專利名稱：：燒制用裝架和蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及燒制用裝架和蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法。
背景技術(shù)：
：最近，從公共汽車、卡車等車輛、建筑機(jī)械等的內(nèi)燃機(jī)排出的尾氣中含有的顆粒對(duì)環(huán)境、人體帶來?yè)p害，這已經(jīng)成為了問題。已提出了多種陶瓷過濾器，其是使該尾氣通過多孔質(zhì)陶瓷而捕獲尾氣中的顆粒，從而凈化尾氣的過濾器。對(duì)于陶瓷過濾器來說，例如2個(gè)以上作為多孔質(zhì)陶瓷體的蜂窩燒制體夾著密封材料層結(jié)成束，并在其周圍形成有密封材料層。另外，在該蜂窩燒制體中，在長(zhǎng)度方向形成了許多貫通孔，將這些貫通孔彼此隔開的貫通孔壁作為過濾器發(fā)揮作用。作為制造這樣的蜂窩燒制體的一般的步驟，首先，將碳化硅粉末、粘合劑和分散介質(zhì)液混合，制備成型體制造用混合物，之后，進(jìn)行該混合物的擠出成型等，由此制作蜂窩成型體。接著，使用熱風(fēng)干燥機(jī)等對(duì)得到的蜂窩成型體進(jìn)行干燥，由此制造具有一定強(qiáng)度、容易處理的蜂窩成型體的干燥體。在該干燥工序之后進(jìn)行脫脂工序，在該脫脂工序中，在含氧氣氛下，在30(TC65(TC下對(duì)經(jīng)干燥的蜂窩成型體進(jìn)行加熱，使粘合劑中的溶劑揮發(fā)，并使樹脂成分分解消失。接下來，在惰性氣體氣氛下，在200(TC220(TC下加熱蜂窩成型體，由此使上述成型體中的碳化硅顆粒燒結(jié)，經(jīng)該燒制工序制造作為燒結(jié)體的蜂窩燒制體。在該蜂窩成型體的燒制工序中，下述反應(yīng)式(l)所示的反應(yīng)向右側(cè)進(jìn)行，推進(jìn)了碳化硅顆粒的燒結(jié)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>此處，反應(yīng)式(l)中的SiO對(duì)碳化硅顆粒的燒結(jié)起到重要的作用。作為使碳化硅顆粒燒結(jié)時(shí)可以供給必需的SiO的燒制用裝架，例如公開了在燒制用裝架的表面的至少一部分形成有涂層的燒制用裝架(專利文獻(xiàn)1)。利用該燒制用裝架，可以供給進(jìn)行反應(yīng)式(l)所必需的充分量的SiO，從而能夠確實(shí)地進(jìn)行燒結(jié)體的生成反應(yīng)。專利文獻(xiàn)l:WO2007/015550A1但是，利用專利文獻(xiàn)1的燒制用裝架時(shí)，雖然推進(jìn)了碳化硅顆粒的燒結(jié)，但在重復(fù)燒制工序的過程中有時(shí)在蜂窩成型體的安放面會(huì)發(fā)生涂層的剝離。在發(fā)生涂層剝離的情況下，不能再作為燒制用裝架使用了，所以需要更換新的燒制用裝架，因此導(dǎo)致了運(yùn)行成本增加。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于，提供一種燒制用裝架，其在使燒結(jié)體的一系列的生成反應(yīng)充分進(jìn)行的同時(shí)，即使在蜂窩成型體的燒制中反復(fù)使用也能防止涂層的剝離，從而能夠長(zhǎng)期使用并能夠?qū)崿F(xiàn)運(yùn)行成本的削減。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第一方面所述的燒制用裝架由架體和涂層組成，所述架體用于安放以碳化硅為主要成分的蜂窩成型體，并且該蜂窩成型體以側(cè)面向下的方式被安放，所述涂層至少形成在該架體的安放上述蜂窩成型體的安放面上，其中，上述涂層的主要成分為碳化硅，上述涂層的算術(shù)平均高度Ra為10pm以下。對(duì)于本發(fā)明第一方面所述的燒制用裝架來說，基于JISB0601(2001)求出的形成在架體的安放面上的涂層的算術(shù)平均高度Ra(以下也簡(jiǎn)稱為表面粗糙度)為10pm以下，所以即使為了對(duì)蜂窩成型體進(jìn)行燒制而使其處于高溫下，也可以抑制因其表面存在凹凸而產(chǎn)生局部應(yīng)力。其結(jié)果是，抑制了因局部應(yīng)力而導(dǎo)致涂層中產(chǎn)生微細(xì)裂縫、裂紋等，所以即使長(zhǎng)期使用本發(fā)明的燒制用裝架，也不會(huì)發(fā)生涂層的剝離。因此，無需頻繁地更換燒制用裝架，能夠長(zhǎng)期減少運(yùn)行成本。另外，本發(fā)明第一方面所述的燒制用裝架能夠長(zhǎng)期穩(wěn)定地使用，所以能夠防止因頻繁更換燒制用裝架導(dǎo)致的燒制條件不穩(wěn)定。另外，在本發(fā)明第一方面記載的燒制用裝架中，涂層的表面粗糙度為10pm以下，所以即使安放上蜂窩成型體，其表面也不會(huì)產(chǎn)生凹凸。特別是與現(xiàn)有的架相比，由于陶瓷過濾器中使用的蜂窩燒制體向薄壁化發(fā)展，所以，蜂窩成型體的表面容易受到燒制用裝架表面凹凸的影響。但是，在本發(fā)明第一方面所述的燒制用裝架中，涂層的表面粗糙度為10pm以下，蜂窩成型體的表面基本不受燒制用裝架表面凹凸的影響，所以燒制工序后的蜂窩燒制體得到了良好的表面狀態(tài)。在本發(fā)明第一方面所述的燒制用裝架中，涂層的主要成分是碳化硅，所以，根據(jù)下述反應(yīng)式(2)，能夠?qū)⒆銐蛄康腟iO供給到進(jìn)行燒制的體系內(nèi)。由此，能夠充分推進(jìn)碳化硅顆粒的燒結(jié)，制造具有預(yù)定品質(zhì)的蜂窩燒制體。SiC+CO站iO+2C(2)此外，據(jù)認(rèn)為反應(yīng)式(2)中的CO是基于在燒制溫度低的階段(大約120(TC以下)的下述反應(yīng)式(3)的反應(yīng)等而生成的。并且，反應(yīng)式(3)中的Si02的供給源是以碳化硅為主要成分的原料混合物中所含有的雜質(zhì)等。Si02+CSSiO+CO(3)如本發(fā)明第二方面所述的燒制用裝架那樣，通過氣相法形成致密的涂層時(shí)，能夠提高涂層的強(qiáng)度，進(jìn)而能夠提高燒制用裝架的耐久性。另一方面，以往，為了形成涂層，在殘留于燒制爐中的碳化硅析出到架體的安放面上之前，要反復(fù)進(jìn)行使未安放蜂窩成型體的架體通過高溫?zé)茽t的作業(yè)(所謂空載焙燒)，因而，制作燒制用裝架所需的時(shí)間長(zhǎng)、費(fèi)用高。但是，如本發(fā)明第三方面所述的燒制用裝架那樣，由于采用氣相法形成涂層，因此以一次作業(yè)就能均勻地形成致密的涂層，同時(shí)縮短了時(shí)間和降低了費(fèi)用。另外，在以空載焙燒來形成涂層的情況下，到燒制條件穩(wěn)定之前需要相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間，而利用氣相法一次就能夠形成涂層，因此大幅度縮短燒制條件到達(dá)穩(wěn)定的時(shí)間。如本發(fā)明第三方面所述的燒制用裝架那樣，由于采用化學(xué)氣相滲透法作為氣相法，因而能夠形成SiC純度高的涂層，所以能夠盡量避免燒結(jié)體的生成反應(yīng)中因雜質(zhì)引起的不必要的反應(yīng)。如本發(fā)明第四方面所述的燒制用裝架那樣，由于在架體的整個(gè)表面形成致密的涂層，因而構(gòu)成架體的材料難以脫除涂層而泄漏到進(jìn)行燒制反應(yīng)的體系內(nèi)。因此，可以防止在碳化硅顆粒的燒結(jié)反應(yīng)中出現(xiàn)因脫除涂層的構(gòu)成架體的材料所導(dǎo)致的不必要的反應(yīng)。另外，由于構(gòu)成架體的材料對(duì)燒結(jié)反應(yīng)基本沒有影響，所以，能夠擴(kuò)大作為構(gòu)成架體的材料可選擇的材料的范圍。如本發(fā)明第五方面所述的燒制用裝架那樣，可以通過對(duì)由SiC涂層形成材料形成的SiC涂層進(jìn)行研磨來形成涂層。