具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜，包括光學(xué)薄膜的透明基體，透明基體的一側(cè)表面具有隨機(jī)金字塔形貌的絨面，隨機(jī)金字塔形貌的絨面由一系列的大小和位置不均勻的金字塔形結(jié)構(gòu)構(gòu)成無(wú)規(guī)則排列的金字塔陣列，形成非平面的光散射功能結(jié)構(gòu)層，透明基體的另一側(cè)表面形成能與OLED基板緊密連接的底部連接層。本發(fā)明公開(kāi)了一種具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜的制備方法，采用兩步轉(zhuǎn)印方法制備，其工藝流程包括隨機(jī)金字塔模板的制造、倒金字塔軟模板的制造、絨面的轉(zhuǎn)移。本發(fā)明具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜作為OLED的增亮膜，能顯著增加發(fā)光器件光取出效率，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制造容易，本發(fā)明方法通過(guò)兩步轉(zhuǎn)印具有金字塔形貌的硅片獲得金字塔形貌，工藝簡(jiǎn)單，成本低廉。
【專利說(shuō)明】
具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件的光學(xué)結(jié)構(gòu)功能元件及其制備方法，特別是涉及一種提高OLED器件的光取出效率的光學(xué)結(jié)構(gòu)功能元件及其制備方法，應(yīng)用于OLED照明與顯示器件技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]目前有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)因其效率高、自發(fā)光、造價(jià)低、可制成柔性器件等優(yōu)點(diǎn)成為下一代照明顯示的理想技術(shù)。經(jīng)過(guò)近幾十年的發(fā)展OLED的發(fā)光材料和電學(xué)結(jié)構(gòu)得到了大幅提升其內(nèi)量子效率已經(jīng)接近理論極限100%，然而較低的光取出效率卻是提高器件效率的一大瓶頸。以傳統(tǒng)底發(fā)射OLED為例，由于有機(jī)層、透明電極和基板之間折射率的不匹配從玻璃基底射出的光占器件內(nèi)部發(fā)光材料發(fā)射的光的比例只有20%，即只有20%的光被有效利用率。
[0003]目前，已有許多方法被報(bào)道來(lái)提高OLED器件的光取出效率。典型的方法可分為在器件外部和器件內(nèi)部制作非平面的光學(xué)結(jié)構(gòu)兩個(gè)方向。在器件外部的技術(shù)包括:在玻璃表面制作微透鏡陣列，在玻璃上旋涂一層散射膜，刻蝕ITO電極形成散射層，噴砂打磨玻璃表面等等。在器件內(nèi)部的包括:在OLED中制作光子晶體、光柵、納米級(jí)光學(xué)褶皺等結(jié)構(gòu)。這些方法大多工藝復(fù)雜、成本較高而難以應(yīng)用于大規(guī)模生產(chǎn)。并且目前報(bào)道的光取出技術(shù)多是使用周期性的微米、納米級(jí)結(jié)構(gòu)來(lái)增強(qiáng)光取出，但很多周期性結(jié)構(gòu)容易帶來(lái)發(fā)射光譜的扭曲或者發(fā)射光譜隨觀察視角的偏移，另外周期性結(jié)構(gòu)還易使器件亮度的角度分布產(chǎn)生變化而偏離理想的朗伯體分布。例如以往報(bào)道的金字塔形貌的絨面都是規(guī)整的金字塔陣列，容易引起OLED器件發(fā)光強(qiáng)度與角度的關(guān)系產(chǎn)生變化，不利于OLED的實(shí)際應(yīng)用。因此，一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、非周期性、光譜穩(wěn)定、制造容易、成本低廉的光取出方法是當(dāng)前所迫切需要的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決現(xiàn)有技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于克服已有技術(shù)存在的不足，提供一種具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜及其制備方法，本發(fā)明具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜作為OLED的增亮膜，能顯著增加發(fā)光器件光取出效率，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制造容易，本發(fā)明方法通過(guò)兩步轉(zhuǎn)印具有金字塔形貌的硅片獲得金字塔形貌，工藝簡(jiǎn)單，成本低廉。
