一種金色薄膜的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種金色薄膜的制備方法,包括：A、直流電源濺射不銹鋼平面靶，在玻璃基板上磁控濺射SSTOx層；B、直流電源濺射鉻平面靶，在SSTOx層上磁控濺射CrNx層；C、直流電源濺射銀平面靶，在CrNx層上磁控濺射Ag層；D、直流電源濺射硅平面靶，在Ag層上磁控濺射Si層；E、直流電源濺射NiCr合金，在Si層上磁控濺射NiCr層；F、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射ZnSn合金旋轉(zhuǎn)靶，在NiCr層上磁控濺射ZnSnO3層。本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種工藝簡單，操作方便，生產(chǎn)成本相對(duì)較低的金色薄膜的制備方法。
【專利說明】一種金色薄膜的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種金色薄膜的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]低輻射玻璃是指對(duì)紅外輻射具有高反射率，對(duì)可見光具有良好透射率的平板鍍膜玻璃。低輻射玻璃具有良好的透光、保溫、隔熱性能，廣泛應(yīng)用于窗戶、爐門、冷藏柜門等地方。
[0003]目前市場上較常見的低輻射玻璃有單銀低輻射玻璃、雙銀低輻射玻璃、熱控低輻射玻璃及鈦基低輻射玻璃等?，F(xiàn)有的這四種低輻射玻璃在380~780納米的可見光波長范圍內(nèi)透射率不夠高，僅為50%左右；在紅外輻射波長范圍內(nèi)透射率較高，尤其是在900~1100納米的波長范圍內(nèi)透射率為10~20%之間。故此，現(xiàn)有的透明玻璃基材有待于進(jìn)步兀吾。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種工藝簡單，操作方便，生產(chǎn)成本相對(duì)較低的金色薄膜的制備方法。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用以下方案:
[0006]一種金色薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟:
[0007]A、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，氧氣與氬氣的體積比為1:2，直流電源濺射不銹鋼平面靶，在玻璃基板上磁控濺射SSTOx層；
[0008]B、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟A中SSTOx層上磁控濺射CrNx層；
[0009]C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的CrNx層上磁控濺射Ag層；
[0010]D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射硅平面靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射Si層；
[0011 ] E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射NiCr合金，在步驟D中的Si層上磁控濺射NiCr層；
[0012]F、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射ZnSn合金旋轉(zhuǎn)靶，在步驟E中的NiCr層上磁控濺射ZnSnO3層。
[0013]如上所述的一種金色薄膜的制備方法，其特征在于步驟A中所述SSTOx層的厚度為30~45nm，所述氬氣與氧氣的體積比為1: 2，所述直流電源的濺射功率為75~115KW分兩個(gè)陰極濺射。
[0014]如上所述的一種金色薄膜的制備方法，其特征在于步驟B中所述CrNx層的厚度為3~5nm，所述氬氣與氮?dú)獾捏w積比為1: 2，所述直流電源的濺射功率3~6KW。
[0015]如上所述的一種金色薄膜的制備方法，其特征在于步驟C中所述Ag層的厚度為8~10nm，所述的直流電源的濺射功率4~5KW。
[0016]如上所述的一種金色薄膜的制備方法，其特征在于步驟D所述Si層的厚度為10~20nm，所述直流電源的濺射功率3~6KW。
[0017]如上所述的一種金色薄膜的制備方法，其特征在于步驟E中所述NiCr層的厚度為3~5nm，其中NiCr合金中Ni與Cr的摩爾比為21:79，所述直流電源的濺射功率3~5KW。
[0018]如上所述的一種金色薄膜的制備方法，其特征在于步驟F中所述ZnSnO3層的厚度為20~30nm，所述ZnSn合金旋轉(zhuǎn)靶中Zn與Sn的摩爾比為48:52，所述交流電源的濺射功率為50~75KW。
[0019]綜上所述，本發(fā)明的有益效果:
[0020]本發(fā)明工藝方法簡單，操作方便，生產(chǎn)成本相對(duì)較低。本發(fā)明產(chǎn)品具有24K金色，顏色鮮艷，有用Au制備的金色純度，透光率T≥40%, R≥30%。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步描述:
[0022]實(shí)施例1
[0023]本發(fā)明一種金色薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0024]A、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，氧氣與氬氣的體積比為1:2，即氧氣:氬氣=500sCCm dOOOsccm，直流電源濺射不銹鋼平面靶，在玻璃基板上磁控濺射SSTOx層；所述SSTOx層的厚度為30nm，所述氬氣與氧氣的體積比為1: 2，所述直流電源的濺射功率為75KW分兩個(gè)陰極濺射。
[0025]B、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，氮?dú)馀c氬氣的體積比為1:2，即氧氣:氬氣=500SCCM:1000SCCM，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟A中SSTOx層上磁控濺射CrNx層；所述CrNx層的厚度為3nm，所述氬氣與氮?dú)獾捏w積比為1: 2，所述直流電源的濺射功率3KW。
[0026]C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的CrNx層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為8nm，所述的直流電源的濺射功率 5KW。
[0027]D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射硅平面靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射Si層；所述Si層的厚度為10nm，所述直流電源的濺射功率3KW。
[0028]E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射NiCr合金，在步驟D中的Si層上磁控濺射NiCr層；所述NiCr層的厚度為3nm，其中NiCr合金中Ni與Cr的摩爾比為21:79，所述直流電源的濺射功率3KW。
[0029]F、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，氧氣與氬氣的體積比為1:2，即氧氣:氬氣=500SCCM: 1000SCCM,，交流電源濺射ZnSn合金旋轉(zhuǎn)靶，在步驟E中的NiCr層上磁控派射ZnSnO3層。所述ZnSnO3層的厚度為20nm,所述ZnSn合金旋轉(zhuǎn)祀中Zn與Sn的摩爾比為48:52，所述交流電源的濺射功率為50KW。
[0030]實(shí)施例2
[0031]本發(fā)明一種金色薄膜的制備方法，包括以下步驟:[0032]A、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，氧氣與氬氣的體積比為1:2，即氧氣:氬氣=500SCCM:1000SCCM，直流電源濺射不銹鋼平面靶，在玻璃基板上磁控濺射SSTOx層；所述SSTOx層的厚度為35nm，所述氬氣與氧氣的體積比為1: 2，所述直流電源的濺射功率為115KW分兩個(gè)陰極濺射。
