本發(fā)明涉及一種多線切割領域，尤其涉及一種用多線切割機二次切割硅片的水平測量方法及工裝。

背景技術：

當今市場，超大規(guī)模集成電路大多數(shù)用直拉硅片作為襯底材料，硅片的大直徑化與高表面平整度是其發(fā)展的主要方向，多線切割技術在提高硅片平整度以及表面幾何參數(shù)方面與其它設備（內(nèi)圓切片機等）相比具有較大優(yōu)勢。以往在多線切割中通過多線切割機一次性切割成一定厚度的硅片，從而實現(xiàn)硅片的批量切割。而在實際應用中，需要將大量硅片再次切割一分為二，以適應硅片的特殊用途，這在目前的多線切割技術中是很難實現(xiàn)的。

技術實現(xiàn)要素：

鑒于現(xiàn)有技術存在的問題，本發(fā)明提供一種用多線切割機二次切割硅片的水平測量方法，可將多個擴散后的硅片一分為二，再對得到的兩倍數(shù)量的硅片的切割面進行研磨減薄拋光加工，得到兩倍數(shù)量的硅拋光片，具體技術方案是，一種用多線切割機二次切割硅片的水平測量方法，其特征在于：水平測量方法包括以下步驟，㈠、定位槽切割，在一次切割過程中在硅片厚度1/2的外圓面上，沿橫截面方向切割刀口定位槽，槽深度1-2mm，用于二次切割找正；㈡、硅片粘接，將一次切割后硅片經(jīng)過擴散減薄分選后，沿定位槽方向緊密疊放在一起，放置于傾斜的直角臺上并用樹脂條線粘接，用重力壓力塊壓在硅片柱體一端，直至硅片粘接在一起；㈢、安裝水平測量模具，將水平測量模具的固定柱固定于多線切割機上，使測量平臺下端面的千分尺位于多線切割機工裝底座上方；㈣、整體硅片進行水平、垂直定位測量，將兩條粘好的整體硅片左、右置于在多線切割機工裝底座上，用水平測量模具的上、下端面的千分尺及千分表對兩顆粘好的整體硅片進行水平、垂直四定位測量，使一次切割定位槽找正切割位置；㈤、沿定位槽方向?qū)⒐杵M行二次切割。

粘接用工裝，包括直角臺、重力壓力塊，其特征在于：直角臺為內(nèi)表面是90o直角的l型角臺，重力壓力塊為一塊與直角臺內(nèi)表面相配合的重力塊，待二次切割硅片沿定位槽方向緊密疊放在直角臺的內(nèi)表面上，粘接并用重力壓力塊壓在硅片疊放體一端，使硅片粘接在一起。

水平測量模具，包括千分尺、測量平臺、固定柱，其特征在于：所述測量平臺為一平板，其上下端面平行度小于0.5um，兩個千分尺分別固定于測量平臺的上端面，固定柱一端固定于測量平臺上，另一端固定于多線切割機上。

本發(fā)明的技術效果是，改變了多線切割機只能切割單晶硅棒而不能切割硅片的狀況，能夠?qū)⒑穸刃∮?-2mm的硅片進行二次切割，切割后硅片ttv及厚度散差與一次切割硅片相差無幾，在很大程度上提高了原材料的利用率，大大降低了器件生產(chǎn)成本，降低了電耗為每片電耗可降低50%。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的結構圖；

圖2是本發(fā)明的待二次切割硅片的緊密疊放粘接示意圖。

具體實施方式

如圖1所示，水平測量模具，包括千分尺1、測量平臺2、固定柱3，所述測量平臺2為一平板，其上下端面平行度小于0.5um，兩個千分尺1分別固定于測量平臺2的上端面，固定柱3一端固定于測量平臺2上，另一端固定于多線切割機上。

如圖2所示，粘接用工裝，包括直角臺5、重力壓力塊6，直角臺5為內(nèi)表面是90o直角的l型角臺，重力壓力塊6為一塊與直角臺5內(nèi)表面相配合的重力塊，使用時，直角臺5邊抬起傾斜置放，待二次切割硅片沿定位槽方向緊密疊放在直角臺5的內(nèi)表面上，粘接并用重力壓力塊6壓在硅片疊放體一端，使硅片粘接在一起。

用多線切割機二次切割硅片的水平測量方法，包括以下步驟，

㈠、定位槽切割，在一次切割過程中在硅片厚度1/2的外圓面上，沿橫截面方向切割刀口定位槽，槽深度1-2mm，用于二次切割找正；

㈡、硅片粘接，將一次切割后硅片經(jīng)過擴散減薄分選后，沿定位槽方向緊密疊放在一起，并將整體與樹脂條線切割固定工件一起放置于傾斜的直角臺5上一同粘接，并用重力壓力塊6壓在硅片柱體一端；

㈢、安裝水平測量模具1，將水平測量模具1的固定柱1-3固定于多線切割機上，使測量平臺1-2下端面的千分尺1-1位于多線切割機工裝底座4上方，

㈣、整體硅片進行水平、垂直定位測量，將兩條粘好的整體硅片左、右置于在多線切割機工裝底座）上，用水平測量模具1的上、下端面的千分尺1-1及千分表對兩顆粘好的整體硅片進行水平、垂直四定位測量，使一次切割定位槽找正切割位置；

㈤、沿定位槽方向?qū)⒐杵M行二次切割。

技術特征：

技術總結
本發(fā)明涉及一種用多線切割機二次切割硅片的水平測量方法及工裝，水平測量方法包括，定位槽切割，硅片粘接，安裝水平測量模具整體硅片進行水平、垂直定位測量，開發(fā)了水平測量模具，粘接用工裝，技術效果是，改變了多線切割機只能切割單晶硅棒而不能切割硅片的狀況。能夠?qū)⒑穸刃∮??2mm的硅片進行二次切割，切割后硅片TTV及厚度散差與一次切割硅片相差無幾，在很大程度上提高了原材料的利用率，大大降低了器件生產(chǎn)成本，降低了電耗為每片電耗可降低50%。

技術研發(fā)人員：陳桐;郭紅慧;趙勇;王帥;韓木迪;劉建偉;孫晨光;徐榮清
受保護的技術使用者：天津市環(huán)歐半導體材料技術有限公司
技術研發(fā)日：2017.05.15
技術公布日：2017.08.11