專利名稱：一種掩模板表面微塵去除的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種去除微塵的方法，尤其涉及一種掩模板表面微塵去除的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體芯片制造業(yè)所使用的掩模板對(duì)微塵要求很高，當(dāng)微塵顆粒尺寸足夠大時(shí)， 會(huì)在光刻工藝中投影到硅片上破壞芯片電路圖形，所以必須去除；清除掩模板表面微塵的方法一般是采用吹氣式去除掩模板上的微塵，如吹氣式氣槍吹送氮?dú)饪諝?、氣簾等；但由于掩模板表面一般均吸附有帶電微塵，如圖1所示，當(dāng)利用吹氣式氣槍3進(jìn)行單純的吹氣方式，當(dāng)吹氣壓力低時(shí)無法去除帶電微粒4，而提高吹氣壓力又會(huì)對(duì)掩模板1造成一定的破壞，特別是對(duì)數(shù)百微米厚的掩模保護(hù)膜2 (pellicle)的破壞嚴(yán)重，甚至能導(dǎo)致其報(bào)廢。但是，目前在不提高吹氣壓力的前提下，既能提高除塵效率，去除帶點(diǎn)微塵，又能降低破壞掩模板風(fēng)險(xiǎn)的方法還沒有出現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開了一種掩模板表面微塵去除的方法，其中，包括以下步驟 步驟Si，將普通氣體吹掃掩模板及其掩模保護(hù)膜，以去除不帶電的微塵；
步驟S2，切換至第一類離子風(fēng)吹掃所述掩模板及其掩模保護(hù)膜，以中和并去除帶與所述第一類離子相反電性的微塵；
步驟S3，切換至第二類離子風(fēng)吹掃所述掩模板及其掩模保護(hù)膜，以中和并去除帶與所述第二類離子相反電性的微塵；
步驟S4，切換至普通氣體吹掃所述掩模板及其掩模保護(hù)膜，以去除剩余微塵。上述的掩模板表面微塵去除的方法，其中，還包括利用吹氣式氣槍將普通氣體或離子風(fēng)吹掃所述掩模板及其掩模保護(hù)膜。上述的掩模板表面微塵去除的方法，其中，所述普通氣體為空氣或者氮?dú)?。上述的掩模板表面微塵去除的方法，其中，所述第一類離子為負(fù)離子，以中和帶正電微塵。上述的掩模板表面微塵去除的方法，其中，所述第二類離子為正離子，以中和帶負(fù)電微塵。本發(fā)明還公開了另一種掩模板表面微塵去除的方法，其中，包括以下步驟 步驟Si，將普通氣體吹掃掩模板及其掩模保護(hù)膜，以去除不帶電的微塵；
步驟S2，通過電荷測(cè)試感應(yīng)器檢測(cè)所述掩模板表面及其掩模保護(hù)膜上殘留帶電微塵顆粒的極性；
步驟S3，采用與所述掩模板表面及其掩模保護(hù)膜上殘留帶電微塵顆粒的極性相反的離子風(fēng)吹掃所述掩模板及其掩模保護(hù)膜，以中和并去除所述殘留帶電微塵顆粒； 步驟S4，切換至普通氣體吹掃所述掩模板及其掩模保護(hù)膜，以去除剩余微塵。上述的掩模板表面微塵去除的方法，其中，所述步驟S2中通過電荷測(cè)試感應(yīng)器檢測(cè)所述掩模板表面及其掩模保護(hù)膜上的殘留帶電微塵顆粒的極性為正極性微塵，步驟S3 中采用負(fù)離子吹掃所述掩模板及其掩模保護(hù)膜；反之，則采用正離子吹掃所述掩模板及其掩模保護(hù)膜，以中和并去除所述殘留帶電微塵顆粒。上述的掩模板表面微塵去除的方法，其中，還包括利用吹氣式氣槍將普通氣體或離子風(fēng)吹掃所述掩模板及其掩模保護(hù)膜。上述的掩模板表面微塵去除的方法，其中，所述普通氣體為空氣或者氮?dú)?。綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明提出一種掩模板表面微塵去除的方法，在不提高吹氣壓力的前提下，既能提高除塵效率，去除帶電微塵，又能降低破壞掩模板的風(fēng)險(xiǎn)，且工藝簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)操作。


圖1是本發(fā)明背景技術(shù)中進(jìn)行單純的吹氣方式的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2-5是本發(fā)明掩模板表面微塵去除的方法實(shí)施例一的流程示意圖； 圖6-9是本發(fā)明掩模板表面微塵去除的方法實(shí)施例二的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的說明 實(shí)施例一