[0033]B、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，氮?dú)馀c氬氣的體積比為1:2，即氧氣:氬氣=500SCCM:1000SCCM，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟A中SSTOx層上磁控濺射CrNx層；所述CrNx層的厚度為3nm，所述氬氣與氮?dú)獾捏w積比為1: 2，所述直流電源的濺射功率3KW。
[0034]C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的CrNx層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為8nm，所述的直流電源的濺射功率 4KW。
[0035]D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射硅平面靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射Si層；所述Si層的厚度為10nm，所述直流電源的濺射功率3KW。
[0036]E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射NiCr合金，在步驟D中的Si層上磁控濺射NiCr層；所述NiCr層的厚度為3nm，其中NiCr合金中Ni與Cr的摩爾比為21:79，所述直流電源的濺射功率3KW。
[0037]F、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，氧氣與氬氣的體積比為1:2，即氧氣:氬氣=500SCCM: 1000SCCM,，交流電源濺射ZnSn合金旋轉(zhuǎn)靶，在步驟E中的NiCr層上磁控派射ZnSnO3層。所述Z nSnO3層的厚度為20nm,所述ZnSn合金旋轉(zhuǎn)祀中Zn與Sn的摩爾比為48:52，所述交流電源的濺射功率為50KW。
[0038]實(shí)施例3
[0039]本發(fā)明一種金色薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0040]A、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，氧氣與氬氣的體積比為1:2，即氧氣:氬氣=500SCCM:1000SCCM，直流電源濺射不銹鋼平面靶，在玻璃基板上磁控濺射SSTOx層；所述SSTOx層的厚度為45nm，所述氬氣與氧氣的體積比為1: 2，所述直流電源的濺射功率為115KW分兩個(gè)陰極濺射。
[0041]B、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，氮?dú)馀c氬氣的體積比為1:2，即氧氣:氬氣=500SCCM:1000SCCM，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟A中SSTOx層上磁控濺射CrNx層；所述CrNx層的厚度為4nm，所述氬氣與氮?dú)獾捏w積比為1: 2，所述直流電源的濺射功率5KW。
[0042]C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的CrNx層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為10nm，所述的直流電源的濺射功率4.5KW。
[0043]D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射硅平面靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射Si層；所述Si層的厚度為15nm，所述直流電源的濺射功率4KW。
[0044]E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射NiCr合金，在步驟D中的Si層上磁控濺射NiCr層；所述NiCr層的厚度為4nm，其中NiCr合金中Ni與Cr的摩爾比為21:79，所述直流電源的濺射功率4KW。[0045]F、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，氧氣與氬氣的體積比為1:2，即氧氣:氬氣=500SCCM: 1000SCCM,，交流電源濺射ZnSn合金旋轉(zhuǎn)靶，在步驟E中的NiCr層上磁控派射ZnSnO3層。所述ZnSnO3層的厚度為25nm,所述ZnSn合金旋轉(zhuǎn)祀中Zn與Sn的摩爾比為48:52，所述交流電源的濺射功率為60KW。
[0046]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等 效物界定。
【權(quán)利要求】
1.一種金色薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟: A、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，直流電源濺射不銹鋼平面靶，在玻璃基板上磁控濺射SSTOx層； B、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟A中SSTOx層上磁控濺射CrNx層； C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的CrNx層上磁控濺射Ag層； D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射硅平面靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射Si層； E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射NiCr合金，在步驟D中的Si層上磁控濺射NiCr 層； F、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射ZnSn合金旋轉(zhuǎn)靶，在步驟E中的NiCr層上磁控濺射ZnSnO3層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金色薄膜的制備方法，其特征在于步驟A中所述SSTOx層的厚度為30~45nm，所述氬氣與氧氣的體積比為1:2，所述直流電源的濺射功率為75~115KW分兩個(gè)陰極濺射。
3.根據(jù) 權(quán)利要求1所述的一種金色薄膜的制備方法，其特征在于步驟B中所述CrNx層的厚度為3~5nm，所述氬氣與氮?dú)獾捏w積比為1: 2，所述直流電源的濺射功率3~6KW。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金色薄膜的制備方法，其特征在于步驟C中所述Ag層的厚度為8~10nm，所述的直流電源的濺射功率4~5KW。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金色薄膜的制備方法，其特征在于步驟D所述Si層的厚度為10~20nm，所述直流電源的濺射功率3~6KW。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金色薄膜的制備方法，其特征在于步驟E中所述NiCr層的厚度為3~5nm，其中NiCr合金中Ni與Cr的摩爾比為21:79，所述直流電源的濺射功率3 ~5KW。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金色薄膜的制備方法，其特征在于步驟F中所述ZnSnO3層的厚度為20~30nm，所述ZnSn合金旋轉(zhuǎn)靶中Zn與Sn的摩爾比為48:52，所述交流電源的濺射功率為50~75KW。
【文檔編號(hào)】C03C17/36GK103613286SQ201310567819
【公開日】2014年3月5日 申請(qǐng)日期:2013年11月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月14日
【發(fā)明者】陳路玉 申請(qǐng)人:中山市創(chuàng)科科研技術(shù)服務(wù)有限公司