專利名稱：利用預(yù)蝕刻玻璃基材以降低事后釋放時(shí)間的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種降低事后釋放玻璃基材時(shí)間的方法，尤指一種利用預(yù)蝕刻玻璃基材以降低事后玻璃基材釋放時(shí)間的方法。
(2)背景技術(shù)微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical System)是世界各國積極介入的一個(gè)新興領(lǐng)域，其是為整合的微元件或系統(tǒng)，包含利用集成電路(IntegratedCircuit，IC)相容批次加工技術(shù)制造的電子和機(jī)械零件，該元件或系統(tǒng)的大小從微米至毫米皆有。微積電系統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域極為廣泛，包括制造業(yè)、信息業(yè)、航太工業(yè)、交通運(yùn)輸業(yè)、土木營建業(yè)、醫(yī)療業(yè)等，皆會使用到微機(jī)電系統(tǒng)。
一般微機(jī)電或半導(dǎo)體制程有時(shí)候需要先將元件接合到玻璃基材之上，目的是為了要方便移動(dòng)微小的結(jié)構(gòu)物，因?yàn)橐苿?dòng)體積較大的玻璃基材相對于移動(dòng)微小的結(jié)構(gòu)物是方便許多。元件之后通常被接合或組合在另一個(gè)元件之上，由于玻璃基材并非原來設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)部分之一，所以最后仍然必須把玻璃基材去除。而一般在制程上常用來去除玻璃基材的方法為氫氟酸(Hydrofluoric Acid)濕蝕刻，但是氫氟酸是為一強(qiáng)酸，具有腐蝕許多材料的特性，包括微機(jī)電和半導(dǎo)體常用的單晶硅、多晶硅、氮化硅、金屬等，因此在去除玻璃基材的同時(shí)，常會使得其他部分也受到氫氟酸的腐蝕，這樣會破壞原有的設(shè)計(jì)。故為了減低受到氫氟酸的腐蝕的影響，必須縮短氫氟酸濕蝕刻的時(shí)間，而氫氟酸濕蝕刻的時(shí)間是直到玻璃基材脫離元件為止，因此必須盡量使玻璃基材能夠快速地脫離。
(3)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種利用預(yù)蝕刻玻離以降低事后釋放時(shí)間的方法。
本發(fā)明的利用預(yù)蝕刻玻璃基材以降低事后釋放時(shí)間的方法，其步驟包含提供一玻璃基材、一微小結(jié)構(gòu)物、及一硅基底座；將該玻璃基材與該微小結(jié)構(gòu)物接合；對該玻璃基材進(jìn)行一第一蝕刻制程，以縮減該玻璃基材與該微小結(jié)構(gòu)物的接觸面積；將該微小結(jié)構(gòu)物與該硅基底座結(jié)合；以及對該玻璃基材進(jìn)行一第二蝕刻制程，以將該玻璃基材由該微小結(jié)構(gòu)物上去除。
根據(jù)上述構(gòu)想，其中該微小結(jié)構(gòu)物包含微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與集成電路結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上述構(gòu)想，其中該硅基底座包含微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與集成電路結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上述構(gòu)想，其中該第一蝕刻制程是為使用氫氟酸的等向性濕蝕刻制程。
根據(jù)上述構(gòu)想，其中該第二蝕刻制程是為使用氫氟酸的濕蝕刻制程。
根據(jù)本發(fā)明另一方面的一種利用預(yù)蝕刻玻璃基材以降低事后釋放時(shí)間的方法，其步驟包含提供一玻璃基材、一微小結(jié)構(gòu)物、及一硅基底座；將該玻璃基材與該微小結(jié)構(gòu)物接合；對該玻璃基材進(jìn)行一第一濕蝕刻制程，以縮減該玻璃基材與該微小結(jié)構(gòu)物的接觸面積；將該微小結(jié)構(gòu)物與該硅基底座結(jié)合；以及對該玻璃基材進(jìn)行一第二濕蝕刻制程，以將該玻璃基材由該微小結(jié)構(gòu)物上去除。
根據(jù)上述構(gòu)想，其中該微小結(jié)構(gòu)物包含微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與集成電路結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上述構(gòu)想，其中該硅基底座包含微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與集成電路結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上述構(gòu)想，其中該第一濕蝕刻制程是為使用氫氟酸的等向性濕蝕刻制程。
