專利名稱：平板顯示器的玻璃基底的蝕刻設(shè)備和蝕刻玻璃基底的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平板顯示器的玻璃基底的蝕刻設(shè)備。更具體地講，本發(fā) 明涉及一種縮短了蝕刻工藝時(shí)間并提高了玻璃基底的均勻度的蝕刻設(shè)備。例如，平板顯示器(例如液晶顯示器、等離子體顯示面板、電致發(fā)光顯 示器和真空熒光顯示器)廣泛地用在各種電子裝置中。為了將平板顯示器用 在移動(dòng)電子裝置(例如移動(dòng)電話和個(gè)人數(shù)字助理)中，例如，平板顯示器需 要具有期望的性質(zhì)(例如，纖薄和重量輕)。為此，已經(jīng)對重量減小(例如， 輕)的移動(dòng)電子裝置的玻璃基底組件進(jìn)行了研究和開發(fā)。然而，在釆用薄的玻璃基底來減小玻璃基底的重量的情況下，薄的玻璃 基底容易彎曲或破裂。此外，例如，當(dāng)利用許多小的玻璃基底來組裝具有薄 的玻璃基底的平板顯示器時(shí)，由此增大了平板顯示器的制造成本。因此，采用這樣的方法來減少制造成本，在該方法中，在一對大的玻璃 基底上制造若干平板顯示器，其中，根據(jù)將分別制造平板顯示器的區(qū)域?qū)⑺?述大的玻璃基底切割成較小的玻璃基底。然而，在該制造工藝中，因?yàn)檩^小 的玻璃基底必須具有足夠的厚度以防止較小的玻璃基底在制造工藝過程中破 裂，所以需要蝕刻設(shè)備將較小的玻璃基底蝕刻成特定的期望的厚度，然而，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的蝕刻設(shè)備，利用支撐構(gòu)件將大的玻璃基底傳送到 蝕刻設(shè)備中，因此一次只能蝕刻一個(gè)玻璃基底。此外，因?yàn)槲g刻設(shè)備僅采用 一條傳送線，所以降低了生產(chǎn)率。此外，在玻璃基底具有不平坦的蝕刻表面的情況下，噴射設(shè)備位于最接 近玻璃基底的位置，以向玻璃基底涂敷蝕刻劑。然而，玻璃基底的與以強(qiáng)力 噴射蝕刻劑的噴嘴的位置對應(yīng)的區(qū)域與玻璃基底的與以較弱的力噴射蝕刻劑背景技術(shù)的另一噴嘴對應(yīng)的區(qū)域被不同地蝕刻，例如，被蝕刻成不同的厚度。因此， 降低了玻璃基底的均勻度，并且玻璃基底被不平坦地蝕刻。 _

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明包括一種玻璃基底的蝕刻設(shè)備，該蝕刻設(shè)備能夠同時(shí)蝕刻多于一 個(gè)的玻璃基底，從而縮短了玻璃基底的蝕刻工藝時(shí)間并提高了玻璃基底的厚 度均勻度。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中， 一種平板顯示器的玻璃基底的蝕刻設(shè)備包括蝕刻室；夾具，多個(gè)玻璃基底安放在夾具上；夾持構(gòu)件，連接到夾具， 以夾持玻璃基底；傳送線，連接到夾具，以將夾具傳送到蝕刻室中；噴射構(gòu) 件，將蝕刻劑噴射到玻璃基底的表面上。蝕刻劑的噴射壓強(qiáng)等于或大于大致 0.1 kg/cm2，且小于大致0.5 kg/cm2。噴射構(gòu)件可以設(shè)置在蝕刻室中，并且噴射構(gòu)件可以包括沿著順時(shí)針方向 和/或逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)的噴嘴。
該蝕刻設(shè)備還可包括連接到蝕刻室以移動(dòng)蝕刻室的驅(qū)動(dòng)部分。
蝕刻劑包括氟酸、磷酸和硝酸中的一種，噴射構(gòu)件和玻璃基底之間的距 離大于大致100mm,并且等于或小于大致150 mm。在選擇性的示例性實(shí)施 例中，噴射構(gòu)件和玻璃基底之間的距離為大致120 mm。
夾持構(gòu)件包括后夾持銷，連接到至少一個(gè)玻璃基底的后表面；能夠旋 轉(zhuǎn)的前夾持銷，連接到所述至少一個(gè)玻璃基底的前表面。能夠旋轉(zhuǎn)的前夾持銷具有能夠與夾持構(gòu)件分離和/或能夠附于夾持構(gòu)件 的結(jié)構(gòu)。
