一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，包括：A、交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在玻璃基板上磁控濺射Si3N4層；B、直流電源濺射不銹鋼平面靶，在Si3N4層上磁控濺射SSTOx層；C、直流電源濺射鉻平面靶，在SSTOx層上磁控濺射CrNx層；D、直流電源濺射銀平面靶，在CrNx層上磁控濺射Ag層；E、直流電源濺射銅平面靶，在Ag層上磁控濺射Si層；F、直流電源濺射NiCr合金平面靶，在Si層上磁控濺射NiCr層；G、交流電源濺射ZnSn合金旋轉(zhuǎn)靶，在NiCr層上磁控濺射ZnSnO3層；H、交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在ZnSnO3層上磁控濺射Si3N4層。本發(fā)明的目的提供一種工藝簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本相對(duì)較低的可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法。
【專利說(shuō)明】一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]低輻射玻璃是指對(duì)紅外輻射具有高反射率，對(duì)可見(jiàn)光具有良好透射率的平板鍍膜玻璃。低輻射玻璃具有良好的透光、保溫、隔熱性能，廣泛應(yīng)用于窗戶、爐門、冷藏柜門等地方。
[0003]目前市場(chǎng)上較常見(jiàn)的低輻射玻璃有單銀低輻射玻璃、雙銀低輻射玻璃、熱控低輻射玻璃及鈦基低輻射玻璃等?，F(xiàn)有的這四種低輻射玻璃在380~780納米的可見(jiàn)光波長(zhǎng)范圍內(nèi)透射率不夠高，僅為50%左右；在紅外輻射波長(zhǎng)范圍內(nèi)透射率較高，尤其是在900~1100納米的波長(zhǎng)范圍內(nèi)透射率為10~20%之間。故此，現(xiàn)有的透明玻璃基材有待于進(jìn)步完善。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種工藝簡(jiǎn)單，操作方便，生產(chǎn)成本相對(duì)較低的可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用以下方案:
[0006]一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟:
[0007]A、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在玻璃基板上磁控濺射Si3N4層；
[0008]B、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，直流電源濺射不銹鋼平面靶，在步驟A中Si3N4層上磁控濺射SSTOx層；
[0009]C、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟B中的SSTOx層上磁控濺射CrNx層；
[0010]D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟C中CrNx層上磁控濺射Ag層；
[0011]E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銅平面靶，在步驟D中的Ag層上磁控濺射Si層；
[0012]F、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射NiCr合金平面靶，在步驟E中的Si層上磁控濺射NiCr層；
[0013]G、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射ZnSn合金旋轉(zhuǎn)靶，在步驟F中的NiCr層上磁控濺射ZnSnO3層；
[0014]H、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在步驟G中的ZnSnO3層上磁控濺射Si3N4層。
[0015]如上所述的一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟A中所述Si3N4層的厚度為20~25nm，硅鋁旋轉(zhuǎn)靶中Si與Al的摩爾比為92: 8，所述氬氣與氮?dú)獾捏w積比為5:6，所述交流電源的濺射功率為100~125KW，需用兩個(gè)陰極濺射，每個(gè)陰極50~65KW。
[0016]如上所述的一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟B中所述SSTOx層的厚度為30~45nm，氬氣與氧氣的體積比為1:2，濺射功率為75~115KW，分兩個(gè)陰極濺射。
[0017]如上所述的一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟C中所述CrNx層的厚度為3~5nm，氬氣與氮?dú)獾捏w積比為1:2，直流電源濺射功率3~6KW。
[0018]如上所述的一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟D所述Ag層的厚度為8~10nm，所述直流電源的濺射功率4~5KW。