經(jīng)研磨得到的SiC涂層是表面粗糙度具有預(yù)定值的致密層，所以能夠防止涂層產(chǎn)生剝離、裂紋、凹凸。在本發(fā)明第六方面所述的燒制用裝架中，作為SiC涂層形成材料，可以使用以氫化聚碳硅烷為主要成分的聚合物、含有SiC顆粒和Si02顆粒的混合物、含有表面形成有Si02膜的SiC顆粒的原料、或者含有Si和C的混合物。使用這樣的材料時(shí)，所形成的SiC涂層在表面附近粗疏，而內(nèi)部致密。對(duì)于這樣的SiC涂層來說，對(duì)形成的粗疏的表面部分進(jìn)行研磨，以使SiC涂層之中內(nèi)部致密的部分呈現(xiàn)于表面，所以研磨后能夠防止剝離、裂紋等的發(fā)生。如本發(fā)明第七方面所述的燒制用裝架那樣，對(duì)于涂層的具體組成，還可以是由再結(jié)晶SiC或反應(yīng)燒結(jié)SiC形成的涂層。本發(fā)明第八方面所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法是制造由蜂窩燒制體構(gòu)成的蜂窩結(jié)構(gòu)體的方法，在該方法中，對(duì)以碳化硅為主要成分的陶瓷原料進(jìn)行成型，由此制作柱狀蜂窩成型體，該蜂窩成型體在長(zhǎng)度方向隔著貫通孔壁形成了2個(gè)以上貫通孔；對(duì)該蜂窩成型體進(jìn)行脫脂；對(duì)脫脂后的蜂窩成型體進(jìn)行燒制來制作所述蜂窩燒制體；在所述方法中，將上述蜂窩成型體安放在燒制用裝架中，從而對(duì)上述蜂窩成型體進(jìn)行燒制；上述燒制用裝架由架體和涂層構(gòu)成，所述架體用于安放上述蜂窩成型體并且蜂窩成型體以側(cè)面向下的方式被安放，所述涂層至少形成在上述架體的用于安放上述蜂窩成型體的安放面上；上述涂層的主要成分是碳化硅；基于JISB0601(2001)求出的上述涂層的算術(shù)平均高度Ra為10pm以下。在利用本發(fā)明第八方面所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法時(shí)，由于在燒制用裝架的安放面形成的涂層是以碳化硅為主要成分，所以能夠充分地供給反應(yīng)式(l)中碳化硅顆粒燒結(jié)所需要的SiO，由此，能夠制造燒結(jié)反應(yīng)得到充分進(jìn)行而得到的蜂窩燒制體。并且，由于使用充分進(jìn)行了燒結(jié)的蜂窩燒制體來制造蜂窩結(jié)構(gòu)體，所以所得到的蜂窩結(jié)構(gòu)體能實(shí)現(xiàn)壓力損失低、彎曲強(qiáng)度大這種優(yōu)異的品質(zhì)。此外，在本發(fā)明第八方面所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法中，由于涂層表面粗糙度為10pm以下，所以即使將蜂窩成型體安放在燒制用裝架中進(jìn)行燒制，也幾乎不會(huì)在蜂窩燒制體的表面產(chǎn)生因涂層的凹凸所導(dǎo)致的凹凸。所以，對(duì)于使用燒制后的蜂窩燒制體而得到的蜂窩結(jié)構(gòu)體，不會(huì)發(fā)生因這種微小的凹凸引起的貫通孔缺陷或強(qiáng)度降低等，因此能夠防止產(chǎn)品的損失，并且能夠長(zhǎng)期保持產(chǎn)品的品質(zhì)。另外，在利用本發(fā)明第八方面所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法時(shí)，由于涂層的表面粗糙度為10iim以下，所以不易產(chǎn)生由微小凹凸引起的應(yīng)力。所以不易在涂層表面產(chǎn)生裂縫、裂紋，能長(zhǎng)期穩(wěn)定地使用燒制用裝架。并且，由于能夠長(zhǎng)期使用燒制用裝架，所以能夠?qū)扑璧倪\(yùn)行成本控制在較低水平。在利用本發(fā)明第九方面所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法時(shí)，由于通過氣相法形成了致密的涂層，所以能夠提高涂層的強(qiáng)度，進(jìn)而，能夠提高燒制用裝架的耐久性。并且，由于以一次作業(yè)就能在架體上形成這樣的涂層，所以能夠縮短涂層達(dá)到穩(wěn)定的時(shí)間，由此，能夠快速穩(wěn)定燒制條件。所以，能夠縮短包括準(zhǔn)備期間在內(nèi)的制造蜂窩結(jié)構(gòu)體所用的時(shí)間。在本發(fā)明第十方面所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法中，由于采用化學(xué)氣相滲透法作為氣相法，所以能夠形成SiC純度高的涂層。由此，能夠盡量避免在燒結(jié)體的生成反應(yīng)中因雜質(zhì)引起的不必要的反應(yīng)，從而能夠制造出具有高品質(zhì)的蜂窩結(jié)構(gòu)體。如本發(fā)明第十一方面所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法那樣，由于在架體的整個(gè)表面上形成致密的涂層，因此架體的構(gòu)成材料難以因涂層脫落而漏出。因此，能夠防止漏出的架體的構(gòu)成材料對(duì)碳化硅顆粒的燒結(jié)反應(yīng)帶來不良影響。并且，由于構(gòu)成架體的材料基本不對(duì)燒結(jié)反應(yīng)有影響，所以能夠擴(kuò)大作為構(gòu)成架體的材料可選擇的材料的范圍。在本發(fā)明第十二方面所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法中，將蜂窩成型體隔著碳制的間隔物安放在燒制用裝架中，所以能夠充分供給反應(yīng)式(l)、反應(yīng)式(3)中的C，能夠使燒結(jié)體的生成反應(yīng)充分進(jìn)行。另外，反應(yīng)式(l)、反應(yīng)式(3)中的C以原料混合物中含有的有機(jī)成分脫脂后的殘留成分作為供給源時(shí)，其量極少，所以隨著燒結(jié)體的生成反應(yīng)的進(jìn)行而最終被用盡。即使在這種情況下，若使用由碳形成的間隔物，則反應(yīng)式(l)、反應(yīng)式(3)也能夠以此碳作為供給源而得到推進(jìn)，所以能夠推進(jìn)碳化硅顆粒的燒結(jié)。在利用本發(fā)明第十三方面所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法時(shí)，在對(duì)蜂窩成型體進(jìn)行脫脂時(shí)也使用預(yù)定的燒制用裝架，將蜂窩成型體安放在該燒制用裝架中來進(jìn)行脫脂，在保持脫脂后的蜂窩成型體被安放在上述燒制用裝架中的狀態(tài)下，對(duì)蜂窩成型體進(jìn)行燒制。通過這樣操作，在對(duì)蜂窩成型體進(jìn)行脫脂后，不需要將蜂窩成型體移換到用于燒制的其他燒制用裝架中的歩驟。此處，脫脂后的蜂窩成型體的水分少，但尚未燒結(jié)，所以具有較脆而不易處理的性質(zhì)，由于能夠在蜂窩成型體脫脂后直接對(duì)其進(jìn)行燒制，所以能夠防止在移到燒制用裝架中時(shí)對(duì)蜂窩成型體造成損另外，將蜂窩成型體隔著間隔物安放在架體中時(shí)，在蜂窩成型體和架體的安放面之間產(chǎn)生了空間，所以能夠使蜂窩成型體的周圍的氣氛更均勻。由此，能夠防止在蜂窩成型體的不同部位產(chǎn)生脫脂進(jìn)行狀況的差巳計(jì)。另外，若在安放蜂窩成型體時(shí)使用間隔物，則蜂窩成型體不接觸燒制用裝架，能夠防止如下問題構(gòu)成蜂窩成型體側(cè)面的貫通孔壁因燒制不均而引起的強(qiáng)度不足、因與燒制用裝架接觸而引起的凹陷、貫通孔壁的破損、裂紋等。并且，在使用間隔物而不是直接安放蜂窩成型體的情況下，能夠得到減少燒制用裝架的涂層表面凹凸的影響的效果。如本發(fā)明第十四方面所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法那樣，即使通過對(duì)由SiC涂層形成材料形成的SiC涂層進(jìn)行研磨來形成涂層，也能得到具有預(yù)定值的表面粗糙度的致密層。