在選擇性的示例性實(shí)施例中， 一種蝕刻平板顯示器的玻璃基底的方法包 括以下步驟將蝕刻室構(gòu)造成容納夾具；將玻璃基底設(shè)置在夾具上；將夾持 構(gòu)件連接到夾具，以夾持玻璃基底；采用連接到夾具的傳送線將夾具傳送到 蝕刻室中；采用噴射構(gòu)件將蝕刻劑噴射到玻璃基底的表面上。蝕刻劑的噴射 壓強(qiáng)等于或大于大致0.1 kg/cm2,且小于大致0.5 kg/cm2。
將蝕刻劑噴射到玻璃基底的表面上的步驟可包括沿著順時(shí)針方向和逆 時(shí)針方向中的至少 一個(gè)方向旋轉(zhuǎn)噴嘴。
該方法還可包括以下步驟將驅(qū)動(dòng)部分連接到蝕刻室，采用驅(qū)動(dòng)部分移 動(dòng)蝕刻室。噴射構(gòu)件和玻璃基底之間的距離大于大致100 mm，并且等于或小于大致 150 mm。在又一選擇性的示例性實(shí)施例中，噴射構(gòu)件和玻璃基底之間的距離 為大致120 mm。
蝕刻劑可包括氟酸、磷酸和硝酸中的一種。


通過參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的以上和其
他方面、特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更加易于清楚，在附圖中
圖1A是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的蝕刻設(shè)備的側(cè)面透視圖1B是根據(jù)圖1A中示出的本發(fā)明示例性實(shí)施例的蝕刻設(shè)備的局部剖面
側(cè)視圖2A是根據(jù)圖1A中示出的本發(fā)明示例性實(shí)施例的蝕刻設(shè)備的夾具的側(cè) 面平面圖2B是圖2A中的部分"FM"的放大圖3是根據(jù)本發(fā)明選擇性的示例性實(shí)施例的蝕刻設(shè)備的局部剖面?zhèn)纫?br> 圖4A、圖5A和圖6A是根據(jù)本發(fā)明又一選擇性的示例性實(shí)施例的蝕刻 設(shè)備的側(cè)面透碎見圖4B、圖5B和圖6B分別是圖4A、圖5A和圖6A中示出的根據(jù)本發(fā) 明選擇性的示例性實(shí)施例的蝕刻設(shè)備的局部剖面?zhèn)纫晥D7A、圖8A和圖9A是根據(jù)本發(fā)明再一選擇性的示例性實(shí)施例的蝕刻 設(shè)備的側(cè)面透視圖7B、圖8B和圖9B分別是圖7A、圖8A和圖9A中示出的根據(jù)本發(fā) 明選擇性的示例性實(shí)施例的蝕刻設(shè)備的局部剖面?zhèn)纫晥D。
具體實(shí)施例方式
在下文中，現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā) 明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實(shí)施，且不應(yīng)該 被解釋為局限于在這里所提出的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得本公開 將是徹底的和完全的，并將把本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。 相同的標(biāo)號始終表示相同的元件。應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件被稱作在另一元件"上"時(shí)，該元件可以直接在 另一元件上，或者在該元件和所述另一元件之間可以存在中間元件。相反， 當(dāng)元件被稱作"直接"在另一元件"上"時(shí)，不存在中間元件。如在這里使 用的，術(shù)語"和/或"包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)的任意組合和所有組合。
