一種掩模板的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供一種掩模板，包含：第一子掩模板；第二子掩模板，與所述第一子掩模板交叉；所述第一子掩模板在與所述第二子掩模板交叉區(qū)域，設(shè)置有第一凹槽，所述第一凹槽能夠收納第二子掩模板。本實用新型通過在交叉處設(shè)置凹槽，使得交叉處的總高度降低，與非交叉處的高度保持平齊，這樣能夠提高掩模板鋪設(shè)的平坦度，提高張網(wǎng)精度，提高蒸鍍良率。
【專利說明】一種掩模板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種掩模板，尤其涉及一種用于有機發(fā)光器件蒸鍍的金屬掩模板。

【背景技術(shù)】
[0002]有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的特性是自發(fā)光，不像液晶顯示器(IXD)需要背光，因此可視度和亮度均高，其次是電壓需求低且省電效率高，加上反應(yīng)快、重量輕、高度薄，構(gòu)造簡單，成本低等，被視為21世紀(jì)最具前途的產(chǎn)品之一。
[0003]OLED利用電激發(fā)的有機熒光化合物發(fā)光，其具有陰極和陽極，二者中間有由有機化合物組成的有機膜。當(dāng)向陰極、陽極上施加電壓時，施加正電壓的電極中，空穴通過空穴傳輸層(HTL)遷移到有機發(fā)光區(qū)，施加負電壓的電極中，電子通過電子傳輸層(ETL)遷移到有機發(fā)光區(qū)，空穴和電子在有機發(fā)光區(qū)中發(fā)生復(fù)合產(chǎn)生激子，激子被激發(fā)后發(fā)出光，為OLED顯示提供光源。
[0004]一般而言，OLED器件中的有機材料通常采用蒸鍍工藝實現(xiàn)，隨著OLED手機屏幕尺寸的增大，為提高生產(chǎn)效率，蒸鍍用金屬掩模板的尺寸也不斷增大，如何提高蒸鍍精度是工藝上面臨的一個重要問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實用新型為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提供了一種掩模板，包含:第一子掩模板；第二子掩模板，與所述第一子掩模板交叉；所述第一子掩模板在與所述第二子掩模板交叉區(qū)域，設(shè)置有第一凹槽，所述第一凹槽能收納第二子掩模板。
[0006]可選地，第二子掩模板在與所述第一子掩模板交叉處，設(shè)置有第二凹槽，所述第二凹槽與所述第一凹槽配合，收納所述第一子掩模板。
[0007]可選地，第一凹槽和所述第二凹槽高度之和等于所述第一子掩模板和所述第二子掩模板高度之和的二分之一。
[0008]可選地，第一凹槽和所述第二凹槽中的的至少一個平面是不平整表面。
[0009]可選地，第一凹槽或所述第二凹槽的截面，至少有一條邊為斜線或臺階狀或曲線。
[0010]可選地，第一凹槽或所述第二凹槽的截面形狀為楔形。
[0011]可選地，楔形的斜邊與水平邊的夾角為45° -70°。
[0012]可選地，還包含框架，第一子掩模板和第二子掩模板的兩端固定在所述框架上。
[0013]可選地，第一凹槽或/和所述第二凹槽的高度范圍為10-60 μ m。
[0014]可選地，第一凹槽的寬度范圍為2_20mm或/和所述第二凹槽的寬度范圍為10-30mmo
[0015]可選地，第一凹槽或所述第二凹槽采用半刻蝕的方法制成。
[0016]可選地，掩模板還包含第三子掩模板，所述第三子掩模板覆蓋于第一子掩模板和所述第二子掩模板上方。
[0017]可選地，有機層采用上述的掩模板蒸鍍制成。
[0018]本實用新型還包括一種有機發(fā)光顯示面板，包含有機層，其特征在于，所述有機層是采用上述掩模板制成的。
[0019]本實用新型具有如下一種或多種的技術(shù)效果:
[0020]1、通過在交叉處設(shè)置凹槽，使得交叉處的總高度降低，與非交叉處的高度保持平齊，這樣能夠提高掩模板鋪設(shè)的平坦度，提高張網(wǎng)精度，提高蒸鍍良率。
[0021]2、通過楔形設(shè)計，提高遮蔽掩模板和支撐掩模板的組裝精度，減少框架機械加工精度低的風(fēng)險。
