專利名稱：破碎基板的裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器制造領(lǐng)域，特別涉及一種破碎基板的裝置和方法。
背景技術(shù)：
在液晶顯示器制造過程中，對于不良的基板和已達(dá)到使用次數(shù)無法再利用的測試 用基板(或稱DUMMY基板)，通常需要進(jìn)行破碎處理后再收集利用。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中破碎基板的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1中A-A向剖視圖，如 圖1和圖2所示，該裝置包括封閉室1、支架2、旋轉(zhuǎn)桿3、第二驅(qū)動(dòng)裝置4、漏斗裝置5和封 閉門6，其中，為清楚表示封閉室1的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，圖1中未畫出封閉門。支架2設(shè)置于封閉室 1的內(nèi)壁上，用于支撐待破碎的基板7，支架2的數(shù)量可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，圖1和圖2中所 示為十個(gè)支架2。旋轉(zhuǎn)桿3設(shè)置于封閉室1的內(nèi)壁上，在封閉室1 一例的內(nèi)壁上每二個(gè)支架 2之間設(shè)置一個(gè)旋轉(zhuǎn)桿3，旋轉(zhuǎn)桿3用于擊碎基板7。為配合旋轉(zhuǎn)桿3，在封閉室1的外部設(shè) 置有第二驅(qū)動(dòng)裝置4，每一側(cè)的旋轉(zhuǎn)桿3配置一個(gè)第二驅(qū)動(dòng)裝置4，每個(gè)第二驅(qū)動(dòng)裝置4可 以驅(qū)動(dòng)4個(gè)旋轉(zhuǎn)桿3。漏斗裝置5與封閉室1的底部連通，用于使破碎后的基板7到達(dá)封閉 室1所在的凈化間之外。具體地，開啟封閉門6，將待破碎的基板7放置于封閉室1中的支 架2上，一次只能放置一個(gè)基板7 ；關(guān)閉封閉門6，第二驅(qū)動(dòng)裝置4驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)桿3向垂直方向 旋轉(zhuǎn)，擊碎支架2上的基板7，形成基板碎片；基板碎片落入漏斗裝置5中，再通過漏斗裝置 5將基板碎片輸送到封閉室1所在的凈化間之外。至此完成一個(gè)基板的破碎過程。但是，現(xiàn)有技術(shù)中的破碎基板的裝置存在如下問題破碎基板的裝置一次只能破 碎一個(gè)基板，導(dǎo)致該裝置破碎基板的效率低；破碎基板的裝置置于凈化間內(nèi)，當(dāng)利用該裝置 破碎基板時(shí)會產(chǎn)生粉塵，每對一個(gè)基板進(jìn)行破碎時(shí)都需要打開一次封閉門將基板放置入封 閉室內(nèi)，這樣頻繁的打開封閉門粉塵就會泄露到凈化間，造成凈化間中灰塵(Particle)數(shù) 量上升，產(chǎn)生Particle污染，從而增加產(chǎn)品不良。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)中的問題，提出一種破碎基板的裝置和方法，從而 提高破碎基板的效率以及減少因Particle污染而產(chǎn)生的產(chǎn)品不良。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種破碎基板的裝置，包括封閉室、設(shè)置于所述封閉室內(nèi)壁上的至少一層支撐裝置、穿設(shè)于所述封閉室頂部的垂直桿、設(shè)置于所述封閉室上 方的第一驅(qū)動(dòng)裝置和與所述封閉室底部連通的漏斗裝置；每層所述支撐裝置用于支撐至 少一個(gè)基板；所述第一驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)所述垂直桿向下移動(dòng)擊碎所述每層支撐裝置支撐的基 板，形成的基板碎片落入所述漏斗裝置，所述漏斗裝置使所述基板碎片到達(dá)所述封閉室所 在的凈化間之外。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種破碎基板的方法，包括將至少一個(gè)基板放置于封閉室內(nèi)的支撐裝置上；第一驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)垂直桿向下移動(dòng)擊碎每層支撐裝置上放置的基板，形成基板碎片；所述基板碎片落入所述漏斗裝置，并通過所述漏斗裝置到達(dá)所述封閉室所在的凈化間之外。