應(yīng)該理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語"第一"、"第二"、"第三"等來 描述不同的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、 層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅是用來將一個(gè)元件、組件、 區(qū)域、層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開來。因此，在不 脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分 可被稱作第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。
這里使用的術(shù)語僅為了描述特定實(shí)施例的目的，而不意圖限制本發(fā)明。 如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù) 形式。還應(yīng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語"包含"和/或"包括"時(shí)， 說明存在所述特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存 在或添加一個(gè)或多個(gè)其他特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組件和/或 它們的組。
此外，在這里可4吏用相對術(shù)語，如"下面"或"底部"以及"上面"或 "頂部"，用來描述如在附圖中所示的一個(gè)元件與其他元件的關(guān)系。應(yīng)該理解 的是，相對術(shù)語意在包含除了在附圖中描述的方位之外的裝置的不同方位。 例如，如果一幅圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為"在"其他元件"下"側(cè)的元 件隨后將被定位為"在"其他元件"上"側(cè)。因此，才艮據(jù)附圖的特定方位， 示例性術(shù)語"下面"可包括"下面"和"上面"兩種方^立。類似地，如果一 幅圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為"在"其他元件"下方"或"之下"的元件 隨后將被定位為"在"其他元件"上方"。因此，示例性術(shù)語"下方"或"之 下"可包括"上方"和"下方"兩種方位。
除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語) 具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。還將 理解的是，除非這里明確定義，否則術(shù)語(諸如在通用字典中定義的術(shù)語) 應(yīng)該被解釋為具有與本公開和相關(guān)領(lǐng)域的環(huán)境中它們的意思一致的意思，而 將不以理想的或者過于正式的含義來解釋它們。
在此參照作為本發(fā)明的理想實(shí)施例的示意圖的剖視圖來描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。這樣，預(yù)計(jì)會出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀 的變化。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)該被解釋為局限于在此示出的區(qū)域的特 定形狀，而將包括例如由制造導(dǎo)致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的 區(qū)域通?？删哂写植诤?或非線性的特征。此外，示出的銳角可以被倒圓。因 此，在附圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀并不意圖示出區(qū)域 的精確形狀，也不意圖限制本發(fā)明的范圍。
在下文中，將參照附圖更加詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。 在平板顯示器的制造過程中，例如， 一對玻璃基底包括第一玻璃基底，