根據(jù)上述構(gòu)想，其中該第二濕蝕刻制程是使用氫氟酸來進(jìn)行蝕刻。
根據(jù)本發(fā)明再一方面的一種利用預(yù)蝕刻玻璃基材以降低事后釋放時(shí)間的方法，其步驟包含提供一玻璃基材、一微小結(jié)構(gòu)物、及一硅基底座；將該玻璃基材與該微小結(jié)構(gòu)物接合；對該玻璃基材進(jìn)行一第一濕蝕刻制程，以縮減該玻璃基材與該微小結(jié)構(gòu)物的接觸面積，其中該第一濕蝕刻制程是為一等向性濕蝕刻制程；將該微小結(jié)構(gòu)物與該硅基底座結(jié)合；以及對該玻璃基材進(jìn)行一第二濕蝕刻制程，以將該玻璃基材由該微小結(jié)構(gòu)物上去除。
根據(jù)上述構(gòu)想，其中該微小結(jié)構(gòu)物包含微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與集成電路結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上述構(gòu)想，其中該硅基底座包含微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與集成電路結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上述構(gòu)想，其中該第一濕蝕刻制程是使用氫氟酸來進(jìn)行蝕刻。
根據(jù)上述構(gòu)想，其中該第二濕蝕刻制程是使用氫氟酸來進(jìn)行蝕刻。
本發(fā)明是使用一種創(chuàng)新方法來使一般的微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)或半導(dǎo)體工程結(jié)構(gòu)的玻璃基材釋放時(shí)間縮短，以使得結(jié)構(gòu)物受到氫氟酸攻擊的時(shí)間縮短，進(jìn)而避免使結(jié)構(gòu)物的外形與尺寸遭受到改變，使得原有預(yù)估的元件行為不至于因此而產(chǎn)生誤差。
為更清楚理解本發(fā)明的目的、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
(4)


圖1(a)(b)(c)(d)是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的步驟示意圖。
(5)具體實(shí)施方式
請參閱圖1(a)(b)(c)(d)，其是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的步驟示意圖，其步驟如下首先，提供一玻璃基材12、一微小結(jié)構(gòu)物11、及一硅基底座14。接著，將該玻璃基材12與該微小結(jié)構(gòu)物11接合，如圖1(a)所示。然后，預(yù)先使用氫氟酸對該玻璃基材12進(jìn)行一等向性濕蝕刻制程，以縮減該玻璃基材12與該微小結(jié)構(gòu)物11的接觸面積，如圖1(b)所示。由圖1(b)可明顯看出，該玻璃基材12與該微小結(jié)構(gòu)物11接合處13的接觸面積明顯縮小許多，此是因?yàn)闅浞釋υ摬ＡЩ?2進(jìn)行該等向性濕蝕刻的結(jié)果。接著，將該微小結(jié)構(gòu)物11與該硅基底座14結(jié)合，如圖1(c)所示。最后，將接合后的該玻璃基材12、該微小結(jié)構(gòu)物11、及該硅基底座14放入氫氟酸中進(jìn)行濕蝕刻，以將該玻璃基材12由該微小結(jié)構(gòu)物11上去除，去除后如圖1(d)所示。因?yàn)樵摬ＡЩ?2原本就是過渡性的東西，在該微小結(jié)構(gòu)物11與該硅基底材14結(jié)合后已無用處，因此需將之釋放。由于之前已預(yù)先使用氫氟酸對該玻璃基材12進(jìn)行該等向性濕蝕刻制程，所以于最后要將該玻璃基材12由該微小結(jié)構(gòu)物11上去除時(shí)，只需要使用較少的氫氟酸濕蝕刻時(shí)間。
綜上所述，本發(fā)明利用玻璃基材的等向性氫氟酸預(yù)先蝕刻，使得最后整個(gè)結(jié)構(gòu)物在釋放玻璃基材時(shí)可以使用比較少的時(shí)間，這樣可使結(jié)構(gòu)物受到氫氟酸攻擊的時(shí)間縮短，進(jìn)而減低結(jié)構(gòu)物的損傷，有效改善習(xí)知技術(shù)的缺失，因此具有產(chǎn)業(yè)價(jià)值，進(jìn)而達(dá)成發(fā)展本發(fā)明的目的。
權(quán)利要求
