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一種低溫快速制備導(dǎo)電陶瓷復(fù)合材料的方法

文檔序號(hào):2011898閱讀:351來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):一種低溫快速制備導(dǎo)電陶瓷復(fù)合材料的方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種制備導(dǎo)電陶瓷復(fù)合材料的方法。
背景技術(shù)
TiB2陶瓷是重要的新型工程材料,具有許多重要的物理化學(xué)特性,如高熔點(diǎn)、高模量、耐腐蝕、高導(dǎo)熱、高導(dǎo)電性等,具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值。在TiB2中引入BN來(lái)調(diào)節(jié)其電阻率和抗熱震性,可制成新型的導(dǎo)電陶瓷復(fù)合材料,這種導(dǎo)電陶瓷復(fù)合材料可廣泛使用于各種材料表面金屬化和表面改性。
這種導(dǎo)電陶瓷復(fù)合材料可采用反應(yīng)燒結(jié)法來(lái)制備,張國(guó)軍介紹了這種反應(yīng)燒結(jié)工藝[中國(guó)陶瓷,1994年(3)],它是以BN陶瓷和金屬鈦和鋁為原料,通過(guò)高溫反應(yīng)來(lái)形成材料所需的成分和結(jié)構(gòu)。該工藝的主要缺點(diǎn)在于合成相組成難控制,材料結(jié)構(gòu)不均勻,因此,產(chǎn)品成品率低,電導(dǎo)率不穩(wěn)定。另外,反應(yīng)溫度高、工藝過(guò)程時(shí)間長(zhǎng)(大于4小時(shí))。
專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?1133505,公開(kāi)了一種制備TiB2-BN導(dǎo)電復(fù)合材料的方法,該方法采用感應(yīng)熱壓燒結(jié)或通電加壓燒結(jié)方法在1700℃~2000℃之間燒結(jié)而成,燒結(jié)時(shí)間為2小時(shí)。不足之處在于燒結(jié)溫度高、燒結(jié)時(shí)間長(zhǎng),而高的燒結(jié)溫度、長(zhǎng)的燒結(jié)時(shí)間必然會(huì)提高生產(chǎn)成本,生產(chǎn)效率不高。
而進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本(節(jié)能)、提高生產(chǎn)效率是本技術(shù)領(lǐng)域中有待解決的一個(gè)難點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種可大大節(jié)省能源、提高生產(chǎn)效率的低溫快速制備導(dǎo)電陶瓷復(fù)合材料的方法。
本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的一種低溫快速制備導(dǎo)電陶瓷復(fù)合材料的方法,其特征在于將TiB2粉末與BN粉末按照重量百分比40-58∶42-60進(jìn)行充分混合,噴霧干燥后,置于大電流高壓快速燒結(jié)爐中,加熱速率150-180℃/分鐘,燒結(jié)時(shí)間為10-30分鐘,燒結(jié)溫度1600℃-1700℃,燒結(jié)壓力40-60Mpa,隨爐冷卻后,可獲得密度大于95%的TiB2-BN導(dǎo)電陶瓷復(fù)合材料。
現(xiàn)將各有關(guān)過(guò)程詳述如下(1)原料的選擇TiB2粉末純度>98%、粒徑小于5μm,BN粉末純度>97%、粒徑小于1μm。
(2)混合料的制備采用機(jī)械球磨混合,噴霧干燥法制備混合料。
(3)材料燒結(jié)和致密化
材料燒結(jié)和致密化在大電流高壓快速燒結(jié)爐中進(jìn)行。本發(fā)明大電流高壓快速燒結(jié)爐的加熱功率不小于150千瓦,壓力不小于30噸。大電流高壓快速燒結(jié)是利用大電流通過(guò)模具體和模具內(nèi)的材料時(shí),由于焦耳熱的作用對(duì)模具體和模具內(nèi)的材料加熱,同時(shí)對(duì)模具內(nèi)的材料施加高的壓力來(lái)實(shí)現(xiàn)快速致密化。
燒結(jié)過(guò)程是這樣來(lái)進(jìn)行的,經(jīng)噴霧干燥后的混合物,置于高強(qiáng)石墨模具中,以150-180度每分鐘的升溫速度加熱到規(guī)定的溫度,保溫10-30分鐘,燒結(jié)溫度1600℃-1700℃,燒結(jié)壓力40-60Mpa,然后,隨爐緩慢冷卻到室溫。
