本發(fā)明屬于光伏設(shè)備制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種多晶循環(huán)料的處理方法。

背景技術(shù)：

多晶循環(huán)料的處理是制造太陽能電池的一個重要步驟，在待提純的回收料里面含有一部分不需提純的A級料，常規(guī)工藝中，對這部分A級料不做分離，而是直接與其他料一同提純使用。具體的，先采用打磨的方式去除表面雜質(zhì)，再經(jīng)化學(xué)法處理后提純使用，涉及的工序包括：打磨——化學(xué)處理——品質(zhì)檢驗(yàn)——提純——開方——截斷——化學(xué)處理——品質(zhì)檢驗(yàn)——正常投爐。上述工序流程中只有正常投爐是產(chǎn)生經(jīng)濟(jì)價值的，繁瑣的工序流程帶來的是高額的處理成本，因而增加了提純的能耗，產(chǎn)生浪費(fèi)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種多晶循環(huán)料的處理方法，能夠簡化處理流程，降低了單個錠回爐料的量，減少浪費(fèi)，降低生產(chǎn)成本。

本發(fā)明提供的一種多晶循環(huán)料的處理方法，包括：

將多晶硅錠進(jìn)行分割，分離出A級循環(huán)料和C級循環(huán)料；

將所述A級循環(huán)料進(jìn)行化學(xué)處理后直接投爐使用；

將所述C級循環(huán)料進(jìn)行打磨和化學(xué)處理之后進(jìn)行提純，然后投爐使用；

其中，所述將多晶硅錠進(jìn)行分割，分離出A級循環(huán)料和C級循環(huán)料包括：

分割所述多晶硅錠的邊皮，將分離出的邊皮料繼續(xù)進(jìn)行分割，得到靠近所述多晶硅錠的頭部的邊皮料，并將靠近所述多晶硅錠的尾部的邊皮料歸屬于所述A級循環(huán)料；

其中，繼續(xù)分割所述靠近所述多晶硅錠的頭部的邊皮料，將其上部和外側(cè)的部分歸屬于所述C級循環(huán)料，而位于其內(nèi)側(cè)下部的部分歸屬于所述A級循環(huán)料。

優(yōu)選的，在上述多晶循環(huán)料的處理方法中，

所述將多晶硅錠進(jìn)行分割，分離出A級循環(huán)料和C級循環(huán)料還包括：

分割出所述多晶硅錠的尾部，將分離出的尾料歸屬于所述A級循環(huán)料。

優(yōu)選的，在上述多晶循環(huán)料的處理方法中，

所述將多晶硅錠進(jìn)行分割，分離出A級循環(huán)料和C級循環(huán)料還包括：

分割所述多晶硅錠的頭部，將分離出的頭料繼續(xù)進(jìn)行分割，將上部的頭料歸屬于所述C級循環(huán)料，將下部的頭料歸屬于所述A級循環(huán)料。

優(yōu)選的，在上述多晶循環(huán)料的處理方法中，

所述將多晶硅錠進(jìn)行分割，分離出A級循環(huán)料和C級循環(huán)料還包括：

在所述分割所述多晶硅錠的邊皮之后，將分離出的邊角料歸屬于所述C級循環(huán)料。

優(yōu)選的，在上述多晶循環(huán)料的處理方法中，

所述將多晶硅錠進(jìn)行分割為：

利用線切割方式將所述多晶硅錠進(jìn)行分割。

優(yōu)選的，在上述多晶循環(huán)料的處理方法中，

所述利用線切割方式將所述多晶硅錠進(jìn)行分割為：

利用砂漿線切割方式或金剛線切割方式將所述多晶硅錠進(jìn)行切割。

通過上述描述可知，本發(fā)明提供的上述多晶循環(huán)料的處理方法，由于繼續(xù)分割所述靠近所述多晶硅錠的頭部的邊皮料，將其上部和外側(cè)的部分歸屬于所述C級循環(huán)料，而位于其內(nèi)側(cè)下部的部分歸屬于所述A級循環(huán)料，這樣就減少了對A級循環(huán)料進(jìn)行處理的不必要的浪費(fèi)，能夠簡化處理流程，降低了單個錠回爐料的量，減少浪費(fèi)，降低生產(chǎn)成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請實(shí)施例提供的第一種多晶循環(huán)料的處理方法的示意圖；