本發(fā)明的技術(shù)方案中通過第一驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)垂直桿由上至下移動(dòng)，一次可擊碎多 個(gè)基板，從而提高了破碎基板的效率；同時(shí)本發(fā)明中的封閉室一次可放置多個(gè)基板進(jìn)行破 碎處理，在破碎相同數(shù)量基板的情況下可減少開啟封閉門的次數(shù)，從而減少了泄露到凈化 間的Particle的數(shù)量，降低了因Particle污染而產(chǎn)生的產(chǎn)品不良。下面通過附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中破碎基板的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中A-A向剖視圖；圖3為本發(fā)明破碎基板的裝置實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為圖3中B-B向剖視圖；圖5為圖3中C-C向剖視圖；圖6為圖3中的破碎基板的裝置的工作示意圖；圖7為本發(fā)明破碎基板的裝置實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為圖7中D-D向剖視圖；圖9為圖7中破碎基板的裝置的工作示意圖之一；圖10為圖7中破碎基板的裝置的工作示意圖之二 ；圖11為本發(fā)明破碎基板的裝置實(shí)施例三的結(jié)構(gòu)示意圖；圖12為圖11中E-E向剖視圖；圖13為圖11中破碎基板的裝置的工作示意圖之一；圖14為圖11中破碎基板的裝置的工作示意圖之二 ；圖15為本發(fā)明破碎基板的方法實(shí)施例一的流程圖；圖16為本發(fā)明破碎基板的方法實(shí)施例二的流程圖。
具體實(shí)施例方式圖3為本發(fā)明破碎基板的裝置實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所示，該裝置包括封 閉室1、支撐裝置、垂直桿8、第一驅(qū)動(dòng)裝置9和漏斗裝置5。至少一層支撐裝置設(shè)置于封閉 室1的內(nèi)壁上，圖3中所示為四層支撐裝置；垂直桿8穿設(shè)于封閉室1的頂部；第一驅(qū)動(dòng)裝 置9設(shè)置于封閉室1的上方；漏斗裝置5與封閉室1的底部連通。每層支撐裝置可以支撐 至少一個(gè)基板7，本實(shí)施例為每層支撐裝置支撐一個(gè)基板7 ；第一驅(qū)動(dòng)裝置9驅(qū)動(dòng)垂直桿8 向下移動(dòng)擊碎每層支撐裝置支撐的基板7，形成的基板碎片落入漏斗裝置5，漏斗裝置5可 以使基板碎片到達(dá)封閉室1所在的凈化間之外。具體地，漏斗裝置5可以與連接到凈化間 之外的管道連通，以實(shí)現(xiàn)使基板碎片直接到達(dá)凈化間之外。本實(shí)施例中，基板可以為玻璃基板；垂直桿8的材料可以為金屬。本實(shí)施例中，每層支撐裝置可包括相對設(shè)置于封閉室1內(nèi)壁上的多個(gè)支架2，而每 列支架2包括每層支撐裝置同一位置的支架2。結(jié)合圖4所示，圖4為圖3中B-B向剖視圖，圖4中所示的為一層支撐裝置，該層支撐裝置包括相對設(shè)置于封閉室1內(nèi)壁上的十個(gè)支 架2，而圖3中所示的每列支架2則包括四個(gè)支架2。本實(shí)施例中，封閉室1設(shè)置有封閉門。圖3中所示的為封閉室1的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，因此 圖3中封閉室1的封閉門未示出。為清楚的表示出封閉門的位置，在圖3的剖視4中 示出了封閉門6。每次對基板7進(jìn)行破碎時(shí)，首先需要開啟封閉門6，再將待破碎的基板7 依次放置于封閉室1的每層支撐裝置的支架2上，圖4中位于從上向下第二層的支架2上 放置一個(gè)基板7。本實(shí)施例中，第一驅(qū)動(dòng)裝置9包括二個(gè)驅(qū)動(dòng)氣缸，該二個(gè)驅(qū)動(dòng)氣缸可用于驅(qū)動(dòng)多 個(gè)垂直桿8。為使破碎基板的效果更好，垂直桿8可設(shè)置為多個(gè)，具體可參見圖5，圖5為圖 3中C-C向剖視圖，封閉室1的頂部設(shè)置了十個(gè)垂直桿8，該十個(gè)垂直桿8均是由第一驅(qū)動(dòng) 裝置9驅(qū)動(dòng)，具體地，該十個(gè)垂直桿8均是由二個(gè)驅(qū)動(dòng)氣缸共同驅(qū)動(dòng)。圖6為圖3中的破碎基板的裝置的工作示意圖，如圖6所示，第一驅(qū)動(dòng)裝置9驅(qū)動(dòng) 垂直桿8快速向下移動(dòng)擊碎支架2支撐的四個(gè)基板7，形成的基板碎片11落入漏斗裝置5， 漏斗裝置5使基板碎片11到達(dá)封閉室1所在的凈化間之外。