[0019]如上所述的一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟E中所述Si層的厚度為10~20nm，所述直流電的濺射功率3~6KW。
[0020]如上所述的一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟F中所述NiCr層的厚度為3~5nm，NiCr合金平面靶中Ni與Cr的摩爾比為21:79，所述直流電源的濺射功率為3~5KW。
[0021]如上所述的一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟G中所述ZnSnO3層的厚度為10~20nm，ZnSn合金旋轉(zhuǎn)靶中Zn與Sn的摩爾比為48:52，氬氣與氧氣的體積比為1:2，所述交流電源的濺射功率為30~45KW。
[0022]如上所述的一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟H中所述Si3N4層的厚度為30~35nm，所述硅鋁旋轉(zhuǎn)靶中Si與Al的摩爾比92:8，氬氣與氮?dú)獾捏w積比為5:6，交流電源濺射功率為150~165KW，需用兩個(gè)陰極濺射，每個(gè)陰極75~85KW。
[0023]綜上所述，本發(fā)明的有益效果:
[0024]本發(fā)明工藝方法簡(jiǎn)單，操作方便，生產(chǎn)成本相對(duì)較低。24K金色，顏色鮮艷，有用Au制備的金色純度；T≥40%可進(jìn)行高溫?zé)崽幚?，也就是鋼化工藝?br> 【具體實(shí)施方式】
[0025]下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步描述:
[0026]實(shí)施例1
[0027]本發(fā)明一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0028]Α、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在玻璃基板上磁控濺射Si3N4層；所述Si3N4層的厚度為20nm，硅鋁旋轉(zhuǎn)靶中Si與Al的摩爾比為92:8，所述氬氣與氮?dú)獾捏w積比為5:6，即氬氣與氮?dú)獾捏w積流量比為500scm:600sccm所述交流電源的濺射功率為100KW，需用兩個(gè)陰極濺射，每個(gè)陰極50KW。
[0029]B、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，直流電源濺射不銹鋼平面靶，在步驟A中Si3N4層上磁控濺射551'0!￡層；所述SSTOx層的厚度為30nm，氬氣與氧氣的體積比為1:2，即氬氣與氧氣的體積流量比為500SCCm: lOOOsccm，濺射功率為75KW，分兩個(gè)陰極濺射。
[0030]C、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟B中的SSTOx層上磁控濺射CrNx層；所述CrNx層的厚度為3nm，氬氣與氮?dú)獾捏w積比為1: 2，直流電源濺射功率3KW。
[0031]D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟C中CrNx層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為8nm，所述直流電源的濺射功率4KW。
[0032] E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銅平面靶，在步驟D中的Ag層上磁控濺射Si層；所述Si層的厚度為10nm，所述直流電的濺射功率3KW。
[0033]F、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射NiCr合金平面靶，在步驟E中的Si層上磁控濺射NiCr層；所述NiCr層的厚度為3~5nm，NiCr合金平面靶中Ni與Cr的摩爾比為21:79，所述直流電源的濺射功率為3KW。
[0034]G、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射ZnSn合金旋轉(zhuǎn)靶，在步驟F中的NiCr層上磁控派射ZnSnO3層；所述ZnSnO3層的厚度為IOnm, ZnSn合金旋轉(zhuǎn)祀中Zn與Sn的摩爾比為48:52, IS氣與氧氣的體積比為1:2,即IS氣與氧氣的體積流量比為500sccm: lOOOsccm,所述交流電源的濺射功率為30KW。
[0035]H、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在步驟G中的ZnSnO3層上磁控濺射Si3N4層。所述Si3N4層的厚度為30nm，所述硅鋁旋轉(zhuǎn)靶中Si與Al的摩爾比92:8, IS氣與氮?dú)獾捏w積比為5:6,即IS氣與氮?dú)獾捏w積流量比為500SCCm:600SCCm，，交流電源濺射功率為150KW，需用兩個(gè)陰極濺射，每個(gè)陰極75KW。
[0036]實(shí)施例2
[0037]本發(fā)明一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0038]A、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在玻璃基板上磁控濺射Si3N4層；所述Si3N4層的厚度為22nm，硅鋁旋轉(zhuǎn)靶中Si與Al的摩爾比為92:8，所述氬氣與氮?dú)獾捏w積比為5:6，即氬氣與氮?dú)獾捏w積流量比為500scm:600sccm所述交流電源的濺射功率為110KW，需用兩個(gè)陰極濺射，每個(gè)陰極60KW。