所以，防止了燒制用裝架中涂層發(fā)生剝離、裂紋、凹凸，因而，在所得到的蜂窩燒制體的表面也不易產(chǎn)生凹凸等，進(jìn)而，能夠制造出具有預(yù)定品質(zhì)的蜂窩結(jié)構(gòu)體。在本發(fā)明第十五方面所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法中，作為SiC涂層形成材料，可以使用以氫化聚碳硅烷為主要成分的聚合物、含有SiC顆粒和Si02顆粒的混合物、含有在表面形成有SK)2膜的SiC顆粒的原料、或者含有Si和C的混合物。使用這樣的材料時(shí)，所形成的SiC涂層在表面附近粗疏而內(nèi)部致密。對(duì)于這樣的SiC涂層來說，對(duì)形成的粗疏的表面部分進(jìn)行研磨，以使SiC涂層之中內(nèi)部致密的部分呈現(xiàn)于表面，所以研磨后能夠防止剝離、裂紋等的發(fā)生。因此，能夠制造表面沒有凹凸等的具有預(yù)定品質(zhì)的蜂窩燒制體，進(jìn)而能夠制造這樣的蜂窩結(jié)構(gòu)體。如本發(fā)明第十六方面所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法那樣，對(duì)于涂層的具體組成，還可以是由再結(jié)晶SiC或反應(yīng)燒結(jié)SiC形成的涂層。圖1是示意性表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的燒制用裝架的部分剖面立體圖。圖2是示意性表示作為被燒制體的蜂窩成型體的立體圖。圖3是示意性表示蜂窩結(jié)構(gòu)體的一個(gè)例子的立體圖。圖4(a)是示意性表示構(gòu)成蜂窩結(jié)構(gòu)體的蜂窩燒制體的立體圖，圖4(b)是圖4(a)的沿A-A線的截面圖。圖5是表示將蜂窩成型體隔著間隔物裝載到燒制用裝架中的狀態(tài)的部分放大主視圖。圖6(a)顯示實(shí)施例1制作的燒制用裝架的SiC涂層表面的SEM照片，圖6(b)顯示實(shí)施例2制作的燒制用裝架的SiC涂層表面的SEM照片，圖6(c)顯示比較例1制作的燒制用裝架的SiC涂層表面的SEM照片。圖7(a)顯示實(shí)施例1制作的燒制用裝架的截面的SEM照片，圖7(b)顯示實(shí)施例2制作的燒制用裝架的截面的SEM照片，圖7(c)顯示比較例1制作的燒制用裝架的截面的SEM照片。圖8顯示實(shí)施例4中進(jìn)行研磨前的燒制用裝架的截面的SEM照片，其中I表示進(jìn)行研磨的部分(粗疏形成的部分)，II表示厚度為150pm180pm的致密的部分。具體實(shí)施例方式(第一實(shí)施方式)'下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式即第一實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1是示意性表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的燒制用裝架的部分剖面立體圖。燒制用裝架10由底板12和框材14構(gòu)成,框材14被放置在底板12上，由此兩者形成一體。通過將形成于框材14的下表面上的凸部和形成于底板12的上表面上的凹部相互嵌合，而將框材14固定在底板12上。底板12由碳制底基材13和在底基材13的表面形成的涂層16構(gòu)成，并且，框材14由碳制框基材15和在框基材15的表面形成的涂層16構(gòu)成。在圖1所示的燒制用裝架10中，以底基材13和框基材15構(gòu)成了架符號(hào)說明IO燒制用裝架16涂層20蜂窩成型體22貫通孔壁40間隔物11架體17安放面21貫通孔24b側(cè)面60蜂窩燒制體體11。此外，在本實(shí)施方式中，底基材13和框基材15形成一體而構(gòu)成架體ll，并且在該一體構(gòu)成的架體上可以形成有涂層16。如后所述，涂層16是以碳化硅為主要成分的致密層，其均勻地形成在構(gòu)成架體11的底基材13和框基材15的整個(gè)表面上。涂層16的表面粗糙度為10pm以下，所以涂層16具有良好的平整性。并且，涂層16可以僅形成在底基材13的蜂窩成型體的安放面上，也可以形成在框基材15的面向蜂窩成型體的表面上。涂層16還可形成在底基材13和框基材15的整個(gè)表面上。燒制用裝架IO具有上面開放的箱的形狀，能夠裝載規(guī)定數(shù)量的蜂窩成型體20。將蜂窩成型體20安放到燒制用裝架10中時(shí)，使蜂窩成型體20的側(cè)面24b向下來安放于燒制用裝架10的安放面17上。另外，燒制時(shí)，將蜂窩成型體20隔著碳制間隔物40安放在安放面17上。在圖1的燒制用裝架10中，將蜂窩成型體20隔著2根間隔物40安放在安放面17上。此處，即使將蜂窩成型體20不隔著間隔物40安放在安放面17上，由于涂層16的表面粗糙度為10pm以下，因此蜂窩成型體20的表面(側(cè)面24)也難以受到安放面17的凹凸的影響。涂層16是利用化學(xué)氣相滲透法在架體ll(底基材13和框基材15)的整個(gè)表面上形成的致密層。利用該化學(xué)氣相滲透法時(shí)，碳化硅滲透進(jìn)入碳制架體11的最外表面，由此形成了厚度為70|am120pm的致密的涂層16。如此形成的涂層16也屬于本發(fā)明所稱的涂層。此外，也可以利用化學(xué)蒸鍍法，使碳化硅在架體11的表面上析出來形成涂層16。如此利用化學(xué)氣相滲透法形成的致密的涂層16形成在架體11的整個(gè)表面上，所以即使使燒制用裝架10處于燒制蜂窩成型體20時(shí)的高溫下，表面也難以發(fā)生剝離、龜裂，能長(zhǎng)期穩(wěn)定地作為燒制用裝架io使用。如上所述，涂層16作為反應(yīng)式(2)所示的碳化硅顆粒的燒結(jié)反應(yīng)所需的SiO的供給源發(fā)揮作用。此處，由于反應(yīng)向反應(yīng)式(l)的右側(cè)進(jìn)行，所以隨著碳化硅顆粒的燒結(jié)的進(jìn)行，產(chǎn)生了CO，使燒制爐內(nèi)的CO的分壓增高。由于反應(yīng)式(l)是平衡反應(yīng)，所以隨著CO的分壓的增高，出現(xiàn)了向反應(yīng)式(l)的左側(cè)進(jìn)行的反應(yīng)，導(dǎo)致SiC的生成反應(yīng)得不到進(jìn)行，艮卩，阻礙了碳化硅顆粒的燒結(jié)反應(yīng)。即使在這種情況下，如果涂層16是由碳化硅構(gòu)成的，則在涂層16中進(jìn)行向反應(yīng)式(2)的右側(cè)的反應(yīng)，消耗掉過剩的CO，因此，能夠良好地推進(jìn)燒結(jié)反應(yīng)。如此，涂層16在作為燒結(jié)反應(yīng)必須的SiO源發(fā)揮作用的同時(shí)，還作為隨著燒結(jié)反應(yīng)的進(jìn)行過剩生成的CO的消耗源而發(fā)揮作用。蜂窩成型體20是對(duì)以碳化硅為主要成分的原料進(jìn)行擠出成型而得到的成型體，通常在進(jìn)行燒制前實(shí)施脫脂處理以使有機(jī)成分等消失。如圖2所示，在蜂窩成型體20中，在蜂窩成型體20的長(zhǎng)度方向(圖2中箭頭a的方向)上隔著貫通孔壁22形成了2個(gè)以上貫通孔21。另外，各貫通孔21在貫通孔21的任一端部被密封材料糊23堵住，由此，2個(gè)以上貫通孔21在兩端面24a呈交錯(cuò)的格狀開口。此外，本說明書中，貫通孔21開口的面稱作端面24a，該端面24a以外的面被稱作側(cè)面24b。接著，對(duì)本實(shí)施方式的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法進(jìn)行說明。首先，對(duì)通過本制造方法得到的蜂窩結(jié)構(gòu)體進(jìn)行簡(jiǎn)單說明，然后對(duì)其制造方法進(jìn)行說明。圖3是示意性表示蜂窩結(jié)構(gòu)體的一個(gè)例子的立體圖，圖4(a)是示意性表示構(gòu)成上述蜂窩結(jié)構(gòu)體的蜂窩燒制體的立體圖，圖4(b)是圖4(a)的沿A-A線的截面圖。