專利名稱:Tft-lcd玻璃基板用清洗墊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及用于對(duì)TFT-LCD(薄膜晶體管液晶顯示器Thin film Transistor Liquid Crystal Display)用玻璃基板等平板型玻璃制品的表面進(jìn)行清洗的清洗墊,特別涉及用于清洗平板型玻璃制品表面上附著的顆粒狀或液狀異物的清洗墊。
背景技術(shù):
一般,在制造TFT-IXD用玻璃基板時(shí),此玻璃基板要經(jīng)過清洗工序來清洗在制造過程中附著在其表面的異物。在該清洗工序中主要使用清洗墊,該清洗墊通過介于玻璃基板等被清洗制品表面之間的液狀的清洗劑并使它們發(fā)生相互摩擦接觸來對(duì)被清洗制品的表面進(jìn)行清洗。這樣的清洗墊通常呈圓盤狀,并包括由多個(gè)凹槽劃分成的多個(gè)單元格,所述多個(gè)凹槽間隔一定的間隔規(guī)則地形成于清洗墊表面。并且,劃分所述單元格而形成的凹槽是決定清洗性能的重要因素,清洗性能諸如在被清洗制品的清洗過程中所供給的液狀清洗劑的流動(dòng)以及液狀清洗劑中包含的被處理顆粒的排出等。所述凹槽的圖案會(huì)給被清洗制品的清洗效率帶來重大的影響?,F(xiàn)有的清洗墊中,所述凹槽以同心圓狀或格子狀的圖案形成于清洗墊表面。但是, 如上所述的現(xiàn)有清洗墊由于各個(gè)凹槽之間的寬度大,因而在被清洗制品的清洗操作時(shí)將局部產(chǎn)生未被清洗的未清洗區(qū)域,使液狀的清洗劑的流動(dòng)和分配不均勻,不能有效地清洗被清洗制品的表面。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種清洗墊,該清洗墊通過在清洗被清洗制品時(shí)引導(dǎo)液狀的清洗劑使其充分地流經(jīng)整個(gè)清洗墊表面,并使其均勻地供應(yīng)給被清洗制品的清洗區(qū)域,從而能夠提供良好的清洗面。本實(shí)用新型的另一目的在于提供一種清洗墊,該清洗墊通過避免產(chǎn)生未被清洗的未清洗區(qū)域,能夠提高清洗操作的效率,且制作簡便。本實(shí)用新型的又一目的在于提供一種清洗墊,該清洗墊的多個(gè)單元格包括具有不同突出高度的2種類型,從而總是能夠獲得均勻的清洗面。為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型的清洗墊在其平板型主體表面具有形狀相同的多個(gè)單元格,所述多個(gè)單元格由多個(gè)第1凹槽和第2凹槽劃分而成,所述第1凹槽和第2凹槽以一定的深度縱橫交錯(cuò)地形成于主體的表面,所述第1凹槽是具有一定的振幅且以一定的間隔連續(xù)配置的波狀凹槽,第2凹槽是具有一定的振幅且在與所述第1凹槽交叉的方向上相隔一定的間隔連續(xù)配置的多個(gè)波狀凹槽。所述第1凹槽被形成為相鄰的各第1凹槽間的間隔小于第1凹槽的振幅,所述第2 凹槽被形成為相鄰的各第2凹槽間的間隔小于第2凹槽的振幅。優(yōu)選地,所述第1凹槽和第2凹槽具有0. 3 2. Omm的寬度,0. 3 1. 5mm的深度,且以2. 0 20. Omm的間隔進(jìn)行配置。而且,優(yōu)選地,由第1凹槽和第2凹槽所形成的各單元格具有相對(duì)于表面呈45 90° 角的傾斜的側(cè)壁。另外,本實(shí)用新型的清洗墊由含有30. 0 65. 0重量%的合成樹脂、30. 0 65. 0 重量%的研磨顆粒和1. 0 5. 0重量%的添加劑的組成物模制而成。所述樹脂含有聚氨酯或環(huán)氧樹脂中的至少一種。