圖2為將多晶硅錠分割出A級循環(huán)料和C級循環(huán)料的示意圖；

圖3為將靠近所述多晶硅錠的頭部的邊皮料繼續(xù)分割的示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的核心思想在于提供一種多晶循環(huán)料的處理方法，能夠簡化處理流程，降低了單個錠回爐料的量，減少浪費(fèi)，降低生產(chǎn)成本。

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本申請實(shí)施例提供的第一種多晶循環(huán)料的處理方法如圖1所示，圖1為本申請實(shí)施例提供的第一種多晶循環(huán)料的處理方法的示意圖。該方法包括如下步驟：

S1：將多晶硅錠進(jìn)行分割，分離出A級循環(huán)料和C級循環(huán)料；

本實(shí)施例中，分割過程包括開方和截斷過程，其中，開方過程是將多晶硅錠分割為一定數(shù)量的若干立方體，然后進(jìn)行截斷，按照少子壽命、探傷檢測結(jié)果將可以用于正常投爐的A級循環(huán)料和C級循環(huán)料分離。

其中，參考圖2，圖2為將多晶硅錠分割出A級循環(huán)料和C級循環(huán)料的示意圖，所述將多晶硅錠進(jìn)行分割，分離出A級循環(huán)料和C級循環(huán)料包括：

分割所述多晶硅錠的邊皮，將分離出的邊皮料繼續(xù)進(jìn)行分割，得到靠近所述多晶硅錠的頭部的邊皮料4，并將靠近所述多晶硅錠的尾部的邊皮料5歸屬于所述A級循環(huán)料；

這里需要說明的是，靠近頭部的邊皮料某些位置雜質(zhì)較多，而靠近尾部的邊皮料由于雜質(zhì)較少，因此歸屬于A級循環(huán)料，二者之間的分界位置視具體的情況而定，通過少子壽命等參數(shù)來決定二者之間的分界。

其中，參考圖3，圖3為將靠近所述多晶硅錠的頭部的邊皮料繼續(xù)分割的示意圖。由于靠近所述多晶硅錠的頭部的邊皮料中的某些部分雜質(zhì)相對來說較少，因此可以將其分離出來作為A級循環(huán)料，直接化學(xué)處理后投爐使用，而不是像現(xiàn)有技術(shù)中那樣直接全部當(dāng)作C級循環(huán)料進(jìn)行處理。具體而言，繼續(xù)分割所述靠近所述多晶硅錠的頭部的邊皮料4，將其上部和外側(cè)的部分402和401歸屬于所述C級循環(huán)料，而位于其內(nèi)側(cè)下部的部分403歸屬于所述A級循環(huán)料，從而可以杜絕A級循環(huán)料因參與的非必要提純產(chǎn)生的浪費(fèi)，而這種浪費(fèi)不僅包括人工方面的浪費(fèi)，也包括提純用設(shè)備原料的浪費(fèi)，以進(jìn)一步降低成本，減少A級循環(huán)料提純處理的浪費(fèi)。

S2：將所述A級循環(huán)料進(jìn)行化學(xué)處理后直接投爐使用；

在該步驟中，正是由于分離出的A級循環(huán)料本身較為潔凈，可以經(jīng)化學(xué)處理后用于正常投料，無需像C級料那樣經(jīng)過多重步驟進(jìn)行處理，正常投爐過程是按照配方比例將處理好的A級料再用于鑄錠，產(chǎn)生經(jīng)濟(jì)價值。在這種情況下，能夠最大限度降低回爐提純量，達(dá)到降低企業(yè)制造成本的目的。

S3：將所述C級循環(huán)料進(jìn)行打磨和化學(xué)處理之后進(jìn)行提純，然后投爐使用；

在該步驟中，打磨過程是將C級循環(huán)料的表層的一些雜質(zhì)用機(jī)械打磨做預(yù)處理，化學(xué)處理過程是使用酸或堿將更深層或孔洞內(nèi)的雜質(zhì)進(jìn)行處理，然后可以進(jìn)行品質(zhì)檢驗(yàn)，檢驗(yàn)化學(xué)處理后的C級循環(huán)料是否能滿足質(zhì)量要求，而提純過程是用多晶澆鑄或直拉單晶類似的工藝形式重新將雜質(zhì)與好的硅料分離，最后將處理之后的料投爐，產(chǎn)生經(jīng)濟(jì)價值。

