專利名稱：電磁波透過性光亮樹脂制品及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電磁波透過性光亮樹脂制品以及制備該電磁波透過性光亮樹脂制品的方法，其中所述電磁波透過性光亮樹脂制品包括樹脂基底和在所述基底上形成的鉻膜。

背景技術(shù)：
目前，從外觀的觀點考慮，由樹脂制成的輻射器格柵等的表面通常被鍍覆以賦予其亮度(金屬光澤)。已經(jīng)提出了一種這樣的鍍覆的制品，其抑制由于應(yīng)力而引起的破裂，因此可以防止外觀質(zhì)量的降低，并且其具有優(yōu)異的耐腐蝕性和耐候性。如專利文獻(xiàn)1所述，該鍍覆的制品包括厚度被控制為大約

因而具有晶粒界面的鉻膜。上述效果是因為鉻膜具有晶粒界面而引起的。具體而言，即使當(dāng)鍍覆的制品受到外部應(yīng)力時，這只增加相鄰晶粒之間的距離而幾乎不會導(dǎo)致將應(yīng)力施加于金屬本身(鉻)。即，金屬膜(鉻膜)不可能發(fā)生破裂。
另一方面，存在下列情況機動車輛裝備有用于測定距離的雷達(dá)裝置來警告駕駛員車輛已接近附近的物體，從而提高其安全性。雷達(dá)裝置設(shè)置在機動車輛的各種部位，例如，在輻射器格柵、背板等的后面。該雷達(dá)裝置向物體發(fā)射電磁波以測定與該物體的距離。因此，如果在雷達(dá)裝置和物體之間存在截斷電磁波的物質(zhì)(例如金屬)，則雷達(dá)裝置不能發(fā)揮其作用。因此，還要求位于雷達(dá)裝置前面的機動車外部樹脂制品(例如，輻射器格柵(雷達(dá)裝置遮蓋部件))具有電磁波透過性。
為了滿足該需求，已經(jīng)提出了將銦(In)膜作為具有電磁波透過性的光亮沉積物，其中所述銦膜能夠變成具有不連續(xù)結(jié)構(gòu)(海島結(jié)構(gòu))的膜。
然而，近來由于銦的成本增加，所以需要用另一種金屬(尤其是價廉的金屬)來代替該金屬。
專利文獻(xiàn)1JP-A-9-70920 最近發(fā)現(xiàn)，當(dāng)將鉻膜沉積到樹脂基底上并且然后與樹脂一起進(jìn)行加熱時，鉻膜產(chǎn)生裂紋(所述裂紋非常細(xì)小以至于對外觀不產(chǎn)生影響)，因而具有不連續(xù)結(jié)構(gòu)，這樣處理的鉻膜增強了表面電阻并且降低了電磁波衰減量(更高的電磁波透過性)。


發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種電磁波透過性光亮樹脂制品，其包括具有不連續(xù)結(jié)構(gòu)的鉻膜，因此，盡管該制品具有亮度，但是其也具有電磁波透過性。本發(fā)明的另一個目的是提供一種制備電磁波透過性光亮樹脂制品的方法。
(A)電磁波透過性光亮樹脂制品 本發(fā)明提供一種電磁波透過性光亮樹脂制品，其包括樹脂基底和在所述樹脂基底上形成的鉻膜，所述鉻膜具有不連續(xù)結(jié)構(gòu)并且厚度為20nm或更大。
本發(fā)明提供另一種電磁波透過性光亮樹脂制品，該制品包括樹脂基底；在所述樹脂基底上形成的金屬膜，所述金屬膜具有不連續(xù)結(jié)構(gòu)并且由光反射率高于鉻的光反射率的金屬制成；以及在所述金屬膜上形成的鉻膜，所述鉻膜具有不連續(xù)結(jié)構(gòu)并且厚度為20nm或更大。
(B)制備電磁波透過性光亮樹脂制品的方法 本發(fā)明提供一種制備電磁波透過性光亮樹脂制品的方法，該方法包括通過干式鍍覆法將鉻膜沉積在樹脂基底上；然后將沉積物與所述樹脂基底一起加熱，從而使所述鉻膜轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂胁贿B續(xù)結(jié)構(gòu)的膜。
