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一種晶體偏角度加工的定向料臺(tái)的制作方法

文檔序號(hào):1995123閱讀:457來源:國(guó)知局
專利名稱:一種晶體偏角度加工的定向料臺(tái)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種晶體偏角度加工的定向料臺(tái),屬于晶體加工裝置領(lǐng)域。
背景技術(shù)
晶體生長(zhǎng)面往往不是我們要求加工的晶面,要想達(dá)到我們想要的理想晶面必須通過定向來解決?,F(xiàn)在的技術(shù)一般只能達(dá)到找對(duì)要求的晶向,而達(dá)不到要求晶向的精度,即難以達(dá)到對(duì)晶向精度的要求。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有的缺陷,提供了一種晶體偏角度加工的定向料臺(tái),可以更便捷地控制晶向的精度。為了解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型提供了如下的技術(shù)方案一種晶體偏角度加工的定向料臺(tái),包括底座、調(diào)整板、移位螺釘、垂直旋轉(zhuǎn)靶、水平旋轉(zhuǎn)靶、固定轉(zhuǎn)盤螺絲。底盤上部安裝支架、止退板,支架位于底盤一端,水平旋轉(zhuǎn)靶安裝在支架上。水平旋轉(zhuǎn)靶包括調(diào)節(jié)鈕、調(diào)節(jié)螺桿和移位螺釘,調(diào)節(jié)螺桿與移位螺釘螺紋連接。止退板上安裝有調(diào)整板,止退板與調(diào)整板通過設(shè)置在遠(yuǎn)離支架一端的轉(zhuǎn)動(dòng)軸連接,調(diào)整板靠近支架一端與水平旋轉(zhuǎn)靶的移位螺釘下端轉(zhuǎn)動(dòng)連接,調(diào)整板位于支架內(nèi)側(cè)的部位設(shè)有弧形上下通槽,并通過設(shè)置槽內(nèi)的鎖緊螺釘與止退板保持緊固。調(diào)整板的通槽與轉(zhuǎn)動(dòng)軸之間靠近通槽部位豎直設(shè)置有立板,立板上靠轉(zhuǎn)動(dòng)軸一側(cè)設(shè)有旋轉(zhuǎn)臺(tái),旋轉(zhuǎn)臺(tái)上有刻度盤,刻度盤為360度刻度盤。旋轉(zhuǎn)臺(tái)一側(cè)安裝有垂直旋轉(zhuǎn)靶,相對(duì)的另一側(cè)安裝有固定轉(zhuǎn)盤螺絲,旋轉(zhuǎn)臺(tái)連接連接架,連接架與位于遠(yuǎn)離支架一端設(shè)置的夾緊件相對(duì),夾緊件固定于機(jī)架。所能加工的晶體只能是碳化硅或藍(lán)寶石。厚度可以是O. Imm-IOOmm,晶體直徑可以是2吋-4吋,晶體角度可以是0°、4°或8°。本實(shí)用新型目的是為了能更好,更快,更直接的找到我們要求的晶體取向,并在最小程度上控制晶向的精度,從而避免了因精度不高而重復(fù)的費(fèi)料加工,大大降低了成本,提升了晶體的使用率。

附圖用來提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解,并且構(gòu)成說明書的一部分,與本實(shí)用新型的實(shí)施例一起用于解釋本實(shí)用新型,并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。在附圖中圖I是本實(shí)用新型一種晶體偏角度加工的定向料臺(tái)的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是本實(shí)用新型一種晶體偏角度加工的定向料臺(tái)的俯視示意圖;圖3是本實(shí)用新型一種晶體偏角度加工的定向料臺(tái)調(diào)整板的旋轉(zhuǎn)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說明,應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說明和解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。如圖1、2所示,一種晶體偏角度加工的定向料臺(tái),包括底座6、調(diào)整板7、垂直旋轉(zhuǎn)靶15、水平旋轉(zhuǎn)靶I、固定轉(zhuǎn)盤螺絲16。底盤6上部安裝支架2、止退板13,支架2位于底盤6 —端,水平旋轉(zhuǎn)靶I安裝在支架2上。水平旋轉(zhuǎn)靶I包括調(diào)節(jié)鈕、調(diào)節(jié)螺桿3和移位螺釘4,調(diào)節(jié)螺桿3與移位螺釘4螺紋連接。止退板13上安裝有調(diào)整板7,止退板13與調(diào)整板7通過設(shè)置在遠(yuǎn)離支架一端的轉(zhuǎn)動(dòng)軸12連接,調(diào)整板7靠近支架一端與水平旋轉(zhuǎn)靶I的移位螺釘下端轉(zhuǎn)動(dòng)連接,調(diào)整板7位于支架內(nèi)側(cè)的部位設(shè)有弧形上下通槽,并通過設(shè)置槽內(nèi)的鎖緊螺釘5與止退板13保持緊固。調(diào)整板7的通槽與轉(zhuǎn)動(dòng)軸12之間靠近通槽部位豎直設(shè)置有立板8,立板8上靠轉(zhuǎn)動(dòng)軸12 —側(cè)設(shè)有旋轉(zhuǎn)臺(tái)9,旋轉(zhuǎn)臺(tái)9上有刻度盤,刻度盤為360度刻度盤。旋轉(zhuǎn)臺(tái)9 一側(cè)安裝有垂直旋轉(zhuǎn)靶15,相對(duì)的另一側(cè)安裝有固定轉(zhuǎn)盤螺絲16,旋轉(zhuǎn)臺(tái)9連接連接架10,連接架10與位于遠(yuǎn)離支架一端設(shè)置的夾緊件14相對(duì),用以?shī)A緊晶體11。