一種軟體納米屏蔽膜及其制造方法
【專利說明】
所屬技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及電磁屏蔽膜領(lǐng)域，特別地，是一種軟體納米屏蔽膜及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]納米屏蔽材料生產(chǎn)工藝中，化學(xué)鍍是一種廣泛使用的加工技術(shù)。化學(xué)鍍雖然具有效率高的優(yōu)點(diǎn)，但存在著致命的缺點(diǎn):由于鍍液穩(wěn)定性較差，維護(hù)、調(diào)整和再生等工藝比較麻煩，工藝難以控制，生產(chǎn)成本高；其產(chǎn)品性能不穩(wěn)定，工作屏蔽波段窄，且存在屏蔽效能低(40dB左右)、附著力差、鍍層常顯較大脆性的特點(diǎn)，并且產(chǎn)品留有有磷、鎘等有害元素，大大超過歐盟ROHS指令的要求，目前已被歐洲主要電子電器生產(chǎn)廠商禁止使用；與此同時(shí)，化學(xué)鍍還存在廢液難以處理，現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境保護(hù)措施難度大，污染嚴(yán)重的致命缺點(diǎn)。
[0003]混紡技術(shù)雖然比較成熟，成本低，可靠性高，但是產(chǎn)品屏蔽效能低(30dB以下)，只能滿足防輻射職業(yè)服裝等領(lǐng)域的低端需求，在電磁兼容和信息防護(hù)領(lǐng)域根本無法達(dá)到基本屏蔽指標(biāo)要求。
[0004]真空蒸鍍技術(shù)雖然能夠?qū)崿F(xiàn)最佳的生產(chǎn)效率，但也同時(shí)存在著屏蔽效能低(40dB以下)、膜層不均勻且附著力差的致命缺陷，僅局限于少數(shù)金屬，無法滿足多方面的需求。
[0005]真空磁控派射具有附著力好，可靠性尚的優(yōu)點(diǎn)，廣品屏蔽效能尚，能夠達(dá)到60dB以上，但這種單一的磁控濺射加工方法又存在成本太高的問題，一直沒有成為主要的加工方法和手段。
[0006]離子反應(yīng)鍍技術(shù)雖然具有導(dǎo)電率高(通常能達(dá)到0.02?0.1 Ω)、耐蝕性好(可以在各種復(fù)雜環(huán)境下使用)且成本低的優(yōu)點(diǎn)，但金屬不易勻化，附著力不高，產(chǎn)品的屏蔽效能也不夠理想。正是由于存在上述幾種致命缺點(diǎn)，限制了這些技術(shù)在工業(yè)生產(chǎn)中的應(yīng)用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]為了解決上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種軟體納米屏蔽膜及其制造方法，該軟體納米屏蔽膜及其制造方法能夠有效地解決被鍍基材收縮、泛黃、易擊穿、鍍膜易氧化、易腐蝕、屏蔽效果差、靶中毒技術(shù)缺點(diǎn)。
[0008]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
[0009]該軟體納米屏蔽膜，包括基材，基材的正面順序覆蓋有納米銅鍍層、納米鎳鍍層和保護(hù)層，基材的反面順序覆蓋有納米銅鍍層、納米鎳鍍層和導(dǎo)電膠。
[0010]作為優(yōu)選，所述基材包括無紡布、海綿、機(jī)織布、網(wǎng)紗及高分子材料。
[0011]一種軟體納米屏蔽膜的制造方法，包括以下制備步驟，
[0012](a)基材入真空烘干室，真空烘箱溫度控制在90?110°C，烘干是時(shí)間控制在72小時(shí)以上；
[0013](b)經(jīng)步驟a)處理后的基材進(jìn)行磁控濺射，磁控濺射的初始抽真空度為抽真空度為 1.2 X KT2Pa ；
