合于根據(jù)前述WO95/07820，給用壓電材料形成的槽壁涂上無(wú)機(jī)鈍化層。該過(guò)程涉及將帶槽晶片的平均溫度保持在200℃以下，在該溫度下，材料的極性降低不超過(guò)30％；并暴露出槽壁表面以鈍化成涂料的均質(zhì)蒸汽；而在從蒸汽源送至帶槽部件表面的過(guò)程中，蒸汽經(jīng)過(guò)了多重分散。
本發(fā)明的這種設(shè)計(jì)允許發(fā)生沉積的晶片表面保持在一個(gè)非常低的溫度(典型為40℃而不是140℃)，而這又進(jìn)一步允許使用更具活性類型的壓電材料—尤其如PZT類型的材料—其極性在較高溫度下將消失。對(duì)于高溫鈍化技術(shù)，如使用高微波能或RF偏壓晶片，該設(shè)計(jì)也能夠保持已存在的溫度水平。
此外，這種設(shè)計(jì)可幫助降低晶片用遮蔽裝置遮蔽沉淀部分與完全暴露在沉淀下的部分之間的溫度變化；如果沒(méi)有這種冷卻，晶片相鄰部分間在30秒左右就能夠產(chǎn)生60℃量級(jí)的溫度差異，這將產(chǎn)生不同的膨脹，導(dǎo)致晶片破裂。
如果晶片破裂或晶片材料是可滲透氣體的，膜320也確保了冷卻氣體不會(huì)逸入處理腔中。有利的是，膜可拆卸地粘貼于整體式結(jié)構(gòu)300的后部，因此即使結(jié)構(gòu)從真空處理設(shè)備中移走，仍可將晶片保持在該整體式結(jié)構(gòu)中。這簡(jiǎn)化了操作，尤其是對(duì)于易破碎的晶片，并且是一種適用于所有真空處理的設(shè)計(jì)，不僅僅限于鈍化或化學(xué)蒸汽沉積。膜用如聚氯乙烯、聚酯、聚酰亞胺等聚合物制成，厚度為50-100微米，其已被特別證明有足夠的強(qiáng)度和有利的熱交換特性。
作為膜320的另一種選擇，用如聚酰亞胺等真空相容的不透氣材料制成的自粘膠帶可用于密封晶片100的周邊與盒310邊緣(在圖5中以虛線400所指示)之間的空隙。與膜相比，這種設(shè)計(jì)對(duì)熱交換的阻抗稍低，獲得滿盒空氣的可能較小，這可產(chǎn)生熱點(diǎn)，而空氣本來(lái)可以將晶片的下表面與冷卻氣流隔離。膠帶也可以置于晶片下表面那些特別易受破裂影響的區(qū)域。
對(duì)于第一個(gè)實(shí)施例，貼靠晶片100的一個(gè)側(cè)面只是避免了由于不均勻的晶片厚度導(dǎo)致的不均勻夾緊力產(chǎn)生的晶片變形。圖5中遮蔽裝置170的中心部分240也提供了一定程度的對(duì)晶片100中心的支撐，以抵抗冷卻流體160施加于下表面190的壓力。
符合圖5的遮蔽裝置和支撐的整體式結(jié)構(gòu)還進(jìn)一步使從遮蔽裝置表面到支撐底部并因此到冷卻氣體的熱交換變得容易。對(duì)于先前的實(shí)施例，結(jié)構(gòu)能夠提供定位晶片的基準(zhǔn)點(diǎn)，這樣確保了晶片與其上的遮蔽裝置之間的精確對(duì)齊；在示例中，基準(zhǔn)點(diǎn)是安裝在盒310邊緣的銷釘。
應(yīng)理解只是通過(guò)例子描述了本發(fā)明，在不超出本發(fā)明范圍的情況下，可作出多種變動(dòng)。
比如，槽中電極的高度可根據(jù)最小耗能(大致正比于電容和工作電壓平方的乘積)而不是最小工作電壓來(lái)優(yōu)化。這將導(dǎo)致電極只向下延伸至槽壁的三分之一長(zhǎng)度，而不是每個(gè)前述EP-A-0 364 136中的向下延伸一半長(zhǎng)度。
關(guān)閉頂部張開(kāi)的槽的頂板一般用與形成槽的板相同的壓電材料制成，以確保熱匹配。雖然EP-A-0 364 136建議板不要極化以避免寄生電場(chǎng)導(dǎo)致的變形，但在實(shí)踐中尚未發(fā)現(xiàn)使用極化材料對(duì)打印頭性能有任何顯著影響，并且有利地將材料目錄減少至單一類型的(極化)壓電材料。
在組裝頂板后，單個(gè)槽可通過(guò)測(cè)量位于壁兩側(cè)的兩個(gè)電極之間的電容來(lái)測(cè)試。作為另一種選擇，根據(jù)EP-A-0 376 606，可測(cè)量壁的共振現(xiàn)象。這兩種技術(shù)都可由裝置自動(dòng)進(jìn)行，裝置帶有探針，其與壁上兩個(gè)電極的連接軌道接觸，進(jìn)行測(cè)量，然后移向下一個(gè)槽。
形成槽噴嘴的噴嘴板可根據(jù)WO95/11131附著于打印頭上，最好使用一種熱融膠，以便在隨后證明噴嘴形成過(guò)程失敗后，能夠拆下噴嘴板。合適的膠依賴于所用的墨，可包括HM240/12、HM260/12和HM31/12，Borden HM617；3M 3748Q和3764Q；Paragon Prodag 873，697，984和Bostik HM 5649。
噴嘴板可在附著前通過(guò)切割等方法來(lái)成形，使厚度從槽隊(duì)列中央的40-50微米變至槽隊(duì)列端部的1-20微米。這允許在槽隊(duì)列端部形成更厚的膠層，使噴嘴板抗剪切和剝落應(yīng)力的能力更強(qiáng)，尤其是在槽隊(duì)列方向。
噴嘴形成最好在噴嘴板附著后進(jìn)行，使用WO93/15911中描述的技術(shù)。根據(jù)WO96/08375，可使用如Datac P7085、Swift K9250和DPAC 4427等壓力敏感膠，將保護(hù)性膠帶應(yīng)用于噴嘴板的干涂料上。