本發(fā)明還提供另一種制備電磁波透過性光亮樹脂制品的方法，該方法包括通過干式鍍覆法將金屬膜沉積在樹脂基底上，該金屬膜由光反射率高于鉻的光反射率的金屬制成；通過干式鍍覆法將鉻膜沉積在金屬膜上，以及，然后將所述沉積物與所述樹脂基底一起加熱，從而使所述金屬膜和所述鉻膜轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂胁贿B續(xù)結(jié)構(gòu)的膜。
此處描述了鉻膜(包括由鉻膜和另一種金屬膜構(gòu)成的多層膜)破裂的機理。據(jù)認(rèn)為，下列兩種因素是鉻膜破裂的原因。
首先，鉻是一種具有高P-B比(1.99)的金屬，其中所述P-B比為金屬氧化物的摩爾體積與金屬氧化物中的金屬的摩爾體積之間的比值。因此，由于氧化，鉻表現(xiàn)出相當(dāng)大的體積變化(體積增加)。因此，沉積的鉻膜的空氣氧化導(dǎo)致膜內(nèi)積聚了很多應(yīng)變(內(nèi)應(yīng)力)。
其次，樹脂的線性膨脹系數(shù)(聚碳酸酯的線性膨脹系數(shù)6.6×10-5/K)高于鉻的線性膨脹系數(shù)(線性膨脹系數(shù)0.62×10-5/K)(即，前者的線性膨脹系數(shù)至少為后者的線性膨脹系數(shù)的10倍)。因此在加熱時，樹脂比鉻膜膨脹得多，因此，鉻膜受到外應(yīng)力。
結(jié)果，鉻膜由于內(nèi)應(yīng)力和外應(yīng)力而破裂。
在由鉻膜和另一種金屬膜構(gòu)成多層膜的情況下，鉻膜因此而破裂，并且由于另一種金屬膜與鉻膜緊密接觸，因此這種開裂引起另一種金屬膜破裂。
本發(fā)明中的要素的實施方案作為例子在下文示出。
1.樹脂基底 樹脂基底的形狀并不特別限定。其例子包括板狀材料、片狀材料和薄膜材料。
構(gòu)成樹脂基底的樹脂除了優(yōu)選為光學(xué)透明以增強沉積在其上的金屬膜(包括鉻膜)的亮度以外，所述樹脂并不特別限定。然而，優(yōu)選熱塑性樹脂。其例子包括聚碳酸酯(PC)、丙烯酸系樹脂、聚苯乙烯(PS)、聚(氯乙稀)(PVC)、聚(對苯二甲酸乙二醇酯)(PET)、丙烯腈/丁二烯/苯乙烯共聚物(ABS)和聚氨酯。順便提及，術(shù)語“光學(xué)透明”指這樣一種概念，其不僅包括“無色透明”，而且還包括“有色透明”。
樹脂的線性膨脹系數(shù)并不特別限定。然而，優(yōu)選線性膨脹系數(shù)為4.0×10-5/K至15.0×10-5/K的樹脂。更優(yōu)選線性膨脹系數(shù)為5.0×10-5/K至10.0×10-5/K的樹脂。
2.鉻膜 用于形成鉻膜的鉻并不特別限定，其可以為鉻(純金屬)或鉻合金。
鉻金屬的厚度并不特別限定。然而，其厚度優(yōu)選為20-150nm，更優(yōu)選為25-75nm。
沉積具有該厚度的鉻膜的干式鍍覆法的條件并不特別限定。然而，例如在通過濺射法沉積膜的情況下，輸出優(yōu)選為100-800W，沉積時間優(yōu)選為10-500秒。但是，應(yīng)該注意到，因為膜的厚度與輸出和沉積時間的乘積成比例，所以不是上述范圍內(nèi)的所有輸出和沉積時間的組合都是優(yōu)選的。
3.金屬膜 當(dāng)樹脂制品包括由光反射率高于鉻的光反射率的金屬制成的金屬膜時，該樹脂制品具有改善的亮度(金屬光澤)。
