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高抗熱震性高純二氧化硅結構陶瓷的制備方法

文檔序號:2010763閱讀:651來源:國知局
專利名稱:高抗熱震性高純二氧化硅結構陶瓷的制備方法
技術領域
本發(fā)明屬于陶瓷材料技術領域,特別涉及一種高抗熱震性高純二氧化硅結構陶瓷的制備方法。
背景技術
現(xiàn)有的混合SiO2結構陶瓷,是在純度為90~95%的SiO2原料中加入MgO、ZnO、Al2O3、CaO等低溫燒結劑,采用熱壓鑄生產(chǎn)方法,在900~1100℃的溫度下,經(jīng)48小時脫蠟后,再經(jīng)1280℃的燒結成型。該方法制成的混合SiO2結構陶瓷廢品率高、質量穩(wěn)定性差、耗電嚴重,效率低,成本高,其抗熱震性及耐高溫性差。使用過程中易導致裂紋、脫底、鼓包、變形等不良結果。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術存在的上述問題,提供一種高抗熱震性高純SiO2結構陶瓷的制備方法。該方法節(jié)能降耗,生產(chǎn)效率高,成本低,制成的產(chǎn)品質量穩(wěn)定,具有高抗熱高抗震性,耐高溫性強。
本發(fā)明的高抗熱震性高純SiO2結構陶瓷的制備方法,以SiO2無機粉末為主要原料并配入納米SiO2作為燒結劑,不再引入其它氧化物作為低溫燒結劑,使其產(chǎn)品具有高抗熱高抗震性,改變了SiO2體系不易成型的難題。
取重量90~95%、純度≥99.5%的SiO2無機粉末與重量5~10%、純度≥99.5%的納米SiO2,經(jīng)混勻配制成SiO2級配料。再取重量2~5%的長鏈烯烴化合物,摻入重量95~98%的熔化石蠟液相內,經(jīng)攪勻配制成活性油相。
以本明配制的SiO2級配料、活性油相為原料,取重量12~18%的SiO2級配料,摻入重量82~88%的活性油相內,控溫85~100℃,攪拌速度85~115轉/分鐘,連續(xù)攪拌1.5~2.5小時,即配制成半流體,再經(jīng)熱壓鑄機加工成蠟坯。
以蠟坯溫度控制25~40℃為宜,取重量45~55%的蠟坯,將其放入脫蠟爐內,使脫蠟爐內溫度控制380~460℃為宜,再摻入重量45~55%的空心莫來石,經(jīng)恒溫16~20小時,即完成脫蠟。然后經(jīng)冷卻到25~35℃,制成半成品。將制成的半成品投入燒結爐內,使爐溫控制為1280~1360℃,恒溫1~2小時,再經(jīng)冷卻到25~35℃,即制成本發(fā)明的高抗熱震性高純SiO2結構陶瓷。
本發(fā)明的制備方法節(jié)能降耗,生產(chǎn)效率高,成本低,其制成的高純SiO2結構陶瓷產(chǎn)品質量穩(wěn)定,具有高抗熱高抗震性,耐高溫性強。
具體實施例方式
取純度≥99.5%的SiO2無機粉末、純度≥99.5%的納米SiO2、長鏈烯烴化合物、熔化石蠟液相、空心莫來石為原料,按下列實施例實施而成。
實施例取重量90%、純度99.5%的SiO2無機粉末與重量10%、純度99.5%的納米SiO2原料,經(jīng)混勻配制成SiO2級配料。再取重量5%的長鏈烯烴化合物,摻入重量95%的熔化石蠟液相內,經(jīng)攪勻配制成活性油相。
以本明配制的SiO2級配料、活性油相為原料,取重量12%的SiO2級配料,摻入重量88%的活性油相內,控溫85℃,攪拌速度90轉/分鐘,連續(xù)攪拌2小時,即配制成半流體,再經(jīng)熱壓鑄機加工成蠟坯。
以蠟坯溫度控制30℃為宜,取重量55%的蠟坯,將其放入脫蠟爐內,使脫蠟爐內溫度控制380℃為宜,再摻入重量45%的空心莫來石,經(jīng)恒溫16小時,即完成脫蠟,然后經(jīng)冷卻到35℃,制成半成品。將制成的半成品投入燒結爐內,使爐溫控制為1350℃,恒溫1小時,再經(jīng)冷卻到30℃,即制成本發(fā)明的高抗熱震性高純SiO2結構陶瓷。
權利要求
1.一種高抗熱震性高純SiO2結構陶瓷的制備方法,其特征在于a、取重量90~95%、純度≥99.5%的SiO2無機粉末與重量5~10%、純度≥99.5%的納米SiO2,經(jīng)混勻配制成SiO2級配料,b、取重量2~5%的長鏈烯烴化合物,摻入重量95~98%的熔化石蠟液相內,經(jīng)攪勻配制成活性油相,c、取重量12~18%的SiO2級配料,摻入重量82~88%的活性油相內,控溫85~100℃,攪拌速度85~115轉/分鐘,連續(xù)攪拌1.5~2.5小時,即配制成半流體,再經(jīng)熱壓鑄機加工成蠟坯,d、以蠟坯溫度控制25~40℃時,取重量45~55%的蠟坯,將其放入脫蠟爐內,使脫蠟爐內溫度控制380~460℃時,再摻入重量45~55%的空心莫來石,經(jīng)恒溫16~20小時即完成脫蠟,然后再經(jīng)冷卻到25~35℃,制成半成品,e、將制成的半成品投入燒結爐內,使爐溫控制為1280~1360℃,恒溫1~2小時,再經(jīng)冷卻到25~35℃,即制成高抗熱震性高純SiO2結構陶瓷。
全文摘要
本發(fā)明提供一種高抗熱震性高純二氧化硅陶瓷的制備方法。取90~95%、純度≥99.5%SiO
文檔編號C04B35/632GK1724458SQ200510003118
公開日2006年1月25日 申請日期2005年6月28日 優(yōu)先權日2005年6月28日
發(fā)明者聶朝暉, 藍林 申請人:遵義君江精密材料有限公司
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