專利名稱：晶圓清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種晶圓清洗方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體的制造工藝中，通常涉及自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物的形成，目前鎳鉬合金(NiPt)已經(jīng)被廣泛用于形成自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物。通常形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物的過(guò)程包括:提供晶圓，所述晶圓上形成有介質(zhì)層和未被介質(zhì)層覆蓋的硅；在所述介質(zhì)層上形成NiPt ;進(jìn)行退火，使硅和所述NiPt反應(yīng)形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物；去除未與硅反應(yīng)的NiPt。其中，在去除沒(méi)有和娃反應(yīng)的NiPt后，可能仍然存在未反應(yīng)的鎮(zhèn)鉬殘留在晶圓表面，這些鎮(zhèn)鉬殘留物是需要被清除。若這些鎳鉬殘留物不被去除干凈，將嚴(yán)重影響晶圓表面后續(xù)所形成的元器件的性能。在傳統(tǒng)工藝中，上述鎳鉬殘留物是采用浸入式清洗方法去除的，S卩，將附有鎳鉬殘留物的晶圓浸入裝有清洗液的清洗槽，但是該清洗操作過(guò)程難以控制，比如在該清洗過(guò)程中，先浸入清洗液的晶圓部分也是最后離開清洗液的部分，這就造成了晶圓表面的浸泡時(shí)間不一致，從而造成晶圓表面被清洗程度的不均勻。隨著晶圓清洗工藝的發(fā)展，目前，噴淋式的單片清洗機(jī)已經(jīng)被應(yīng)用在去除鎳鉬殘留物的工藝中。如公開號(hào)為CN1527364A的中國(guó)專利申請(qǐng)公開了一種采用噴淋式的單片清洗機(jī)的晶圓清洗方法。如圖1所示，圖1是噴淋式晶圓清洗機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖，所述噴淋式單片清洗機(jī)包括旋轉(zhuǎn)臺(tái)(圖中沒(méi)有顯示)和噴嘴2，所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)用于放置晶圓I且?guī)?dòng)晶圓I轉(zhuǎn)動(dòng)，所述噴嘴2被設(shè)置在晶圓I的上方，且可以在晶圓I表面移動(dòng)，用于噴出清洗液對(duì)晶圓I進(jìn)行清洗。但是，上述方法沒(méi)有給出具體的清洗方案。因此，需要一種新的晶圓清洗方法。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種晶圓清洗方法，能夠?qū)A表面進(jìn)行均勻清洗，更加有效地去除晶圓表面形成自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物后的鎳鉬殘留物，從而減少所述鎳鉬殘留物對(duì)晶圓表面所形成的元器件產(chǎn)生不良影響。本發(fā)明實(shí)施例提供的所述晶圓清洗方法，包括:提供晶圓清洗機(jī)，所述清洗機(jī)包含旋轉(zhuǎn)臺(tái)和噴嘴；提供晶圓，將所述晶圓固定在所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上；將所述噴嘴置于所述晶圓的上方并對(duì)準(zhǔn)晶圓的中心位置；啟動(dòng)旋轉(zhuǎn)臺(tái),所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)帶動(dòng)所述晶圓旋轉(zhuǎn)；使所述噴嘴噴出清洗液對(duì)所述晶圓的中心位置進(jìn)行清洗；將所述噴嘴移至所述晶圓一側(cè)的邊緣位置，使所述噴嘴沿著直徑方向在晶圓的一側(cè)邊緣和其相對(duì)的另一側(cè)邊緣之間來(lái)回移動(dòng)，且所述噴嘴噴出清洗液對(duì)所述晶圓進(jìn)行清洗；
將所述噴嘴移至介于所述晶圓圓心和晶圓邊緣之間的中間位置，且所述噴嘴噴出清洗液對(duì)所述晶圓進(jìn)行清洗；以及使所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)停止旋轉(zhuǎn)?？蛇x地，所述晶圓上形成有金屬硅化物?？蛇x地，所述金屬硅化物為硅化鎳和硅化鉬。可選地，所述清洗液為硫酸和雙氧水的混合溶液(SPM)?？蛇x地，所述清洗液的溫度為160 180°C?？蛇x地，所述SPM中，硫酸和雙氧水的體積比為(1.8 2.2): (0.8 1.2)。可選地，所述清洗機(jī)旋轉(zhuǎn)臺(tái)的轉(zhuǎn)速為400 600rmp?？蛇x地，所述清洗機(jī)噴嘴在晶圓中心位置停留且噴出清洗液的總的時(shí)間為10s?？