本實(shí)施例的破碎基板的裝置通過第一驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)垂直桿由上至下移動(dòng)，一次可 擊碎多個(gè)基板，從而提高了破碎基板的效率；同時(shí)本實(shí)施例中的封閉室一次可放置入多個(gè) 基板進(jìn)行破碎處理，在破碎相同數(shù)量基板的情況下可減少開啟封閉門的次數(shù)，從而減少了 泄露到凈化間的Particle的數(shù)量，降低了因Particle污染而產(chǎn)生的產(chǎn)品不良。圖7為本發(fā)明破碎基板的裝置實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖，圖8為圖7中D-D向剖視 圖，如圖7和圖8所示，在垂直桿8擊碎基板7后可能會在支架2上殘留基板碎片11，為進(jìn) 一步清除支架2上殘留的基板碎片11，本實(shí)施例在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上增設(shè)了旋轉(zhuǎn)桿3和第 二驅(qū)動(dòng)裝置4。旋轉(zhuǎn)桿3設(shè)置于相鄰二列支架2之間，在圖8中封閉室的一側(cè)，每二列支架 2之間設(shè)置一個(gè)旋轉(zhuǎn)桿3，共四個(gè)旋轉(zhuǎn)桿3。圖7中的旋轉(zhuǎn)桿處于初始狀態(tài)。第二驅(qū)動(dòng)裝置 4設(shè)置于封閉室1之外，用于驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)桿3向垂直方向旋轉(zhuǎn)將殘留在支架2上的基板碎片 11擊落入漏斗裝置5。圖7中垂直方向?yàn)榧埫娣较颍瑒t具體地第二驅(qū)動(dòng)裝置4驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)桿3 在垂直方向向左或向右旋轉(zhuǎn)，其中位于圖7中左側(cè)的旋轉(zhuǎn)桿3向右旋轉(zhuǎn)，位于圖7中右側(cè)的 旋轉(zhuǎn)桿3向左旋轉(zhuǎn)，從而將殘留在支架2上的基板碎片11擊落入漏斗裝置5。第二驅(qū)動(dòng)裝 置4設(shè)置于旋轉(zhuǎn)桿3所在的兩側(cè)，本實(shí)施例中第二驅(qū)動(dòng)裝置4可驅(qū)動(dòng)八個(gè)旋轉(zhuǎn)桿3，每一側(cè) 的第二驅(qū)動(dòng)裝置4可用于驅(qū)動(dòng)四個(gè)旋轉(zhuǎn)桿3。圖9為圖7中破碎基板的裝置的工作示意圖 之一，如圖9所示，第二驅(qū)動(dòng)裝置4驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)桿3旋轉(zhuǎn)將殘留在支架2上的基板碎片11擊 落入漏斗裝置5，漏斗裝置5使基板碎片11到達(dá)封閉室1所在的凈化間之外。本實(shí)施例中 旋轉(zhuǎn)桿3的材料可以為金屬。本實(shí)施例中第二驅(qū)動(dòng)裝置4可以采用旋轉(zhuǎn)氣缸或者其它類型 的可以驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)桿旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)裝置。本實(shí)施例中在利用旋轉(zhuǎn)桿3擊落殘留在支撐裝置的支架2上的基板碎片11后，在 封閉室1的內(nèi)壁上和支撐裝置的各個(gè)支架2上會殘留有大量的破碎基板時(shí)產(chǎn)生的粉塵，為 進(jìn)一步清除封閉室1 內(nèi)殘留的粉塵，本實(shí)施例中的破碎玻璃基板的裝置還可以包括設(shè)置于 封閉室1頂部的高壓噴嘴10，高壓噴嘴10可以噴出高壓氣體將殘留在封閉室1內(nèi)壁上以及 支撐裝置的各個(gè)支架2上的粉塵，吹落入漏斗裝置5，漏斗裝置5使粉塵到達(dá)封閉室1所在 的凈化間之外。另外，在利用旋轉(zhuǎn)桿3擊落殘留在支撐裝置支架2上的基板碎片11后，支架2上還可能存在未被旋轉(zhuǎn)桿3擊落的體積較小的基板碎片11，此時(shí)，高壓噴嘴10噴出的 高壓氣體還可以用于將殘留在支架2上且未被旋轉(zhuǎn)桿3擊落的基板碎片11吹落入漏斗裝 置5。圖10為圖7中破碎基板的裝置的工作示意圖之二，如圖10所示，高壓噴嘴10吹出高 壓氣體將殘留在封閉室1的內(nèi)壁上和支架2上的粉塵吹落入漏斗裝置5，粉塵在圖10中未 示出；進(jìn)一步，高壓噴嘴10吹出高壓氣體還可以將殘留在支架2上的基板碎片11吹落入漏 斗裝置5。本實(shí)施例中吹出的高壓氣體可以采用高壓氮?dú)?。