所述研磨顆粒優(yōu)選使用顆粒大小為0. 3 5. 0 μ m的AL203、SiC、 ZrO2, CeO2, SiO2, Fe203> Cr2O3> CBN、人造金剛石粉末中的至少一種。本實(shí)用新型的清洗墊的制造方法包括制作主模的步驟,在金屬模具的表面縱橫交錯(cuò)地形成具有一定振幅的多個(gè)波狀凹槽來制作主模;在所述主模的表面覆蓋脫模劑的步驟;復(fù)制模成形的步驟,在覆蓋了脫模劑的主模上涂布一定厚度的熔融硅或合成樹脂并使其固化,形成具有與主模逆向?qū)?yīng)的形狀的復(fù)制模;清洗墊成形的步驟,將熔融的清洗墊組成物涂布于復(fù)制模上后使其固化,從而模制清洗墊;清洗墊加工步驟,將模制成的清洗墊從復(fù)制模上剝離,并切成一定的大小和形狀。優(yōu)選使用硅和聚乙烯作為所述復(fù)制模用合成樹脂,而且,使用由鋁合金制成的平板作為所述主模。所述清洗墊組成物含有30. 0 65. 0重量%的合成樹脂、30. 0 65. 0重量%的研磨顆粒和1. 0 5. 0重量%的添加劑,所述合成樹脂含有聚氨酯或環(huán)氧樹脂中的至少一種, 所述研磨顆粒包括顆粒大小為0. 3 5. 0 μ m的AL203、SiC、ZrO2, CeO2, SiO2, Fe2O3> Cr2O3> CBN、人造金剛石粉末中的至少一種。另外,在主模上形成凹槽時(shí),將凹槽形成為具有不同深度的2種凹槽,且反復(fù)交替地形成具有不同深度的2種凹槽,這樣,由該主模復(fù)制、模制成的清洗墊的各單元格包括具有不同突出高度的2種類型。因此,在清洗被清洗制品時(shí),即使清洗墊發(fā)生局部磨損,各單元格整體上也能維持一定的突出高度,從而提供均勻平坦的清洗面。根據(jù)本實(shí)用新型,通過凹槽的獨(dú)特圖案,多個(gè)單元格能夠?qū)⒈磺逑粗破氛w均勻地清洗而不出現(xiàn)未清洗區(qū)域,使清洗的質(zhì)量和精度提高。另外,凹槽形成為波狀,通過適當(dāng)?shù)匮舆t清洗劑的流動(dòng)能夠使清洗劑均勻且穩(wěn)定地分配到被清洗制品的表面,從而進(jìn)一步提高清洗的質(zhì)量和精度。而且,根據(jù)本實(shí)用新型的清洗墊的制造方法,能夠簡便且精密地制作清洗墊,能夠使制造工藝簡單從而節(jié)約制造成本。
圖1是本實(shí)用新型的清洗墊的立體圖。圖2是本實(shí)用新型的清洗墊的俯視圖。圖3是本實(shí)用新型的清洗墊局部放大表示的俯視圖。圖4是沿圖3的線A-A,的截面圖。圖5是本實(shí)用新型清洗墊另一實(shí)施例的局部放大表示的俯視圖。圖6是沿圖5的線A-A,的截面圖。圖7是本實(shí)用新型的清洗墊的制造方法的工序流程圖。圖8是概略地表示本實(shí)用新型的清洗墊的制造工序的圖。符號(hào)說明
4[0026]10清洗墊[0027]20主體[0028]30第1凹槽[0029]40第2凹槽[0030]50單元格[0031]60主模[0032]70復(fù)制模
具體實(shí)施方式
下面,參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說明。如圖1和圖2所示,本實(shí)用新型的清洗墊10包括具有一定厚度的圓盤狀主體20。所述主體20由30. 0 65. 0重量%的合成樹脂、30. 0 65. 0重量%的研磨顆粒和1. 0 5. 0重量%的添加劑混合而成的組成物模制而成。在這里,合成樹脂優(yōu)選為聚氨酯或環(huán)氧樹脂中的任意一種。研磨顆粒包括顆粒大小為 0. 