[0039]B、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，直流電源濺射不銹鋼平面靶，在步驟A中Si3N4層上磁控濺射551'0!￡層；所述SSTOx層的厚度為40nm，氬氣與氧氣的體積比為1:2，即氬氣與氧氣的體積流量比為500SCCm: lOOOsccm，濺射功率為90KW，分兩個(gè)陰極濺射。
[0040]C、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟B中的SSTOx層上磁控濺射CrNx層；所述CrNx層的厚度為4nm，氬氣與氮?dú)獾捏w積比為1: 2，直流電源濺射功率5KW。
[0041]D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟C中CrNx層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為9nm，所述直流電源的濺射功率4.5KW。
[0042]E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銅平面靶，在步驟D中的Ag層上磁控濺射Si層；所述Si層的厚度為15nm，所述直流電的濺射功率4KW。
[0043]F、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射NiCr合金平面靶，在步驟E中的Si層上磁控濺射NiCr層；所述NiCr層的厚度為4nm，NiCr合金平面靶中Ni與Cr的摩爾比為21:79，所述直流電源的濺射功率為4KW。
[0044]G、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射ZnSn合金旋轉(zhuǎn)靶，在步驟F中的NiCr層上磁控濺射ZnSnO3層；所述ZnSnO3層的厚度為10~20nm，ZnSn合金旋轉(zhuǎn)靶中Zn與Sn的摩爾比為48:52，氬氣與氧氣的體積比為1:2，即氬氣與氧氣的體積流量比為500sccm: lOOOsccm,所述交流電源的派射功率為35KW。
[0045]H、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在步驟G中的ZnSnO3層上磁控濺射Si3N4層。所述Si3N4層的厚度為32nm，所述硅鋁旋轉(zhuǎn)靶中Si與Al的摩爾比92:8, IS氣與氮?dú)獾捏w積比為5:6,即IS氣與氮?dú)獾捏w積流量比為500SCCm:600SCCm，，交流電源濺射功率為155KW，需用兩個(gè)陰極濺射，每個(gè)陰極80KW。
[0046]實(shí)施例3
[0047]本發(fā)明一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0048]A、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在玻璃基板上磁控濺射Si3N4層；所述Si3N4層的厚度為25nm，硅鋁旋轉(zhuǎn)靶中Si與Al的摩爾比為92:8，所述氬氣與氮?dú)獾捏w積比為5:6，即氬氣與氮?dú)獾捏w積流量比為500scm:600sccm所述交流電源的濺射功率為125KW，需用兩個(gè)陰極濺射，每個(gè)陰極65KW。 [0049]B、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，直流電源濺射不銹鋼平面靶，在步驟A中Si3N4層上磁控濺射SSTOx層；所述SSTOx層的厚度為45nm，氬氣與氧氣的體積比為
1:2，即氬氣與氧氣的體積流量比為500SCCm: lOOOsccm，濺射功率為115KW，分兩個(gè)陰極濺射。
[0050]C、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟B中的SSTOx層上磁控濺射CrNx層；所述CrNx層的厚度為5nm，氬氣與氮?dú)獾捏w積比為1: 2，直流電源濺射功率6KW。
[0051]D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟C中CrNx層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為10nm，所述直流電源的濺射功率5KW。
[0052]E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銅平面靶，在步驟D中的Ag層上磁控濺射Si層；所述Si層的厚度為20nm，所述直流電的濺射功率6KW。
[0053]F、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射NiCr合金平面靶，在步驟E中的Si層上磁控濺射NiCr層；所述NiCr層的厚度為5nm，NiCr合金平面靶中Ni與Cr的摩爾比為21:79，所述直流電源的濺射功率為5KW。