[0005]為達(dá)到上述發(fā)明創(chuàng)造目的，采用下述技術(shù)方案:
一種具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜，包括光學(xué)薄膜的透明基體，透明基體的一側(cè)表面具有隨機(jī)金字塔形貌的絨面，隨機(jī)金字塔形貌的絨面由一系列的大小和位置不均勻的金字塔形結(jié)構(gòu)構(gòu)成無(wú)規(guī)則排列的金字塔陣列，形成非平面的光散射功能結(jié)構(gòu)層，透明基體的另一側(cè)表面形成能與OLED基板緊密連接的底部連接層。
[0006]上述隨機(jī)金字塔形貌的絨面的每個(gè)金字塔的均優(yōu)選為具有四個(gè)上表面的錐體。
[0007]上述隨機(jī)金字塔形貌的絨面的金字塔的外形高度尺寸大小優(yōu)選為2?10微米。
[0008]上述隨機(jī)金字塔形貌的絨面的每個(gè)金字塔的頂角角度優(yōu)選為80°?100°。
[0009]上述透明基體的材料優(yōu)選具有與OLED基板材料接近的折射率。
[0010]上述透明基體的材料折射率優(yōu)選為1.4?1.6。
[0011]上述透明基體的材料優(yōu)選采用光學(xué)透過(guò)率不低于90%的材料。透明基體采用在可見(jiàn)光范圍內(nèi)的光學(xué)透過(guò)率高且容易固化的液體材料。
[0012]上述光學(xué)薄膜的底部連接層與OLED基板之間優(yōu)選進(jìn)行緊密無(wú)縫連接，使上述透明基體與上述OLED基板的連接界面處均不存在任何氣泡。
[0013]—種本發(fā)明具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜的制備方法，采用兩步轉(zhuǎn)印方法制備，其工藝流程包括隨機(jī)金字塔模板的制造、倒金字塔軟模板的制造、絨面的轉(zhuǎn)移，具體步驟如下:
a.具有隨機(jī)金字塔絨面的模板的制造工藝:采用堿溶液作為刻蝕劑，采用單晶硅片作為模板基材，對(duì)單晶硅片進(jìn)行刻蝕，在單晶硅片表面上獲得隨機(jī)金字塔絨面，得到具有隨機(jī)金字塔絨面的模板;優(yōu)選采用(100)晶向的單晶硅片作為模板基材，所制備的具有隨機(jī)金字塔絨面的金字塔的外形高度尺寸大小優(yōu)選為2?10微米，具有隨機(jī)金字塔絨面的模板的制造方法中的刻蝕溫度優(yōu)選控制為60?85°C，作為刻蝕劑的堿溶液優(yōu)選采用NaOH和KOH中任意一種堿液或二者混合的堿液;堿液的氫氧化物溶質(zhì)質(zhì)量濃度優(yōu)選為I.5?2wt%;
b.具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的軟模板的制造工藝:采用表面能低、易脫模、易固化的液體材料作為制備軟模板的材料，然后將液態(tài)的制備軟模板的材料澆鑄或涂布于在步驟a中制備的模板的隨機(jī)金字塔絨面一側(cè)形成液膜，再對(duì)液膜進(jìn)行固化，在具有隨機(jī)金字塔絨面的模板上制成凹模，然后將固化后的凹模從隨機(jī)金字塔模板剝離，從而通過(guò)轉(zhuǎn)印隨機(jī)金字塔模板獲得具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的軟模板;液態(tài)的制備軟模板的材料優(yōu)選采用聚二甲基硅氧烷(PDMS)；
