一種提高多晶爐投料量的增高裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種提高多晶爐投料量的增高裝置，用于多晶鑄錠爐熱場(chǎng)改造，增加產(chǎn)量降低成本，涉及光伏、新能源領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著人類對(duì)能源需求的加大，太陽(yáng)能成為一種新興能源出現(xiàn)人們的面前，作為太陽(yáng)電池的機(jī)體太陽(yáng)能多晶硅片目前成文鑄造行業(yè)的主流，提高多晶硅的利用率成為各個(gè)硅片加工企業(yè)的研究重點(diǎn)，為了提升產(chǎn)能，行業(yè)的鑄錠廠商提出來(lái)用了增加硅料裝填量，提升現(xiàn)有的廣能，同時(shí)將多晶娃徒做大后可以增加中心區(qū)域的尚質(zhì)量晶磚的數(shù)量，對(duì)于提尚整錠的轉(zhuǎn)換效率有很大的幫助，但是由于受到多晶爐熱場(chǎng)空間的限制，生產(chǎn)更大尺寸更大投料量的多晶硅錠成為各個(gè)生產(chǎn)企業(yè)急需解決的問(wèn)題?，F(xiàn)有的多晶爐內(nèi)空間較小，投料量低，影響工作效率，滿足不了廠家的需求。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型所要解決的問(wèn)題是提供一種提高多晶爐投料量的增高裝置，解決現(xiàn)有的多晶爐內(nèi)空間較小，投料量低，影響工作效率，滿足不了廠家的需求的問(wèn)題。
[0004]為解決以上問(wèn)題本實(shí)用新型所采用的方案:
[0005]—種提高多晶爐投料量的增高裝置，包括多晶爐，所述的多晶爐上設(shè)有銅電極固定座，所述的銅電極固定座上設(shè)有增高裝置，所述的增高裝置包括增高塊與銅電極，所述的增高塊上設(shè)有固定安裝孔、電極通孔與第一密封圈槽，所述的固定安裝孔包括通孔與安裝槽，所述的安裝槽的寬度大于通孔的寬度，所述的電極通孔位于增高塊的中心位置上，所述的第一密封圈槽位于電極通孔的外側(cè)、固定安裝孔的內(nèi)側(cè)，所述的第一密封圈槽上設(shè)有密封墊圈，所述的密封墊圈上設(shè)有固定塊，所述的固定塊上設(shè)有安裝孔、電極通孔與第二密封圈槽，所述的安裝孔與增高塊上的固定安裝孔配合使用，第二密封圈槽與增高塊上的第一密封圈槽配合使用，所述的銅電極依次穿過(guò)固定塊、密封墊圈、增高塊與銅電極固定座插入多晶爐內(nèi)。
[0006]上述的一種提高多晶爐投料量的增高裝置，其中，所述的固定安裝孔為四個(gè)。
[0007]上述的一種提高多晶爐投料量的增高裝置，其中，所述的固定塊與增高塊通過(guò)螺栓實(shí)現(xiàn)固定連接。
[0008]上述的一種提高多晶爐投料量的增高裝置，其中，所述的固定塊的高度為增高塊高度的十分之一。
[0009]本方案的有益效果:
[0010]本實(shí)用新型提供的一種提高多晶爐投料量的增高裝置，包括多晶爐，多晶爐上設(shè)有銅電極固定座，銅電極固定座上設(shè)有增高裝置，增高裝置包括增高塊與銅電極，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)合理，通過(guò)增高裝置將多晶爐上提，提升多晶爐內(nèi)的空間，增大投料量，提升整體的工作效率，增高塊上設(shè)有固定安裝孔、電極通孔與第一密封圈槽，第一密封圈槽上設(shè)有密封墊圈，密封墊圈上設(shè)有固定塊，固定塊上設(shè)有安裝孔、電極通孔與第二密封圈槽，利用第一密封圈槽與第二密封圈槽配合使用，將密封墊圈鎖死，密封性能更好，效率更高，便于安裝、拆卸與維修，適用范圍更廣，更能滿足廠家的需求。
【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1是本實(shí)用新型整體結(jié)構(gòu)圖。
[0012]圖2是本實(shí)用新型增高裝置結(jié)構(gòu)圖。
[0013]圖3是本實(shí)用新型增高塊結(jié)構(gòu)圖。