如圖2-5所示，本發(fā)明提供了一種掩模板表面微塵去除的方法，其中，包括以下步驟 首先，根據(jù)掩模板21及其上的掩模保護(hù)膜22承受的氣壓值調(diào)整將吹氣式氣槍23的吹起氣壓，對(duì)掩模板21和掩模保護(hù)膜22進(jìn)行吹氣，以去除其上的部分微塵M，此時(shí)，吹氣式氣槍23吹出的氣體為空氣或者氮?dú)狻４禋馐綒鈽?3吹氣一段時(shí)間后，在吹氣氣壓不變的情況下，一般采用手動(dòng)將吹氣式氣槍23的吹出的氣體轉(zhuǎn)換為帶有正離子的氣體，以中和吸附在掩模板21和掩模保護(hù)膜 22上帶負(fù)電微塵241的電性，使之放電消除其吸附性的同時(shí)被吹離掩模板21和掩模保護(hù)膜 22。之后，同樣保持吹氣式氣槍23吹氣氣壓不變的情況下，手動(dòng)將其吹出的氣體轉(zhuǎn)換為帶有負(fù)離子的氣體，以中和吸附在掩模板21和掩模保護(hù)膜22上帶正電微塵242的電性， 使之放電消除其吸附性的同時(shí)被吹離掩模板21和掩模保護(hù)膜22。最后，在吹氣氣壓不變的情況下，手動(dòng)將吹氣式氣槍23的吹出的氣體轉(zhuǎn)換為空氣或者氮?dú)?，以除去掩模?1和掩模保護(hù)膜22上剩余的微塵M3。進(jìn)一步的，本發(fā)明也可以通過采用其他裝置如形成氣簾等，吹送離子氣體去除掩模板和掩模保護(hù)膜上的帶電微塵，且也可應(yīng)用于其他類似需要去除微塵的領(lǐng)域。實(shí)施例二
如圖6所示，首先，采用和實(shí)施例一中相同的步驟，根據(jù)掩模板31及其上的掩模保護(hù)膜 32承受的氣壓值調(diào)整將吹氣式氣槍33的吹起氣壓，對(duì)掩模板31和掩模保護(hù)膜32進(jìn)行吹氣，以去除其上的部分微塵34，此時(shí)，吹氣式氣槍33吹出的氣體為空氣或者氮?dú)?。吹氣式氣?3吹氣一段時(shí)間后，在吹氣氣壓不變的情況下，通過電荷測(cè)試感應(yīng)器 35檢測(cè)掩模板31表面及其掩模保護(hù)膜32上的殘留帶電微塵顆粒的極性；如圖7所示，若
4檢測(cè)出掩模板31表面及其掩模保護(hù)膜32上的殘留帶電微塵顆粒為負(fù)離子微塵341，則自動(dòng)將吹氣式氣槍33的吹出的氣體轉(zhuǎn)換為帶有正離子的氣體331，以中和吸附在掩模板31和掩模保護(hù)膜32上帶負(fù)電微塵341的電性，使之放電消除其吸附性的同時(shí)被吹離掩模板31和掩模保護(hù)膜32 ；如圖8所示，若檢測(cè)出掩模板31表面及其掩模保護(hù)膜32上的殘留帶電微塵顆粒為正離子微塵342，則自動(dòng)將吹氣式氣槍33的吹出的氣體轉(zhuǎn)換為帶有負(fù)離子的氣體 332，以中和吸附在掩模板31和掩模保護(hù)膜32上帶正電微塵342的電性，使之放電消除其吸附性的同時(shí)被吹離掩模板31和掩模保護(hù)膜32。最后，如圖9所示，在吹氣氣壓不變的情況下，將吹氣式氣槍33的吹出的氣體轉(zhuǎn)換為空氣或者氮?dú)?，以除去掩模?1和掩模保護(hù)膜32上剩余的微塵343。進(jìn)一步的，本發(fā)明也可以通過采用其他裝置如形成氣簾等，吹送離子氣體去除掩模板和掩模保護(hù)膜上的帶電微塵，且也可應(yīng)用于其他類似需要去除微塵的領(lǐng)域。綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明一種掩模板表面微塵去除的方法，在不提高吹氣壓力的前提下，通過吹送離子風(fēng)以中和帶電微塵的電性，從而消除其吸附力，不僅能提高除塵效率，去除帶電微塵，又能降低破壞掩模板的風(fēng)險(xiǎn)，且工藝簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)操作。以上對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但其只是作為范例，本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實(shí)施例。