在蜂窩結(jié)構(gòu)體60中，如圖3所示，2個(gè)以上蜂窩燒制體50夾著密封材料層(粘結(jié)劑層)61結(jié)成束而構(gòu)成陶瓷塊63，進(jìn)一步在該陶瓷塊63的外周形成有密封材料層(涂層)62。并且，蜂窩燒制體50具有與蜂窩成型體20相同的形狀，如圖4(a)所示，在長(zhǎng)度方向(圖4(a)中箭頭a的方向)上形成了2個(gè)以上貫通孔51。如圖4(b)所示，在蜂窩燒制體50中形成的貫通孔51在尾氣G的流入側(cè)或流出側(cè)的端部任意一端被密封材料53封堵，流入一個(gè)貫通孔51中的尾氣G通過將貫通孔51隔開的貫通孔壁52后，從其他貫通孔51流出，尾氣G通過貫通孔壁52時(shí)，顆粒被捕獲在貫通孔壁52部分，從而尾氣得以凈化。即，將貫通孔51彼此隔開的貫通孔壁52起到過濾器的功能。接著，對(duì)本實(shí)施方式的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法進(jìn)行說明。首先，作為陶瓷原料，將平均粒徑不同的碳化硅粉末和有機(jī)粘結(jié)劑進(jìn)行干式混合，制備混合粉末，同時(shí)，將液態(tài)的增塑劑、潤(rùn)滑劑和水混合，制備混合液體，接著，使用濕式混合機(jī)將上述混合粉末和上述混合液體混合，由此制備成型體制造用濕潤(rùn)混合物。接著，將上述濕潤(rùn)混合物投入到擠出成型機(jī)中。將上述濕潤(rùn)混合物投入到擠出成型機(jī)中，并對(duì)濕潤(rùn)混合物進(jìn)行擠出成型，由此形成預(yù)定形狀的蜂窩成型體。利用千燥機(jī)來干燥該蜂窩成型體，制成干燥的蜂窩成型體。使用切斷裝置將干燥的蜂窩成型體的兩端切斷，得到預(yù)定長(zhǎng)度的蜂窩成型體。接下來，在各貫通孔的尾氣流入側(cè)和流出側(cè)中的任意一側(cè)的端部填充預(yù)定量的密封材料糊，堵住貫通孔。對(duì)貫通孔進(jìn)行封堵時(shí)，在蜂窩成型體的端面(即切斷兩端后的切斷面)放上貫通孔封堵用罩，僅在需要封堵的貫通孔中填充密封材料糊。經(jīng)這樣的工序，制作出堵住了貫通孔的蜂窩成型體。接著，將堵住了貫通孔的蜂窩成型體在脫脂爐中加熱，進(jìn)行脫脂。將蜂窩成型體安放到燒制用裝架中之后，將其搬入脫脂爐中，在含氧氣氛下加熱到30(TC65(TC，由此來進(jìn)行蜂窩成型體的脫脂。由此，有機(jī)粘結(jié)劑等揮散掉，大致上僅殘留碳化硅粉末。在這種情況下，為了使蜂窩成型體的周圍的氣氛均勻，將框材14從圖1所示的燒制用裝架10的底板12上取下，隔著間隔物40將蜂窩成型體20安放在底板12上，在該狀態(tài)下進(jìn)行蜂窩成型體20的脫脂。其后，使脫脂后的蜂窩成型體20保持被安放于底板12上的狀態(tài)直接運(yùn)送到燒制爐中，對(duì)蜂窩成型體20進(jìn)行燒制。如圖1所示，以在安放了脫脂后的蜂窩成型體20的底板12上安裝了框材14的狀態(tài)進(jìn)行蜂窩成型體20的燒制。由于是處于蜂窩成型體20被安放于底板12上的狀態(tài)對(duì)蜂窩成型體20進(jìn)行燒制，所以不需要從脫脂用裝架轉(zhuǎn)移到燒制用裝架中，因此，能夠防止蜂窩成型體20的損傷。接著，將裝載有蜂窩成型體20的燒制用裝架10如圖5所示那樣疊置多層，然后在最上部放上蓋33。將疊置的燒制用裝架10放到輸送機(jī)32上，使其在燒制爐內(nèi)移動(dòng)的同時(shí)，連續(xù)地對(duì)蜂窩成型體20進(jìn)行燒制。作為燒制條件，在氮?dú)狻鍤獾榷栊詺怏w氣氛下，于140(TC220(TC對(duì)脫脂后的蜂窩成型體20進(jìn)行燒制。然后，在所得到的蜂窩燒制體的側(cè)面涂布密封材料糊，形成密封材料糊層，隔著該密封材料糊層依次層壓其他蜂窩燒制體。重復(fù)該步驟，制作出預(yù)定數(shù)量的蜂窩燒制體結(jié)成束而構(gòu)成的蜂窩燒制體的集合體。此外，作為密封材料糊，例如可以使用由無機(jī)粘合劑、有機(jī)粘結(jié)劑、無機(jī)纖維和/或無機(jī)顆粒組成的物質(zhì)。接著，對(duì)該蜂窩燒制體的集合體進(jìn)行加熱，使密封材料糊層干燥、固化，形成密封材料層(粘結(jié)劑層)。其后，使用金剛石切割器等，對(duì)蜂窩燒制體的集合體實(shí)施切削加工，制成陶瓷塊，在陶瓷塊的外周表面涂布密封材料糊，并使其干燥固化，由此形成密封材料層(涂層)。如此制造蜂窩過濾器。下面對(duì)本實(shí)施方式的燒制用裝架和蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法的作用效果進(jìn)行列舉。(1)由于在架體的安放面上形成的涂層的表面粗糙度為10pm以下，所以即使其處于燒制蜂窩成型體的高溫下，也可抑制因局部應(yīng)力產(chǎn)生的微細(xì)的裂縫或裂紋等，即使長(zhǎng)期使用，也能防止涂層的剝離。并且，由于無需頻繁更換燒制用裝架，所以可以實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期降低運(yùn)行成本。另外，由于本實(shí)施方式的燒制用裝架能夠長(zhǎng)期穩(wěn)定地使用，所以可以實(shí)現(xiàn)燒制條件的穩(wěn)定化。(2)由于涂層的表面粗糙度為10pm以下，所以蜂窩成型體的表面基本不受燒制用裝架表面的凹凸的影響，燒制工序后的蜂窩燒制體能夠得到良好的表面狀態(tài)。(3)由于涂層的主要成分是碳化硅，所以能夠充分供給燒結(jié)反應(yīng)所必需的SiO。由此，碳化硅顆粒的燒結(jié)得到充分進(jìn)行，能夠制作具有預(yù)定品質(zhì)的蜂窩燒制體。(4)通過氣相法形成致密的涂層，從而能夠提高涂層的強(qiáng)度，進(jìn)而，能提高燒制用裝架的耐久性。另外，由于利用化學(xué)氣相滲透法形成涂層，因而能夠形成SiC純度高的涂層，能夠防止因雜質(zhì)引起的阻礙燒結(jié)體生成的反應(yīng)。(5)通過在架體的整個(gè)表面上形成致密的涂層，能夠防止構(gòu)成架體的材料的泄漏，并能夠防止在燒結(jié)反應(yīng)中出現(xiàn)不必要的反應(yīng)。(6)在燒制用裝架上形成的涂層以碳化硅為主要成分，所以能夠充分供給碳化硅顆粒燒結(jié)所需的SiO，由此，能夠制作燒結(jié)反應(yīng)得到充分進(jìn)行的蜂窩燒制體。另外，由于是使用燒結(jié)得到充分進(jìn)行的蜂窩燒制體來制造蜂窩結(jié)構(gòu)體的，所以所得到的蜂窩結(jié)構(gòu)體能夠?qū)崿F(xiàn)壓力損失低、彎曲強(qiáng)度高這種優(yōu)異品質(zhì)。(7)由于利用氣相法進(jìn)行一次作業(yè)就能在架體上形成致密的涂層，所以能夠縮短涂層達(dá)到穩(wěn)定的時(shí)間，由此，能夠快速地使燒制反應(yīng)穩(wěn)定。所以，能夠縮短包括準(zhǔn)備期在內(nèi)的制造蜂窩結(jié)構(gòu)體所用的時(shí)間。(8)通過采用化學(xué)氣相滲透法作為氣相法，能夠形成SiC純度高的涂層。由此，能夠防止在燒結(jié)體的生成反應(yīng)中出現(xiàn)因雜質(zhì)引起的不必要反應(yīng)，能夠制造具有高品質(zhì)的蜂窩結(jié)構(gòu)體。(9)對(duì)蜂窩成型體進(jìn)行脫脂時(shí)也使用預(yù)定的燒制用裝架，將蜂窩成型體安放在燒制用裝架中并進(jìn)行脫脂，使脫脂后的蜂窩成型體保持被安放到上述燒制用裝架中的狀態(tài)來進(jìn)行蜂窩成型體的燒制。通過如此操作，在對(duì)蜂窩成型體脫脂后，無需進(jìn)行將蜂窩成型體轉(zhuǎn)移到用于對(duì)蜂窩成型體進(jìn)行燒制的其他燒制用裝架中的步驟。并且，能夠防止向燒制用裝架轉(zhuǎn)移對(duì)蜂窩成型體產(chǎn)生損傷。(10)另外，將蜂窩成型體隔著間隔物安放于架體中時(shí)，在蜂窩成型體和架體的安放面之間產(chǎn)生了空間，所以能夠使蜂窩成型體的周圍的氣氛更均勻。