[0022]3、通過凹槽的不平整表面設(shè)計，確保遮蔽掩模板和支撐掩模板不發(fā)生移位，保證組裝穩(wěn)定性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的掩模板結(jié)構(gòu)俯視圖示意圖；
[0024]圖2a為圖1中A-A’的剖視圖；
[0025]圖2b為圖1中B-B，的剖視圖；
[0026]圖2c為圖1中C-C’的剖視圖；
[0027]圖3為本實用新型一實施例提供的掩模板結(jié)構(gòu)俯視圖示意圖；
[0028]圖4為本實用新型一實施例提供的掩模板結(jié)構(gòu)俯視圖示意圖；
[0029]圖5a為本實用新型圖3中D_D’的剖視圖；
[0030]圖5b為本實用新型一實施例提供的掩模板結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0031]圖5c為本實用新型圖3中E-E’的剖視圖；
[0032]圖5d為本實用新型一實施例提供的掩模板結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0033]圖6a為本實用新型一實施例提供的掩模板結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0034]圖6b為本實用新型一實施例提供的掩模板結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0035]圖7a為本實用新型一實施例提供的掩模板結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0036]圖7b為本實用新型一實施例提供的掩模板結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0037]圖8a為本實用新型一實施例提供的掩模板結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0038]圖Sb為本實用新型一實施例提供的掩模板結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0039]圖9a為本實用新型一實施例提供的掩模板結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0040]圖9b為本實用新型一實施例提供的掩模板結(jié)構(gòu)的剖視圖。

【具體實施方式】
[0041]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的幾種實施例，而非全部實施方式，基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0042]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中有機發(fā)光顯示器件蒸鍍用掩模板的示意圖，掩模板包含框架101,框架101上設(shè)置有第一子掩模板102和第二子掩模板103。請參照圖2a、2b,分別為圖I沿A-A’、B-B’的剖視圖，從圖中可以知道，框架101上設(shè)置有一凹槽，第一子掩模板102及第二子掩模板103分別設(shè)置在框架101的凹槽內(nèi)。請參照圖2c，圖2c為圖1沿C-C’的剖視圖，從圖2c中可以看出，在第一子掩模板102和第二子掩模板103交叉處，第一子掩模板102位于第二子掩模板103的上方。
[0043]圖3是本實用新型的一個實施例包含的有機發(fā)光顯示器件蒸鍍用掩模板的俯視圖。圖3中包含框架201，框架201上設(shè)置有第一子掩模板202和第二子掩模板203?？蛇x地，第一子掩模板202是起支撐作用的支撐掩模板(support mask),尤其在大尺寸OLED器件的制備過程中，由于掩模板的尺寸較大，容易在重力的影響下發(fā)生變形，支撐掩模板可以給大尺寸掩模板以支撐力，從而消除大尺寸掩模板的變形。請參照圖4，圖4是本實用新型的一個實施例包含的有機發(fā)光顯示器件蒸鍍用掩模板的俯視圖。圖4中還包含第三子掩模板206,第三子掩模板206覆蓋在第一子掩模板202及第二子掩模板203上方?？