技術(shù)特征：
1.一種非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，包括電性絕緣的多個(gè)浮柵，和第一位線及第二位線，各所述浮柵構(gòu)成了單元，其特征在于，各所述單元包括：讀取晶體管，其用于讀取相應(yīng)于所述浮柵內(nèi)的電荷存在與否的電壓；編程晶體管，其向所述浮柵注入電荷；擦除晶體管，其從所述浮柵抽出電荷；控制電容器，其調(diào)節(jié)所述浮柵的電位，所述浮柵延伸在所述讀取晶體管、所述編程晶體管、所述擦除晶體管及所述控制電容器的各活性區(qū)域上，其中，一個(gè)所述單元具有所述第一位線通過開關(guān)晶體管連接到所述讀取晶體管上、所述第二位線直接連接到所述編程晶體管上的結(jié)構(gòu)，與所述一個(gè)單元成對(duì)的另一所述單元具有所述第二位線通過開關(guān)晶體管連接到所述讀取晶體管上、所述第一位線直接連接到所述編程晶體管上的結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，在各單元中，所述擦除晶體管形成為N型阱或者P型阱，所述控制電容器形成為與所述擦除晶體管相同極性的、不同的N型阱或者P型阱，所述讀取晶體管、所述開關(guān)晶體管及所述編程晶體管形成為與所述擦除晶體管及所述控制電容器不同極性的P型阱或者N型阱。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，包括：擦除柵極線，在各所述浮柵上設(shè)置的所述擦除晶體管上一律地施加共用的電壓；源極線，在各所述浮柵上設(shè)置的所述讀取晶體管上一律地施加共用的電壓。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，由所述一個(gè)單元和所述另一單元構(gòu)成一位，在各所述單元上設(shè)置的各所述開關(guān)晶體管上分別連接有柵極線，各所述開關(guān)晶體管獨(dú)立地被進(jìn)行導(dǎo)通截止控制。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述第一位線連接到SRAM單元的一個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上，所述第二位線連接到與所述SRAM單元的所述一個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)互補(bǔ)的另一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上，由所述SRAM單元和、所述一個(gè)單元及所述另一單元的兩個(gè)單元構(gòu)成一位。