c.隨機(jī)金字塔絨面的轉(zhuǎn)移工藝:采用液體材料作為光學(xué)薄膜的本體材料，利用在步驟b中制備的具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的軟模板，將液態(tài)的光學(xué)薄膜的基體本體材料緊密壓印于OLED基板表面上，然后對(duì)液態(tài)的光學(xué)薄膜的本體材料進(jìn)行固化形成光學(xué)透過(guò)率不低于90%且折射率接近于OLED基板的光學(xué)薄膜的本體，待光學(xué)薄膜的本體固化后，取下具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的軟模板，即得到與OLED基板表面緊密結(jié)合的具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜。液態(tài)的光學(xué)薄膜的本體材料優(yōu)選采用光學(xué)薄膜的基體材料的液體或光學(xué)薄膜的基體材料的液體溶液。液態(tài)的光學(xué)薄膜的本體材料進(jìn)一步優(yōu)選采用紫外固化樹(shù)脂或者光學(xué)膠。液態(tài)的光學(xué)薄膜的本體材料更進(jìn)一步優(yōu)選采用N0A63光學(xué)膠或Ausbond3301光學(xué)膠。
[0014]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較，具有如下顯而易見(jiàn)的突出實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著優(yōu)點(diǎn):
I.與現(xiàn)有技術(shù)增加OLED光取出效率在基板表面制作的微透鏡多為球形，而本發(fā)明增加OLED光取出效率是器件OLED基板上制作具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜，形成非平面的光學(xué)結(jié)構(gòu)作為增亮膜，對(duì)比于已報(bào)道的光取出技術(shù)，本發(fā)明使用的隨機(jī)金字塔形貌的光學(xué)薄膜其制造成本低廉，工藝簡(jiǎn)單，且在有效提高OLED的光取出效率的同時(shí)維持器件的發(fā)光光譜穩(wěn)定，亮度均勻；
2.本發(fā)明制備方法的操作簡(jiǎn)單，成本低廉，是一種易于推廣的增亮膜制備方法，可在大規(guī)模商業(yè)生產(chǎn)中應(yīng)用。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖2為有否設(shè)置本發(fā)明實(shí)施例一光學(xué)薄膜的OLED器件和對(duì)比器件的正向光譜對(duì)比圖。
[0017]圖3為具有本發(fā)明實(shí)施例一光學(xué)薄膜和不具有光學(xué)薄膜的對(duì)比器件的色坐標(biāo)(1931)對(duì)應(yīng)視角的變化曲線對(duì)比圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例詳述如下:
實(shí)施例一:
在本實(shí)施例中，參見(jiàn)圖1?3，一種具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜，包括光學(xué)薄膜的透明基體2，透明基體2的一側(cè)表面具有隨機(jī)金字塔形貌的絨面I，隨機(jī)金字塔形貌的絨面I由一系列的大小和位置不均勻的金字塔形結(jié)構(gòu)構(gòu)成無(wú)規(guī)則排列的金字塔陣列，形成非平面的光散射功能結(jié)構(gòu)層，透明基體2的另一側(cè)表面形成能與OLED基板4緊密連接的底部連接層3。隨機(jī)金字塔形貌的絨面I的每個(gè)金字塔的均為具有四個(gè)上表面的錐體。隨機(jī)金字塔形貌的絨面I的金字塔的外形高度尺寸大小為2?10微米。隨機(jī)金字塔形貌的絨面I的每個(gè)金字塔的頂角角度為80°?100°。透明基體2的材料采用N0A63光學(xué)膠。光學(xué)薄膜的底部連接層3與OLED基板4之間進(jìn)行緊密無(wú)縫連接，使透明基體2與OLED基板4的連接界面處均不存在任何氣泡。本實(shí)施例增亮膜具有簡(jiǎn)單的單層結(jié)構(gòu)，如圖1所示，由一體化的具有隨機(jī)金字塔形貌的絨面1、透明基體2和與OLED基板4緊密連接的底部連接層3組成。在OLED中使用本實(shí)施例增亮膜時(shí)，將具有絨面的光學(xué)薄膜制作于OLED基板4上，以增加OLED的出光效率。隨機(jī)金字塔形貌的絨面I結(jié)構(gòu)具有大小和位置不均勻的金字塔，金字塔具有四個(gè)上表面，金子塔具有隨機(jī)的大小與無(wú)規(guī)則的排列。其形貌可以由轉(zhuǎn)印具有隨機(jī)金字塔形貌的單晶硅片絨面得到。透明基體2的折射率接近于OLED基板4，提高光取出的效率。