第一玻璃基底具有透明電極，利用諸如氧化銦錫的透明導(dǎo)電層形成；驅(qū)動(dòng) 電極，利用低溫多晶硅通過化學(xué)氣相沉積工藝來形成；共電極。所述一對玻 璃基底的第二玻璃基底包括形成在第二玻璃基底上的濾色器。
通過光刻工藝來形成第一玻璃基底的透明電極、驅(qū)動(dòng)電極和共電極，例 如，所述光刻工藝包括曝光工藝、顯影工藝和蝕刻工藝。
在光刻工藝之后，將密封劑涂覆到第 一玻璃基底或第二玻璃基底的外圍 部分上，將液晶注入到由第 一玻璃基底或第二玻璃基底的外圍部分上的密封 劑限定(例如，包圍)的區(qū)域中，在第一玻璃基底或第二玻璃基底上形成分 隔件(spacer),將另一玻璃基底(例如，未涂覆密封劑的第 一玻璃基底或第 二玻璃基底)結(jié)合到涂覆了密封劑的第一玻璃基底或第二玻璃基底。
接著，執(zhí)行蝕刻工藝，以蝕刻第一玻璃基底和第二玻璃基底的外表面。 為了執(zhí)行所述蝕刻工藝，通過夾具夾持第一玻璃基底和第二玻璃基底，并且 在第一玻璃基底和第二玻璃基底被夾具在垂直位置上支撐的同時(shí)，第一玻璃 基底和第二玻璃基底均沿著傳送線移動(dòng)。當(dāng)隨后將第一玻璃基底和第二玻璃
基底裝載到蝕刻設(shè)備中時(shí)，將蝕刻劑噴射到所述外表面上，以蝕刻第一玻璃 基底和第二玻璃基底。
蝕刻設(shè)備可包括進(jìn)口單元、蝕刻單元、清洗單元、干燥單元和出口單元， 可以根據(jù)期望的安裝和/或制造結(jié)構(gòu)來改變上述單元中的每種單元的數(shù)目。
圖1A是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的蝕刻設(shè)備的側(cè)面透視圖，圖1B是根 據(jù)圖1A中示出的本發(fā)明示例性實(shí)施例的蝕刻設(shè)備的局部剖面?zhèn)纫晥D。
參照圖1A和圖1B,蝕刻設(shè)備5包括夾具10,包括夾持構(gòu)件11 (圖 2A)，用于夾持玻璃基底20;噴射構(gòu)件13，將蝕刻劑15噴射到玻璃基底20 上；傳送線12，傳送(例如，移動(dòng))采用夾持構(gòu)件11夾持玻璃基底20的夾具10。在選擇性的示例性實(shí)施例中，夾具10可以夾持多于一個(gè)的玻璃基底
20，例如，夾具10可以夾持多個(gè)玻璃基底20。另外，在本發(fā)明的示例性實(shí) 施例中，蝕刻劑15可以是氟酸，但是選擇性的示例性實(shí)施例不限于此。例如， 在選擇性的示例性實(shí)施例中，例如，蝕刻劑15可以是磷酸或硝酸。
如圖1B所示，夾具10基本垂直地夾持玻璃基底20，例如，垂直地排列 在蝕刻設(shè)備5內(nèi)。當(dāng)將蝕刻劑15從噴射構(gòu)件13噴射到玻璃基底20上時(shí)，玻 璃基底20 #皮蝕刻。
圖2A是根據(jù)圖1A中示出的本發(fā)明示例性實(shí)施例的蝕刻設(shè)備5的夾具 IO的側(cè)面平面圖，圖2B是圖2A中的部分"FM"的》文大圖。
參照圖2A和圖2B,夾具10包括夾持玻璃基底20的夾持構(gòu)件11。在圖 2A中示出的示例性實(shí)施例中，例如，夾具10夾持四個(gè)玻璃基底20,但是選 擇性的示例性實(shí)施例不限于此。相反，例如，根據(jù)玻璃基底20的尺寸，可以 改變夾具10夾持的玻璃基底20的數(shù)目。如以上更加詳細(xì)的描述，當(dāng)將多于 一個(gè)的玻璃基底20安裝在夾具IO上時(shí)， 一次蝕刻每個(gè)玻璃基底20,因此， 顯著提高了或者有效地增大了例如具有玻璃基底20的平板顯示器的生產(chǎn)率。
在示例性實(shí)施例中，夾具的夾持構(gòu)件ll包括不可移動(dòng)的后夾持銷(未示 出)和可移動(dòng)的前夾持銷111。后夾持銷可連接到玻璃基底20的后表面，可 移動(dòng)的前夾持銷111可以連接到玻璃基底20的前表面。如圖2B所示，當(dāng)玻 璃基底20被容納到夾具10中時(shí)，前夾持銷111如虛線所示轉(zhuǎn)動(dòng)，因此前夾 持銷111偏離玻璃基底20被容納的位置。隨后，如圖2B中的實(shí)線所示，前 夾持銷111返回其最初的位置。因此，玻璃基底20通過后夾持銷(未示出) 和前夾持銷lll被夾持。在示例性實(shí)施例中，后夾持銷和前夾持銷111包括 可與夾持構(gòu)件11分離和/或可附于夾持構(gòu)件11的結(jié)構(gòu)。