蛇x地，所述清洗機(jī)噴嘴在晶圓的一側(cè)邊緣和其相對(duì)另一側(cè)邊緣之間來(lái)回移動(dòng)且噴出清洗液的總的時(shí)間為36 44s?？蛇x地，所述噴嘴沿著直徑方向，在晶圓的一側(cè)邊緣和其相對(duì)的另一側(cè)邊緣之間來(lái)回移動(dòng)的速度為30 50毫米/秒。可選地，所述清洗機(jī)噴嘴在介于晶圓圓心和晶圓邊緣之間的中間位置停留且噴出清洗液的總的時(shí)間為4 12s?？蛇x地，所述介于晶圓圓心和晶圓邊緣之間的中間位置位于一個(gè)環(huán)形區(qū)域內(nèi)。可選地,所述環(huán)形區(qū)域的外圓周半徑為3/5晶圓半徑，內(nèi)圓周半徑為2/5晶圓半徑。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn):首先，在本發(fā)明實(shí)施例所提供的晶圓清洗方法中，在清洗機(jī)噴嘴沿著直徑方向在晶圓的一側(cè)邊緣和其相對(duì)的另一側(cè)邊緣之間來(lái)回移動(dòng)并噴出清洗液對(duì)晶圓進(jìn)行清洗之后，還將所述清洗機(jī)噴嘴移至介于晶圓圓心和晶圓邊緣之間的中間位置并噴出清洗液繼續(xù)對(duì)晶圓進(jìn)行清洗。徹底地清洗和去除在晶圓圓心和邊緣之間的位置出現(xiàn)的鎳鉬金屬殘留帶，使得晶圓表面的鎳鉬殘留物進(jìn)一步減少，甚至消除，從而減少所述鎳鉬殘留物對(duì)晶圓表面所形成的元器件產(chǎn)生不良影響。其次，在本發(fā)明實(shí)施例所提供的晶圓清洗方法中，所述清洗機(jī)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)的轉(zhuǎn)速為400 600rmp，該轉(zhuǎn)速大于現(xiàn)有技術(shù)中的旋轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速，使得相同的時(shí)間段內(nèi)，清洗機(jī)噴嘴對(duì)晶圓沖洗的頻率加大，從而能夠去除更多的鎳鉬殘留物。最后，在本發(fā)明實(shí)施例所提供的晶圓清洗方法中，采用SPM溶液為清洗液對(duì)晶圓表面進(jìn)行清洗。在此SPM溶液中，硫酸和雙氧水的體積比約為(1.8 2.2): (0.8 1.2)，所述體積比比現(xiàn)有技術(shù)中要高。所述硫酸和雙氧水能更快地相互反應(yīng)生成磺酸，所形成的磺酸能更充分地溶解鎳鉬殘留物。并且，所述SPM溶液的溫度為160 180°C，這種高溫度SPM清洗溶液與鎳鉬殘留物發(fā)生反應(yīng)的速度更快，從而使得鎳鉬殘留物更快的清除。


圖1是噴淋式晶圓清洗機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗方法示意圖；圖3是晶圓上的鎮(zhèn)鉬殘留帶的俯視不意圖4是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗方法流程示意圖；圖5 7是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗方法的示意圖。
具體實(shí)施例方式—種晶圓清洗方法包括:如圖1所示，提供晶圓清洗機(jī)，所述清洗機(jī)包含旋轉(zhuǎn)臺(tái)(圖中沒(méi)有顯示)和噴嘴2 ;提供晶圓1，將所述晶圓I固定在所述清洗機(jī)旋轉(zhuǎn)臺(tái)上；將所述清洗機(jī)噴嘴2置于晶圓I的上方并對(duì)準(zhǔn)所述晶圓I的中心位置A ;啟動(dòng)所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)，所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)帶動(dòng)晶圓I旋轉(zhuǎn)；使所述清洗機(jī)噴嘴2噴出清洗液對(duì)晶圓I的中心位置進(jìn)行清洗；如圖2所示，將所述清洗機(jī)噴嘴2移至晶圓I 一側(cè)的邊緣位置B，使噴嘴沿著直徑方向在晶圓的一側(cè)邊緣B和其相對(duì)的邊緣C之間來(lái)回移動(dòng)，在上述移動(dòng)過(guò)程中，所述清洗機(jī)噴嘴2噴出清洗液對(duì)晶圓I進(jìn)行清洗；以及使所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)停止旋轉(zhuǎn)。上述晶圓清洗方法相對(duì)傳統(tǒng)浸入式清洗工藝有所改進(jìn)，通過(guò)缺陷檢測(cè)設(shè)備對(duì)上述清洗后的晶圓2進(jìn)行檢測(cè)發(fā)現(xiàn)，在所述晶圓I表面介于圓心A和邊緣B之間，仍然存在圓環(huán)狀的鎳鉬殘留帶3。如圖3所示，圖3是晶圓上的鎳鉬殘留帶的俯視示意圖。在40/45nm的工藝制程中，在NiPt合金中，Pt所占比重達(dá)10%，以便所述形成的自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物具有更好的熱穩(wěn)定性。