由此，能夠防止在蜂窩成型體的不同部位產(chǎn)生脫脂進(jìn)行狀況的差異，能夠減小強(qiáng)度的偏差。實(shí)施例下面舉出更具體說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的實(shí)施例，但本發(fā)明不僅限于這些實(shí)施例。(實(shí)施例1)在碳(株式會(huì)社SEC制DSG-332)制的由底基材和框基材構(gòu)成的上部開放的箱狀架體的表面中，在底基材的蜂窩成型體的安放面和框基材表面上，利用化學(xué)氣相滲透法(CVI)形成由SiC構(gòu)成的致密的SiC涂層。在反應(yīng)器內(nèi)放置上述底基材，使用甲基三氯硅烷作為氣相原料，使氣相原料流入溫度為150(TC且經(jīng)減壓的反應(yīng)器內(nèi)，以析出厚度為90(im左右的SiC，由此進(jìn)行SiC涂層的形成。進(jìn)行一次SiC的析出。(實(shí)施例2)將60g碳化硅粉末、3g四丁氧基鈦、17g硅樹脂和20g二甲苯混煉，制備SiC層形成材料。在碳(株式會(huì)社SEC制DSG-332)制的由底基材和框基材構(gòu)成的上部開放的箱狀架體的表面中，在底基材的蜂窩成型體的安放面和框基材表面上，使用噴射槍噴射SiC涂層形成材料(噴射重量25g)，使用干燥機(jī)，在8(TC下干燥20分鐘，在23(TC下干燥20分鐘，由此，在架表面上形成SiC涂層。(比較例1)使碳(株式會(huì)社SEC制DSG-332)制的底基材和框基材在設(shè)定為燒制蜂窩成型體的條件(常壓的氬氣氣氛下，在220(TC下燒制3小時(shí))的燒制爐內(nèi)通過10次(所謂的空載焙燒)，由此在底基材的蜂窩成型體的安放面和框基材表面上形成了由SiC再結(jié)晶構(gòu)成的厚度為300pm左右的SiC涂層。(蜂窩燒制體的制造)使用實(shí)施例1、2和比較例1制作的燒制用裝架制造了蜂窩燒制體。將52.8重量％具有22pm平均粒徑的碳化硅的粗粉末、22.6重量％平均粒徑為0.5pm的碳化硅的微粉末進(jìn)行濕式混合，在所得到的混合物中加入2.1重量％丙烯酸樹脂、4.6重量％有機(jī)粘結(jié)劑(甲基纖維素)、2.8重量°/。潤(rùn)滑劑(日本油脂社制造-二》一7"、1.3重量％甘油以及B.8重量％水，進(jìn)行混煉，得到濕潤(rùn)混合物后，進(jìn)行擠出成型，通過將擠出成型得到的成型體切斷，制作形狀與圖2所示的蜂窩成型體相近但貫通孔未被封堵的生蜂窩成型體。接下來，使用微波干燥機(jī)對(duì)上述蜂窩成型體進(jìn)行干燥，對(duì)干燥的蜂窩成型體的預(yù)定的貫通孔填充組成與上述生成型體相同的密封材料糊，對(duì)貫通孔進(jìn)行封堵，然后再次使用干燥機(jī)使其干燥。接著，在碳制的板狀脫脂用裝架上(圖1所示的底板12;即實(shí)施例1、實(shí)施例2或比較例1的燒制用裝架)安放IO個(gè)填充了密封材料糊的蜂窩成型體，并在架和蜂窩成型體之間設(shè)置碳制間隔物，然后在400。C對(duì)蜂窩成型體進(jìn)行脫脂。接著，在蜂窩成型體被安放在底板12上的狀態(tài)下直接將框材14安裝在底板12上，制成燒制用裝架IO(參見圖1)，在該狀態(tài)下，于常壓的氬氣氣氛、220(TC的條件下燒制3小時(shí)，由此制作由碳化硅燒結(jié)體形成的蜂窩燒制體，該蜂窩燒制體的孔隙率為45%，平均氣孔徑為12pm，高度34.3mmX寬34.3mmX長(zhǎng)度150mm，貫通孔數(shù)量(貫通孔密度)為46.5個(gè)/cm2，貫通孔壁厚度為0.25mm(10mil)(參見圖4(a))。(燒制用裝架的評(píng)價(jià))(1.表面粗糙度的測(cè)定)基于JISB0601(2001)，在燒制用裝架的安放面，使用表面粗糙度-輪廓形狀綜合測(cè)定機(jī):SURFCOME-MD-S39A(東京精密社制造)，以掃描速度0.3mm/s、切除長(zhǎng)度(力、乂卜才7)2.5mm、基準(zhǔn)長(zhǎng)度2.5mm、縱向放大倍數(shù)500倍在水平方向掃描，測(cè)定算術(shù)平均高度(表面粗糙度)Ra。(2.SiC涂層的厚度測(cè)定)利用導(dǎo)電式膜厚測(cè)定計(jì)測(cè)定SiC涂層的厚度。(3.SiC涂層有無裂紋、剝離)使燒制用裝架在條件與蜂窩成型體的燒制條件相同(常壓的氬氣氣氛下、在220(TC下燒制3小時(shí))的燒制爐中通過(l次)，用放大鏡(放大倍數(shù)為5倍)目視觀察通過后的燒制用裝架的表面，由此評(píng)價(jià)SiC涂層有無裂紋。另外，與有無裂紋的評(píng)價(jià)同樣，使燒制用裝架在燒制爐中通過10次，用放大鏡(放大倍數(shù)為5倍)目視觀察通過后的燒制用裝架的表面，由此評(píng)價(jià)SiC涂層有無剝離。(4.SiC涂層有無凹凸)使燒制用裝架在條件與蜂窩成型體的燒制條件相同(常壓的氬氣氛氣下、在220(TC下燒制3小時(shí))的燒制爐中通過10次，將通過后的燒制用裝架的安放面對(duì)著平臺(tái)，用游標(biāo)卡尺測(cè)定安放面和平臺(tái)間的間隙的尺寸，由此評(píng)價(jià)SiC涂層表觀上有無大的凹凸。該間隙的最大值為2.0mm以上的情況下，判斷為涂層上產(chǎn)生了凹凸。凹凸是所謂的翹曲或變形，凹凸包括凸形狀、凹形狀、波形狀等翹曲或變形。(5.平均氣孔徑達(dá)到穩(wěn)定的時(shí)間的評(píng)價(jià))在實(shí)施例1、2和比較例1中，制作燒制用裝架后，對(duì)使用這些燒制用裝架制造的蜂窩燒制體的氣孔徑達(dá)到穩(wěn)定的時(shí)間進(jìn)行評(píng)價(jià)。將作為目標(biāo)的平均氣孔徑的值設(shè)定為10(am，以測(cè)出的平均氣孔徑落入該值土2,的范圍為基準(zhǔn)進(jìn)行氣孔徑穩(wěn)定的判斷。并且，對(duì)于平均氣孔徑來說，基于JISR1655，使用應(yīng)用水銀壓入法的細(xì)孔分布測(cè)定裝置(島津制作所社制造，AUTOPOREIII9405)，取5個(gè)蜂窩燒結(jié)體，將各自的中央部分切斷為lcm寬的立方體，得到試樣，在細(xì)孔直徑0.2pm500jim的范圍測(cè)定細(xì)孔分布，將此時(shí)的平均細(xì)孔徑(即平均氣孔徑)記作(4V/A)，由此計(jì)算出平均氣孔徑。將以上的評(píng)價(jià)結(jié)果歸總示于表1，同時(shí)在圖6(a)(c)中示出了各實(shí)施例1、2和比較例1制作的燒制用裝架的SiC涂層表面的SEM照片(150倍)。并且，圖7(a)(c)中示出了各實(shí)施例1、2和比較例1制作的燒制用裝架的SiC涂層截面的SEM照片(90倍)。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>對(duì)于實(shí)施例1制作的燒制用裝架，形成了表面粗糙度為4.5pm、SiC涂層的厚度為87pm94iim的致密的SiC涂層。并且，SiC涂層沒有剝離、裂紋、凹凸，在蜂窩燒制體的平均氣孔徑的穩(wěn)定化方面，在剛制成后就表現(xiàn)出了穩(wěn)定的值。對(duì)于實(shí)施例2制作的燒制用裝架，SiC層的表面粗糙度為8.9pm，SiC層沒有出現(xiàn)剝離、凹凸，使用上沒有問題，但是SiC層產(chǎn)生了裂紋。認(rèn)為這種情況是因?yàn)?，與實(shí)施例1中形成表面粗糙度為4.5pm的致密的SiC涂層相比，實(shí)施例2中，表面粗糙度為8.9pm,表面變得略粗糙，所以在SiC涂層的最外表面產(chǎn)生了微小的熱應(yīng)力，因此產(chǎn)生了裂紋。此外，對(duì)于實(shí)施例2制作的燒制用裝架，SiC涂層雖然產(chǎn)生了裂紋，但尚不至于發(fā)生剝離，所以，不影響蜂窩燒制體的特性，可以使用。另一方面，對(duì)于比較例1制作的燒制用裝架，SiC涂層的表面粗糙度為26.3pm，出現(xiàn)了裂紋和剝離，并且，SiC涂層出現(xiàn)了凹凸。