[0014](c)磁控濺射靶材為銅靶，基材進(jìn)行復(fù)合納米鍍銅，基材的真空濺射面接觸下導(dǎo)電棒，克重30?35克/m2，拆下后置入鈦藍(lán)進(jìn)行水噴淋，烘箱溫度約100?120°C ;
[0015](d)磁控濺射靶材為鎳靶，經(jīng)步驟c)復(fù)合納米鍍銅的基材的銅層接觸下導(dǎo)電棒，克重5克/m2，水噴淋，烘箱溫度約140?180° C ；
[0016](e)對(duì)基材的正反面分別布涂保護(hù)層和導(dǎo)電膠。
[0017]作為優(yōu)選，步驟b)的磁控濺射穩(wěn)定抽真空度為1.8?2.0X KT1Pa,平均電流8.5?9.5A/革巴，線速度0.5?10.0米/分鐘。
[0018]作為優(yōu)選，步驟c)的鍍速5?25米/分鐘。
[0019]作為優(yōu)選，步驟d)鍍速15?25米/分鐘。
[0020]作為優(yōu)選，在步驟c)和步驟d)完成時(shí)檢驗(yàn)基材鍍層的厚度、電阻值、附著力和耐磨性能。
[0021]作為優(yōu)選，鍍層的面電阻值控制在0.5?0.007D/sq范圍內(nèi)。
[0022]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0023]將物理氣相沉積與離子反應(yīng)技術(shù)進(jìn)行了有機(jī)結(jié)合，同時(shí)利用不同金屬層之間的組合，使每種金屬層的功能特性得以實(shí)現(xiàn)，克服了化學(xué)鍍、物理蒸鍍、離子鍍等工藝難以解決的技術(shù)難題，有效地解決了被鍍基材收縮、泛黃、易擊穿、鍍膜易氧化、易腐蝕、屏蔽效果差、靶中毒等一系列技術(shù)難點(diǎn)。
【附圖說明】
[0024]圖1是本軟體納米屏蔽膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明:
[0026]參閱圖1，在本實(shí)施例中，該軟體納米屏蔽膜的制備方法，包括以下制備步驟:
[0027](a)基材入真空烘干室，真空烘箱溫度控制在90?110°C，烘干是時(shí)間控制在72小時(shí)以上；
[0028](b)經(jīng)步驟a)處理后的基材進(jìn)行磁控濺射，磁控濺射的初始抽真空度為抽真空度為 1.2 X KT2Pa ；
[0029](c)磁控濺射穩(wěn)定抽真空度為1.8?2.0 X KT1Pa,平均電流8.5?9.5A/靶，線速度0.5?10.0米/分鐘，磁控濺射靶材為銅靶，基材進(jìn)行復(fù)合納米鍍銅，基材的真空濺射面接觸下導(dǎo)電棒，克重30?35克/m2，拆下后置入鈦藍(lán)進(jìn)行水噴淋，烘箱溫度約100?120°C，鍍速5?25米/分鐘。
[0030](d)磁控濺射穩(wěn)定抽真空度為1.8?2.0 X KT1Pa,平均電流8.5?9.5A/靶，線速度0.5?10.0米/分鐘，磁控濺射靶材為鎳靶，經(jīng)步驟c)復(fù)合納米鍍銅的基材的銅層接觸下導(dǎo)電棒，克重5克/m2，水噴淋，烘箱溫度約140?180°C，鍍速15?25米/分鐘；
[0031](e)對(duì)基材的正反面分別布涂保護(hù)層和導(dǎo)電膠。
[0032]在步驟c)和步驟d)完成時(shí)檢驗(yàn)基材鍍層的厚度、電阻值、附著力和耐磨性能。
[0033]經(jīng)以上步驟制成的軟體納米屏蔽膜由以下結(jié)構(gòu)構(gòu)成:基材的正面順序覆蓋有納米銅鍍層、納米鎳鍍層和保護(hù)層，基材的反面順序覆蓋有納米銅鍍層、納米鎳鍍層和導(dǎo)電膠，經(jīng)檢測(cè)滿足以下性能參數(shù)，
[0034](I)面電阻達(dá)到 0.5-0.007 Ω /sq。
[0035](2)耐拉強(qiáng)度(N)橫向:彡100，縱向:彡120。
[0036](3)延伸率)橫向:多15，縱向:多10。
[0037](4)附著力:膠帶剝離試驗(yàn)，顯微鏡下，僅有點(diǎn)狀金屬剝離，電阻值無明顯變化。