光反射率(可見光反射率)高于鉻的光反射率的金屬并不特別限定。該金屬可以是純金屬或合金。該金屬的例子包括鋁(Al)、銀(Ag)、鎳(Ni)、金(Au)以及鉑(Pt)。
此處，光反射率的值是在550nm的波長處測定的光反射率的值。
金屬膜的厚度并不特別限定。然而，金屬膜優(yōu)選比鉻膜薄，原因在于該較薄的金屬膜容易通過加熱而破裂(容易轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂胁贿B續(xù)結(jié)構(gòu)的膜)。盡管具體的膜的厚度并不特別限定，但是其優(yōu)選為15-150nm，更優(yōu)選為20-75nm。
例如，在通過濺射法來沉積具有該厚度的鋁膜的情況下，輸出優(yōu)選為100-800W，并且沉積時間優(yōu)選為10-500秒。但是，應(yīng)該注意到，因為膜的厚度與輸出和沉積時間的乘積成比例，所以不是上述范圍內(nèi)的所有輸出和沉積時間的組合都是優(yōu)選的。
術(shù)語“具有不連續(xù)結(jié)構(gòu)的膜”指其上具有很多細(xì)小的裂紋(所述裂紋不大以至于不對外觀產(chǎn)生影響)并且由于裂紋而不連續(xù)的膜。具有不連續(xù)結(jié)構(gòu)的金屬膜具有高的表面電阻和電磁波透過性。
4.干式鍍覆法 干式鍍覆法并不特別限定。然而，優(yōu)選物理氣相沉積法(PVD)。物理氣相沉積法并不特別限定，其例子包括真空沉積法、濺射法以及離子鍍法。
用于沉積鉻膜的干式鍍覆法和用于沉積金屬膜的干式鍍覆法可以相同(同類技術(shù))，也可以不同(不同類技術(shù))。
5.加熱 沉積物和樹脂基底一起加熱時的溫度并不特別限定。然而，該溫度優(yōu)選為60℃至樹脂基底的玻璃化轉(zhuǎn)變點(Tg)。
加熱時間并不特別限定。然而，加熱時間優(yōu)選為30分鐘至8小時。
6.電磁波透過性光亮樹脂制品 電磁波透過性光亮樹脂制品的應(yīng)用并不特別限定。其例子包括需要結(jié)合亮度和電磁波透過性的應(yīng)用，例如毫米波雷達(dá)附件的遮蓋物和通訊設(shè)備的殼體。
本發(fā)明能夠提供電磁波透過性光亮樹脂制品，其包括具有不連續(xù)結(jié)構(gòu)的鉻膜，因此，盡管該制品具有亮度，但是其也具有電磁波透過性；以及制備這些電磁波透過性光亮樹脂制品的方法。



圖1是本發(fā)明的一個實施方案的電磁波透過性光亮樹脂制品的表面附近的微小部分的示意性剖視圖。
圖2是比較例6的樣品的表面的局部顯微照片。
圖3是實施例21的樣品的表面的局部顯微照片。
圖4是實施例12的樣品的表面的局部顯微照片。
圖5是加熱后樣品8的表面的局部顯微照片。
圖6是示出表面電阻與毫米波衰減量之間的關(guān)系的圖。
圖7是示出表面電阻與反射率之間關(guān)系的圖。
圖8是示出表面電阻對鉻膜的厚度和鋁膜的厚度之間的關(guān)系的依賴性的圖。

具體實施例方式
一種電磁波透過性光亮樹脂制品，其包括板狀聚碳酸酯；在聚碳酸酯上形成的鋁膜，其由鋁制成并且具有不連續(xù)結(jié)構(gòu)；以及在鋁膜上形成的鉻膜，其具有不連續(xù)結(jié)構(gòu)并且厚度大于或等于20nm。
[實施例] 如圖1所示，本發(fā)明的電磁波透過性光亮樹脂制品10包括聚碳酸酯基底11；通過干式鍍覆法沉積在聚碳酸酯基底11上的鋁(Al)膜13；以及通過干式鍍覆法沉積在鋁膜13上的鉻膜12。在沉積膜13和膜12然后，將這些膜和聚碳酸酯基底11一起進(jìn)行加熱。結(jié)果，鋁膜13和鉻膜12以具有不連續(xù)結(jié)構(gòu)的膜的形式存在。