圖3是根據(jù)本發(fā)明選擇性的示例性實(shí)施例的蝕刻設(shè)備的局部剖面?zhèn)纫晥D。
參照圖3，蝕刻設(shè)備5可包括多條傳送線12。例如，在圖3中示出的本 發(fā)明的示例性實(shí)施例中，蝕刻設(shè)備5包括兩條傳送線12，但是選擇性的示例 性實(shí)施例不限于此。當(dāng)蝕刻設(shè)備5包括多條傳送線12時(shí)，有效地縮短了給定 數(shù)目的玻璃基底20通過蝕刻設(shè)備5的路徑，因此更小的蝕刻設(shè)備5蝕刻相同 數(shù)目的玻璃基底20。此外，因?yàn)榭梢岳靡粭l蝕刻劑供給線34將蝕刻劑15 供給到設(shè)置在玻璃基底20之間的噴射構(gòu)件13,所以降低了蝕刻設(shè)備的制造成本o
圖4A、圖5A和圖6A是根據(jù)本發(fā)明又一選擇性的示例性實(shí)施例的蝕刻 設(shè)備的側(cè)面透視圖。圖4B、圖5B和圖6B分別是圖4A、圖5A和圖6A中示 出的根據(jù)本發(fā)明選擇性的示例性實(shí)施例的蝕刻設(shè)備的局部剖面?zhèn)纫晥D。
參照圖4A至圖6B,根據(jù)選擇性的示例性實(shí)施例的蝕刻設(shè)備5還包括室 40。更具體地講，室40包括安裝在室40中的夾具IO和噴射構(gòu)件13。另外， 室40通過臂45連接到驅(qū)動(dòng)部分42，其中，臂45采用結(jié)合部分47結(jié)合在室 40的上部中心部分41與驅(qū)動(dòng)部分42之間。在蝕刻工藝過程中，臂45和驅(qū) 動(dòng)部分42沿著第一方向60 (圖4B)和/或第二方向65 (圖6B)擺動(dòng)(例如， 移動(dòng))室40，從而使室40分別沿著第一弧70和/或第二弧75轉(zhuǎn)動(dòng)。
因?yàn)槭?0在蝕刻過程中擺動(dòng)，所以蝕刻劑被均勻地涂敷在玻璃基底20 的表面上。另外，蝕刻劑被涂敷到噴射構(gòu)件的噴嘴之間的"死區(qū)"，從而均勻 地蝕刻玻璃基底20的表面。此外，蝕刻劑15被平滑地且均勻地涂敷到玻璃 基底20的表面，因此在根據(jù)示例性實(shí)施例的蝕刻設(shè)備5中增大了蝕刻速率。
圖7A、圖8A和圖9A是根據(jù)本發(fā)明再一選擇性的示例性實(shí)施例的蝕刻 設(shè)備的側(cè)面透視圖。圖7B、圖8B和圖9B分別是圖7A、圖8A和圖9A中示 出的根據(jù)本發(fā)明選擇性的示例性實(shí)施例的蝕刻設(shè)備的局部剖面?zhèn)纫晥D。
參照圖7A至圖9B,根據(jù)示例性實(shí)施例的蝕刻設(shè)備5包括在蝕刻工藝過 程中旋轉(zhuǎn)的作為噴射構(gòu)件的噴嘴54。在示例性實(shí)施例中，如圖7B所示，噴 嘴54沿著順時(shí)針方向80旋轉(zhuǎn)。在選擇性的示例性實(shí)施例中，如圖9B所示， 噴嘴54沿著逆時(shí)針方向85旋轉(zhuǎn)，但是選擇性的示例性實(shí)施例不限于此。例 如，在本發(fā)明選擇性的示例性實(shí)施例中，噴嘴54在蝕刻工藝過程中可以交替 地沿著順時(shí)針方向80和逆時(shí)針方向85旋轉(zhuǎn)。因此，當(dāng)噴嘴54沿著順時(shí)針方 向80和/或逆時(shí)針方向85旋轉(zhuǎn)時(shí)，蝕刻劑15被充分地且均勻地涂敷到玻璃 基底20的位于噴嘴54之間的區(qū)域，從而均勻地蝕刻玻璃基底20的表面。