本?shí)施例中采用第二驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)桿旋轉(zhuǎn)，擊落殘留在支架上的基板碎片， 從而有效解決了基板碎片在支架上殘留的現(xiàn)象；利用高壓噴嘴吹出的高壓氣體清除封 閉室內(nèi)的粉塵，從而減少開啟封閉門時(shí)泄漏到凈化間的Particle的數(shù)量，進(jìn)一步降低因 Particle污染而造成的產(chǎn)品不良。圖11為本發(fā)明破碎基板的裝置實(shí)施例三的結(jié)構(gòu)示意圖，圖12為圖11中E-E向剖 視圖，如圖11和圖12所示，與實(shí)施例二中采用旋轉(zhuǎn)桿擊落殘留在支撐裝置的支架2上的基 板碎片11不同的是，本實(shí)施例中采用旋轉(zhuǎn)刷12代替旋轉(zhuǎn)桿。旋轉(zhuǎn)刷12設(shè)置于封閉室1內(nèi) 壁上并位于每列支架2的一側(cè)，從圖12可以看出本實(shí)施例共設(shè)置了十個(gè)旋轉(zhuǎn)刷12，每一側(cè) 的第二驅(qū)動(dòng)裝置4可用于驅(qū)動(dòng)五個(gè)旋轉(zhuǎn)刷12。第二驅(qū)動(dòng)裝置4可驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)刷12向水平方 向旋轉(zhuǎn)將殘留在支架2上的基板碎片11掃落入漏斗裝置5。圖11中旋轉(zhuǎn)刷12處于初始狀 態(tài)。圖13為圖11中破碎基板的裝置的工作示意圖之一，圖14為圖11中破碎基板的裝置 的工作示意圖之二，如圖13和圖14所示，圖13和圖14中水平方向?yàn)榇怪庇诩埫娴姆较颍?則第二驅(qū)動(dòng)裝置4驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)刷12在水平方向從紙面內(nèi)向紙面外旋轉(zhuǎn)，從而將殘留在支架2 上的基板碎片11掃落入漏斗裝置5。旋轉(zhuǎn)刷12的長度可以設(shè)置為與支架2的長度相同，旋 轉(zhuǎn)刷12旋轉(zhuǎn)的角度可以為180°，即在水平方向從圖11中的初始狀態(tài)旋轉(zhuǎn)到圖13中的工 作狀態(tài)，再旋轉(zhuǎn)到圖14中的工作狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)將支架2上的基板碎片11全部掃落入漏斗 裝置5。本實(shí)施例中旋轉(zhuǎn)刷12可以采用硬毛刷。另外本實(shí)施例破碎基板的裝置中其余部件 及功能與實(shí)施例二中相同，此處不再詳細(xì)描述。本實(shí)施例中采用第二驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)刷旋轉(zhuǎn)，掃落殘留在支架上的基板碎片， 同樣可以有效解決基板碎片在支架上殘留的現(xiàn)象。需要說明的是上述破碎基板的裝置實(shí)施例二中的圖7至圖10以及實(shí)施例三中的 圖11至圖14中均應(yīng)包括如圖4中的封閉門6，上述二個(gè)實(shí)施例中為了能清楚描述出破碎基 板的裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，封閉門6均未畫出。針對上述破碎基板的裝置，本發(fā)明還提出了利用破碎基板的裝置破碎基板的方 法。圖15為本發(fā)明破碎基板的方法實(shí)施例一的流程圖，如圖15所示，本實(shí)施例可采用 圖3中破碎基板的裝置對基板進(jìn)行破碎處理，該方法包括步驟101、將至少一個(gè)基板7放置于封閉室1內(nèi)的支撐裝置上；具體地，將四個(gè)基板7從上至下依次放置于封閉室1內(nèi)的四層支架2上。步驟102、第一驅(qū)動(dòng)裝置9驅(qū)動(dòng)垂直桿8向下移動(dòng)擊碎每層支撐裝置上放置的基板7，形成基板碎片；具體地，垂直桿8 一次擊碎四層支架2支撐的四個(gè)基板7。步驟103、基板碎片落入漏斗裝置5，并通過漏斗裝置5到達(dá)封閉室1所在的凈化間之外。 本實(shí)施例的破碎基板的方法通過第一驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)垂直桿由上至下移動(dòng)，一次可 擊碎多個(gè)基板，從而提高了破碎基板的效率；同時(shí)本實(shí)施例中的封閉室一次可放置多個(gè)基 板進(jìn)行破碎處理，在破碎相同數(shù)量基板的情況下可減少開啟封閉門的次數(shù)，從而減少了泄 露到凈化間的Particle的數(shù)量，降低了因Particle污染而產(chǎn)生的產(chǎn)品不良。