下面，通過參照實施例和比較例來對本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的說明。
首先，進(jìn)行初步測試，其中將通過下列方式獲得的樣品在120℃下加熱2小時，檢查表面電阻、透射率和反射率通過加熱是如何變化的，所述方式為通過干式鍍覆法將鉻膜和鋁膜中的至少一種沉積在樹脂基底上。
通過將鋁(Al)膜沉積在厚度為3mm的板狀聚碳酸酯(PC)上、然后將鉻(Cr)膜沉積在鋁膜上來制備樣品，在加熱前和加熱后檢查這些樣品的表面電阻、透射率和反射率。鋁膜和鉻膜均是通過濺射法來沉積的。如表1所示，改變沉積條件(沉積時間)，從而分別改變膜的厚度(對于鋁而言，在輸出為200W的條件下存在5個水平，即，60秒(膜的厚度為23nm)、90秒(膜的厚度為35nm)、120秒(膜的厚度為45nm)、180秒(膜的厚度為70nm)、0(膜的厚度為0nm)；對于鉻而言，在輸出為400W的條件下存在3個水平，即，30秒(膜的厚度為30nm)、120秒(膜的厚度為120nm)、0(膜的厚度為0nm))。因此獲得14種樣品。各樣品的表面電阻、透射率和反射率的測定值分別示于表2至表4中。在表2至表4中，各框格內(nèi)的上部和下部分別為加熱前的測定值和加熱后的測定值。表面電阻的值以指數(shù)的形式給出。在1.90E+01中，E代表10，+01代表10的冪。因此，1.90E+01的值為1.90×101，即19.0。
加熱后，樣品8(鋁膜的厚度為45nm；鉻膜的厚度為30nm)的表面(鉻膜側(cè))的顯微照片示于圖5中。
[表1] 樣品No.
[表2] 表面電阻(單位Ω/□)
[表3] 透光率(單位％T)
[表4] 反射率(單位R％)
除了沉積時間之外的沉積條件示于下文中。
使用商品名為“i-miller II”(由Shibaura Mechatronics Corp.生產(chǎn))的設(shè)備作為沉積設(shè)備。設(shè)定條件包括極限真空度為5.00×10-3Pa，氬氣流量為25sccm，以及基底的旋轉(zhuǎn)速度為6rpm。腔室溫度和基底溫度均設(shè)定為27℃。
在各種鋁膜的沉積過程中，壓力、電流和電壓分別為0.103Pa、0.51A和366V。
在各種鉻膜的沉積過程中，壓力、電流和電壓分別為0.106Pa、0.97A和411V。
按照下列方式測定各樣品的表面電阻、透射率和反射率。此外在稍后給出的實施例和比較例中，也按照相同的方式測定這些性能。
(1)表面電阻 在待測定的表面電阻為1.0×104(1.0E+04)Ω/□或更低的情況下，根據(jù)JIS-K7194通過4端子4探針法來測定表面電阻。
在待測定的表面電阻為1.0×104(1.0E+04)Ω/或更高的情況下，根據(jù)JIS-K6911通過雙環(huán)探針法來測定表面電阻。
(2)透射率 使用分光光度儀(商品名為“UV-1650PC”，由Shimadzu Corp.生產(chǎn))在測定波長為550nm的條件下測定透射率。
作為參照的單獨的基底(既不包括鉻膜也不包括任何其他膜)的透射率為100％。
(3)反射率 使用分光光度儀(商品名為“UV-1650PC”，由Shimadzu Corp.生產(chǎn))在測定波長為550nm的條件下測定反射率。
作為參照的具有氣相沉積的鋁的鏡面的反射率為100％。