本說(shuō)明書(shū)(該術(shù)語(yǔ)包括權(quán)利要求)公開(kāi)的和/或附圖顯示的每個(gè)特征，都可與其他公開(kāi)的和/或闡述的特征獨(dú)立并入本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種利用鈍化涂料的化學(xué)蒸汽沉淀、對(duì)帶槽噴墨打印頭部件進(jìn)行選擇性鈍化的方法，包括將所述部件安裝于一個(gè)支撐中，與其基準(zhǔn)定位點(diǎn)對(duì)齊，該支撐帶有遮蔽裝置以遮蔽部件的選定區(qū)域，并將鈍化涂料沉積于槽壁的未遮蔽部分上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，遮蔽裝置置于支撐的固定位置上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，遮蔽裝置與支撐是一體的。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，部件帶有至少一個(gè)基準(zhǔn)面，用于與支撐上的基準(zhǔn)定位點(diǎn)對(duì)齊，所述部件的槽至少與一個(gè)基準(zhǔn)面對(duì)齊形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，部件帶有兩個(gè)基準(zhǔn)面，以允許部件在兩個(gè)互相垂直的方向上與支撐對(duì)齊。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，部件的一個(gè)第一帶槽表面貼靠于支撐上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一帶槽表面被彈性貼靠于支撐上。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，部件的一個(gè)第一帶槽表面貼靠于所述遮蔽裝置的遮蔽邊緣上。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，與部件第一帶槽表面相對(duì)的一個(gè)部件表面與流體進(jìn)行熱交換。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述流體與部件直接接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，一層膜被插入在部件和流體之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述膜將部件與流體隔開(kāi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述膜附著于支撐上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述膜將支撐與流體隔開(kāi)。
15.根據(jù)從屬于權(quán)利要求6的權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述膜用于保持部件與支撐貼靠。
16.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述遮蔽裝置的一條遮蔽邊在遮蔽裝置背離部件第一帶槽表面的那個(gè)面上被切成斜面。
17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述遮蔽裝置的一條遮蔽邊基本接觸部件的第一帶槽表面。
18.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述遮蔽裝置帶有多個(gè)孔。
19.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述支撐在鈍化涂料沉積之前被置于一個(gè)真空腔中。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述支撐被夾緊于所述真空腔中。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，所述部件的形式是晶片。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，晶片中包含多個(gè)部件，其各個(gè)表面同時(shí)進(jìn)行真空處理。
23.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述帶槽噴墨打印頭部件的所述槽的寬度范圍為60-90微米。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，槽的深度大于20微米。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，槽的深度大于300微米。
26.一種真空處理部件第一表面的方法，部件位于容納部件支撐的真空腔中，其特征在于，一層膜將部件的第二表面與熱交換流體分隔開(kāi)，第二表面位于所述第一表面的對(duì)面，在部件和通過(guò)膜的流體間發(fā)生熱交換，該方法包括如下步驟將部件置入支撐以使得部件的第一表面與支撐貼靠，將膜附著于支撐上以便將部件保持在支撐中，以及對(duì)部件的第一表面進(jìn)行真空處理。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述部件的形式是晶片。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，一個(gè)晶片中包含多個(gè)部件，其各個(gè)表面同時(shí)進(jìn)行真空處理。
全文摘要
一種利用鈍化涂料的化學(xué)蒸汽沉淀、對(duì)帶槽噴墨打印頭部件(100)的槽壁(210,220)進(jìn)行選擇性鈍化的方法;方法包括將所述部件安裝于一個(gè)支撐(130)中,與其上的基準(zhǔn)定位點(diǎn)(175)對(duì)齊;支撐帶有遮蔽裝置(170)以遮蔽部件的選定區(qū)域,并將鈍化涂料沉積于槽壁的未遮蔽部分上。
文檔編號(hào)B41J2/055GK1241968SQ971809
公開(kāi)日2000年1月19日 申請(qǐng)日期1997年10月17日 優(yōu)先權(quán)日1996年10月24日
發(fā)明者J·阿舍, C·D·菲利普斯, A·李, S·斯配克曼 申請(qǐng)人:薩爾技術(shù)有限公司