圖16為本發(fā)明破碎基板的方法實(shí)施例二的流程圖，本實(shí)施例可采用圖7和圖11 中破碎基板的裝置對基板進(jìn)行破碎處理，如圖16所示，該方法包括步驟201、開啟封閉室1的封閉門6，將多個(gè)待破碎的基板7依次放置于封閉室1 的支架2上；具體地，在實(shí)際操作中，將多個(gè)待破碎的基板7從上向下依次放置于封閉室1的支 架2上；步驟202、關(guān)閉封閉室1的封閉門6，第一驅(qū)動(dòng)裝置9驅(qū)動(dòng)垂直桿8快速地向下移 動(dòng)，一次擊碎所有的基板7，形成的基板碎片11落入漏斗裝置5，并通過漏斗裝置5到達(dá)封 閉室所在的凈化間之外；步驟203、第一驅(qū)動(dòng)裝置9驅(qū)動(dòng)垂直桿8上升，返回到初始狀態(tài)；步驟204、第二驅(qū)動(dòng)裝置4驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)桿3向垂直方向旋轉(zhuǎn)，將殘留在支撐裝置的支 架2上的基板碎片11擊落入漏斗裝置5，基板碎片11通過漏斗裝置5到達(dá)封閉室1所在的 凈化間之外；步驟205、第二驅(qū)動(dòng)裝置4驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)桿3旋轉(zhuǎn)回初始狀態(tài)；步驟206、高壓噴嘴10噴出高壓氣體將殘留在封閉室1內(nèi)壁上和支架2上的粉塵 吹落入漏斗裝置5，粉塵通過漏斗裝置5到達(dá)封閉室1所在的凈化間之外；進(jìn)一步高壓噴嘴10噴出的高壓氣體還可以將殘留在支架2上未被旋轉(zhuǎn)桿3擊落 的基板碎片吹落入漏斗裝置5，通過漏斗裝置5到達(dá)封閉室1所在的凈化間之外。其中，本實(shí)施例中可以利用旋轉(zhuǎn)刷代替旋轉(zhuǎn)桿，即采用圖11破碎基板的裝置對基 板進(jìn)行破碎處理，則步驟204可以為第二驅(qū)動(dòng)裝置4驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)刷12向水平方向旋轉(zhuǎn)，將殘 留在支撐裝置的支架2上的基板碎片11掃落入漏斗裝置5，基板碎片11通過漏斗裝置5到 達(dá)封閉室1所在的凈化間之外；步驟205可以為第二驅(qū)動(dòng)裝置4驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)刷12旋轉(zhuǎn)回初始 狀態(tài)。本實(shí)施例中在上述實(shí)施例一的基礎(chǔ)上采用第二驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)桿垂直旋轉(zhuǎn)擊 落殘留在支架上的基板碎片或者采用第二驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)刷水平旋轉(zhuǎn)掃落殘留在支架 上的基板碎片，從而有效解決了基板碎片在支架上殘留的現(xiàn)象；利用高壓噴嘴吹出的高壓 氣體清除封閉室內(nèi)的粉塵，從而減少開啟封閉門時(shí)泄漏到凈化間的Particle的數(shù)量，進(jìn)一 步降低因Particle污染而造成的產(chǎn)品不良。最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對其進(jìn)行限制， 盡管參照較佳實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依 然可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而這些修改或者等同替換亦不能使修 改后的技術(shù)方案脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
一種破碎基板的裝置，其特征在于，包括封閉室、設(shè)置于所述封閉室內(nèi)壁上的至少一層支撐裝置、穿設(shè)于所述封閉室頂部的垂直桿、設(shè)置于所述封閉室上方的第一驅(qū)動(dòng)裝置和與所述封閉室底部連通的漏斗裝置；每層所述支撐裝置用于支撐至少一個(gè)基板；所述第一驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)所述垂直桿向下移動(dòng)擊碎所述每層支撐裝置支撐的基板，形成的基板碎片落入所述漏斗裝置，所述漏斗裝置使所述基板碎片到達(dá)所述封閉室所在的凈化間之外。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述封閉室設(shè)置有封閉門。