該測試的結(jié)果如下所示。加熱時，具有鉻膜的樣品的表面電阻增加。然而，在加熱時，具有較厚的鋁膜和較薄的鉻膜的樣品(樣品5、樣品8和樣品11)的表面電阻表現(xiàn)出相對較小的變化。這是因為鋁的膨脹系數(shù)(線性膨脹系數(shù)2.39×10-5/K)高于鉻的膨脹系數(shù)(線性膨脹系數(shù)0.62×10-5/K)，并且鋁的膨脹系數(shù)接近聚碳酸酯基底的膨脹系數(shù)(線性膨脹系數(shù)6.6×10-5/K)(即，鋁的膨脹系數(shù)介于鉻的膨脹系數(shù)和聚碳酸酯的膨脹系數(shù)之間)，因此，鋁膜起到抑制鉻膜和鋁膜通過加熱而破裂的緩沖物的作用。因此，如圖5所示，鉻膜和另一層膜很少出現(xiàn)(線狀)裂紋，并且無法變?yōu)榫哂胁贿B續(xù)結(jié)構(gòu)的膜。
在加熱時，通過僅沉積鋁膜而獲得的樣品(樣品1、樣品4、樣品7和樣品10)的表面電阻方面沒有增加。
另一方面，加熱時，上述樣品的透射率和反射率的測定值很少發(fā)生變化。發(fā)現(xiàn)加熱對這些性能產(chǎn)生有限的影響。
按照下列方式制備表5中列出的樣品。通過濺射法將鋁(Al)膜沉積在厚度為3mm的板狀聚碳酸酯(PC)基底上，并且通過濺射法將鉻(Cr)膜沉積在鋁膜上。可選擇地，通過濺射法僅僅沉積鉻膜。然后，將沉積物和聚碳酸酯基底一起在120℃下加熱2小時。因此，制得實施例的29個樣品。另外，通過下列方式制得比較例的5個樣品通過濺射法僅僅將鋁膜沉積在相同的聚碳酸酯基底上，然后將沉積物和聚碳酸酯基底一起在相同的條件下加熱。在實施例中，通過在沉積過程中改變輸出(400W或600W)和時間(30秒、60秒、90秒或0)來獲得具有30nm至120nm的7種厚度的鉻膜。在部分實施例和比較例中，通過在沉積過程中改變輸出(200W或400W)和時間(20秒、30秒、60秒、90秒或0)來獲得具有12nm至35nm的6種厚度的鋁膜。
在輸出為400W、沉積時間為30秒、60秒和120秒的條件下獲得的鉻膜的厚度分別為30nm、60nm和120nm；在輸出為600W、沉積時間為30秒、60秒和90秒的條件下獲得的鉻膜的厚度分別為45nm、90nm和135nm。
在輸出為200W、沉積時間為30秒、60秒和90秒的條件下獲得的鋁膜的厚度分別為12nm、23nm和35nm；在輸出為400W、沉積時間為20秒和30秒的條件下獲得的鋁膜的厚度分別為16nm和23nm。
測定實施例和比較例的樣品的透射率、反射率、表面電阻和毫米波衰減量，并且在表6中示出它們的測定值。加熱前測定的表面電阻值和加熱后測定的表面電阻值示于表7中。另外，透射率和反射率示于表8中，毫米波衰減量和外觀示于表9中。
圖6是示出表面電阻與毫米波衰減量之間的關(guān)系的圖，圖7是示出表面電阻與反射率之間關(guān)系的圖。
實施例12的樣品(鋁膜的厚度，12nm；鉻膜的厚度，120nm)和實施例21的樣品(鋁膜的厚度，35nm；鉻膜的厚度，45nm)的表面(鉻膜側(cè))的顯微照片示于圖3(實施例21)和圖4(實施例12)中。
[表5] T/P No.
[表6] [表7] 表面電阻(單位Ω/□) 上部分加熱前的表面電阻 下部分加熱后的表面電阻
[表8] 透射率，反射率 上部分透射率(單位％T) 下部分反射率(單位R％)
[表9] 毫米波衰減量，外觀 上部分毫米波衰減量(單位dB) 下部分外觀
除了沉積時間之外的沉積條件示于下文中。
使用商品名為“i-miller II”(由Shibaura Mechatronics Corp.生產(chǎn))的設(shè)備作為沉積設(shè)備。設(shè)定條件包括極限真空度為5.00×10-3pa，氬氣流量為25sccm，以及基底的旋轉(zhuǎn)速度為6rpm。腔室溫度和基底溫度均設(shè)定為27℃。