[0019]在本實(shí)施例中，參見(jiàn)圖1?3，本實(shí)施例具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜的制備方法，采用兩步轉(zhuǎn)印方法制備，具體步驟如下:
a.具有隨機(jī)金字塔絨面的模板的制造工藝:采用P型電阻為1-5Ω的(100)晶向的單晶硅片作為模板基材，將單晶硅片(100)用丙酮、酒精、去離子水超聲洗凈，洗凈后用5%的HF去除表面的自然氧化層，之后再用大量去離子水清洗，采用堿溶液作為刻蝕劑，將洗凈的硅片置于質(zhì)量濃度為2wt%的NaOH溶液與體積濃度為5vol%的異丙醇的混合溶液中，在80°C下，對(duì)單晶硅片蝕刻30分鐘，即可得在單晶硅片表面上獲得隨機(jī)金字塔絨面，得到具有隨機(jī)金字塔絨面的模板;絨面制造的目的是制造減反射的絨面結(jié)構(gòu)模板，可以使用堿性溶液濕法刻蝕(100)晶向單晶硅片的方法獲得；
b.具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的軟模板的制造工藝:采用表面能低、易脫模、易固化的PDMS預(yù)聚物液體材料作為制備軟模板的材料，將液態(tài)TOMS預(yù)聚物與固化劑按照10:1的比例混合，然后澆鑄于在步驟a中制備的模板的隨機(jī)金字塔絨面一側(cè)形成液膜，在烘箱中80°C下烘烤4小時(shí)后取出，使液膜固化成PDMS薄膜，在具有隨機(jī)金字塔絨面的模板上制成PDMS薄膜凹模，然后將固化后的凹模從隨機(jī)金字塔模板剝離，從而通過(guò)轉(zhuǎn)印隨機(jī)金字塔模板獲得具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的PDMS軟模板；
c.隨機(jī)金字塔絨面的轉(zhuǎn)移工藝:在制作OLED器件的結(jié)構(gòu)為IT0(100nm)/Mo03(5nm)/NPB(60nm)/Alq3(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(10nm)的OLED器件，器件像素點(diǎn)的大小約5mm*5mm時(shí)，采用N0A63光學(xué)膠作為光學(xué)薄膜的本體材料，將N0A63光學(xué)膠涂于在步驟b中制備的PDMS薄膜上再貼于OLED玻璃基板表面，利用在步驟b中制備的具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的TOMS軟模板，將液態(tài)的N0A63光學(xué)膠緊密壓印于OLED基板4表面上，然后在對(duì)N0A63光學(xué)膠進(jìn)行紫外固化20分鐘后，形成光學(xué)透過(guò)率不低于90%且折射率接近于OLED基板4的光學(xué)薄膜的本體，待光學(xué)薄膜的本體固化后，取下具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的PDMS軟模板，剝離PDMS軟模板即可得到即得到與OLED基板4表面緊密結(jié)合的隨機(jī)金字塔形貌的絨面I的光學(xué)薄膜。本實(shí)施例通過(guò)聚合物復(fù)制金字塔形貌，并以聚合物為軟模板壓印容易固化的透明材料于OLED的玻璃基板上，即可獲得隨機(jī)金字塔形貌的絨面。
[0020]將貼有本實(shí)施例光學(xué)薄膜的OLED器件與相同結(jié)構(gòu)的未貼薄膜的器件進(jìn)行測(cè)試，在電流密度為50mA/cm2時(shí)未貼膜器件的電流效率為3.5cd/A，貼膜器件的電流效率為4.29cd/A，電流效率增加了22%。同時(shí)貼膜器件的光譜隨視角變化較小，色坐標(biāo)同未貼膜器件相比沒(méi)有明顯變化，如圖2和圖3所示。由圖2可知在正面方向貼膜器件與同未貼膜器件的發(fā)射光譜十分接近，僅有微小的差別。由圖3可知在0°到70°的視角內(nèi)，貼膜器件的色坐標(biāo)變化較小，顏色穩(wěn)定。本實(shí)施例制備方法通過(guò)兩步轉(zhuǎn)印具有金字塔形貌的硅片獲得金字塔形貌，工藝簡(jiǎn)單，成本低廉，增量效果明顯。