本發(fā)明的關(guān)鍵是采用大電流高壓快速燒結(jié)技術(shù),以極快的加熱速率(150-180℃/分鐘)和極短的燒結(jié)時(shí)間(10-30分鐘)來(lái)完成燒結(jié)過(guò)程。這種快速升溫、短時(shí)保溫的工藝特點(diǎn)可顯著縮短燒結(jié)時(shí)間,加快工藝周期,實(shí)現(xiàn)快速燒結(jié)。實(shí)現(xiàn)快速升溫的主要原因是電流直接作用于模具體和模具內(nèi)的材料,模具體和模具內(nèi)的材料在電流的作用下快速發(fā)熱,實(shí)現(xiàn)快速升溫,這解決了傳統(tǒng)熱壓工藝中,依靠熱輻射來(lái)加熱所固有的加熱緩慢的缺點(diǎn)。另外,由于在電流的作用下,粉末材料間會(huì)產(chǎn)生瞬間放電現(xiàn)象,同時(shí)產(chǎn)生大的電場(chǎng)作用,這些物理作用可激活燒結(jié)過(guò)程,加快燒結(jié)進(jìn)程,從而達(dá)到降低燒結(jié)溫度,縮短燒結(jié)時(shí)間的效果。在多種物理作用的同時(shí),本發(fā)明在燒結(jié)過(guò)程中又對(duì)物料施加了大大超過(guò)傳統(tǒng)工藝中采用的機(jī)械壓力(傳統(tǒng)工藝中采用的機(jī)械壓力不大于30MPa),這種機(jī)械壓力的作用對(duì)材料獲得高的致密度具有很大的作用。本發(fā)明采用大電流高壓快速燒結(jié)爐、加熱速率150-180℃/分鐘,可降低燒結(jié)溫度、縮短燒結(jié)時(shí)間,因而可大大節(jié)省能源、提高生產(chǎn)效率。
具體實(shí)施例方式
下面通過(guò)實(shí)例來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明,下述實(shí)例不能限制于本發(fā)明。
實(shí)施例1首先將40g TiB2粉末(純度>98%、粒徑小于5μm),60g BN(純度>97%、粒徑小于1μm)充分混合,經(jīng)噴霧干燥后,置于高強(qiáng)石墨模具中,在大電流高壓快速燒結(jié)爐中,150度每分鐘的升溫速度加熱到1700℃燒結(jié),壓力50MPa,燒結(jié)時(shí)間30分鐘。燒結(jié)后,斷開(kāi)電流,隨爐緩慢冷卻到室溫??色@得相對(duì)密度大于96.2%的TiB2-BN導(dǎo)電陶瓷復(fù)合材料,彎曲強(qiáng)度148MPa。
實(shí)施例2首先將50g TiB2粉末(純度>98%、粒徑小于5μm),50g BN(純度>97%、粒徑小于1μm)充分混合,經(jīng)噴霧干燥后,置于高強(qiáng)石墨模具中,在大電流高壓快速燒結(jié)爐中,180度每分鐘的升溫速度加熱到1600℃燒結(jié),壓力50MPa,燒結(jié)時(shí)間30分鐘。燒結(jié)后,斷開(kāi)電流,隨爐緩慢冷卻到室溫??色@得相對(duì)密度大于95.7%的TiB2-BN導(dǎo)電陶瓷復(fù)合材料,彎曲強(qiáng)度134MPa。
實(shí)施例3首先將58g TiB2粉末(純度>98%、粒徑小于5μm),42g BN(純度>97%、粒徑小于1μm)充分混合,經(jīng)噴霧干燥后,置于高強(qiáng)石墨模具中,在大電流高壓快速燒結(jié)爐中,180度每分鐘的升溫速度加熱到1650℃燒結(jié),壓力50MPa,燒結(jié)時(shí)間30分鐘。燒結(jié)后,斷開(kāi)電流,隨爐緩慢冷卻到室溫??色@得相對(duì)密度大于95.2%的TiB2-BN導(dǎo)電陶瓷復(fù)合材料,彎曲強(qiáng)度123MPa。
權(quán)利要求
1.一種低溫快速制備導(dǎo)電陶瓷復(fù)合材料的方法,其特征在于將TiB2粉末與BN粉末按照重量百分比40-58∶42-60進(jìn)行充分混合,噴霧干燥后,置于大電流高壓快速燒結(jié)爐中,加熱速率150-180℃/分鐘,燒結(jié)時(shí)間10-30分鐘,燒結(jié)溫度1600℃-1700℃,燒結(jié)壓力40-60Mpa,隨爐冷卻后,可獲得密度大于95%的TiB2-BN導(dǎo)電陶瓷復(fù)合材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫快速制備導(dǎo)電陶瓷復(fù)合材料的方法,其特征在于所述的TiB2粉末純度>98%、粒徑小于5μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫快速制備導(dǎo)電陶瓷復(fù)合材料的方法,其特征在于所述的BN粉末純度>97%、粒徑小于1μm。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種制備導(dǎo)電陶瓷復(fù)合材料的方法。一種低溫快速制備導(dǎo)電陶瓷復(fù)合材料的方法,其特征在于將TiB
文檔編號(hào)C04B35/64GK1724470SQ200510018909
公開(kāi)日2006年1月25日 申請(qǐng)日期2005年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月14日
發(fā)明者王為民, 傅正義, 王皓, 張金詠, 王玉成, 張清杰 申請(qǐng)人:武漢理工大學(xué)
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