蛇x地,第三子掩模板206是分區(qū)掩模板(divided mask),分區(qū)掩模板206將這個基板分成蒸鍍區(qū)域與非蒸鍍區(qū)域，其允許有機物沉積到蒸鍍區(qū)域，阻止有機物沉積到非蒸鍍區(qū)域，一般來講，蒸鍍區(qū)域是有機發(fā)光的像素單元區(qū)域。可選地，第二子掩模板203是起遮蔽作用的遮蔽掩模板(cover mask),而遮蔽掩模板203則遮擋在兩個相鄰分區(qū)掩模板206之間,其作用是防止有機物蒸鍍到相鄰分區(qū)掩模板206中間的非蒸鍍區(qū)域。通過上述三種掩模板的作用，蒸發(fā)室中從蒸發(fā)源中蒸發(fā)出來的有機物氣體蒸鍍于有機發(fā)光裝置中，尤其形成紅、綠、藍有機層及空穴傳輸層(HTL)?？蛇x地，第一子掩模板或第二子掩模板或第三子掩模板的材料為金屬。
[0044]請參照圖5a，是本實用新型圖3沿D_D’的剖視圖。在掩模板張網(wǎng)工藝中，由于分區(qū)掩模板需要設(shè)置在框架201、第一子掩模板202、第二子掩模板203的上方，為了保證張網(wǎng)的精度，需要保證下方掩模板的平坦度。因此，本實施例中，框架201與第一子掩模板202、第二子掩模板203接觸處都設(shè)置有凹槽，使它們位于同一個平面上，其中，可選地，第一子掩模板202、第二子掩模板203均采用焊接的方式固定在框架201上，例如點焊、縫焊等方法。本實用新型中，第一子掩模板202在與第二子掩模板203交叉處，設(shè)置有第一凹槽204，第一凹槽204能夠收納第二子掩模板，可選地，第一凹槽204的寬度大于或等于第二子掩模板203的寬度。例如，第二子掩模板的寬度為4mm，則第一凹槽204的寬度為4_15mm。這樣的設(shè)置使得第一凹槽能夠?qū)⒌诙友谀０迩度氲桨疾壑?，使得第一子掩模?02和第二子掩模板203交叉處高度降低，平坦度增加?？蛇x地，第一凹槽寬度等于第二子掩模板的寬度，二者結(jié)合牢固，不易變形；可選地，第一凹槽寬度大于第二子掩模板的寬度，此時更有利于二者組裝。一般來說，凹槽的深度越大，提高平坦度的程度越大，第一凹槽204的高度小于第一子掩模板202的高度。例如，第一子掩模板202的高度為60 μ m，則第一凹槽204的高度大于O小于60 μ m?？蛇x地，第一凹槽204的高度是第一子掩模板202高度的一半?？蛇x地，第一凹槽204的寬度范圍是2-20mm，第一凹槽204的高度范圍是10 μ m-60 μ m。
[0045]在現(xiàn)有技術(shù)中，第一子掩模板和第二子掩模板交叉處的高度是第一子掩模板和第二子掩模板高度之和(圖2c)，掩模板鋪設(shè)的平坦度對張網(wǎng)工藝有較大的影響，掩模板鋪設(shè)得越平坦，張網(wǎng)精度越高，蒸鍍的良率也越高。本實用新型中，通過在交叉處設(shè)置凹槽，使得交叉處的總高度降低，與非交叉處的高度保持平齊，這樣能夠提高掩模板鋪設(shè)的平坦度，提高張網(wǎng)精度，提高蒸鍍良率。
[0046]請參照圖5c，是本實用新型的圖3沿E-E’的剖視圖?？蛇x地，本實用新型中，第二子掩模板203在與所述第一子掩模板202交叉處，設(shè)置有第二凹槽205，第二凹槽205能夠收納第一子掩模板202?？蛇x地，所述第二凹槽205的寬度大于或等于所述第一子掩模板202的寬度。例如，第一子掩模板的寬度為17mm，則第二凹槽205的寬度為17_25mm。這樣的設(shè)置使得第二凹槽能夠?qū)⒌谝蛔友谀０迩度氲桨疾壑?，使得第一子掩模?02和第二子掩模板203交叉處高度降低，平坦度增加?？蛇x地，第二凹槽寬度等于第一子掩模板的寬度，二者結(jié)合牢固，不易變形；可選地，第二凹槽寬度大于第一子掩模板的寬度，組裝難度低。凹槽的深度越大，提高平坦度的程度越大，第二凹槽205的高度小于第二子掩模板203的高度。例如，第二子掩模板203的高度為60 μ m,則第二凹槽205的高度大于O小于60 μ m?？蛇x地，第二凹槽205的高度是第二子掩模板203高度的一半?？蛇x地，第二凹槽205的寬度范圍是10-30mm，第二凹槽205的高度范圍是10 μ m-60 μ m。