但是Pt具有粘附性，在形成自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物之后，未反應(yīng)的鎳鉬殘留物將更難被去除。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了 一種晶圓清洗方法，如圖4所示，所述方法包括:步驟SI，提供晶圓清洗機(jī)，所述清洗機(jī)包括旋轉(zhuǎn)臺(tái)和噴嘴；步驟S2，提供晶圓，將所述晶圓固定在所述清洗機(jī)旋轉(zhuǎn)臺(tái)上；步驟S3，將所述清洗機(jī)噴嘴置于所述晶圓的上方并對(duì)準(zhǔn)所述晶圓的中心位置；步驟S4,啟動(dòng)所述旋轉(zhuǎn)臺(tái),所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)帶動(dòng)所述晶圓旋轉(zhuǎn)；步驟S5，使所述清洗機(jī)噴嘴噴出清洗液對(duì)所述晶圓的中心位置進(jìn)行清洗；步驟S6，將所述清洗機(jī)噴嘴移至所述晶圓一側(cè)的邊緣位置，使噴嘴沿著直徑方向在所述晶圓的一側(cè)邊緣和其相對(duì)的另一側(cè)邊緣之間來(lái)回移動(dòng)，且所述清洗機(jī)噴嘴噴出清洗液對(duì)所述晶圓進(jìn)行清洗；步驟S7，將所述清洗機(jī)噴嘴移至介于所述晶圓圓心和晶圓邊緣之間的中間位置，且所述清洗機(jī)噴嘴噴出清洗液繼續(xù)對(duì)所述晶圓進(jìn)行清洗；以及步驟S8，使所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)停止旋轉(zhuǎn)。下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。為了更好地說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，請(qǐng)結(jié)合圖5 7，圖5 7是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗清洗方法的示意圖。首先，請(qǐng)參考圖5，執(zhí)行步驟SI，提供晶圓清洗機(jī)，所述晶圓清洗機(jī)包括旋轉(zhuǎn)臺(tái)(圖中沒(méi)有顯示)和噴嘴102，所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)用于固定晶圓且?guī)?dòng)晶圓旋轉(zhuǎn)，所述噴嘴102固定在晶圓上方且可以在晶圓上方來(lái)回移動(dòng)，用于噴出清洗液對(duì)所述晶圓進(jìn)行清洗。接著，請(qǐng)繼續(xù)參考圖5，執(zhí)行步驟S2，提供晶圓101，將所述晶圓101固定在所述清洗機(jī)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)上，所述晶圓101上帶有待去除的金屬硅化物，所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)將帶動(dòng)所述晶圓101旋轉(zhuǎn)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述金屬硅化物為硅化鉬和硅化鎳，即鎳鉬殘留物。
接著，請(qǐng)參考圖5，執(zhí)行步驟S3，將所述清洗機(jī)噴嘴102置于所述晶圓101的上方并對(duì)準(zhǔn)所述晶圓101的中心位置。在本發(fā)明實(shí)施例中，所述噴嘴和晶圓之間的距離可以根據(jù)具體工藝要求做出選擇。作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述噴嘴和晶圓之間的距離約為
2 5cm。接著,執(zhí)行步驟S4,啟動(dòng)所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)，所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)帶動(dòng)所述晶圓101轉(zhuǎn)動(dòng),所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)在整個(gè)清洗過(guò)程中持續(xù)旋轉(zhuǎn)，直到清洗過(guò)程結(jié)束停止旋轉(zhuǎn)。作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的轉(zhuǎn)速可以約為400 600rmp。例如,所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的轉(zhuǎn)速約為500rmp。