[0054]G、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射ZnSn合金旋轉(zhuǎn)靶，在步驟F中的NiCr層上磁控濺射ZnSnO3層；所述ZnSnO3層的厚度為20nm，ZnSn合金旋轉(zhuǎn)靶中Zn與Sn的摩爾比為48:52, IS氣與氧氣的體積比為1:2,即IS氣與氧氣的體積流量比為500sccm: lOOOsccm,所述交流電源的濺射功率為45KW。
[0055]H、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在步驟G中的ZnSnO3層上磁控濺射Si3N4層。所述Si3N4層的厚度為30~35nm，所述硅鋁旋轉(zhuǎn)靶中Si與Al的摩爾比92:8，氬氣與氮?dú)獾捏w積比為5:6，即氬氣與氮?dú)獾捏w積流量比為500sccm:600sccm,，交流電源濺射功率為165KW，需用兩個(gè)陰極濺射，每個(gè)陰極85KW。
[0056]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及其等效物界定。
【權(quán)利要求】
1.一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟: A、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在玻璃基板上磁控濺射Si3N4層； B、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，直流電源濺射不銹鋼平面靶，在步驟A中Si3N4層上磁控濺射SSTOx層； C、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟B中的SSTOx層上磁控濺射CrNx層； D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟C中CrNx層上磁控濺射Ag層； E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銅平面靶，在步驟D中的Ag層上磁控濺射Si層； F、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射NiCr合金平面靶，在步驟E中的Si層上磁控濺射NiCr層； G、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射ZnSn合金旋轉(zhuǎn)靶，在步驟F中的NiCr層上磁控濺射ZnSnO3層； H、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射硅鋁旋轉(zhuǎn)靶，在步驟G中的ZnSnO3層上磁控濺射Si3N4層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟A中所述Si3N4層的厚度為20~25nm，硅鋁旋轉(zhuǎn)靶中Si與Al的摩爾比為92: 8，所述氬氣與氮?dú)獾捏w積比為5:6，所述交流電源的濺射功率為100~125KW，需用兩個(gè)陰極濺射，每個(gè)陰極50~65KW。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟B中所述SSTOx層的厚度為30~45nm，氬氣與氧氣的體積比為1:2，濺射功率為75~115KW，分兩個(gè)陰極濺射。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟C中所述CrNx層的厚度為3~5nm，氬氣與氮?dú)獾捏w積比為1: 2，直流電源濺射功率3~6KW。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟D所述Ag層的厚度為8~10nm，所述直流電源的濺射功率4~5KW。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟E中所述Si層的厚度為10~20nm，所述直流電的濺射功率3~6KW。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟F中所述NiCr層的厚度為3~5nm，NiCr合金平面靶中Ni與Cr的摩爾比為21:79，所述直流電源的濺射功率為3~5KW。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟G中所述ZnSnO3層的厚度為10~20nm，ZnSn合金旋轉(zhuǎn)靶中Zn與Sn的摩爾比為48:52，氬氣與氧氣的體積比為1: 2，所述交流電源的濺射功率為30~45KW。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可鋼異地加工低輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟H中所述Si3N4層的厚度為30~35nm，所述硅鋁旋轉(zhuǎn)靶中Si與Al的摩爾比92:8，氬氣與氮?dú)獾捏w積比為5:6，交流電源濺射功率為150~165KW，需用兩個(gè)陰極濺射，每個(gè)陰極75~85KW。
【文檔編號(hào)】C03C17/36GK103613287SQ201310567856
【公開(kāi)日】2014年3月5日 申請(qǐng)日期:2013年11月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月14日
【發(fā)明者】陳路玉 申請(qǐng)人:中山市創(chuàng)科科研技術(shù)服務(wù)有限公司