認(rèn)為這種情況是因?yàn)椋砻娲植诙葹?6.3|im這種較大的值，所以與實(shí)施例2同樣，在SiC涂層的表面出現(xiàn)了微小的熱應(yīng)力，因此產(chǎn)生了裂紋，進(jìn)而產(chǎn)生的裂紋在熱的作用下進(jìn)一步發(fā)展，以致發(fā)生了剝離。此外，在比較例1中，為了形成SiC涂層，需要將底基材、框基材反復(fù)通過燒制爐，因此受到SiC涂層形成過程的再結(jié)晶的形成不均、熱經(jīng)歷的影響而產(chǎn)生了凹凸。由實(shí)施例1、2和比較例1的結(jié)果可知，SiC涂層的表面粗糙度優(yōu)選為10pm以下，從耐久性、燒制用裝架的更換頻率等角度出發(fā)，更優(yōu)選為5pm以下。并且，在蜂窩燒制體的平均氣孔徑的穩(wěn)定化方面，對(duì)于實(shí)施例1制作的燒制用裝架來說，剛制成后就表現(xiàn)出穩(wěn)定的值，對(duì)于實(shí)施例2制作的燒制用裝架來說，用2周時(shí)間表現(xiàn)出了穩(wěn)定的值。另一方面，對(duì)于比較例1制作的燒制用裝架來說，平均氣孔徑達(dá)到穩(wěn)定需要1個(gè)月。由上述可知，從蜂窩燒制體的平均氣孔徑的穩(wěn)定化的角度出發(fā)，實(shí)施例1、2制作的燒制用裝架比由比較例1制作的燒制用裝架更優(yōu)異。(第二實(shí)施方式)接著，對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式即第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。在第二實(shí)施方式中，使用SiC涂層形成材料形成SiC涂層，通過對(duì)SiC涂層的表面進(jìn)行研磨，形成具有預(yù)定的表面粗糙度的SiC涂層。這樣的實(shí)施方式也包含在本發(fā)明中。下面，列出形成SiC涂層的方法(A)(D)，接下來，簡(jiǎn)單說明對(duì)形成的SiC涂層進(jìn)行研磨的方法。(SiC涂層的形成)(A)將以氫化聚碳硅垸為主要成分的聚合物涂布在燒制用裝架的形成SiC涂層的區(qū)域，其后，進(jìn)行干燥處理和燒制處理，形成SiC涂層。作為將上述聚合物涂布到架上的方法，可以舉出例如噴涂、洗涂(washcoating)、刷涂、滴注、印刷等。認(rèn)為在采用方法(A)的情況下，進(jìn)行下述反應(yīng)式(4)所示的反應(yīng)，在燒制用裝架上形成了SiC層。此外，利用該方法時(shí)，燒制用裝架的厚度僅增加了相當(dāng)于形成的SiC層這部分的厚度。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>(4)(B)將含有SiC顆粒和Si02顆粒的混合物涂布或放置在燒制用裝架的形成SiC涂層的區(qū)域，其后，進(jìn)行干燥處理和燒制處理，形成SiC涂層。作為涂布上述混合物的方法，可以采用與方法(A)相同的方法。在涂布或放置含有上述SiC顆粒和Si02顆粒的混合物的情況下，為了容易地進(jìn)行上述混合物的涂布或放置，可以在混合物中添加有機(jī)溶劑。作為有機(jī)溶劑，可以舉出例如甲基纖維素、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素、聚乙二醇、苯、甲醇等醇等。認(rèn)為在采用方法(B)的情況下，下述反應(yīng)式(5)、(6)所示的反應(yīng)向右側(cè)進(jìn)行，在燒制用裝架上形成了SiC層。此外，在該方法中，通過與構(gòu)成燒制用裝架的碳的反應(yīng)形成SiC層，所以燒制用裝架的厚度幾乎無變化。2Si02+SiC^3SiO+CO(5)SiO+2C幼C+CO(6)(C)使燒制爐內(nèi)成為SiO氣體、CO氣體氣氛，將含有SiC顆粒和Si02顆粒的再結(jié)晶用原料放置在燒制用裝架上，在這種狀態(tài)下進(jìn)行燒制處理，由此在燒制用裝架的表面上形成由再結(jié)晶SiC構(gòu)成的涂層。在形成由上述再結(jié)晶SiC構(gòu)成的涂層的情況下，使用含有表面形成有SiOj莫的SiC顆粒的再結(jié)晶用原料代替含有SiC顆粒和Si02顆粒的再結(jié)晶用原料，除此以外，可以采用與上述的方法相同的方法，在燒制用裝架的表面上形成由再結(jié)晶SiC構(gòu)成的涂層。使用上述再結(jié)晶用原料，通過進(jìn)行燒制處理來形成由再結(jié)晶SiC構(gòu)成的層，在這種情況下，上述燒制處理在140(TC230(TC下進(jìn)行即可。另外，在上述燒制處理前，可以對(duì)上述再結(jié)晶用原料進(jìn)行干燥處理、脫脂處理(200。C500。C)。在采用方法(C)的情況下，來自上述再結(jié)晶用原料的SiC在上述燒制處理中以再結(jié)晶SiC的形式附著于燒制用裝架的表面，形成由再結(jié)晶SiC構(gòu)成的涂層。(D)將含有Si(硅)和C(碳)的混合物涂布或放置在燒制用裝架的形成SiC涂層的區(qū)域，其后，例如在約180(TC進(jìn)行燒制處理，由此形成由反應(yīng)燒結(jié)SiC構(gòu)成的層。在采用方法(D)的情況下，通過反應(yīng)燒結(jié)，在燒制用裝架的表面形成了SiC涂層，從而形成了由反應(yīng)燒結(jié)SiC構(gòu)成的層。(SiC涂層的研磨)作為對(duì)如此形成的SiC涂層進(jìn)行研磨的方法，可以舉出例如磨輪研磨、利用砂輪的研磨、利用研磨片的研磨、洗式(scmb)研磨、噴砂研磨、噴砂處理、拋光等。作為上述磨輪研磨使用的磨輪，可以舉出例如盤型磨輪、片型磨輪、螺旋型磨輪等含有磨粒的磨輪；聚丙烯無紡布等無磨粒磨輪等。作為上述含有磨粒的磨輪中使用的磨粒，可以舉出例如鋁硅酸鹽、氧化鋁、碳化硅等。作為上述砂輪的種類，可以舉出例如樹脂結(jié)合劑砂輪(樹脂系)、氧化鎂砂輪(水泥系)、金剛石砂輪、樹脂結(jié)合劑金剛石砂輪、橡膠導(dǎo)輪、環(huán)氧樹脂導(dǎo)輪等。另外，作為研磨片，可以使用例如含有粒度為弁A60A240的片研磨材的研磨片，具體地說，可以舉出例如在聚氨酯海綿、尼龍不織布、丙烯酸類樹脂(海綿)等上附著有鋁硅酸鹽、氧化鋁、碳化硅等磨粒而成的物質(zhì)等。作為洗式研磨，可以舉出噴洗式研磨、刷洗式研磨等。另外，作為噴砂研磨，可以舉出微噴砂研磨、噴砂研磨等。下面舉出更具體說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式的實(shí)施例，但本發(fā)明不僅限于這些實(shí)施例。(實(shí)施例3)準(zhǔn)備碳(株式會(huì)社SEC制DSG-332)制的由底基材和框基材構(gòu)成的上部開放的箱狀架體，在底基材的蜂窩成型體的安放面和框基材表面上涂布以烯丙基氫化聚碳硅烷為主要成分的SiC涂層形成用聚合物(Starfire-Systems社制造、SP-MATRIXPolymer)，在100。C下干燥12小時(shí)后，在2200"C燒制2.5小時(shí)，重復(fù)7次該工序，由此在該安放面形成了SiC涂層。其后，通過使用盤型磨輪的磨輪研磨對(duì)安放面進(jìn)行研磨，將表面粗糙度調(diào)整到10pm以下，形成SiC涂層，由此制作燒制用裝架。(實(shí)施例4)對(duì)比較例1制作的燒制用裝架的SiC涂層進(jìn)行與實(shí)施例3同樣的磨輪研磨，以使其表面粗糙度為10pm以下，制作燒制用裝架。圖8是實(shí)施例4中進(jìn)行研磨之前的燒制用裝架的截面的SEM照片。(比較例2)除了不進(jìn)行磨輪研磨之外，與實(shí)施例3同樣地制作燒制用裝架。(蜂窩燒制體的制造)使用實(shí)施例3、4和比較例2制作的燒制用裝架，與第一實(shí)施方式中制造蜂窩燒制體的方法同樣地制作蜂窩燒制體。(燒制用裝架的評(píng)價(jià))通過評(píng)價(jià)第一實(shí)施方式中所評(píng)價(jià)的項(xiàng)目來對(duì)實(shí)施例3、4和比較例2制作的燒制用裝架進(jìn)行評(píng)價(jià)。