1.一種納米銀抑菌芯片的加工方法，其特征在于，包含以下步驟：
(1)將無紡布在抑菌整理液中浸漬60-150min；
(2)浸漬抑菌整理液后的無紡布在紫外線下照射30-60min；
(3)將紫外線照射后的無紡布用水洗滌1-3次；
(4)將洗滌后的無紡布烘干，卷成合適的厚度、分割成合適的寬度后，得到納米銀抑菌芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的納米銀抑菌芯片的加工方法，其特征在于，包含以下步驟：
(1)將100-300重量份的無紡布在20℃的抑菌整理液中浸漬60-150min，所述抑菌整理液包含如下重量份的原料：硝酸銀10-30份、抗壞血酸鈉100-200份、水1000-2000份；
(2)浸漬抑菌整理液后的無紡布在200-350nm波長的紫外線下照射30-60min；
(3)將紫外線照射后的無紡布用水洗滌1-3次；
(4)將洗滌后的無紡布在60-80℃下烘干，卷成合適的厚度、分割成合適的寬度后，得到納米銀抑菌芯片。
3.如權(quán)利要求1所述的納米銀抑菌芯片的加工方法，其特征在于，包含以下步驟：
(1)將100-300重量份的無紡布在25℃的聚氨基酸水溶液中浸漬20-50min，所述聚氨基酸水溶液包含如下重量份的原料：聚氨基酸20-40份、水1000-2000份；
(2)將浸漬后的無紡布在20℃的抑菌整理液中浸漬60-150min，所述抑菌整理液包含如下重量份的原料：硝酸銀10-30份、抗壞血酸鈉100-200份、水1000-2000份；
(3)浸漬抑菌整理液后的無紡布在200-350nm波長的紫外線下照射30-60min；
(4)將紫外線照射后的無紡布用水洗滌1-3次；
(5)將洗滌后的無紡布在60-80℃下烘干，卷成合適的厚度、分割成合適的寬度后，得到納米銀抑菌芯片。
4.如權(quán)利要求1所述的納米銀抑菌芯片的加工方法，其特征在于，包含以下步驟：
(1)將100-300重量份的無紡布在25℃的聚氨基酸水溶液中浸漬20-50min，所述聚氨基酸水溶液包含如下重量份的原料：聚氨基酸20-40份、水1000-2000份；
(2)將浸漬后的無紡布在20℃的抑菌整理液中浸漬60-150min，所述抑菌整理液包含如下重量份的原料：硝酸銀10-30份、抗壞血酸鈉100-200份、水1000-2000份；
(3)浸漬抑菌整理液后的無紡布在溫度為110℃、相對濕度為100％的條件下汽蒸35-45min；
(4)將汽蒸后的無紡布用水洗滌1-3次；
(5)將洗滌后的無紡布在60-80℃下烘干，卷成合適的厚度、分割成合適的寬度后，得到納米銀抑菌芯片。
5.如權(quán)利要求1所述的納米銀抑菌芯片的加工方法，其特征在于，包含以下步驟：
(1)將100-300重量份的無紡布在25℃的聚氨基酸水溶液中浸漬20-50min，所述聚氨基酸水溶液包含如下重量份的原料：聚氨基酸20-40份、水1000-2000份；
(2)將浸漬后的無紡布在20℃的抑菌整理液中浸漬60-150min，所述抑菌整理液包含如下重量份的原料：硝酸銀10-30份、抗壞血酸鈉100-200份、水1000-2000份；
(3)浸漬抑菌整理液后的無紡布在200-350nm波長的紫外線下照射40-50min；
(4)將紫外線照射后的無紡布在溫度為110℃、相對濕度為100％的條件下汽蒸35-40min；
(5)將汽蒸后的無紡布用水洗滌1-3次；
(6)將洗滌后的無紡布在60-80℃下烘干，卷成合適的厚度、分割成合適的寬度后，得到納米銀抑菌芯片。
6.如權(quán)利要求3或4或5所述的納米銀抑菌芯片的加工方法，其特征在于，所述聚氨基酸為聚賴氨酸和/或聚谷氨酸。
7.如權(quán)利要求1-7任一項所述的納米銀抑菌芯片的加工方法，其特征在于所述無紡布為莫代爾纖維和/或棉纖維制備而成。
8.一種納米銀抑菌芯片，其特征在于，采用權(quán)利要求1-8中任一項所述方法加工而成。
9.一種具有納米銀抑菌功能的衛(wèi)生巾，其特征在于，由自上而下依次疊在一起的表層、權(quán)利要求1-7中任一項所述的納米銀抑菌芯片、吸收層、底膜、離型紙層、包膜和快易貼組成。