在輸出為200W的條件下沉積鋁膜的過程中，壓力、電流和電壓分別為0.103Pa、0.51A和366V。在輸出為400W的條件下沉積鋁膜的過程中，壓力、電流和電壓分別為0.106Pa、1.03A和401V。
在輸出為400W的條件下沉積鉻膜的過程中，壓力、電流和電壓分別為0.106Pa、0.97A和411V。在輸出為600W的條件下沉積鉻膜的過程中，壓力、電流和電壓分別為0.113Pa、1.41A和429V。
(4)毫米波衰減量 使用電磁波吸收測定裝置(自由空間法，由日本FineCeramics Center擁有)來測定毫米波衰減量。
具體而言，使從振蕩器發(fā)出的W帶(76.575GHz)中的電磁波以0度的入射角入射到樣品上，使用通過樣品與振蕩器相對布置的接收器來接受穿過樣品的電磁波。因此，測得毫米波衰減量。
(5)外觀 目測各樣品的外觀。其中目視沒有觀察到裂紋的樣品用“沒有問題”來表示，并且其中目視觀察到裂紋的樣品用“細(xì)小裂紋”來表示。
這些檢查的結(jié)果如下所示。如圖3和圖4所示，在實施例的樣品(29個樣品)中，鉻膜或者鉻膜與鋁膜出現(xiàn)裂紋并且變?yōu)榫哂胁贿B續(xù)結(jié)構(gòu)的膜。因此，這些樣品的表面電阻為1.0×105Ω/□或更高，毫米波衰減量為5dB或更小。另外，這些樣品的反射率為40R％或更高。
各樣品中的這些效果是由下列事實而引起的由于在空氣中部分氧化而引起的內(nèi)應(yīng)力以及在加熱過程中由樹脂基底施加的外應(yīng)力，鉻膜破裂。鉻膜的這種破裂使得與鉻膜接觸的鋁膜破裂。
另一方面，在比較例的各樣品(5個樣品)中，鋁膜沒有裂紋。這些樣品的表面電阻為6.0×101Ω/□或更低，毫米波衰減量為6dB或更大。
這些效果是由下列方面引起的。鋁的P-B比為1.28(其低于鉻的P-B比)，線性膨脹系數(shù)為2.39×10-5/K(其高于鉻的線性膨脹系數(shù))。因此，鋁膜中產(chǎn)生的應(yīng)力(內(nèi)應(yīng)力和外應(yīng)力)低于鉻膜中產(chǎn)生的應(yīng)力。
隨后，按照下列方式制備表10中列出的樣品。使用厚度為3mm的板狀聚碳酸酯(PC，玻璃化轉(zhuǎn)變點為124℃)、厚度為3mm的板狀丙烯酸系樹脂(玻璃化轉(zhuǎn)變點為84℃)或厚度為200μm的膜狀聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET，玻璃化轉(zhuǎn)變點為83℃)作為基底，同時在加熱過程中改變溫度(60℃，80℃或120℃)來制備實施例的9個樣品。使用厚度為1mm玻璃(載玻片)作為基底來制備比較例的3個樣品。另外，使用上述4種基底在不進(jìn)行加熱的條件下制備比較例的4個樣品。通過濺射法將厚度為23nm的鋁膜沉積在各基底上，并且通過濺射法將厚度為135nm鉻膜沉積在鋁膜上。關(guān)于濺射操作的條件，在與上述在輸出為400W、沉積時間為30秒的條件下沉積鋁膜相同的條件下進(jìn)行鋁膜的沉積。在與上述在輸出為600W、沉積時間為90秒的條件下沉積鉻膜相同的條件下進(jìn)行鉻膜的沉積。加熱時間為2小時。
實施例和比較例的樣品的表面電阻的測定值列于表11中，反射率的測定值列于表12中。順便提及，在各實施例和比較例中均制備2個樣品，并對各個樣品均進(jìn)行檢查。
比較例6的樣品(表面電阻3.54E+00；反射率66.84R％)的表面(鉻膜側(cè))的顯微照片示于圖2中。
[表10] T/P No.