[0047]請參照圖5b、圖5d，為本實用新型的一個實施例，可選地，第一凹槽204和第二凹槽205相互配合使用?？蛇x地，第一凹槽204和第二凹槽205高度之和等于所述第一子掩模板202和所述第二子掩模板203高度之和的二分之一。此時，第一子掩模板202與第二子掩模板203在二者交叉處的高度剛好等于第一子掩模板202和第二子掩模板203非交叉位置的高度，能夠有效地保證第一子掩模板202與第二子掩模板203位于同一平面上，保證了掩模板張網(wǎng)的平坦度，從而使蒸鍍的精度更加精確，例如，第一子掩模板202和第二子掩模板203的高度都是60 μ m,那么第一凹槽204的高度設(shè)置為20 μ m,第二凹槽205的高度設(shè)置為40 μ m,此時如圖5b所不,第一子掩模板202和第二子掩模板203在二者交叉處呈一個平面。可選地，第一凹槽204的高度是第一子掩模板202高度的一半，且第二凹槽204的高度是第二子掩模板203高度的一半，例如第一子掩模板202和第二子掩模板203的高度都是60 μ m,則第一子掩模板202和第二子掩模板203的高度都設(shè)置為30 μ m。這樣可以保證第一凹槽204和第二凹槽205的深度相同，在凹槽制作過程中，二者可以采用相同的工藝參數(shù)，在相同的時間內(nèi)完成，節(jié)省工藝時間。
[0048]可選地，第一凹槽204和第二凹槽205采用藥液刻蝕的方法形成。藥液刻蝕精確，可以有效防止精度偏差造成的掩模板不均勻?？蛇x地，第一凹槽204和第二凹槽205采用半刻蝕的方法制成。
[0049]可選地，第一凹槽或第二凹槽的截面，至少有一條邊為斜線或臺階狀或曲線。請參照圖6a、6b，為本實用新型的一個實施例。在本實用新型的一個實施例中，第一凹槽304與第二凹槽305分別設(shè)置在第一子掩模板302和第二子掩模板303中，第一凹槽304與第二凹槽305的截面形狀為楔形。楔形相比于其他形狀，具有如下好處:保證遮蔽掩模板和支撐掩模板為一整體，提高遮蔽掩模板和支撐掩模板的組裝精度，減少框架機械加工精度低的風(fēng)險，平穩(wěn)支撐分區(qū)掩模板；在兩個掩模板組裝的過程中，楔形凹槽組裝時朝外的開口寬度大，因此可以更容易地實現(xiàn)對位，即使凹槽加工精度相對較低，也容易組裝?？蛇x地，楔形凹槽的斜邊與水平邊的夾角為45° -70°。斜邊的夾角越大，子掩模板之間越容易組裝，但是同時子掩模板間組裝結(jié)合強度弱，彼此容易發(fā)生移位，容易變形。斜邊的夾角越小，子掩模板的組裝結(jié)合強度高，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，不易變形，但是同時對加工精度的要求較高，組裝較為困難。本實用新型中，經(jīng)過大量實驗驗證，發(fā)現(xiàn)楔形的斜邊的夾角為45° -70°時，最有利于子掩模板之間的配合?？蛇x地，楔形的斜邊的夾角為45° -55°。在圖6a中，第一凹槽304的較寬的水平邊的寬度大于或等于第二子掩模板的寬度，可選地，第一凹槽304的較寬的水平邊的寬度等于第二子掩模板的寬度，此時可實現(xiàn)二者的精準(zhǔn)配位。可選地，第一凹槽304的較寬水平邊寬度比較窄水平邊的寬度大400 μ m。在圖6b中，第二凹槽305的較寬的水平邊的寬度大于或等于第一子掩模板的寬度，可選地，第二凹槽305的較寬的水平邊的寬度等于第一子掩模板的寬度，此時可實現(xiàn)二者的精準(zhǔn)配位?？蛇x地，第二凹槽305的較寬水平邊寬度比較窄水平邊的寬度大400 μ m。
[0050]請參照圖7a及圖7b，為本實用新型的一個實施例，在本實施例中，本實用新型所述的凹槽的至少一個表面為粗糙表面。粗糙表面的實現(xiàn)方式可以是在表面設(shè)置微小的凹凸結(jié)構(gòu)，也可以是在表面增加一層摩擦力較大的材料。在圖7a中，第一子掩模板402的第一凹槽404的上表面具有多個微凹槽407，微凹槽407的存在使得其所在表面的粗糙度增大。圖7b中，第二子掩模板403的第二凹槽405下表面具有多個與圖7a中所述的微凹槽407相配合的微凸起408。當(dāng)?shù)谝蛔友谀０?02與第二子掩模板403裝配時，凹凸表面配合在一起，增大摩擦力，使得第一子掩模板402與第二子掩模板403不容易相對發(fā)生滑動，確保裝配精度。需要說明的是，本實施例中的微凹槽及微凸起的形狀包含但不局限于圖中所示的形狀，只要是能起到配合作用的凹凸形狀，都在本實用新型的思想之內(nèi)。此外，圖中所示的微凹槽及微凸起的尺寸只是一個示意，實際的微凹槽及微凸起的尺寸可以是更微小的不平整表面，例如磨砂表面，也可以是更大微凸起、微凹槽。此外，本實施例中所述的凹槽形狀包含但不限于圖中的形狀，也可以是本實用新型包含的任何一種形狀。