當(dāng)噴嘴54與玻璃基底20之間的距離比大致100 mm短時(shí)，通過噴嘴54 被涂敷到玻璃基底20的蝕刻劑15的力強(qiáng)，玻璃基底20的直接涂敷蝕刻劑 15的區(qū)域與玻璃基底20的不直接涂敷蝕刻劑15 (例如，以較小的力涂敷) 的區(qū)域被不同地蝕刻，例如，被蝕刻成不同的厚度。因此，在示例性實(shí)施例 中，噴嘴54與玻璃基底20之間的距離的范圍為大致100 mm至大致150 mm。 在選擇性的示例性實(shí)施例中，噴嘴54與玻璃基底20之間的距離為大致120mm。當(dāng)來自作為噴射構(gòu)件13的噴嘴54的蝕刻劑15的噴射壓強(qiáng)等于或大于大 致0.5 kg/cm2時(shí)，因?yàn)榛趪娚鋲簭?qiáng)的蝕刻劑的流速太快，所以在蝕刻劑15 和玻璃基底20之間不發(fā)生蝕刻反應(yīng)。因此，在示例性實(shí)施例中，蝕刻劑15 的噴射壓強(qiáng)保持在小于大致0.5 kg/cm2。此外，當(dāng)利用將玻璃基底20浸入蝕刻溶液中的方法來^L行蝕刻工藝時(shí)， 或者另外在蝕刻劑15的流速低的情況下，蝕刻溶液15被殘余物污染，隨后 所述殘余物被涂敷到玻璃基底。因此，在示例性實(shí)施例中，來自噴射構(gòu)件13 的蝕刻劑15的噴射壓強(qiáng)被保持在大于或等于大致O.l kg/cm2,以保持蝕刻劑 15的充分的流動(dòng)，^_得污染物不沉積在玻璃基底20上。在示例性實(shí)施例中，夾具的夾持構(gòu)件11包括不可移動(dòng)的后夾持銷(未示 出)和可移動(dòng)的前夾持銷111。如圖2B所示，當(dāng)玻璃基底20被容納到夾具 10中時(shí)，前夾持銷111如虛線所示轉(zhuǎn)動(dòng)，因此前夾持銷111偏離玻璃基底20 被容納的位置。隨后，如圖2B中的實(shí)線所示，前夾持銷111返回其最初的位 置。因此，玻璃基底20通過后夾持銷(未示出)和前夾持銷lll被夾持。在 示例性實(shí)施例中，后夾持銷和前夾持銷111包括可與夾持構(gòu)件11分離和/或可 附于夾持構(gòu)件11的結(jié)構(gòu)。如這里所描述的，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的蝕刻設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)包括但不 限于同時(shí)蝕刻多于一個(gè)的玻璃基底的能力，使得具有玻璃基底的平板顯示器 的玻璃基底的蝕刻時(shí)間顯著減少，和/或有效地將所述蝕刻時(shí)間最小化。此外，在示例性實(shí)施例中，在蝕刻玻璃基底的同時(shí)，噴射構(gòu)件和/或玻璃 基底擺動(dòng)(例如，移動(dòng))，因此蝕刻劑可被均勻地涂敷到玻璃基底的整個(gè)表面， 從而提高了玻璃基底的均勻度。此外，在示例性實(shí)施例中，來自噴射構(gòu)件的蝕刻劑的噴射壓強(qiáng)被保持在 低于大致0.5 kg/cm2,且玻璃基底和噴射構(gòu)件之間的距離的范圍為大致100 mm至大致150 mm,因此玻璃基底可以被均勻地蝕刻。本發(fā)明不應(yīng)該被解釋 為局限于在這里所提出的示例性實(shí)施例。相反，提供這些示例性實(shí)施例使得 本公開將是徹底的和完全的，并將把本發(fā)明的構(gòu)思充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù) 人員。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體地示出并描述了本發(fā)明，但是 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離如權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以對示例性實(shí)施例做出各種形式上和細(xì)節(jié)上的變化。
權(quán)利要求
1. 一種平板顯示器的玻璃基底的蝕刻設(shè)備，所述蝕刻設(shè)備包括蝕刻室，被構(gòu)造成容納夾具；玻璃基底，設(shè)置在夾具上；夾持構(gòu)件，連接到夾具，以夾持玻璃基底；傳送線，連接到夾具，以將夾具傳送到蝕刻室中；噴射構(gòu)件，將蝕刻劑噴射到玻璃基底的表面上，其中，蝕刻劑的噴射壓強(qiáng)等于或大于0.1kg/cm2，且小于0.5kg/cm2。