[表11] 表面電阻(單位Ω/□)
[表12] 反射率(單位R％)
上述結(jié)果示出下列方面。除了實施例33和34的樣品之外，實施例的樣品的表面電阻為2.00×105Ω/□或更高，實施例33和34的樣品的表面電阻不能測定，原因在于由于在高于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度下進(jìn)行加熱，所以基底變形。
另一方面，在使用玻璃作為基底的樣品中，如圖2所示，鉻膜和另一層膜即使通過加熱也沒有破裂，其表面電阻保持較低。這是由于下列事實而引起的玻璃的膨脹系數(shù)(線性膨脹系數(shù))低于樹脂的膨脹系數(shù)并且具有高的硬度。
圖8示出了概括由分別通過下列方式制備的樣品中的各種膜的厚度差異所引起的表面電阻的差異的圖，其中所述方式為依次將鋁膜和鉻膜沉積在樹脂基底上，然后將沉積膜和樹脂基底一起在120℃下加熱2小時。
從圖8中可以得出下列方面。當(dāng)鉻膜的厚度不小于鋁膜的厚度時，表面電阻為1.00×104Ω/□或更高。這是由于下列事實引起的加熱使得鉻膜和鋁膜破裂并且均變?yōu)榫哂胁贿B續(xù)結(jié)構(gòu)的膜。另外，另外，通過將鋁膜的厚度控制為23nm或更大，反射率增加為55R％或更高。
本發(fā)明不應(yīng)該理解為受限于上面給出的例子?？梢园凑蘸线m的修改方式對本發(fā)明進(jìn)行修改，只要這種修改不偏離本發(fā)明的精神即可。
權(quán)利要求
1.一種電磁波透過性光亮樹脂制品，其包括
樹脂基底，以及
在所述樹脂基底上形成的鉻膜，所述鉻膜具有不連續(xù)結(jié)構(gòu)并且厚度為20nm或更大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁波透過性光亮樹脂制品，進(jìn)一步包括
在所述樹脂基底上形成的金屬膜，所述金屬膜具有不連續(xù)結(jié)構(gòu)并且包含光反射率高于鉻的光反射率的金屬。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電磁波透過性光亮樹脂制品，其中所述金屬是鋁。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電磁波透過性光亮樹脂制品，其中所述金屬膜比所述鉻膜薄。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電磁波透過性光亮樹脂制品，其中所述金屬膜具有的厚度為15至150nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波透過性光亮樹脂制品，其中所述樹脂基底為聚碳酸酯。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電磁波透過性光亮樹脂制品，其中所述樹脂基底為聚碳酸酯。
8.一種制備電磁波透過性光亮樹脂制品的方法，該方法包括
通過干式鍍覆法將鉻膜沉積在樹脂基底上；以及
然后，將所述沉積物與所述樹脂基底一起進(jìn)行加熱，從而將所述鉻膜轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂胁贿B續(xù)結(jié)構(gòu)的膜。
9.一種制備電磁波透過性光亮樹脂制品的方法，該方法包括
通過干式鍍覆法將金屬膜沉積在樹脂基底上，所述金屬膜包含光反射率高于鉻的光反射率的金屬，
通過干式鍍覆法將鉻膜沉積在所述金屬膜上；以及
然后，將所述沉積物與所述樹脂基底一起進(jìn)行加熱，從而將所述金屬膜和所述鉻膜轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂胁贿B續(xù)結(jié)構(gòu)的膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備電磁波透過性光亮樹脂制品的方法，其中所述干式鍍覆法包括濺射法。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備電磁波透過性光亮樹脂制品的方法，其中所述干式鍍覆法包括濺射法。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備電磁波透過性光亮樹脂制品的方法，其中所述金屬為鋁。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備電磁波透過性光亮樹脂制品的方法，其中將所述沉積物和所述樹脂基底一起在60℃至所述樹脂基底的玻璃化轉(zhuǎn)變點(Tg)的溫度下進(jìn)行加熱。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備電磁波透過性光亮樹脂制品的方法，其中將所述沉積物和所述樹脂基底一起在60℃至所述樹脂基底的玻璃化轉(zhuǎn)變點(Tg)的溫度下進(jìn)行加熱。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備電磁波透過性光亮樹脂制品的方法，其中所述樹脂基底為聚碳酸酯。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備電磁波透過性光亮樹脂制品的方法，其中所述樹脂基底為聚碳酸酯。
17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備電磁波透過性光亮樹脂制品的方法，其中將所述沉積物和所述樹脂基底一起進(jìn)行加熱30分鐘至8小時。
18.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備電磁波透過性光亮樹脂制品的方法，其中將所述沉積物和所述樹脂基底一起進(jìn)行加熱30分鐘至8小時。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電磁波透過性光亮樹脂制品，其包括由聚碳酸酯(PC)制成的樹脂基底(11)；通過濺射法沉積在所述樹脂基底(11)上的鋁(Al)膜(13)；以及通過濺射法沉積在所述鋁膜(13)上的鉻膜(12)。在沉積后，所述膜(13)和(12)與所述樹脂基底(11)一起在120℃下加熱2小時。因此，鋁膜(13)和鉻膜(12)以具有不連續(xù)結(jié)構(gòu)的膜的形式存在。
文檔編號B32B15/08GK101590706SQ2009102029
公開日2009年12月2日 申請日期2009年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月30日
發(fā)明者丸岡洋介, 度會弘志, 加藤守, 井土尚泰 申請人:豐田合成株式會社