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半導(dǎo)體橋電子起爆裝置的制作方法

文檔序號(hào):12245991閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種半導(dǎo)體橋電子起爆裝置,其特征在于,包括圓柱筒(10),所述圓柱筒(10)底部設(shè)有封底蓋(11),上部設(shè)有頂蓋(12),圓柱筒(10)內(nèi)部填充含能材料(20),所述含能材料(20)表面覆蓋活性箔層(30),所述活性箔層(30)上表面設(shè)有墊片(40),所述墊片(40)的外環(huán)與圓柱筒(10)的內(nèi)表面接觸,墊片(40)的上表面與頂蓋(12)位于圓柱筒(10)內(nèi)側(cè)的表面接觸,所述頂蓋(12)位于圓柱筒(10)內(nèi)側(cè)的表面中部嵌有半導(dǎo)體橋(50),兩根點(diǎn)火導(dǎo)線(60)從外部穿過頂蓋(12)進(jìn)入圓柱筒(10),且分別通過引線(61)連接至半導(dǎo)體橋(50)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體橋電子起爆裝置,其特征在于,所述墊片(40)厚度為0.5-1.0mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體橋電子起爆裝置,其特征在于,所述活性箔層(30)為氣相沉積形成的Al-Ni層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體橋電子起爆裝置,其特征在于,所述活性箔層(30)為由Al-Ti層、Ti-非晶硅中的一層或多層組合形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體橋電子起爆裝置,其特征在于,所述活性箔層(30)厚度為60-150μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體橋電子起爆裝置,其特征在于,所述其中一根點(diǎn)火導(dǎo)線(60)穿過頂蓋(12)的部位套設(shè)絕緣套管(62)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體橋電子起爆裝置,其特征在于,還包括一根導(dǎo)火索(70),所述導(dǎo)火索(70)置于含能材料(20)中,且穿過封底蓋(11)延伸至外部。

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