2、 如權(quán)利要求1所述的蝕刻設(shè)備，其中，噴射構(gòu)件設(shè)置在蝕刻室中。
3、 如權(quán)利要求2所述的蝕刻設(shè)備，還包括連接到蝕刻室以移動(dòng)蝕刻室的 驅(qū)動(dòng)部分。
4、 如權(quán)利要求1所述的蝕刻設(shè)備，其中，噴射構(gòu)件包括沿著順時(shí)針方向 和逆時(shí)針方向中的至少一個(gè)方向旋轉(zhuǎn)的噴嘴。
5、 如權(quán)利要求1所述的蝕刻設(shè)備，其中，蝕刻劑包括氟酸、磷酸和硝酸 中的一種。
6、 如權(quán)利要求1所述的蝕刻設(shè)備，其中，噴射構(gòu)件和玻璃基底之間的距 離大于100mm，并且等于或小于150mm。
7、 如權(quán)利要求1所述的蝕刻設(shè)備，其中，夾持構(gòu)件包括 后夾持銷，連接到至少一個(gè)玻璃基底的后表面； 能夠旋轉(zhuǎn)的前夾持銷，連接到所述至少一個(gè)玻璃基底的前表面。
8、 如權(quán)利要求7所述的蝕刻設(shè)備，其中，能夠旋轉(zhuǎn)的前夾持銷包括具有 能夠與夾持構(gòu)件分離和能夠附于夾持構(gòu)件中的至少一種能力的結(jié)構(gòu)。
9、 如權(quán)利要求1所述的蝕刻設(shè)備，其中，噴射構(gòu)件和玻璃基底之間的距 離為120 mm。
10、 如權(quán)利要求1所述的蝕刻設(shè)備，其中，多條傳送線被安裝在蝕刻室中。
11、 一種蝕刻平板顯示器的玻璃基底的方法，所述方法包括以下步驟 將蝕刻室構(gòu)造成容納夾具；將玻璃基底設(shè)置在夾具上； 將夾持構(gòu)件連接到夾具，以夾持玻璃基底；采用連接到夾具的傳送線將夾具傳送到蝕刻室中； 采用噴射構(gòu)件將蝕刻劑噴射到玻璃基底的表面上， 其中，蝕刻劑的噴射壓強(qiáng)等于或大于0.1 kg/cm2,且小于0.5kg/cm2。
12、 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，將蝕刻劑噴射到玻璃基底的表面 上的步驟包括沿著順時(shí)針方向和逆時(shí)針方向中的至少 一個(gè)方向旋轉(zhuǎn)噴嘴。
13、 如權(quán)利要求11所述的方法，還包括以下步驟 將驅(qū)動(dòng)部分連接到蝕刻室；采用驅(qū)動(dòng)部分移動(dòng)蝕刻室。
14、 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，噴射構(gòu)件和玻璃基底之間的距離 大于100mm，并且等于或小于150mm。
15、 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，噴射構(gòu)件和玻璃基底之間的距離 為120 mm。
16、 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，蝕刻劑包括氟酸、磷酸和硝酸中 的一種。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種平板顯示器的玻璃基底的蝕刻設(shè)備和一種蝕刻平板顯示器的玻璃基底的方法，該蝕刻設(shè)備包括蝕刻室，被構(gòu)造成容納夾具；玻璃基底，設(shè)置在夾具上；夾持構(gòu)件，連接到夾具，以夾持玻璃基底；傳送線，連接到夾具，以將夾具傳送到蝕刻室中；噴射構(gòu)件，將蝕刻劑噴射到玻璃基底的表面上。蝕刻劑的噴射壓強(qiáng)等于或大于大致0.1kg/cm²，且小于大致0.5kg/cm²。
文檔編號C03C15/00GK101286445SQ20081009218
公開日2008年10月15日 申請日期2008年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月10日
發(fā)明者崔浩根, 李明基, 金八坤, 金龍佑 申請人:三星電子株式會社;Fns技術(shù)有限公司