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，每層支撐裝置包括相對設(shè)置于所述封閉 室內(nèi)壁上的多個(gè)支架，每列支架包括每層支撐裝置同一位置的支架。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，還包括設(shè)置于所述封閉室內(nèi)壁上并位于 相鄰二列支架之間的旋轉(zhuǎn)桿以及設(shè)置于所述封閉室外的第二驅(qū)動(dòng)裝置，所述第二驅(qū)動(dòng)裝置 用于驅(qū)動(dòng)所述旋轉(zhuǎn)桿向垂直方向旋轉(zhuǎn)將殘留在所述支架上的基板碎片擊落入所述漏斗裝 置。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，還包括設(shè)置于所述封閉室內(nèi)壁上并位于 每列支架一側(cè)的旋轉(zhuǎn)刷以及設(shè)置于所述封閉室外的第二驅(qū)動(dòng)裝置，所述第二驅(qū)動(dòng)裝置用于 驅(qū)動(dòng)所述旋轉(zhuǎn)刷向水平方向旋轉(zhuǎn)將殘留在所述支架上的基板碎片掃落入所述漏斗裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的裝置，其特征在于，還包括設(shè)置于所述封閉室頂部的 高壓噴嘴，用于噴出高壓氣體將殘留在所述封閉室內(nèi)壁上以及所述支撐裝置上的粉塵吹落 入所述漏斗裝置，所述漏斗裝置使所述粉塵到達(dá)所述封閉室所在的凈化間之外。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述高壓氣體為高壓氮?dú)狻?br> 8.—種破碎基板的方法，其特征在于，包括將至少一個(gè)基板放置于封閉室內(nèi)的支撐裝置上；第一驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)垂直桿向下移動(dòng)擊碎每層支撐裝置上放置的基板，形成基板碎片；所述基板碎片落入所述漏斗裝置，并通過所述漏斗裝置到達(dá)所述封閉室所在的凈化間 之外。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述基板碎片落入所述漏斗裝置，并通過 所述漏斗裝置到達(dá)所述封閉室所在的凈化間之外后還包括第二驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)桿向垂直方向旋轉(zhuǎn)將殘留在所述支撐裝置的支架上的基板碎 片擊落入所述漏斗裝置；殘留的基板碎片通過所述漏斗裝置到達(dá)所述封閉室所在的凈化間之外。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述基板碎片落入所述漏斗裝置，并通 過所述漏斗裝置到達(dá)所述封閉室所在的凈化間之外之后還包括第二驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)刷向水平方向旋轉(zhuǎn)將殘留在所述支撐裝置的支架上的基板碎 片掃落入所述漏斗裝置；殘留的基板碎片通過所述漏斗裝置到達(dá)所述封閉室所在的凈化間之外。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述殘留的基板碎片通過所述漏斗 裝置到達(dá)所述封閉室所在的凈化間之外后還包括高壓噴嘴噴出高壓氣體將殘留在所述封閉室內(nèi)的粉塵吹落入所述漏斗裝置；所述粉塵通過所述漏斗裝置到達(dá)所述封閉室所在的凈化間之外。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種破碎基板的裝置和方法。該裝置包括封閉室、設(shè)置于所述封閉室內(nèi)壁上的至少一層支撐裝置、穿設(shè)于所述封閉室頂部的垂直桿、設(shè)置于所述封閉室上方的第一驅(qū)動(dòng)裝置和與所述封閉室底部連通的漏斗裝置；每層所述支撐裝置用于支撐至少一個(gè)基板；所述第一驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)所述垂直桿向下移動(dòng)擊碎所述每層支撐裝置支撐的基板，形成的基板碎片落入所述漏斗裝置，所述漏斗裝置使所述基板碎片到達(dá)所述封閉室所在的凈化間之外。本發(fā)明的技術(shù)方案提高了破碎基板的效率以及降低了因Particle污染而產(chǎn)生的產(chǎn)品不良。
文檔編號B08B5/02GK101837307SQ20091008009
公開日2010年9月22日 申請日期2009年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月18日
發(fā)明者張建, 繆紅林 申請人:北京京東方光電科技有限公司