[0038](5)耐磨性能:平磨500次，無明顯金屬粉末脫落，電阻差異率不超過20%。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種軟體納米屏蔽膜，包括基材，其特征在于:基材的正面順序覆蓋有納米銅鍍層、納米鎳鍍層和保護(hù)層，基材的反面順序覆蓋有納米銅鍍層、納米鎳鍍層和導(dǎo)電膠。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的軟體納米屏蔽膜，其特征在于:所述基材包括無紡布、海綿、機(jī)織布、網(wǎng)紗及高分子材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的軟體納米屏蔽膜的制造方法，其特征在于:包括以下制備步驟， (a)基材入真空烘干室，真空烘箱溫度控制在90?110°C，烘干是時(shí)間控制在72小時(shí)以上； (b)經(jīng)步驟a)處理后的基材進(jìn)行磁控濺射，磁控濺射的初始抽真空度為抽真空度為1.2 X KT2Pa ； (c)磁控濺射靶材為銅靶，基材進(jìn)行復(fù)合納米鍍銅，基材的真空濺射面接觸下導(dǎo)電棒，克重30?35克/m2，拆下后置入鈦藍(lán)進(jìn)行水噴淋，烘箱溫度約100?120°C ； (d)磁控濺射靶材為鎳靶，經(jīng)步驟c)復(fù)合納米鍍銅的基材的銅層接觸下導(dǎo)電棒，克重5克/m2，水噴淋，烘箱溫度約140?180° C ； (e)對(duì)基材的正反面分別布涂保護(hù)層和導(dǎo)電膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的軟體納米屏蔽膜的制造方法，其特征在于:步驟b)的磁控濺射穩(wěn)定抽真空度為1.8?2.0 X KT1Pa,平均電流8.5?9.5A/革巴，線速度0.5?10.0米/分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的軟體納米屏蔽膜的制造方法，其特征在于:步驟c)的鍍速5?25米/分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的軟體納米屏蔽膜的制造方法，其特征在于:步驟d)鍍速15?25米/分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的軟體納米屏蔽膜的制造方法，其特征在于:在步驟c)和步驟d)完成時(shí)檢驗(yàn)基材鍍層的厚度、電阻值、附著力和耐磨性能。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的軟體納米屏蔽膜的制造方法，其特征在于:鍍層的面電阻值控制在0.5?0.007 Ω /sq范圍內(nèi)。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種軟體納米屏蔽膜及其制造方法，通過將物理氣相沉積與離子反應(yīng)技術(shù)進(jìn)行了有機(jī)結(jié)合，使基材的正面順序覆蓋有納米銅鍍層、納米鎳鍍層和保護(hù)層，基材的反面順序覆蓋有納米銅鍍層、納米鎳鍍層和導(dǎo)電膠，本發(fā)明克服了化學(xué)鍍、物理蒸鍍、離子鍍等工藝難以解決的技術(shù)難題，有效地解決了被鍍基材收縮、泛黃、易擊穿、鍍膜易氧化、易腐蝕、屏蔽效果差、靶中毒等一系列技術(shù)難點(diǎn)。
【IPC分類】B32B15-04, H05K9-00
【公開號(hào)】CN104608437
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510059144
【發(fā)明人】鈕偉根
【申請(qǐng)人】吳江市金橋紡織品有限公司
【公開日】2015年5月13日
【申請(qǐng)日】2015年2月5日