[0014]圖4是本實(shí)用新型固定塊結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]如圖所示，一種提高多晶爐投料量的增高裝置，包括多晶爐I，所述的多晶爐I上設(shè)有銅電極固定座2，所述的銅電極固定座2上設(shè)有增高裝置3，所述的增高裝置3包括增高塊4與銅電極5，所述的增高塊4上設(shè)有固定安裝孔6、電極通孔7與第一密封圈槽8，所述的固定安裝孔6包括通孔9與安裝槽10，所述的安裝槽10的寬度大于通孔9的寬度，所述的電極通孔7位于增高塊4的中心位置上，所述的第一密封圈槽8位于電極通孔7的外側(cè)、固定安裝孔6的內(nèi)側(cè)，所述的第一密封圈槽8上設(shè)有密封墊圈11，所述的密封墊圈11上設(shè)有固定塊12，所述的固定塊12上設(shè)有安裝孔13、電極通孔7與第二密封圈槽14，所述的安裝孔13與增高塊4上的固定安裝孔6配合使用，第二密封圈槽14與增高塊4上的第一密封圈槽8配合使用，所述的銅電極5依次穿過(guò)固定塊12、密封墊圈11、增高塊4與銅電極固定座2插入多晶爐I內(nèi)。
[0016]本實(shí)用新型提供的一種提高多晶爐投料量的增高裝置，包括多晶爐，多晶爐上設(shè)有銅電極固定座，銅電極固定座上設(shè)有增高裝置，增高裝置包括增高塊與銅電極，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)合理，通過(guò)增高裝置將多晶爐上提，提升多晶爐內(nèi)的空間，增大投料量，提升整體的工作效率，增高塊上設(shè)有固定安裝孔、電極通孔與第一密封圈槽，第一密封圈槽上設(shè)有密封墊圈，密封墊圈上設(shè)有固定塊，固定塊上設(shè)有安裝孔、電極通孔與第二密封圈槽，利用第一密封圈槽與第二密封圈槽配合使用，將密封墊圈鎖死，密封性能更好，效率更高，便于安裝、拆卸與維修，適用范圍更廣，更能滿足廠家的需求。
[0017]僅為本實(shí)用新型較佳的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書(shū)的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種提高多晶爐投料量的增高裝置，包括多晶爐，其特征為，所述的多晶爐上設(shè)有銅電極固定座，所述的銅電極固定座上設(shè)有增高裝置，所述的增高裝置包括增高塊與銅電極，所述的增高塊上設(shè)有固定安裝孔、電極通孔與第一密封圈槽，所述的固定安裝孔包括通孔與安裝槽，所述的安裝槽的寬度大于通孔的寬度，所述的電極通孔位于增高塊的中心位置上，所述的第一密封圈槽位于電極通孔的外側(cè)、固定安裝孔的內(nèi)側(cè)，所述的第一密封圈槽上設(shè)有密封墊圈，所述的密封墊圈上設(shè)有固定塊，所述的固定塊上設(shè)有安裝孔、電極通孔與第二密封圈槽，所述的安裝孔與增高塊上的固定安裝孔配合使用，第二密封圈槽與增高塊上的第一密封圈槽配合使用，所述的銅電極依次穿過(guò)固定塊、密封墊圈、增高塊與銅電極固定座插入多晶爐內(nèi)。2.如權(quán)利要求1所述的一種提高多晶爐投料量的增高裝置，其特征為，所述的固定安裝孔為四個(gè)。3.如權(quán)利要求1所述的一種提高多晶爐投料量的增高裝置，其特征為，所述的固定塊與增高塊通過(guò)螺栓實(shí)現(xiàn)固定連接。4.如權(quán)利要求1所述的一種提高多晶爐投料量的增高裝置，其特征為，所述的固定塊的高度為增高塊高度的十分之一。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供的一種提高多晶爐投料量的增高裝置，包括多晶爐，多晶爐上設(shè)有銅電極固定座，銅電極固定座上設(shè)有增高裝置，增高裝置包括增高塊與銅電極，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)合理，通過(guò)增高裝置將多晶爐上提，提升多晶爐內(nèi)的空間，增大投料量，提升整體的工作效率，增高塊上設(shè)有固定安裝孔、電極通孔與第一密封圈槽，第一密封圈槽上設(shè)有密封墊圈，密封墊圈上設(shè)有固定塊，固定塊上設(shè)有安裝孔、電極通孔與第二密封圈槽，利用第一密封圈槽與第二密封圈槽配合使用，將密封墊圈鎖死，密封性能更好，效率更高，便于安裝、拆卸與維修，適用范圍更廣，更能滿足廠家的需求。
【IPC分類】C30B28/06, C30B29/06
【公開(kāi)號(hào)】CN205258658
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520855146
【發(fā)明人】司榮進(jìn), 王祿寶
【申請(qǐng)人】江蘇美科硅能源有限公司
【公開(kāi)日】2016年5月25日
【申請(qǐng)日】2015年10月29日