[0021]實(shí)施例二:
本實(shí)施例與實(shí)施例一基本相同，特別之處在于:
在本實(shí)施例中，采用Ausbond3301光學(xué)膠作為光學(xué)薄膜的本體材料。
[0022]在本實(shí)施例中，本實(shí)施例具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜的制備方法，采用兩步轉(zhuǎn)印方法制備，具體步驟如下:
a.本步驟與實(shí)施例一相同；
b.本步驟與實(shí)施例一相同；
c.隨機(jī)金字塔絨面的轉(zhuǎn)移工藝:在制作OLED器件的結(jié)構(gòu)為IT0(100nm)/Mo03(5nm)/NPB(60nm)/Alq3(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(10nm)的OLED器件，器件像素點(diǎn)的大小為5mm*5mm時(shí)，采用Ausbond3301光學(xué)膠作為光學(xué)薄膜的本體材料，將Ausbond3301光學(xué)膠涂于在步驟b中制備的PDMS薄膜上再貼于OLED玻璃基板表面，利用在步驟b中制備的具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的PDMS軟模板，將液態(tài)的Ausbond3301光學(xué)膠緊密壓印于OLED基板4表面上，然后在對(duì)AUSbond3301光學(xué)膠進(jìn)行紫外固化20分鐘后，形成光學(xué)透過(guò)率不低于90%且折射率接近于OLED基板4的光學(xué)薄膜的本體，待光學(xué)薄膜的本體固化后，取下具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的PDMS軟模板，剝離PDMS軟模板即可得到即得到與OLED基板4表面緊密結(jié)合的隨機(jī)金字塔形貌的絨面I的光學(xué)薄膜。
[0023]將貼有本實(shí)施例光學(xué)薄膜的OLED器件與相同結(jié)構(gòu)的未貼薄膜的器件進(jìn)行測(cè)試， 貼有本實(shí)施例光學(xué)薄膜的OLED器件在50mA/cm2時(shí)的亮度由1755cd/m2增加到了 2141
cd/m2，增加了約21%。同時(shí)其光譜在0° -70°內(nèi)保持穩(wěn)定。
[0024]實(shí)施例三:
本實(shí)施例與前述實(shí)施例基本相同，特別之處在于:
在本實(shí)施例中，采用N0A63光學(xué)膠作為光學(xué)薄膜的本體材料。
[0025]在本實(shí)施例中，本實(shí)施例具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜的制備方法，采用兩步轉(zhuǎn)印方法制備，具體步驟如下:
a.具有隨機(jī)金字塔絨面的模板的制造工藝:采用P型電阻為1-5Ω的(100)晶向的單晶硅片作為模板基材，將單晶硅片(100)用丙酮、酒精、去離子水超聲洗凈，洗凈后用5%的HF去除表面的自然氧化層，之后再用大量去離子水清洗，采用堿溶液作為刻蝕劑，將洗凈的硅片置于質(zhì)量濃度為1.5wt°/c^NaOH溶液與體積濃度為10vol%的異丙醇的混合溶液中，在80°C下，對(duì)單晶硅片蝕刻25分鐘，即可得在單晶硅片表面上獲得隨機(jī)金字塔絨面，得到具有隨機(jī)金字塔絨面的模板；
b.本步驟與實(shí)施例一相同；
c.本步驟與實(shí)施例一相同。
[0026]將貼有本實(shí)施例光學(xué)薄膜的OLED器件與相同結(jié)構(gòu)的未貼薄膜的器件進(jìn)行測(cè)試，貝占有本實(shí)施例光學(xué)薄膜的OLED器件在50mA/cm2時(shí)的亮度由1740 cd/m2增加到了2122 cd/m2,增加了約22%。同時(shí)其光譜在0° -70°內(nèi)保持穩(wěn)定。
[0027]實(shí)施例四:
本實(shí)施例與前述實(shí)施例基本相同，特別之處在于:
在本實(shí)施例中，采用N0A63光學(xué)膠作為光學(xué)薄膜的本體材料。
[0028]在本實(shí)施例中，本實(shí)施例具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜的制備方法，采用兩步轉(zhuǎn)印方法制備，具體步驟如下:
a.具有隨機(jī)金字塔絨面的模板的制造工藝:采用P型電阻為20-30Ω的(100)晶向的單晶硅片作為模板基材，將單晶硅片(100)用丙酮、酒精、去離子水超聲洗凈，洗凈后用5%的HF去除表面的自然氧化層，之后再用大量去離子水清洗，采用堿溶液作為刻蝕劑，將洗凈的硅片置于質(zhì)量濃度為2wt%的NaOH溶液與體積濃度為5vo 1%的異丙醇的混合溶液中，在80°C下，對(duì)單晶硅片蝕刻30分鐘，即可得在單晶硅片表面上獲得隨機(jī)金字塔絨面，得到具有隨機(jī)金字塔絨面的模板；
b.本步驟與實(shí)施例一相同；
c.本步驟與實(shí)施例一相同。
[0029]將貼有本實(shí)施例光學(xué)薄膜的OLED器件與相同結(jié)構(gòu)的未貼薄膜的器件進(jìn)行測(cè)試，貝占有本實(shí)施例光學(xué)薄膜的OLED器件在50mA/cm2時(shí)的亮度由1822cd/V增加到了 2255cd/m2。同時(shí)其光譜在0°-70°內(nèi)保持穩(wěn)定。
[0030]上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，還可以根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明創(chuàng)造的目的做出多種變化，凡依據(jù)本發(fā)明技術(shù)方案的精神實(shí)質(zhì)和原理下做的改變、修飾、替代、組合或簡(jiǎn)化，均應(yīng)為等效的置換方式，只要符合本發(fā)明的發(fā)明目的，只要不背離本發(fā)明具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜及其制備方法的技術(shù)原理和發(fā)明構(gòu)思，都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜，包括光學(xué)薄膜的透明基體(2)，其特征在于:所述透明基體(2)的一側(cè)表面具有隨機(jī)金字塔形貌的絨面(I)，所述隨機(jī)金字塔形貌的絨面(I)由一系列的大小和位置不均勻的金字塔形結(jié)構(gòu)構(gòu)成無(wú)規(guī)則排列的金字塔陣列，形成非平面的光散射功能結(jié)構(gòu)層，所述透明基體(2)的另一側(cè)表面形成能與OLED基板(4)緊密連接的底部連接層(3)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜，其特征在于:所述隨機(jī)金字塔形貌的絨面(I)的每個(gè)金字塔的均為具有四個(gè)上表面的錐體。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜，其特征在于:所述隨機(jī)金字塔形貌的絨面(I)的金字塔的外形高度尺寸大小為2?10微米。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜，其特征在于:所述隨機(jī)金字塔形貌的絨面(I)的每個(gè)金字塔的頂角角度為80°?100°。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜，其特征在于:所述透明基體(2)的材料具有與OLED基板(4)材料接近的折射率。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜，其特征在于:所述透明基體(2)的材料折射率為1.4?1.6。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜，其特征在于:所述透明基體(2)的材料采用光學(xué)透過(guò)率不低于90%的材料。8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜，其特征在于:所述光學(xué)薄膜的底部連接層(3)與所述OLED基板(4)之間進(jìn)行緊密無(wú)縫連接，使所述透明基體(2)與所述OLED基板(4)的連接界面處均不存在任何氣泡。9.一種權(quán)利要求1所述具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜的制備方法，其特征在于，采用兩步轉(zhuǎn)印方法制備，具體步驟如下: a.