所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的轉(zhuǎn)速大于現(xiàn)有技術(shù)中的旋轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速，使得相同的時(shí)間段內(nèi)，所述清洗機(jī)噴嘴102對(duì)所述晶圓101沖洗的頻率加大，從而能夠去除晶圓101表面更多的鎳鉬殘留物。接著，執(zhí)行步驟S5，使位于所述晶圓101中心位置A上方的清洗機(jī)噴嘴102噴出清洗液對(duì)所述晶圓101的中心位置進(jìn)行清洗。作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述清洗液可以為硫酸和雙氧水的混合溶液(SPM)，且該SPM溶液的溫度可以約為160 180°C。例如，該SPM溶液的溫度約為170°C?，F(xiàn)有技術(shù)中，清洗液的溫度一般為90°C。因此，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述SPM溶液的溫度比現(xiàn)有技術(shù)要高，這樣與鎳鉬殘留物發(fā)生反應(yīng)的速度更快，能更好地去除晶圓101表面的鎳鉬殘留物。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述清洗液的流速可以根據(jù)具體工藝要求做出選擇。作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述清洗液的流速約為I 2升/分鐘。而且，作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該SPM溶液中硫酸和雙氧水的體積比可以約為(1.8 2.2): (0.8 1.2)。例如，所述SPM溶液中硫酸和雙氧水的體積比可以約為2:1。作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述硫酸溶液的濃度可以約為98 %，所述雙氧水溶液的濃度可以約為31%。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述SPM溶液中硫酸和雙氧水的體積比比現(xiàn)有技術(shù)高，這樣硫酸和雙氧水能更快地相互反應(yīng)生成磺酸，所形成的磺酸能溶解晶圓101表面的鎳鉬殘留物。作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述噴嘴102在晶圓中心位置A的上方停留且噴出清洗液的總的時(shí)間約為10s。接著，請(qǐng)參考圖6，執(zhí)行步驟S6，將所述清洗機(jī)噴嘴102從所述晶圓101的中心位置A移至所述晶圓101 —側(cè)的邊緣位置B，使所述噴嘴沿著直徑方向在所述晶圓101的一側(cè)邊緣B和其相對(duì)的另一側(cè)邊緣C之間來(lái)回移動(dòng)，在上述移動(dòng)過(guò)程中，所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)帶動(dòng)所述晶圓101旋轉(zhuǎn)，且所述清洗機(jī)噴嘴102噴出清洗液對(duì)所述晶圓101進(jìn)行清洗。作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述清洗機(jī)噴嘴102在晶圓101的一側(cè)邊緣B和其相對(duì)的另一側(cè)邊緣C之間來(lái)回移動(dòng)且噴出清洗液的總的時(shí)間可以約為36 44s，所述清洗機(jī)噴嘴102在晶圓101的一側(cè)邊緣B和其相對(duì)的另一側(cè)邊緣C之間來(lái)回移動(dòng)的速度可以約為30 50毫米/分鐘。例如，所述清洗機(jī)噴嘴102在晶圓101的一側(cè)邊緣B和其相對(duì)的另一側(cè)邊緣C之間來(lái)回移動(dòng)且噴出清洗液的總的時(shí)間約為40s，所述清洗機(jī)噴嘴102在晶圓101的一側(cè)邊緣B和其相對(duì)的另一側(cè)邊緣C之間來(lái)回移動(dòng)的速度可以約為40毫米/分鐘。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明的實(shí)施例中，在將所述清洗機(jī)噴嘴102從所述晶圓101的中心位置A移至所述晶圓101 —側(cè)的邊緣位置B的過(guò)程中，所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)不停止旋轉(zhuǎn)，且噴嘴不停止噴出清洗液。在本發(fā)明另外的實(shí)施例中，在將所述清洗機(jī)噴嘴102從所述晶圓101的中心位置A移至所述晶圓101 —側(cè)的邊緣位置B的過(guò)程中，所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)不停止旋轉(zhuǎn)，但所述噴嘴停止噴出清洗液。繼續(xù)參考圖6，經(jīng)上述清洗步驟后，在介于晶圓圓心A和邊緣之間仍然有可能存在一個(gè)環(huán)形的鎳鉬殘留帶103。