1.一種利用預(yù)蝕刻玻璃基材以降低事后釋放時(shí)間的方法，其特征在于，包含以下步驟提供一玻璃基材、一微小結(jié)構(gòu)物、及一硅基底座；將該玻璃基材與該微小結(jié)構(gòu)物接合；對該玻璃基材進(jìn)行一第一蝕刻制程，以縮減該玻璃基材與該微小結(jié)構(gòu)物的接觸面積；將該微小結(jié)構(gòu)物與該硅基底座結(jié)合；以及對該玻璃基材進(jìn)行一第二蝕刻制程，以將該玻璃基材由該微小結(jié)構(gòu)物上去除。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該微小結(jié)構(gòu)物包含微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與集成電路結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該硅基底座包含微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與集成電路結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該第一蝕刻制程是為使用氫氟酸的等向性濕蝕刻制程。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該第二蝕刻制程是為使用氫氟酸的濕蝕刻制程。
6.一種利用預(yù)蝕刻玻璃基材以降低事后釋放時(shí)間的方法，其特征在于，包含以下步驟提供一玻璃基材、一微小結(jié)構(gòu)物、及一硅基底座；將該玻璃基材與該微小結(jié)構(gòu)物接合；對該玻璃基材進(jìn)行一第一濕蝕刻制程，以縮減該玻璃基材與該微小結(jié)構(gòu)物的接觸面積；將該微小結(jié)構(gòu)物與該硅基底座結(jié)合；以及對該玻璃基材進(jìn)行一第二濕蝕刻制程，以將該玻璃基材由該微小結(jié)構(gòu)物上去除。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該微小結(jié)構(gòu)物包含微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與集成電路結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該硅基底座包含微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與集成電路結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該第一濕蝕刻制程是為使用氫氟酸的等向性濕蝕刻制程。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該第二濕蝕刻制程是使用氫氟酸來進(jìn)行蝕刻。
11.一種利用預(yù)蝕刻玻璃基材以降低事后釋放時(shí)間的方法，其特征在于，包含以下步驟提供一玻璃基材、一微小結(jié)構(gòu)物、及一硅基底座；將該玻璃基材與該微小結(jié)構(gòu)物接合；對該玻璃基材進(jìn)行一第一濕蝕刻制程，以縮減該玻璃基材與該微小結(jié)構(gòu)物的接觸面積，其中該第一濕蝕刻制程是為一等向性濕蝕刻制程；將該微小結(jié)構(gòu)物與該硅基底座結(jié)合；以及對該玻璃基材進(jìn)行一第二濕蝕刻制程，以將該玻璃基材由該微小結(jié)構(gòu)物上去除。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該微小結(jié)構(gòu)物包含微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與集成電路結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該硅基底座包含微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與集成電路結(jié)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該第一濕蝕刻制程是使用氫氟酸來進(jìn)行蝕刻。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該第二濕蝕刻制程是使用氫氟酸來進(jìn)行蝕刻。
全文摘要
本發(fā)明是為一種利用預(yù)蝕刻玻璃基材以降低事后釋放時(shí)間的方法，其步驟包含提供一玻璃基材、一微小結(jié)構(gòu)物、及一硅基底座；將該玻璃基材與該微小結(jié)構(gòu)物接合；對該玻璃基材進(jìn)行一第一蝕刻制程，以縮減該玻璃基材與該微小結(jié)構(gòu)物的接觸面積；將該微小結(jié)構(gòu)物與該硅基底座結(jié)合；以及對該玻璃基材進(jìn)行一第二蝕刻制程，以將該玻璃基材由該微小結(jié)構(gòu)物上去除。
文檔編號B81C3/00GK1548360SQ0313073
公開日2004年11月24日 申請日期2003年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月13日
發(fā)明者黃榮山, 陳炳儒, 曾士原 申請人:華新麗華股份有限公司