結(jié)果見表2。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>(*:將具有上面的值的厚度的SiC涂層研磨成下面的值)在實(shí)施例3中，研磨前的SiC涂層的表面粗糙度為27.5pm，研磨后的SiC涂層的表面粗糙度為9.5pm。并且，在實(shí)施例4中，研磨前的SiC涂層的表面粗糙度為26.3pm，研磨后的SiC涂層的表面粗糙度為6.6pm。在實(shí)施例3、4中，涂層均沒有出現(xiàn)剝離、裂紋、凹凸，并且平均氣孔徑在一個(gè)月的期間達(dá)到了穩(wěn)定。另一方面，在比較例2中，SiC涂層的表面粗糙度大到28.1pm。另外，SiC涂層出現(xiàn)了裂紋并出現(xiàn)了剝離。平均氣孔徑的穩(wěn)定化與實(shí)施例3相同，在一個(gè)月的期間達(dá)到了穩(wěn)定，但是SiC涂層出現(xiàn)了凹凸。認(rèn)為其主要原因是不能將SiC涂層形成用聚合物均勻地涂布在架體表面上，以及為了形成SiC涂層而重復(fù)數(shù)次SiC涂層形成用聚合物的涂布、干燥、燒制，從而產(chǎn)生了不均。實(shí)施例3、4中的研磨前的SiC涂層在表面附近形成得粗疏，在內(nèi)部形成得致密。裂紋容易在SiC涂層的表面附近的粗疏部分產(chǎn)生，與此相對(duì)，在實(shí)施例3、4中，對(duì)粗疏的表面部分進(jìn)行研磨而使SiC涂層之中內(nèi)部的致密部分呈現(xiàn)于表面，所以研磨后能夠防止剝離、裂紋等的發(fā)生。并且，即使研磨前在SiC涂層表面上存在凹凸，由于該凹凸部分被研磨了，所以也能夠使SiC涂層的表面平滑化。(其他實(shí)施方式)作為形成SiC涂層的方法，可以舉出CVD(化學(xué)氣相沉積(ChemicalVaporDeposition))法、CVT(化學(xué)氣相傳輸(ChemicalVaporTransportation))法、CVI(化學(xué)氣相滲透(ChemicalVaporInfiltration))法等化學(xué)氣相法；PVD(物理氣相沉積(PhysicalVaporDeposition))法、液相外延(LiquidPhaseEpitaxy)法、溶膠凝膠法、DLC(類金剛石碳(DiamondLikeCarbon》涂布法、噴霧等液相法；固相外延法、再結(jié)晶法等固相法等。在形成上述SiC涂層的方法之中，優(yōu)選CVD法、CVI法、DLC涂布法、噴霧法、再結(jié)晶法，特別優(yōu)選CVD法、CVI法。這是因?yàn)?，利用CVD法、CVI法時(shí)，能夠降低SiC涂層的表面粗糙度。并且，利用DLC涂布法、噴霧法、再結(jié)晶法時(shí)，SiC涂層的表面粗糙度容易增大，但形成了較厚的涂層，因而通過對(duì)表面進(jìn)行研磨，能夠降低SiC涂層的表面粗糙度。例如，在利用氣相法形成SiC涂層的情況下，可以采用下述方法在CH3SiCl3和H2的存在下，在100(TC左右進(jìn)行加熱的方法；在SiC"和C6H5CH3的存在下，在1500。C1800'C進(jìn)行加熱的方法。間隔物的材料只要是能經(jīng)受進(jìn)行燒制工序時(shí)的高溫的材料，則沒有特別限制，除了碳以外，還可以使用碳化硅、氮化鋁、氮化硅等。對(duì)于間隔物的形狀沒有特別的限制，優(yōu)選將通過編織碳纖維而呈布狀的碳?xì)?、絲狀的碳纖維進(jìn)行堆積所形成的物質(zhì)。這是因?yàn)?，這些物質(zhì)不太硬，不會(huì)損傷蜂窩成型體。在本發(fā)明中制造的蜂窩結(jié)構(gòu)體并不限于預(yù)定的貫通孔被封堵了的蜂窩結(jié)構(gòu)體。預(yù)定的貫通孔被封堵了的蜂窩結(jié)構(gòu)體適合作為蜂窩過濾器使用，并且，貫通孔未被封堵的蜂窩結(jié)構(gòu)體適合作為催化劑載體使用。所以，在本發(fā)明的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法中，無需一定進(jìn)行密封材料糊的填充，根據(jù)需要進(jìn)行填充即可。蜂窩結(jié)構(gòu)體的構(gòu)成材料的主要成分并不限于碳化硅，作為其他的陶瓷原料，可以舉出例如由下述材料等構(gòu)成的無機(jī)粉末氮化鋁、氮化硅、氮化硼、氮化鈦等氮化物陶瓷；碳化鋯、碳化鈦、碳化鉭、碳化鎢等碳化物陶瓷；氧化鋁、氧化鋯、堇青石、莫來石、鈦酸鋁等氧化物陶瓷。這些之中，優(yōu)選非氧化物陶瓷，特別優(yōu)選耐熱性、機(jī)械強(qiáng)度、熱導(dǎo)率等優(yōu)異的碳化硅。此外，作為構(gòu)成材料，還可以舉出在上述的陶瓷中混合金屬硅而成的含硅陶瓷、用硅或硅酸鹽化合物結(jié)合而成的陶瓷等陶瓷原料，其中，優(yōu)選在碳化硅中混合金屬硅而成的物質(zhì)(含硅碳化硅)。并且，對(duì)碳化硅粉末的粒徑?jīng)]有特別的限制，優(yōu)選的物質(zhì)是，與實(shí)施了脫脂處理的蜂窩成型體的尺寸相比，經(jīng)后面的燒制工序制作而成的蜂窩燒制體的尺寸變小的情況少的物質(zhì)，例如優(yōu)選100重量份具有1.0pm50pm的平均粒徑的粉末和5重量份65重量份具有0.1pm1.0|im的平均粒徑的粉末的組合而成的粉末。為了調(diào)整蜂窩燒制體的氣孔徑等，需要對(duì)燒制溫度進(jìn)行調(diào)整，通過調(diào)整無機(jī)粉末的粒徑，能夠調(diào)整氣孔徑。對(duì)于濕潤(rùn)混合物中的有機(jī)粘結(jié)劑沒有特別限定，例如可以舉出甲基纖維素、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素、聚乙二醇等。這些之中，優(yōu)選甲基纖維素。有機(jī)粘結(jié)劑的混合量通常相對(duì)100重量份無機(jī)粉末為1重量份10重量份。對(duì)于濕潤(rùn)混合物中的增塑劑沒有特別限定，例如可以舉出甘油等。另外，對(duì)于潤(rùn)滑劑沒有特別限定，例如可以舉出聚氧乙烯垸基醚、聚氧丙烯烷基醚等聚氧化烯系化合物等。作為潤(rùn)滑劑的具體例，例如可以舉出聚氧乙烯單丁基醚、聚氧丙烯單丁基醚等。此外，根據(jù)情況，在混合原料粉末中可以不含增塑劑、潤(rùn)滑劑。另外，在制備濕潤(rùn)混合物時(shí)，可以使用分散介質(zhì)液，作為分散介質(zhì)液，例如可以舉出水、苯等有機(jī)溶劑、甲醇等醇等。另外，濕潤(rùn)混合物中還可以添加成型助劑。對(duì)于成型助劑沒有特別限定，例如可以舉出乙二醇、糊精、脂肪酸、脂肪酸皂、多元醇等。另外，必要時(shí)，還可以在濕潤(rùn)混合物中添加以氧化物系陶瓷為成分的微小中空球體即空心球(balloon)、球狀丙烯酸樹脂顆粒、石墨等作為成孔劑。對(duì)于上述空心球沒有特別限定，例如可以舉出氧化鋁空心球、玻璃空心微空心球、火山灰空心球(、>，7/W—y)、煙塵空心球(FA空心球)、莫來石空心球等。這些之中，優(yōu)選氧化鋁空心球。另外，使用了碳化硅粉末的濕潤(rùn)混合物的溫度優(yōu)選為28。C以下。這是因?yàn)?，溫度過高時(shí)，有機(jī)粘結(jié)劑會(huì)發(fā)生凝膠化。并且，濕潤(rùn)混合物中的有機(jī)成分的比例優(yōu)選為10重量％以下，水分含量?jī)?yōu)選為8重量％20重量％。對(duì)于封堵貫通孔的密封材料糊沒有特別的限制，優(yōu)選能實(shí)現(xiàn)經(jīng)后面的工序制造出的密封材料的氣孔率為30%75%的物質(zhì)，例如可以使用與濕潤(rùn)混合物相同的物質(zhì)。并且，在制作蜂窩燒制體的集合體時(shí)，可以預(yù)先在蜂窩燒制體之間放置間隔物進(jìn)行堆積，其后，在蜂窩燒制體之間的間隙注入密封材料糊，由此來制作蜂窩燒制體的集合體。作為密封材料糊中的無機(jī)粘合劑，可以舉出例如硅溶膠、氧化鋁溶膠等。這些可單獨(dú)使用，也可2種以上合用。