3 5. Oym 的 AL203、SiC、&02、Ce02、Si02、Fe203、Cr203、CBN、人造金剛石粉末中的至少一種。另一方面,在作為主體20的成分的研磨顆粒、合成樹脂和添加劑脫離上述規(guī)定的數(shù)值范圍的情況下,難以確保晶圓和玻璃基板的清潔性,清洗效率相對(duì)降低,如果研磨顆粒的顆粒大小脫離上述規(guī)定的數(shù)值范圍,則在單元格50的強(qiáng)度方面將產(chǎn)生問題。如圖1所示,所述主體20的表面包括形成一定圖案的多個(gè)單元格50。所述單元格 50是由多個(gè)第1凹槽30和第2凹槽40劃分而成,第1凹槽30和第2凹槽40以一定的深度d縱橫交錯(cuò)地形成于主體20表面。如圖3所示,所述第1凹槽30由具有一定的周期和振幅H的波狀凹槽構(gòu)成。第1 凹槽30是相隔一定的間隔P反復(fù)地形成于主體20的表面的多個(gè)波狀凹槽,所述第2凹槽 40是具有一定的振幅H且相隔一定的間隔P在與所述第1凹槽30交叉的方向上反復(fù)地配置的多個(gè)波狀凹槽。所述各第1凹槽30之間的間隔P被形成為小于第1凹槽30的波狀的振幅H,所述各第2凹槽40之間的間隔P也被形成為小于第2凹槽40的波狀的振幅H。利用這樣各凹槽形成的圖案,能夠在被清洗制品的清洗時(shí)通過凹槽避免產(chǎn)生未被清洗的部分(未清洗區(qū)域),進(jìn)行均勻的清洗。另外,在為了進(jìn)行清洗而旋轉(zhuǎn)清洗墊時(shí),這樣的波狀凹槽與直線狀的凹槽圖案相比,能夠增加清洗液(液狀的清洗劑)在凹槽中的滯留時(shí)間,能夠穩(wěn)定地供給或分配液狀清洗劑。另一方面,如圖3 圖6所示,各單元格50的緣部側(cè)壁以相對(duì)于主體20的水平方向呈45 90°角度的傾斜方式形成,各單元格50的上表面由平坦的平面構(gòu)成,以便與被清洗制品進(jìn)行摩擦接觸來進(jìn)行清洗。圖3和圖4是表示單元格50的側(cè)壁以大致90°角形成的狀態(tài)的圖,圖5和圖6是表示單元格50的側(cè)壁以大致45°角形成的狀態(tài)的圖。單元格50的側(cè)壁的傾斜角度用于有效地引導(dǎo)液狀清洗劑和被處理顆粒的移送和排出,該角度脫離45 90°的范圍時(shí),清洗的效率將相對(duì)降低。[0044]而且,單元格50的上表面用于防止被清洗制品產(chǎn)生劃痕。優(yōu)選地,第1和第2凹槽30、40的寬度w為0. 3 2. Omm,深度為0. 3 1. 5mm,各
凹槽間的間隔為2. 0 20. 0mm。這是為了對(duì)玻璃基板進(jìn)行精密地清洗,如果脫離這個(gè)數(shù)值范圍,就會(huì)存在清潔性相對(duì)降低的缺點(diǎn)。作為本實(shí)用新型清洗墊的另一實(shí)施例,由所述第1凹槽和第2凹槽劃分成的各單元格可以構(gòu)成為具有不同高度的2種單元格且該2種單元格反復(fù)交替地進(jìn)行配置。在這種情況下,能夠克服因整個(gè)清洗墊表面上清洗墊與被清洗制品之間的接觸力發(fā)生偏差而導(dǎo)致的清洗墊磨損量的局部偏差。圖7是制造本實(shí)用新型的清洗墊的方法的工序流程圖,圖8是概略地表示本實(shí)用新型的清洗墊的制造方法的工序的概要示意圖。