具有隨機(jī)金字塔絨面的模板的制造工藝:采用堿溶液作為刻蝕劑，采用單晶硅片作為模板基材，對(duì)單晶硅片進(jìn)行刻蝕，在單晶硅片表面上獲得隨機(jī)金字塔絨面，得到具有隨機(jī)金字塔絨面的模板； b.具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的軟模板的制造工藝:采用表面能低、易脫模、易固化的液體材料作為制備軟模板的材料，然后將液態(tài)的制備軟模板的材料澆鑄或涂布于在所述步驟a中制備的模板的隨機(jī)金字塔絨面一側(cè)形成液膜，再對(duì)液膜進(jìn)行固化，在具有隨機(jī)金字塔絨面的模板上制成凹模，然后將固化后的凹模從隨機(jī)金字塔模板剝離，從而通過(guò)轉(zhuǎn)印隨機(jī)金字塔模板獲得具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的軟模板； c.隨機(jī)金字塔絨面的轉(zhuǎn)移工藝:采用液體材料作為光學(xué)薄膜本體材料，利用在所述步驟b中制備的具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的軟模板，將液態(tài)的光學(xué)薄膜的本體材料緊密壓印于OLED基板表面上，然后對(duì)液態(tài)的光學(xué)薄膜的本體材料進(jìn)行固化形成光學(xué)透過(guò)率不低于90%且折射率接近于OLED基板的光學(xué)薄膜的本體，待光學(xué)薄膜的本體固化后，取下具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的軟模板，即得到與OLED基板表面緊密結(jié)合的具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜的制備方法，其特征在于:在所述步驟a中，采用(100)晶向的單晶硅片作為模板基材，所制備的具有隨機(jī)金字塔絨面的金字塔的外形高度尺寸大小為2?10微米，具有隨機(jī)金字塔絨面的模板的制造方法中的刻蝕溫度控制為60?85°C，作為刻蝕劑的堿溶液采用NaOH和KOH中任意一種堿液或二者混合的堿液。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜的制備方法，其特征在于:在所述步驟a中，所述堿液的氫氧化物溶質(zhì)質(zhì)量濃度為1.5?2wt%。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜的制備方法，其特征在于:在所述步驟b中，所述液態(tài)的制備軟模板的材料采用聚二甲基硅氧烷。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜的制備方法，其特征在于:在所述步驟c中，所述液態(tài)的光學(xué)薄膜的本體材料采用光學(xué)薄膜的基體材料的液體或光學(xué)薄膜的基體材料的液體溶液。14.根據(jù)權(quán)利要求9?13中任意一項(xiàng)所述具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜的制備方法，其特征在于:在所述步驟c中，所述液態(tài)的光學(xué)薄膜的本體材料采用紫外固化樹(shù)脂或者光學(xué)膠。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述具有隨機(jī)金字塔形貌絨面的光學(xué)薄膜的制備方法，其特征在于:在所述步驟c中，所述液態(tài)的光學(xué)薄膜的本體材料采用NOA63光學(xué)膠或AusbOnd3301光學(xué)膠。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK106098963SQ201610601220
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年7月28日 公開(kāi)號(hào)201610601220.9, CN 106098963 A, CN 106098963A, CN 201610601220, CN-A-106098963, CN106098963 A, CN106098963A, CN201610601220, CN201610601220.9
【發(fā)明人】朱文清, 肖騰, 翟光勝, 俞靜婷, 錢冰潔
【申請(qǐng)人】上海大學(xué)