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對(duì)本發(fā)明進(jìn)行的等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種掩模板表面微塵去除的方法，其特征在于，包括以下步驟步驟Si，將普通氣體吹掃掩模板及其掩模保護(hù)膜，以去除不帶電的微塵；步驟S2，切換至第一類離子風(fēng)吹掃所述掩模板及其掩模保護(hù)膜，以中和并去除帶與所述第一類離子相反電性的微塵；步驟S3，切換至第二類離子風(fēng)吹掃所述掩模板及其掩模保護(hù)膜，以中和并去除帶與所述第二類離子相反電性的微塵；步驟S4，切換至普通氣體吹掃所述掩模板及其掩模保護(hù)膜，以去除剩余微塵。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板表面微塵去除的方法，其特征在于，還包括利用吹氣式氣槍將普通氣體或離子風(fēng)吹掃所述掩模板及其掩模保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板表面微塵去除的方法，其特征在于，所述普通氣體為空氣或者氮?dú)狻?br> 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板表面微塵去除的方法，其特征在于，所述第一類離子為負(fù)離子，以中和帶正電微塵。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板表面微塵去除的方法，其特征在于，所述第二類離子為正離子，以中和帶負(fù)電微塵。
6.一種掩模板表面微塵去除的方法，其特征在于，包括以下步驟步驟Si，將普通氣體吹掃掩模板及其掩模保護(hù)膜，以去除不帶電的微塵；步驟S2，通過電荷測(cè)試感應(yīng)器檢測(cè)所述掩模板表面及其掩模保護(hù)膜上的殘留帶電微塵顆粒的極性；步驟S3，采用與所述掩模板表面及其掩模保護(hù)膜上的殘留帶電微塵顆粒的極性相反的離子風(fēng)吹掃所述掩模板及其掩模保護(hù)膜，以中和并去除所述殘留帶電微塵顆粒；步驟S4，切換至普通氣體吹掃所述掩模板及其掩模保護(hù)膜，以去除剩余微塵。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩模板表面微塵去除的方法，其特征在于，所述步驟S2中通過電荷測(cè)試感應(yīng)器檢測(cè)所述掩模板表面殘留帶電微塵顆粒的極性為正極性微塵，步驟S3 中采用負(fù)離子吹掃所述掩模板及其掩模保護(hù)膜；反之，則采用正離子吹掃所述掩模板及其掩模保護(hù)膜，以中和并去除所述殘留帶電微塵顆粒。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩模板表面微塵去除的方法，其特征在于，還包括利用吹氣式氣槍將普通氣體或離子風(fēng)吹掃所述掩模板及其掩模保護(hù)膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩模板表面微塵去除的方法，其特征在于，所述普通氣體為空氣或者氮?dú)狻?br> 全文摘要
本發(fā)明涉及一種去除微塵的方法，尤其涉及一種掩模板表面微塵去除的方法。本發(fā)明一種掩模板表面微塵去除的方法，在不提高吹氣壓力的前提下，通過吹送離子風(fēng)以中和帶電微塵的電性，從而消除其吸附力，不僅能提高除塵效率，去除帶電微塵，又能降低破壞掩模板的風(fēng)險(xiǎn)，且工藝簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)操作。
文檔編號(hào)B08B5/02GK102426412SQ20111019415
公開日2012年4月25日 申請(qǐng)日期2011年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月12日
發(fā)明者戴韞青, 毛智彪, 王劍 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司