參照?qǐng)D7和圖8,本實(shí)用新型的清洗墊的制造方法包括主模制作步驟(Si),在由金屬制成的模具表面上相互交叉地形成多個(gè)第1凹槽和第2凹槽來制作主模,所述主模具有與所要制造的清洗墊的圖案形狀相同的圖案;復(fù)制模制作步驟(S2),將熔融的合成樹脂以一定的厚度涂布在主模上并使其固化后(S2-1), 從主模上剝離來制造復(fù)制模,所述復(fù)制模具有與清洗墊逆對(duì)應(yīng)的形狀;清洗墊成形步驟 (S3),將熔融的清洗墊組成物以一定的厚度涂布于所述復(fù)制模上,在所涂布的組成物固化前層疊軟性的支撐體,在支撐體附著的狀態(tài)下使清洗墊組成物固化,從而形成具有與主模相同的形狀和圖案的清洗墊;清洗墊剝離步驟(S4),將成形的清洗墊與支撐體一起從復(fù)制模上剝離;清洗墊加工步驟(S5),將剝離的清洗墊切割、加工成預(yù)定的形狀。在利用前述方法加工成的清洗墊的背面(支撐體附著的面)還可以另行附著聚氨酯、橡膠等彈性的基墊。這里,優(yōu)選地,使用鋁合金的板材作為上述主模。而且,優(yōu)選地,使用無粘性的硅或聚乙烯作為所述復(fù)制模的成形材料。另外,清洗墊組成物包含30. 0 65. 0重量%的合成樹脂、30. 0 65. 0重量%的研磨顆粒和1. 0 5. 0重量%的添加劑。這里,使用聚氨酯或環(huán)氧樹脂中的至少一種作為合成樹脂,使用顆粒大小為 0. 3 5. 0 μ m 的 AL203、SiC、ZrO2, CeO2, SiO2, Fe2O3> Cr2O3> CBN、 人造金剛石粉末中的至少一種作為研磨顆粒。
權(quán)利要求1.一種清洗墊,其特征在于,在平板型主體00)的表面具有多個(gè)相同形狀的單元格(50),所述多個(gè)單元格(50)由多個(gè)第1凹槽(30)和第2凹槽00)劃分而成,所述多個(gè)第1 凹槽和第2凹槽以一定的深度縱橫交錯(cuò)地形成于主體00)的表面,所述第1凹槽(30)是具有一定的振幅(H)且以一定的間隔(P)連續(xù)配置的波狀凹槽, 所述第2凹槽是具有一定的振幅(H)且在與所述第1凹槽(30)交叉的方向上相隔一定的間隔(P)連續(xù)配置的多個(gè)波狀凹槽。
2.如權(quán)利要求1所述的清洗墊,其特征在于,彼此相鄰的2個(gè)第1凹槽(30)間的間隔(P)被形成為小于第1凹槽的振幅(H),彼此相鄰的2個(gè)第2凹槽00)間的間隔⑵被形成為小于第2凹槽的振幅(H)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的清洗墊,其特征在于,所述第1凹槽(30)和第2凹槽00)具有0. 3 2. Omm的寬度和0. 3 1. 5mm的深度, 且和相鄰的凹槽以2. 0 20. Omm的間隔(P)進(jìn)行配置。
專利摘要提供一種清洗墊,在清洗被清洗制品時(shí)通過引導(dǎo)液狀清洗劑使其在整個(gè)清洗墊表面有利地流動(dòng),均勻地供應(yīng)給被清洗制品的清洗區(qū)域,從而能夠提供良好的清洗面。清洗墊構(gòu)成如下,在平板型主體(20)的表面具有形狀相同的多個(gè)單元格(50),多個(gè)單元格(50)由多個(gè)第1凹槽(30)和第2凹槽(40)劃分而成,第1凹槽和第2凹槽以一定的深度縱橫交錯(cuò)地形成于主體的表面,第1凹槽(30)是具有一定的振幅(H)且以一定的間隔(P)連續(xù)配置的波狀凹槽,第2凹槽(40)是具有一定的振幅(H)且在與第1凹槽(30)交叉的方向上相隔一定的間隔(P)連續(xù)配置的多個(gè)波狀凹槽。
文檔編號(hào)B08B11/04GK201950054SQ201020547858
公開日2011年8月31日 申請(qǐng)日期2010年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月29日
發(fā)明者全潤鎮(zhèn), 文德柱, 裴璋鎬 申請(qǐng)人:Mck有限公司