無機(jī)粘合劑中優(yōu)選硅溶膠。作為密封材料糊中的有機(jī)粘結(jié)劑，可以舉出例如聚乙烯醇、甲基纖維素、乙基纖維素、羧甲基纖維素等。這些可以單獨(dú)使用，也可2種以上合用。在有機(jī)粘結(jié)劑中，優(yōu)選羧甲基纖維素。作為密封材料糊中的無機(jī)纖維，可以舉出例如二氧化硅-氧化鋁纖維、莫來石纖維、氧化鋁纖維、二氧化硅纖維等陶瓷纖維等。這些可以單獨(dú)使用，也可2種以上合用。在無機(jī)纖維中，優(yōu)選氧化鋁纖維。作為密封材料糊中的無機(jī)顆粒，例如可以舉出碳化物、氮化物等。具體地說，可以舉出由碳化硅、氮化硅、氮化硼構(gòu)成的無機(jī)粉末等。這些可以單獨(dú)使用，也可2種以上合用。在無機(jī)顆粒中，優(yōu)選熱傳導(dǎo)性優(yōu)異的碳化硅。另外，根據(jù)需要，還可以在密封材料糊中添加與濕潤(rùn)混合物相同的成孔劑。在利用擠出成型制作蜂窩成型體后，不必一定進(jìn)行干燥處理，只需根據(jù)需要進(jìn)行即可。另外，還可以在將密封材料糊填充到貫通孔的端部后進(jìn)行干燥處理。并且，在進(jìn)行蜂窩成型體的干燥處理時(shí)，除了使用組合微波和熱風(fēng)的干燥機(jī)以外，例如還可以使用微波干燥機(jī)、熱風(fēng)干燥機(jī)、減壓干燥機(jī)、高頻干燥機(jī)、冷凍干燥機(jī)等。此外，脫脂工序和燒制工序不必一定使用同一燒制用裝架進(jìn)行，在進(jìn)行脫脂工序時(shí)，可以使用與燒制用裝架不同的其他脫脂用裝架。在這種情況下，可以將脫脂后的蜂窩成型體從脫脂用裝架中取出，安放在配置于燒制用裝架中的間隔物上來進(jìn)行燒制工序。根據(jù)需要，可以在本發(fā)明制造的蜂窩結(jié)構(gòu)體上擔(dān)載催化劑。另外，可以對(duì)制作蜂窩燒制體的集合體前的蜂窩燒制體進(jìn)行催化劑的擔(dān)載。在擔(dān)載催化劑的情況下，優(yōu)選在蜂窩結(jié)構(gòu)體的表面形成比表面積大的氧化鋁膜，并將助催化劑以及鉑等催化劑賦予到該氧化鋁膜的表面上。權(quán)利要求1.一種燒制用裝架，該燒制用裝架是由架體和涂層組成的蜂窩成型體燒制用裝架，所述架體用于安放以碳化硅為主要成分的柱狀蜂窩成型體，并且該柱狀蜂窩成型體以側(cè)面向下的方式安放，所述涂層至少形成在所述架體的安放所述蜂窩成型體的安放面上，其特征在于，所述涂層的主要成分為碳化硅，基于JISB0601(2001)求出的所述涂層的算術(shù)平均高度Ra為10μm以下。2.如權(quán)利要求1所述的燒制用裝架，其中，所述涂層是利用氣相法形成的致密層。3.如權(quán)利要求2所述的燒制用裝架，其中，所述氣相法是化學(xué)氣相滲透法。4.如權(quán)利要求13任一項(xiàng)所述的燒制用裝架，其中，所述涂層形成在所述架體的整個(gè)表面上。5.如權(quán)利要求1或4所述的燒制用裝架，其中，所述涂層是對(duì)由SiC涂層形成材料構(gòu)成的SiC涂層進(jìn)行研磨而形成的。6.如權(quán)利要求5所述的燒制用裝架，其中，所述SiC涂層形成材料是以氫化聚碳硅垸為主要成分的聚合物、含有SiC顆粒和Si02顆粒的混合物、含有表面形成了SiOj莫的SiC顆粒的原料、或者含有Si和C的混合物。7.如權(quán)利要求1、4、5、6中任一項(xiàng)所述的燒制用裝架，其中，所述涂層由再結(jié)晶SiC或反應(yīng)燒結(jié)SiC構(gòu)成。8.—種蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法，其是制造由蜂窩燒制體構(gòu)成的蜂窩結(jié)構(gòu)體的方法，在該方法中，對(duì)以碳化硅為主要成分的陶瓷原料進(jìn)行成型，制作柱狀的蜂窩成型體，所述蜂窩成型體在長(zhǎng)度方向隔著貫通孔壁形成有2個(gè)以上貫通孔；對(duì)所述蜂窩成型體進(jìn)行脫脂；對(duì)脫脂后的所述蜂窩成型體進(jìn)行燒制來制作所述蜂窩燒制體；所述方法的特征在于，將所述蜂窩成型體安放在燒制用裝架中來對(duì)所述蜂窩成型體進(jìn)行燒制;所述燒制用裝架由架體和涂層構(gòu)成，所述架體用于安放所述蜂窩成型體，并且所述蜂窩成型體以側(cè)面向下的方式安放，所述涂層至少形成在所述架體的安放所述蜂窩成型體的安放面上；所述涂層的主要成分是碳化硅；基于JISB0601(2001)求出的所述涂層的算術(shù)平均高度Ra為10^im以下。9.如權(quán)利要求8所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，所述涂層是利用氣相法形成的致密層。10.如權(quán)利要求9所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，所述氣相法是化學(xué)氣相滲透法。11.如權(quán)利要求810任一項(xiàng)所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，所述涂層形成在所述架體的整個(gè)表面上。12.如權(quán)利要求811任一項(xiàng)所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，將所述蜂窩成型體隔著由碳構(gòu)成的間隔物安放在所述燒制用裝架中。13.如權(quán)利要求812任一項(xiàng)所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，對(duì)所述蜂窩成型體進(jìn)行脫脂時(shí)也使用所述燒制用裝架，將所述蜂窩成型體安放在所述燒制用裝架中來對(duì)所述蜂窩成型體進(jìn)行脫脂，在脫脂后的所述蜂窩成型體被安放在所述燒制用裝架中的狀態(tài)下來對(duì)所述蜂窩成型體進(jìn)行燒制。14.如權(quán)利要求8、11、12、13中任一項(xiàng)所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，所述涂層是對(duì)由SiC涂層形成材料構(gòu)成的SiC涂層進(jìn)行研磨而形成的。15.如權(quán)利要求14所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，所述SiC涂層形成材料是以氫化聚碳硅烷為主要成分的聚合物、含有SiC顆粒和Si02顆粒的混合物、含有表面形成了SiOj莫的SiC顆粒的原料、或者含有Si和C的混合物。16.如權(quán)利要求8、11、12、13、14、15中任一項(xiàng)所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，所述涂層由再結(jié)晶SiC或反應(yīng)燒結(jié)SiC構(gòu)成。全文摘要本發(fā)明提供一種燒制用裝架和蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法，該燒制用裝架在使燒結(jié)體的生成反應(yīng)充分進(jìn)行的同時(shí)，即使反復(fù)用于蜂窩成型體的燒制也能防止涂層的剝離，能夠長(zhǎng)期使用，能夠?qū)崿F(xiàn)運(yùn)行成本的削減。本發(fā)明的燒制用裝架是蜂窩成型體燒制用裝架，其由架體和涂層組成，所述架體用于安放以碳化硅為主要成分的柱狀蜂窩成型體，并且該柱狀蜂窩成型體以側(cè)面向下的方式安放，所述涂層至少形成在所述架體的安放所述蜂窩成型體的安放面上，其特征在于，所述涂層的主要成分為碳化硅，基于JISB0601(2001)求出的所述涂層的算術(shù)平均高度Ra為10μm以下。文檔編號(hào)C04B35/64GK101318826SQ20081009244公開日2008年12月10日申請(qǐng)日期2008年4月11日優(yōu)先權(quán)日2007年6月6日發(fā)明者西城貴滿申請(qǐng)人:揖斐電株式會(huì)社