[0051]請參照圖8，為本實用新型的一個實施例，在本實施例中，第一凹槽504與第二凹槽505的截面形狀為臺階狀，臺階狀的凹槽可以保證第一子掩模板與第二子掩模板更好地相互嵌合在一起，位置固定，從而保證了掩模板的設(shè)置精度。
[0052]請參照圖9，為本實用新型的一個實施例，在本實施例中，第一凹槽604與第二凹槽605的截面兩側(cè)的邊為圓弧狀，圓弧狀有利于提高加工精度。
[0053]本實用新型還包含一種有機發(fā)光顯示面板，包含有機層，所述有機層是采用上述掩模板蒸鍍制成的。
[0054]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種掩模板,其特征在于,包含: 第一子掩模板； 第二子掩模板，與所述第一子掩模板交叉設(shè)置； 所述第一子掩模板在與所述第二子掩模板交叉區(qū)域，設(shè)置有第一凹槽，所述第一凹槽能收納第二子掩模板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第二子掩模板在與所述第一子掩模板交叉處，設(shè)置有第二凹槽，所述第二凹槽與所述第一凹槽配合，收納所述第一子掩模板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽高度之和等于所述第一子掩模板和所述第二子掩模板高度之和的二分之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽中的的至少一個平面是不平整表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一凹槽或所述第二凹槽的截面，至少有一條邊為斜線或臺階狀或曲線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掩模板，其特征在于，所述第一凹槽或所述第二凹槽的截面形狀為楔形。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩模板，其特征在于，所述楔形的斜邊與水平邊的夾角為45。-70。。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，還包含框架，所述第一子掩模板和所述第二子掩模板的兩端固定在所述框架上。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一凹槽或/和所述第二凹槽的高度范圍為10-60 μ m。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一凹槽的寬度范圍為2-20mm或/和所述第二凹槽的寬度范圍為10-30mm。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一凹槽或所述第二凹槽采用半刻蝕的方法制成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板還包含第三子掩模板，所述第三子掩模板覆蓋于所述第一子掩模板和所述第二子掩模板上方。
13.一種有機發(fā)光顯示面板，包含有機層，其特征在于，所述有機層采用如權(quán)利要求1所述的掩模板蒸鍍制成。
【文檔編號】H01L51/56GK203960317SQ201420376204
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2014年7月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月8日
【發(fā)明者】孫田雨, 葉添昇, 畢德鋒 申請人:上海天馬有機發(fā)光顯示技術(shù)有限公司, 天馬微電子股份有限公司