發(fā)明人經(jīng)過(guò)研究發(fā)現(xiàn)，為了更好的去除所述鎳鉬殘留帶103，本發(fā)明的實(shí)施例可以進(jìn)行如下改進(jìn)。請(qǐng)參考圖7，執(zhí)行步驟S7，將所述清洗機(jī)噴嘴102從所述晶圓101的圓心移至介于所述晶圓101圓心A和晶圓101邊緣之間的中間位置D，所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)帶動(dòng)晶圓I旋轉(zhuǎn)，且所述清洗機(jī)噴嘴102噴出清洗液繼續(xù)對(duì)晶圓101進(jìn)行清洗。所述中間位置D根據(jù)所述鎳鉬殘留帶103所在的位置來(lái)選擇，且與所述鎳鉬殘留帶103的位置對(duì)應(yīng)。作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，如圖6所示，所述中間位置D位于一個(gè)環(huán)形區(qū)域，所述環(huán)形區(qū)域的外圓周半徑約為3/5晶圓半徑，內(nèi)圓周半徑約為2/5晶圓半徑。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明的實(shí)施例中，在將所述清洗機(jī)噴嘴102移至介于所述晶圓101圓心A和晶圓邊緣之間的中間位置D的過(guò)程中，所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)不停止旋轉(zhuǎn)，且噴嘴不停止噴出清洗液。在本發(fā)明另外的實(shí)施例中，在將所述清洗機(jī)噴嘴102移至介于所述晶圓101圓心A和晶圓邊緣之間的中間位置D的過(guò)程中，所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)不停止旋轉(zhuǎn)，但所述噴嘴停止噴出清洗液。另外，作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述清洗機(jī)噴嘴102在介于晶圓101圓心A和邊緣之間的中間位置D停留且噴出清洗液的時(shí)間可以約為4 12s。例如，所述清洗機(jī)噴嘴102在介于晶圓101圓心A和邊緣之間的中間位置D停留且噴出清洗液的總的時(shí)間可以約為8s。需要說(shuō)明的是，根據(jù)前述步驟，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)噴嘴102停留在晶圓101中心位置清洗時(shí)，所述位于晶圓101中心位置A的鎳鉬殘留物會(huì)被旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)甩到遠(yuǎn)離晶圓101中心的位置，而當(dāng)噴嘴在晶圓101和中心位置A和晶圓邊緣位置之間來(lái)回清洗時(shí)，部分位于邊緣位置的鎳鉬殘留物會(huì)被清洗液沖到位于晶圓101中心和晶圓邊緣的中間位置，這樣使得在介于所述晶圓101中心位置和晶圓邊緣位置之間的鎳鉬殘留物聚集的相對(duì)要厚，從而在所述晶圓101中心位置和晶圓邊緣位置之間產(chǎn)生所述鎳鉬殘留帶103。因此，發(fā)明人提出還將所述清洗機(jī)噴嘴102停留在介于晶圓101圓心A和邊緣之間的中間位置D對(duì)晶圓進(jìn)行清洗，針對(duì)性地去除所述鎳鉬殘留帶103，使得晶圓101表面的鎳鉬殘留物進(jìn)一步減少。最后，執(zhí)行步驟S8,使所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)停止旋轉(zhuǎn)。將經(jīng)過(guò)上述方法清洗后的晶圓101表面和通過(guò)現(xiàn)有技術(shù)清洗的晶圓表面在缺陷掃描儀下進(jìn)行對(duì)比，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過(guò)本發(fā)明實(shí)施例提供的方法清洗后的晶圓表面，能夠更好的去除晶圓表面的鎳鉬殘留物，從而改善晶圓表面出現(xiàn)的鎳鉬殘留帶現(xiàn)象。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種晶圓清洗方法，其特征在于，包括: 提供晶圓清洗機(jī)，所述清洗機(jī)包含旋轉(zhuǎn)臺(tái)和噴嘴； 提供晶圓，將所述晶圓固定在所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上； 將所述噴嘴置于所述晶圓的上方并對(duì)準(zhǔn)晶圓的中心位置； 啟動(dòng)旋轉(zhuǎn)臺(tái)，所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)帶動(dòng)所述晶圓旋轉(zhuǎn)； 使所述噴嘴噴出清洗液對(duì)所述晶圓的中心位置進(jìn)行清洗； 將所述噴嘴移至所述晶圓一側(cè)的邊緣位置，使所述噴嘴沿著直徑方向在晶圓的一側(cè)邊緣和其相對(duì)的另一側(cè)邊緣之間來(lái)回移動(dòng)，且所述噴嘴噴出清洗液對(duì)所述晶圓進(jìn)行清洗； 將所述噴嘴移至介于所述晶圓圓心和晶圓邊緣之間的中間位置，且所述噴嘴噴出清洗液對(duì)所述晶圓進(jìn)行清洗；以及 使所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)停止旋轉(zhuǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述晶圓上形成有金屬硅化物。