通過上述描述可知，本申請實(shí)施例提供的上述第一種多晶循環(huán)料的處理方法，由于繼續(xù)分割所述靠近所述多晶硅錠的頭部的邊皮料，將其上部和外側(cè)的部分歸屬于所述C級循環(huán)料，而位于其內(nèi)側(cè)下部的部分歸屬于所述A級循環(huán)料，這樣就減少了對A級循環(huán)料進(jìn)行處理的不必要的浪費(fèi)，能夠簡化處理流程，降低了單個錠回爐料的量，減少浪費(fèi)，降低生產(chǎn)成本。

本申請實(shí)施例提供的第二種多晶循環(huán)料的處理方法，是在上述第一種多晶循環(huán)料的處理方法的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

繼續(xù)參考圖2，其中，所述將多晶硅錠進(jìn)行分割，分離出A級循環(huán)料和C級循環(huán)料包括：

分割所述多晶硅錠的尾部，將分離出的尾料1歸屬于所述A級循環(huán)料。

具體如圖2所示，將一整塊多晶硅錠開方之后，取出位于邊緣的一塊，并將其分解成多個小塊，位于不同位置的小塊由于其中的雜質(zhì)含量不同，因此被歸為不同類型的循環(huán)料，這里的尾料由于位于多晶硅錠的底部，本身雜質(zhì)少，因此可以歸屬于A級循環(huán)料。

本申請實(shí)施例提供的第三種多晶循環(huán)料的處理方法，是在上述第二種多晶循環(huán)料的處理方法的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

繼續(xù)參考圖2，所述將多晶硅錠進(jìn)行分割，分離出A級循環(huán)料和C級循環(huán)料還包括：

分割所述多晶硅錠的頭部，將分離出的頭料繼續(xù)進(jìn)行分割，將上部的頭料2歸屬于所述C級循環(huán)料，將下部的頭料3歸屬于所述A級循環(huán)料。這里需要說明的是，由于上部的頭料2位于外側(cè)，因此雜質(zhì)較多，被歸屬于C級循環(huán)料，而下部的頭料3位于內(nèi)側(cè)，雜質(zhì)相對較少，因此可以被歸屬于A級循環(huán)料。

本申請實(shí)施例提供的第四種多晶循環(huán)料的處理方法，是在上述第三種多晶循環(huán)料的處理方法的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

繼續(xù)參考圖2，所述將多晶硅錠進(jìn)行分割，分離出A級循環(huán)料和C級循環(huán)料還包括：

在所述分割所述多晶硅錠的邊皮之后，將分離出的邊角料6歸屬于所述C級循環(huán)料。在實(shí)際工作中，由于邊角料屬于細(xì)長棒料，一個錠約產(chǎn)出1kg，數(shù)量較少，因此可以處理也可以不處理。

本申請實(shí)施例提供的第五種多晶循環(huán)料的處理方法，是在上述第一種至第四種多晶循環(huán)料的處理方法中的任一種的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述將多晶硅錠進(jìn)行分割為：

利用線切割方式將所述多晶硅錠進(jìn)行分割。

因單塊循環(huán)料重量較小，需要特定的治具進(jìn)行固定，將循環(huán)料固定在夾具上，然后參照開方機(jī)的切割模式，切除雜質(zhì)層，提升循環(huán)料品質(zhì)。

本申請實(shí)施例提供的第六種多晶循環(huán)料的處理方法，是在上述第五種多晶循環(huán)料的處理方法的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述利用線切割方式將所述多晶硅錠進(jìn)行分割為：

利用砂漿線切割方式或金剛線切割方式將所述多晶硅錠進(jìn)行切割。

本實(shí)施例可以依靠傳統(tǒng)的切割設(shè)備，如開方機(jī)、線截斷機(jī)、線切邊機(jī)等配套治具，以線切割方式，更為細(xì)致的分離A級循環(huán)料和C級循環(huán)料，減少A級循環(huán)料不必要處理的浪費(fèi)。開方機(jī)、線截斷機(jī)、線切邊機(jī)以及砂漿線或金剛線設(shè)備均能配套適合的治具對循環(huán)料進(jìn)行處理，能夠降低處理成本。

綜上所述，本申請實(shí)施例提供的上述多晶循環(huán)料的處理方法降低了人工費(fèi)用、提純費(fèi)用，并且處理后的循環(huán)料品質(zhì)較高，已達(dá)到正常投爐使用的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。

對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。