夾緊件14固定于機(jī)架。將需加工偏角度的晶體11固定到本實(shí)用新型定向料臺(tái)上,然后將料臺(tái)固定到X射線儀上。打開X射線儀,找到要求的晶向參數(shù)。如圖3所示,通過調(diào)節(jié)水平旋轉(zhuǎn)靶1,調(diào)節(jié)螺桿3帶動(dòng)移位螺釘4運(yùn)動(dòng),從而移位螺釘4帶動(dòng)調(diào)整板7轉(zhuǎn)動(dòng)。或者垂直旋轉(zhuǎn)靶15來控制其偏角度精度。待校準(zhǔn)完畢后,鎖緊刻度盤上的固定轉(zhuǎn)盤螺絲16即可,待晶體11平磨完畢后,便能得到符合要求的晶體。實(shí)施例一將碳化硅晶體如晶向?yàn)?0001)偏X軸4 °,做成(0001),只需將碳化硅晶體固定到此定向料臺(tái)上,然后進(jìn)行衍射定向。X軸向?yàn)樗矫妫恍枵{(diào)節(jié)水平方向的水平旋轉(zhuǎn)靶1,根據(jù)刻度顯示值,反方向調(diào)整4°便能找到我們要求的晶體晶向。實(shí)施例二 將碳化硅晶體如晶向?yàn)?0001)偏Y軸4 °,做成(0001),只需將碳化硅晶體固定到此定向料臺(tái)上,然后進(jìn)行衍射定向。Y軸向?yàn)榇怪泵?,只需調(diào)節(jié)垂直方向的垂直旋轉(zhuǎn)靶15,根據(jù)刻度顯示值,反方向調(diào)整4°便能找到我們要求的晶體晶向。以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已,并不用于限制本實(shí)用新型,盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明,對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說,其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種晶體偏角度加工的定向料臺(tái),其特征在于包括底座、調(diào)整板、垂直旋轉(zhuǎn)靶、水平旋轉(zhuǎn)靶、固定轉(zhuǎn)盤螺絲, 底盤上部安裝支架、止退板,支架位于底盤一端,水平旋轉(zhuǎn)靶安裝在支架上, 水平旋轉(zhuǎn)靶包括調(diào)節(jié)鈕、調(diào)節(jié)螺桿和移位螺釘,調(diào)節(jié)螺桿與移位螺釘螺紋連接; 止退板上安裝有調(diào)整板,止退板與調(diào)整板通過設(shè)置在遠(yuǎn)離支架一端的轉(zhuǎn)動(dòng)軸連接,調(diào)整板靠近支架一端與水平旋轉(zhuǎn)靶的移位螺釘下端轉(zhuǎn)動(dòng)連接,調(diào)整板位干支架內(nèi)側(cè)的部位設(shè)有弧形上下通槽,并通過設(shè)置槽內(nèi)的鎖緊螺釘與止退板保持緊固; 調(diào)整板的通槽與轉(zhuǎn)動(dòng)軸之間靠近通槽部位豎直設(shè)置有立板,立板上靠轉(zhuǎn)動(dòng)軸ー側(cè)設(shè)有旋轉(zhuǎn)臺(tái),旋轉(zhuǎn)臺(tái)上有刻度盤,旋轉(zhuǎn)臺(tái)一側(cè)安裝有垂直旋轉(zhuǎn)靶,相対的另ー側(cè)安裝有固定轉(zhuǎn)盤 螺絲, 旋轉(zhuǎn)臺(tái)連接連接架,連接架與位于遠(yuǎn)離支架一端設(shè)置的夾緊件相対。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種晶體偏角度加工的定向料臺(tái),其特征在于刻度盤為360度刻度盤。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種晶體偏角度加工的定向料臺(tái),其特征在于夾緊件固定于機(jī)架。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種晶體偏角度加工的定向料臺(tái),其特征在于所能加工的晶體厚度是0. Imm-IOOmm,晶體直徑是2吋-4吋,晶體角度是0°、4°或8°。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種晶體偏角度加工的定向料臺(tái),其特征在于所加工晶體只能是碳化硅或藍(lán)寶石。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種晶體偏角度加工的定向料臺(tái),包括底座、調(diào)整板、垂直旋轉(zhuǎn)靶、水平旋轉(zhuǎn)靶、固定轉(zhuǎn)盤螺絲,底盤上部安裝支架、止退板,止退板上安裝有調(diào)整板,調(diào)整板中間的立板上設(shè)有旋轉(zhuǎn)臺(tái),旋轉(zhuǎn)臺(tái)連接連接架,連接架與位于遠(yuǎn)離支架一端設(shè)置的夾緊件相對(duì)。旋轉(zhuǎn)臺(tái)一側(cè)安裝有固定刻度盤的固定轉(zhuǎn)盤螺絲,另一側(cè)安裝有豎直方向的垂直旋轉(zhuǎn)靶,本實(shí)用新型的目的是為了能更好,更快,更直接的找到我們要求的晶體取向,并在最小程度上控制晶向的精度,從而避免了因精度不高而重復(fù)的費(fèi)料加工,大大降低了成本,提升了晶體的使用率。
文檔編號(hào)B28D5/00GK202640578SQ20122013481
公開日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2012年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月1日
發(fā)明者李闖, 吳星, 倪代秦, 李旭明, 賈海濤, 高鵬成, 張世杰 申請(qǐng)人:北京華進(jìn)創(chuàng)威電子有限公司
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