3.如權(quán)利要求2所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述金屬硅化物為硅化鎳和硅化鉬。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述清洗液為硫酸和雙氧水的混合溶液(SPM)。
5.如權(quán)利要求4所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述清洗液的溫度為160°C 180。。。
6.如權(quán)利要求4所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述硫酸和雙氧水的體積比為(1.8 2.2): (0.8 1.2)。
7.如權(quán)利要求1所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述清洗機(jī)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)的轉(zhuǎn)速為400 600rmp。
8.如權(quán)利要求1所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述清洗機(jī)噴嘴在晶圓中心位置停留且噴出清洗液的總的時(shí)間為9 Hs。
9.如權(quán)利要求1所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述噴嘴沿著直徑方向，在晶圓的一側(cè)邊緣和其相對(duì)的另一側(cè)邊緣之間來(lái)回移動(dòng)且噴出清洗液的總的時(shí)間為36 44s。
10.如權(quán)利要求1所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述噴嘴沿著直徑方向，在晶圓的一側(cè)邊緣和其相對(duì)的另一側(cè)邊緣之間來(lái)回移動(dòng)的速度為30 50毫米/秒。
11.如權(quán)利要求1所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述清洗機(jī)噴嘴在介于晶圓圓心和晶圓邊緣之間的中間位置停留且噴出清洗液的總的時(shí)間為4 12s。
12.如權(quán)利要求1所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述介于晶圓圓心和晶圓邊緣之間的中間位置位于一個(gè)環(huán)形區(qū)域內(nèi)。
13.如權(quán)利要求12所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述環(huán)形區(qū)域的外圓周半徑為3/5晶圓半徑，內(nèi)圓周半徑為2/5晶圓半徑。
全文摘要
一種晶圓清洗方法，所述方法包括提供晶圓清洗機(jī)，所述清洗機(jī)包含旋轉(zhuǎn)臺(tái)和噴嘴；提供晶圓，將所述晶圓固定在所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上；將所述噴嘴置于所述晶圓的上方并對(duì)準(zhǔn)晶圓的中心位置；啟動(dòng)旋轉(zhuǎn)臺(tái)，所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)帶動(dòng)晶圓旋轉(zhuǎn)；使所述噴嘴噴出清洗液對(duì)所述晶圓的中心位置進(jìn)行清洗；將所述噴嘴移至所述晶圓一側(cè)的邊緣位置，使所述噴嘴沿著直徑方向在晶圓的一側(cè)邊緣和其相對(duì)的另一側(cè)邊緣之間來(lái)回移動(dòng)，且所述噴嘴噴出清洗液對(duì)所述晶圓進(jìn)行清洗；將所述噴嘴移至介于所述晶圓圓心和晶圓邊緣之間的中間位置，且所述噴嘴噴出清洗液對(duì)所述晶圓進(jìn)行清洗；以及使所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)停止旋轉(zhuǎn)。所述晶圓清洗方法能更好的去除晶圓表面的鎳鉑殘留物。
文檔編號(hào)B08B3/02GK103182392SQ20111045940
公開日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者宋振偉, 榮楠, 廖勇, 李芳 , 董飏 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司